PL64309B1 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 20.IX.1969 (P 135 926) 15.1.1972 64309 KI. 21 e, 31/22 MKP GOlr, 31/22 CZYTELNIA K tf ¦*• Wspóltwórcy wynalazku: Klaudiusz Kacy, Ludwik Bander Wlasciciel patentu: Zaklady Konstrukcyjno-Mechanizacyjne Przemyslu Weglowe¬ go, Gliwice (Polska) Urzadzenie do dobierania par tranzystorów Przedmiotem wynalazku jest urzadzenie do dobiera¬ nia par tranzystorów przeznaczone do zastosowania w przemysle elektronicznym.W niektórych urzadzeniach i ukladach elektronicznych waznym zagadnieniem jest dobór par tranzystorów o podobnych parametrach. Od dokladnosci tego doboru w duzym stopniu zalezy jakosc wykonanego ukladu.Dotychczas znany jest sposób i urzadzenie do dobie¬ rania par tranzystorów, polegajacy na porównywaniu charakterystyk w ukladzie wzmacniacza przeciwsobnego w ten sposób, ze dobierane dynamicznie tranzystory ste¬ ruje sie dwoma identycznymi przebiegami zgodnymi w fazie o równej amplitudzie i czestotliwosci. Odbywa sie to w warunkach pracy, zblizonych do rzeczywistych, przy czym jako kryterium praktycznej identycznosci pa¬ ry tranzystorów przyjmuje sie zanik napiecia na wspól¬ nym obciazeniu.W urzadzeniach z zasilajacym transformatorem sy- metryzujacym jeden z tranzystorów ukladu przeciwsob¬ nego przyjmuje sie za wzorcowy, zas pozostale dobie¬ rane tranzystory wstawione sa kolejno w miejsce dru¬ giego tranzystora. Jako kryterium identycznosci dobie¬ ranych tranzystorów przyjmuje sie jednakowa wielkosc i ksztalt napiecia na opornosci obciazenia. Sposób i urzadzenie ma wady, poniewaz nie zapewnia mozliwo¬ sci okreslenia wspólczynnika pradowego oraz pradów zerowych dobieranych tranzystorów, ze wzgledu na róz¬ nicowy charakter pomiaru na wspólnym obciazeniu.Oprócz tego znany jest sposób i urzadzenie dobiera¬ nia par tranzystorów do wzmacniaczy róznicowych pra- 10 15 20 25 30 du stalego, polegajace na tym, ze jeden tranzystor spo¬ sród tranzystorów mierzonych przyjmuje sie za tranzy¬ stor odniesienia i umieszcza sie go w jednej galezi wzmacniacza róznicowego. Wzmacniacz jest tak zbudo¬ wany, ze suma pradów emiterów tranzystorów umiesz¬ czonych w obydwu galeziach wzmacniacza jest nieza¬ lezna od parametrów tych tranzystorów, przy czym do wejscia wzmacniacza doprowadza sie róznicowy sygnal stalopradowy i równoczesnie mierzy sie róznicowy syg¬ nal na wyjsciu wzmacniacza. Jako kryterium doboru pary kolejno mierzonych tranzystorów przyjmuje sie wystepowanie jednakowych wyjsciowych sygnalów róz¬ nicowych w granicach zalozonych tolerancji dla rózni¬ cowych sygnalów wejsciowych.Wymieniony sposób i urzadzenie jest niedogodne i pracochlonne w praktyce, gdyz stwarza koniecznosc po¬ miarów sygnalów róznicowych.Znany jest równiez sposób i urzadzenie, w których badane tranzystory wlaczone sa na przemian do ukladu jednostrumieniowego oscyloskopu, przy czym jako kry¬ terium doboru tych tranzystorów przyjmuje sie podo¬ bienstwo ich charakterystyk. Uklady przelaczajace za¬ wieraja przelacznik elektroniczny lub przelacznik elek¬ tromechaniczny zlozony z przekazników lub wybiera¬ ków.Wada sposobu i urzadzenia jest stosowany przelacznik elektroniczny i elektromechaniczny. Wada przelacznika elektronicznego jest skomplikowana budowa oraz nie¬ dokladnosc dzialania z uwagi na stosowane elektronicz¬ ne bezstykowe elementy przelaczajace, które w zakresie 6430964309 malych sygnalów pradowo-napieciowych wprowadzaja znieksztalcenia w badanych tranzystorach. Przelacznik elektromechaniczny zawiera stykowe elementy przelacza¬ jace, które sa klopotliwe do synchronizacji momentu przelaczenia badanych tranzystorów, utrudniajac obser¬ wacje na oscyloskopie charakterystyk badanych tranzy¬ storów.Niezaleznie od powyzszego znane jest równiez urza¬ dzenie do porównywania charakterystyk pradowo-napie¬ ciowych dwóch diod lub dwóch tranzystorów, polega¬ jace na przelaczaniu badanych elementów przez diody pólprzewodnikowe za pomoca dwóch napiec sterujacych o róznych amplitudach i przesunieciu napiec w fazie o kat 180°. rjW^ftaTtlrzadzenia-jest stosowanie w ukladach przela- zaj^cych diod pólprzewodnikowych, które w zakresie |lych sygnalów praddwo napieciowych sa nieliniowe, wnjo^acjza znijj^szfalcenia w poczatkowych fazach pomiaru badanyeh(^arakterystyk tranzystorów.XfcTem"W9life^^ umozliwienie szybkiego i do¬ kladnego doboru par tranzystorów z wyeliminowaniem nieliniowosci w ukladach przelaczajacych Z jednoczes¬ nym okresleniem wspólczynników wzmocnienia prado¬ wego oraz pradów zerowych badanych tranzystorów.Cel ten zostal osiagniety za pomoca elektronicznego ukladu synchronizacji momentu przelaczenia badanych tranzystorów, zawierajacego multiwibrator, w którego obwodzie obciazenia podlaczona jest cewka z dwoma kontaktronami, przy czym obwody baz tranzystorów multiwibratora zasilane sa poprzez rezystor napieciem zmiennym wlaczonym na wejscie odchylania poziomego jednostrumieniowego oscyloskopu.Urzadzenie wedlug wynalazku ma minimalna opor¬ nosc przejscia ukladu przelaczajacego z wyeliminowa¬ niem nieliniowosci, zapewniajaca dokladne odwzoro¬ wywanie zdejmowanych charakterystyk oraz prosty i pewny w dzialaniu uklad synchronizacji momentu prze¬ laczenia badanych tranzystorów.Urzadzenie wedlug wynalazku przedstawione jest w przykladzie wykonania na rysunku, który przedstawia schemat ideowy urzadzenia wraz z elektronicznym ukla¬ dem synchronizujacym.Urzadzenie do dobierania par tranzystorów sklada sie z multiwibratora 1, który przez rezystor regulowa¬ ny 2 synchronizowany jest napieciem sieci zasilajacej 3.W obwodzie obciazenia multiwibratora 1 znajduje sie 5 cewka 4 sterujaca kontaktronami 5, 6. Kontaktrony 5, 6 znajduja sie w obwodach kolektora i emitera badanych tranzystorów 9, 10, które podlaczone sa do ukladu oscy- lograficznego zdejmowania charakterystyk statycznych zrealizowanego z rezystorów 11, 12 i 13, diody 14 oraz 10 oscylografu 15.Badanie charakterystyk statycznych tranzystorów 9, 10 opiera sie na wykresleniu przez oscylograf 15 zalezno¬ sci pradu kolektora od napiecia kolektor-emiter. Prad kolektora jest wyznaczony na plytkach odchylania pio- 15 nowego poprzez spadek napiecia na rezystbrfce 12. Na¬ tomiast napiecie kolektor-emiter jest wyznaczone na plytkach odchylania poziomego oscylografu 15.Dzieki synchronizacji z napieciem zasilajacym 3 kon¬ taktrony 5, 6 przelaczaja swoje styki w momencie ujem- 20 nego pólokresu napiecia zasilania 3. Natomiast w do¬ datnim pólokresie tego napiecia odbywa sie pomiar cha¬ rakterystyki statycznej wlaczonego w danej chwili tran¬ zystora 9 lub 10. Poniewaz czas pomiaru tranzystora 9 lub 10 wyznaczony czestotliwoscia drgan multiwibrato- 25 ra 1 jest mniejszy od czasu poswiaty oscylografu 15, to na ekranie oscylografu 1S obserwuje sie równoczesnie obydwie charakterystyki statyczne badanych tranzysto¬ rów 9 i 10. 30 PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Urzadzenie do dobierania par tranzystorów wlaczo¬ nych na przemian do ukladu oscylografu za pomoca przelacznika elektromechanicznego, znamienne tym, ze 35 zawiera elektroniczny uklad synchronizacji momentu przelaczania badanych tranzystorów (9, 10), wyposazony w multiwibrator (1), w którego obwodzie obciazenia podlaczona jest cewka sterujaca kontaktrony (5, $), przy czym obwody baz tranzystorów (7, 9) zasilane sa po- 40 przez rezystor G) napieciem zmiennym (3), wlaczonym na wejscie odchylania poziomego jednostrumieniowego oscylografu (15).KI. 21 e, 31/22 $4309 MKP G 01 r, 31/22 3 PL PL