PL64314B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL64314B1
PL64314B1 PL139357A PL13935770A PL64314B1 PL 64314 B1 PL64314 B1 PL 64314B1 PL 139357 A PL139357 A PL 139357A PL 13935770 A PL13935770 A PL 13935770A PL 64314 B1 PL64314 B1 PL 64314B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
crystal
plate
arm
attached
foot
Prior art date
Application number
PL139357A
Other languages
English (en)
Inventor
Sikorski Stanislaw
Piotrowski Tadeusz
Original Assignee
Instytut Technologii Elektronowej
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Technologii Elektronowej filed Critical Instytut Technologii Elektronowej
Publication of PL64314B1 publication Critical patent/PL64314B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 12.IIL1970 (P 139 357) 29.11.1972 64314 KI. 21 g, 11/02 MKP H 011,7/00 CZYTELNIA U^D-zedu Patentowego Wspóltwórcy wynalazku: Stanislaw Sikorski, Tadeusz Piotrowski Wlasciciel patentu: Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa (Polska) Sposób obróbki krysztalów pólprzewodnikowych i urzadzenie do stosowania tego sposobu Przedmiotem wynalazku jest sposób obróbki kryszta-. lów pólprzewodnikowych i urzadzenie do stosowania te¬ go sposobu. Wynalazek znajduje najkorzystniejsze zasto¬ sowanie przy cieciu monokrysztalów na czesci, niezbed¬ ne do produkcji przyrzadów pólprzewodnikowych.Podstawowa operacja w technologii pólprzewodników jest ciecie monokrysztalów na okreslone odcinki lub plytki, które podlegaja nastepnie obróbce szlifierskiej i polerskiej. Nieodzownym przy tym wymogiem jest, aby ciecie odbywalo sie zgodnie z okreslona przedtem pla¬ szczyzna krystalograficzna.Do ciecia krysztalów najpowszechniej stosowane sa tarczowe pily diamentowe o malej grubosci. Ta ostatnia przeslanka byla podstawa budowy urzadzen do ciecia, posiadaja one bowiem tarcze z otworem, przy czym kra¬ wedz tnaca stanowi brzeg otworu. Zewnetrzne obrzeze tarczy jest zawiniete i zamocowane do wirujacego bebna.Opisane konstrukcje urzadzen tnacych wyznaczyly takze konstrukcje elementów utrzymujacych krysztal w okreslonej pozycji podczas ciecia. Elementami takimi sa wysiegniki, do których stopy przykleja sie krysztal. Ze wzgledu na to, ze uciete czesci krysztalu musza znajdo¬ wac sie na zewnatrz bebna (w przeciwnym razie wpa¬ dlyby do wirujacego bebna i ulegly zniszczeniu), krysztal musi byc przymocowany do stopy wysiegnika znajduja¬ cej sie wewnatrz bebna.Jak zaznaczono, ciecie monokrysztalu musi odbywac sie zgodnie z okreslona przedtem plaszczyzna krystalo¬ graficzna. W tym celu, wysiegnik z przyklejonym do jego stopy krysztalem mocuje sie w przyrzadzie umozli- 10 15 20 25 30 wiajacym ustawienie okreslonej plaszczyzny, a po orien¬ tacji Wysiegnik przenosi sie na urzadzenie do ciecia.Przedstawiony powyzej sposób obróbki krysztalów zawieral jednakze powazne wady. Do najistotniejszych wad nalezalo tu wyznaczanie plaszczyzny krystalogra¬ ficznej na podstawie tylko czesciowego obrazu refleksów swiatla. Dodac nalezy, ze prawidlowa orientacje mozna przeprowadzic tylko przy obserwacji wszystkich reflek¬ sów swiatla odbitych od powierzchni krysztalu przy czym w przypadku wyznaczania plaszczyzny (111) sa trzy refleksy rozlozone co 120°.Powodem tej podstawowej niedogodnosci byl fakt mocowania krysztalu do stopy wysiegnika, a nastepnie mocowanie tego wysiegnika w urzadzeniu orientujacym.Tu bowiem ramie wysiegnika przeslanialo bardzo znacz¬ ny obszar ekranu, uniemozliwiajac wrecz symetryzacje refleksów swietlnych, badz przeslaniajac co najmniej jedna ich wiazke.Niezaleznie od powyzszych wad, stosowanie osob¬ nych wysiegników dla kazdego krysztalu wymagalo po¬ siadania duzej ich ilosci, co z punktu widzenia powta¬ rzalnosci produkcji bylo bardzo niekorzystne. Równiez wzgledy ekonomiczne nie przemawialy za stosowaniem duzej ilosci wysiegników, które z powodu swych ksztal¬ tów i wymaganej dokladnosci obróbki byly elementami pracochlonnymi, a wiec odpowiednio drogimi.Opisane niegodnosci wytknely cel dla twórczego roz¬ wiazania zagadnienia obróbki krysztalów pólprzewodni¬ kowych, w kierunku zarówno zwiekszenia dokladnosci 643143 64314 4 tej obróbki, jak i racjonalnosci procesu technologicz¬ nego.Wytyczony cel osiagniety zostal w sposobie obróbki krysztalów pólprzewodnikowych wedlug niniejszego wy¬ nalazku, a to dzieki temu, ze przeznaczony do ciecia monokrysztal mocuje sie przy pomocy znanego lepisz¬ cza, do plaszczyzny plytki, po czym plytke z krysztalem zaklada sie na orientometr i wyznacza plaszczyzne kry¬ stalograficzna wedlug obrazu pelnej ilosci refleksów swiatla odbitego od powierzchni krysztalu, a nastepnie plytke ze zorientowanym krysztalem mocuje sie do wy¬ siegnika zamocowanego tylko w urzadzeniu do ciecia.Do realizacji powyzszego sposobu sluzy urzadzenie, bedace równiez przedmiotem niniejszego wynalazku.Istota urzadzenia jest rozdzielnosc elementu do którego mocowany jest krysztal. Zrealizowano to przez plytke mocowana rozlacznie do stopy wysiegnika. Plytka i sto¬ pa wysiegnika maja polaczenie wpustowe, zbiezne w kierunku ramienia wysiegnika dla samoczynnego kaso¬ wania ewentualnych luzów.Blizsze objasnienie wynalazku zostanie podane przy omówieniu przykladowego wykonania urzadzenia. Urza¬ dzenie w przykladowym wykonaniu pokazano na ry¬ sunku, na którym fig. 1 przedstawia zestawienie monta¬ zowe wysiegnika w rysunku perspektywicznym, a fig. 2 przedstawia urzadzenie do orientowania z zamocowana w nim plyta z krysztalem.Jeden wysiegnik 1 zamocowany jest trwale tylko w uchwycie urzadzenia do ciecia. W stopie 7 wysiegnika 1 wykonane jest wyciecie stanowiace gniazdo dla wpustu, w który to wpust zaopatrzona jest plytka 2. Rodzaj za¬ stosowanego polaczenia wpustowego jest w zasadzie do¬ wolny, wymagana jest jednak od takiego polaczenia ce¬ cha samoczynnego kasowania luzu powstajacego na skutek wycierania sie prowadnic.W przykladzie wynalazku rozwiazano to stosujac po¬ laczenie typu jaskólczy ogon z tym, ze polaczenie to jest zbiezne w kierunku ramienia wysiegnika 1. Stopa 7 wy¬ siegnika 1 ma równiez otwór, w który wprowadza sie srube 4 dla skrecenia plytki 2 ze stopa 7.Realizacja sposobu wedlug wynlazku przy uzyciu urza¬ dzenia odbywa sie jak nastepuje. Do plaszczyzny plyt¬ ki 2 przykleja sie, znanym lepiszczem, krysztal 3, który ma byc poddany obróbce. Plytke 2 z przymocowanym don krysztalem 3 mocuje sie w uchwycie 6 oriento- metru. Uchwyt 6 ma przy tym równiez gniazdo dla wpustu, identyczne z gniazdem stopy 7 wysiegnika. Za¬ mocowany w ten sposób krysztal 3 jest nastepnie orien¬ towany na podstawie obrazu pelnej ilosci refleksów swiatla odbitego od czola krysztalu i rzutowanego na 5 ekran 5. Po przeprowadzeniu tej operacji plytke 2 z krysztalem 3 mocuje sie w stopie 7 wysiegnika 1 oraz dodatkowo skreca sie sruba 4. Zastosowanie sruby 4 jest uzasadnione korzyscia likwidowania ewentualnych lu¬ zów powstajacych z czestego rozlaczania plytki 2 od 10 stopy 7.Ciecie tak zamocowanego krysztalu odbywa sie me¬ toda konwencjonalna.Dzieki stosowaniu wynalazku nastepuje calkowite wy¬ eliminowanie wysiegników z obiegu produkcyjnego na 15 rzecz prostszych i tanszych w wykonaniu plytek. Mala stosunkowo masa plytki jest przy tym szybciej nagrze¬ wana przy mocowaniu na jej plaszczyznie krysztalu, co niewatpliwie przyspiesza proces ciecia. Ponadto plytka zapewnia dostep do krysztalu ze wszystkich stron, co z 20 kolei umozliwia bardzo dokladne wyznaczanie plaszczyz¬ ny krystalograficznej.Dodatkowa korzyscia jest mozliwosc przeprowadza¬ nia orientacji krysztalu na typowym orientometrze op¬ tycznym, a takze z powodzeniem nawet na urzadzeniach 25 rentgenowskich. PL PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób obróbki krysztalów pólprzewodnikowych, znamienny tym, ze przeznaczony do ciecia monokrysztal mocuje sie przy pomocy znanego lepiszcza, do plaszczyz¬ ny plytki, po czym plytke z krysztalem zaklada sie na orientometr i wyznacza plaszczyzne krystalograficzna wedlug obrazu pelnej ilosci refleksów swiatla odbitego od powierzchni krysztalu, a nastepnie plytke ze zorien¬ towanym krysztalem mocuje sie do wysiegnika zamoco¬ wanego w urzadzeniu do ciecia. 2. Urzadzenie do stosowania sposobu wedlug zastrz. 1 zawierajace wysiegnik do zamocowania na nim kryszta¬ lu pólprzewodnikowego poddawanego nastepnie obróbce, znamienne tym, ze ma plytke (2) mocowana rozlacznie do stopy (7) wysiegnika (1). 3. Urzadzenie wedlug zastrz. 2 znamienne tym, ze 45 plytka (2) i stopa wysiegnika (1) maja polaczenie wpu¬ stowe, zbiezne w kierunku ramienia wysiegnika (1). 35 ^3E3^ G3 Fig.1 Fig.
2. Cena zl 10.— WDA-l. Zam. 2190, naklad 195 egz. PL PL
PL139357A 1970-03-12 PL64314B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL64314B1 true PL64314B1 (pl) 1971-12-31

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI74230C (sv) Anordning för skärpning av knivar.
DK149967B (da) Metalelektrode til maaling af ph, po2 eller pco2
PL64314B1 (pl)
DK120780A (da) Fremgangsmaade til fremstilling af phenyl- eller phenoxy-substituerede spiro-imidazolidindionderivater eller salte deraf
US4081928A (en) Silicon slice carrier block and plug assembly
DK114473B (da) Maskine, navnlig tromlevaskemaskine eller centrifuge, med et fjedrende ophængt stel med en roterende komponent.
DK262888D0 (da) Rotationsmaskine med drejevinkel-maaleindretning
DK567983D0 (da) 2-hydroxymethyl-3-carbamoyl-1,4-dihydro-pyridin-forbindelser og salte deraf samt deres fremstilling og anvendelse
DK197684D0 (da) Substituerede indeno-pyridazinoner og salte deraf,fremgangsmaade til deres fremstilling samt deres anvendelse
US2823461A (en) Tilting arbor saw gage
DK155483D0 (da) Maskine til fremstilling af kasseloese, vandret delte stoebeforme af sand eller lignende materiale
DK61684D0 (da) Komplekser af prostaglandiner med crosspovidone,i forvejen forklistret stivelse eller dextraner,deres fremstilling og anvendelse
DK272984D0 (da) Trisubstituerede oxazolidinoner og salte deraf samt deres fremstilling og anvendelse
SU416172A1 (pl)
DK222384A (da) 2-aminolavalkyl-2-penem-forbindelser og salte deraf samt deres fremstilling og anvendelse
FR1495995A (fr) Appareil perfectionné destiné à la taille d'éléments optiques
US2739241A (en) Apparatus for use in x-ray diffraction analysis
JPS5370466A (en) Batch processing weighing machine
SU1719879A1 (ru) Устройство дл контрол размеров лопатки крыльчатки
IT1178641B (it) Procedimento per preparare 4-(2-fenossietil)-1,2,4-triazolone
DK113360B (da) Fremgangsmåde til fremstilling af sulfonylurethaner eller deres salte.
DK129033B (da) Analogifremgangsmåde til fremstilling af propiophenonforbindelser eller deres optisk aktive isomere eller diastereomere eller salte eller kvaternære ammoniumforbindelser deraf.
SU1610336A2 (ru) Устройство дл балансировки роторов
SU779025A1 (ru) Устройство дл привода во вращение шпиндел вращающегос центра
SU79148A1 (ru) Пол ризационный прибор