PL64406B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL64406B1 PL64406B1 PL131393A PL13139369A PL64406B1 PL 64406 B1 PL64406 B1 PL 64406B1 PL 131393 A PL131393 A PL 131393A PL 13139369 A PL13139369 A PL 13139369A PL 64406 B1 PL64406 B1 PL 64406B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- quartz resonator
- resonator
- quartz
- contact element
- probe
- Prior art date
Links
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: 25.1.1969 Opublikowano: 29.11.1972 64406 KI. 42 b, 12/03 MKP G 01 b, 7/06 CZYTELNIA Wspóltwórcy wynalazku: Boguslaw Stepien, Wieslaw Rybak Wlasciciel patentu: Instytut Tele- i Radiotechniczny, Warszawa (Polska) Sonda do pomiaru grubosci i szybkosci nanoszenia prózniowego cienkich warstw Przedmiotem wynalazku jest sonda do pomiaru grubosci i szybkosci nanoszenia prózniowego cienkich warstw, majaca zastosowanie we wszyst¬ kich przypadkach, igdzie szybkosc nanoszenia war¬ stwy i grubosc warstwy wplywa na jej wlasnosci eksploatacyjne.Dotychczas dokladny pomiar grubosci cienkiej warstwy wykonuje sie metodami optycznymi do- pliero po zakonczeniu 'procesu, ale taka procedu¬ ra pomiaru laczy sie ze zniszczeniem próbki, umozliwia tylko pomiar grubosci wynikowej i nie moze byc stosowana w przypadku koniecznosci ciaglej kontroli procesu nanoszenia.Równiez pomiar grubosci i szybkosci nanoszenia prózniowego realizuje sie przez jonizacje strumie¬ nia pary i pomiar pradu jonowego oraz zmiane czestotliwosci rezonansowej oscylatora kwarcowego pod wplywem naparowania warstwy dowolnego materialu.Urzadzenie oparte na jonizacji strumienia pary i pomiarze pradu jonowego ma male zastosowanie, glównie ze wzgledu na delikatna konstrukcje son¬ dy i znacznie ograniczony zakres pomiaru, w szcze¬ gólnosci nie jest mozliwy pomiar bardzo malych szybkosci nanoszenia, oraz skomplikowany uklad elektroniczny, malo odporny na zaklócenia.Metoda oparta na wykorzystaniu zmiany czestot¬ liwosci rezonatora kwarcowego umozliwia mierze¬ nie grubosci i szybkosci nanoszenia w bardzo sze¬ rokim zakresie pod warunkiem, ze temperatura 10 15 30 Z kwarcu bedzie stala. Poniewaz jednak procesom prózniowym towarzyszy znaczne wydzielanie cie¬ pla, wiec temlperatura wszyisUkiidh elementów znaj¬ dujacych sie w komorze prózniowej moze zmieniac sie w szerokich granicach. Dotyczy to takze kwar¬ cu bedacego czujnikiem szybkosci nanoszenia. Przy dulzej mocy zródla pary w przypadku procesu na¬ parowywania oraa we wszystkich procesach rozpyla¬ nia, efekt zrmiany czestotliwosci zwiazany ze wzro¬ stem temperatury, wystepujacy szczególnie podczas dlugotrwalych nanoszen, moze znacznie przekro¬ czyc efekt zmiany czestotliwosci zwiazany z na¬ niesieniem warstwy.Dotychczasowe metody i urzadzenia nie daja mozliwosci dokonania .pomiaru grubosci i szybko¬ sci nanoszenia bez zniszczenia próbek i nie moga byc stosowane do ciaglej kontroli procesu nano¬ szenia.Celam wynalazku jest usuniecie dotychczasowych wad.Cel ten zostal osiagniety przez skonstruowanie sondy, która pracuje na zasadzie zmiany czesto¬ tliwosci rezonansowej kwarcu i eliminuje wplyw temperaturowego wspólczynnika czestotliwosci.Istota wynalazku jest zastosowanie chlodnicy stanowiacej jednoczesnie doprowadzenie elektrycz¬ ne jednej z elektrod rezonatora kwarcowego i za¬ pewniajacej efektywne odprowadzenie ciepla od rezonatora. 64 40664 406 3 4 Uzyskuje sie to 'przez dopasowanie gniazda chlod¬ nicy do ksztaltu rezonatora kwarcowego i jedno¬ czesnie wykorzystanie chlodnicy jako elektrycz¬ nego doprowadzenia do uziemiondj elekitrody re¬ zonatora. loprowadzenie do drugiej inieuziemioneij elektrody rezonatora kwarcowego jest zrealizowa¬ ne za pomoca elementu kontaktujacego o ksztal¬ cie walca zapewniajacym prawidlowa prace rezo¬ natora dociskanego do rezonatora za pomoca spre¬ zyny.(Przedmiot wynalazku przedstawiony jest w przykladzie wykonania na rysunku, przedstawia¬ jacym sonde .pomiarowa z wymiennym rezonatorem kwarcowym.Sonda ma uziemiona chlodnice Z z gniazdem 9 scisle dopasowanym do klsizitaltu rezonatora kwar¬ cowego 1, obieg czynnika chlodzacego 3, element kontaktujacy 4 wykonany w postaci walca i po¬ laczony elektrycznie za pomoca przewodu 7 z trzpieniem 6 i sprezyna dociskowa 5.Odprowadzenie elektryczne nieuziemionej elek¬ trody 8 jest realizowane przez docisk mechanicz¬ ny elementu kontaktujacego 4 za pomoca sprezyny 5. Element kontaktujacy 4 jest wykonany w posta¬ ci walca i daje styk z nieuziemiona elektroda 8 rezonatora kwarcowego w ksztalcie kola o srednicy nieznacznie mniejszej od srednicy rezonatora.W przypadku rezonatorów kwarcowych wysoko- stabilnych o fazowanych krawedziach, amplituda drgan mechanicznych maleje w kierunku krawe¬ dzi rezonatora i na obwodzie okregu styku miedzy elementem kontaktujacym 4 wykonanym w posta¬ ci walca i elektroda 8 rezonatora kwarcowego 1 jest bliska zeru. Dzieki temu docisk mechaniczny 5 elementu kontaktujacego 4 nie zaklóca pracy rezo¬ natora kwarcowego. Kontakt elektryczny miedzy elementem kontaktujacym 4 a trzpieniem prowa¬ dzacym 6 jest zapewniony przez dodatkowe pola¬ czenie elastyczne 7 przylutowane zarówno do ele- 10 imentu kontaktujacego 4, jak i do trzpienia 6.Trzpien 6 stanowi jednoczesnie baze do zamonto¬ wania odprowadzenia zewnetrznego elektrody nie- uziemionej. 15 PL PL
Claims (2)
1. Zastrzezenia patentowe 1. Sonda do pomiaru grubosci i szybkosci nano¬ szenia prózniowego cienkich warstw, oparta na zjawisku zmiany czestotliwosci rezonatora kwar- 20 cowego pod wplywem obciazenia naparowana war¬ stwa, znamienna tym, ze ma chlodnice (2) z gniaz¬ dem scisle dopasowanym do ksztaltu rezonatora kwarcowego (1), która stanowi przewód elektrycz¬ ny doprowadzony do rezonatora kwarcowego (1), 25 przy czym drugim przewodem jest element kontak¬ tujacy (4) polaczony z nieuziemiona elektroda (8) rezonatora kwarcowego i sprezyna dociskowa (5).
2. Sonda Wedlug zastrz. 1 znamienna tym, ze element kontaktujacy (4) jest wykonany w posta- 30 ci walca. ZF „Ruch*' W-wa, zam. 1399-71, nakl. 200 egz. Cena zl 10,— PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL64406B1 true PL64406B1 (pl) | 1971-12-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106796739B (zh) | 生成随机数的方法及相关的随机数生成器 | |
| US2765765A (en) | Apparatus for the manufacture of piezoelectric crystals | |
| EP0792571A1 (fr) | Procede et dispositif de mesure d'un flux d'ions dans un plasma | |
| JP2020516024A (ja) | プラズマを遠隔検知するためのシステムおよび方法 | |
| JP6783268B2 (ja) | Nmrプローブ | |
| US2859407A (en) | Method and device for measuring semiconductor parameters | |
| JP2019053025A (ja) | 高周波磁場発生装置 | |
| US3122703A (en) | Gyromagnetic resonance method and apparatus | |
| PL64406B1 (pl) | ||
| US2877338A (en) | Method of adjusting the operating frequency of sealed piezoelectric crystals | |
| JP7396787B2 (ja) | 微小電流検出装置および微小電流検出方法 | |
| Stenzel | High-frequency noise on antennas in plasmas | |
| US2600278A (en) | Variable capacity cavity tuning | |
| Yanin et al. | Diagnostics of the atmospheric-pressure plasma parameters using the method of near-field microwave sounding | |
| Akbi | A method for measuring the photoelectric work function of contact materials versus temperature | |
| CN117723847B (zh) | 测量电推进电磁辐射信号的微波探针 | |
| US2673930A (en) | Ultrahigh-frequency crystal device of the asymmetrical conductivity type | |
| US2419903A (en) | Electrode construction for highfrequency electronic devices | |
| US11476407B2 (en) | Method for producing a piezoelectric transformer and piezoelectric transformer | |
| US2806966A (en) | Crystal assembly and process | |
| Lemke et al. | Modeling of cavity discharges under AC and DC voltage—Part II: Opportunities of the dipole-based PD model | |
| JP6735619B2 (ja) | 磁気共鳴測定用検出コイルの製造方法 | |
| Uribe Jiménez | High frequency properties of the geonium chip Penning trap and development of a broadband ion detection system | |
| Morin et al. | Plasma sheath and presheath waves: Theory and experiment | |
| Burr et al. | Remote sensing of complex permittivity by multipole resonances in RCS |