PL63517B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL63517B1 PL63517B1 PL137535A PL13753569A PL63517B1 PL 63517 B1 PL63517 B1 PL 63517B1 PL 137535 A PL137535 A PL 137535A PL 13753569 A PL13753569 A PL 13753569A PL 63517 B1 PL63517 B1 PL 63517B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- oscillations
- elastic
- semiconductor
- spin
- crystal
- Prior art date
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 33
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [Cd]=S CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N iron yttrium Chemical compound [Fe].[Y] MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Description
Opublikowano: 20.XI.1971 63517 KI. 21 g, 41/00 MKP H 03 b, 7/14 ftllUOTEKA Twórca wynalazku: Sylwester Kaliski Wlasciciel patentu: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jaroslawa Dab¬ rowskiego, Warszawa (Polska) Sposób otrzymywania oscylacji spontanicznych sprezysto-spinowych w ukladach ferromagnetopiezopólprzewodnikowych Przedmiotem wynalazku jest sposób generowa¬ nia spotanicznych oscylacji sprezysto-spinowych w ukladach ferromagnetopiezopólprzewodnikowych.Znany jest sposób generowania spontanicznych oscylacji sprezystych w krysztale piezopólprze- wodnikowym, do którego przyklada sie stale na¬ piecie elektryczne wywolujace w nim strumien dryfujacych elektronów, który przy predkosci kry¬ tycznej wzmacnia spontaniczne oscylacje w krysz¬ tale o czestotliwosciach równych czestotliwosciom drgan wlasnych krzysztalu.Sposób ten jest jednak ograniczony do oscyla¬ cji poprzecznych i podluznych.Znany jest sposób otrzymywania spontanicznych oscylacji powierzchniowych fal sprezystych w plytce z krysztalu piezopólprzewodnikowego, w którym przez naswietlenie wytwarza sie cienka przypowierzchniowa warstwe pólprzewodzaca. W warstwie pod wplywem przylozonego stalego na¬ piecia wytwarza sie strumien dryfujacych elek¬ tronów, który przy krytycznej predkosci dryfu wzmacnia oscylacje spontaniczne powierzchnio¬ wych fal sprezystych powstajace w krysztale, w którym zapewnione jest pelne odbicie fali od kra¬ wedzi plytki przez zrealizowanie warunków brze¬ gowych typu Sommerfelda.Celem wynalazku jest otrzymanie uwielokrot- nionych oscylacji sprezysto-spinowych o czestotli¬ wosciach od kilkuset do kilku tysiecy megaherców 10 15 20 25 przez wykorzystanie efektu krytycznej predkosci dryfu elektronów i wykorzystanie wewnetrznego mechanizmu sprzezenia sprezysto-spinowego w krysztalach ferromagnetycznych.Cel ten osiagnieto dzieki temu, ze zastosowano uklad majacy jednoczesnie wlasnosci ferromagne¬ tyczne i piezopólprzewodnikowe.Istota wynalazku polega na tym, ze w ukladzie ferromagnetopiezopólprzewodnikowym zlozonym z krysztalu ferromagnetycznego i warstwy krysztalu piezopólprzewodnikowego do warstwy pólprze¬ wodnikowej poprzez styki omowe przyklada sie stale napiecie elektryczne, które wytwarza strumien dryfujacych elektronów w warstwie.W krysztale ferromagnetycznym, w którym za¬ pewnione jest pelne odbicie fal powierzchniowych od krawedzi krysztalu przez spelnienie warunków brzegowych typu Sommerfelda, samowzbudne oscy¬ lacje powierzchniowe sprezysto-spinowe wytwa¬ rzaja w warstwie pólprzewodnikowej poprzez styk mechaniczny miedzy krysztalem a warstwa, fale sprezyste wywolujace w niej pole piezoelektrycz¬ ne. Przy krytycznej predkosci dryfu elektronów na¬ stepuja w wyniku piezoefektu wzmocnienia oscy¬ lacji sprezystych w warstwie, a te z kolei uwie- lokrotniaja oscylacje sprezysto-spinowe w krysz¬ tale. Sprzezenie sprezysto-spinowe powodujace na¬ rastanie oscylacji spinowych jest najwieksze w warunkach rezonansu spinowo-akustycznego, któ¬ ry osiaga sie przez umieszczenie krysztalu w sta- 63 51763 517 3 lym polu magnetycznym, o wartosci okreslonej parametrami ukladu.W celu otrzymania poprzecznych oscylacji spon¬ tanicznych sprezysto-spinowych mozna stosowac monolityczny krysztal ferromagnetopiezopólprze- wodnikowy, w którym ruchliwosc elektronów po¬ siada wartosc, pozwalajaca uzyskac predkosc kry¬ tyczna. Z uwagi na brak tego typu krysztalów o wystarczajacej ruchliwosci, uklad mozna zreali¬ zowac przez nalozenie na siebie na przemian Warstw krysztalu ferromagnetycznego i pólprze¬ wodnikowego o grubosci plytki mniejszej od za¬ danej dlugosci fali. Sposób dzialania ukladu jest analogiczny do ukladu dla oscylacji powierzchnio¬ wych.Sposób wedlug wynalazku zostanie objasniony na podstawie rysunku, na którym fig. 1 przed¬ stawia przyklad wykonania ukladu zlozonego z plytki z granatu zelazo-itrowego i przypo¬ wierzchniowej warstwy pólprzewodnikowej z siarczku kadmu dla otrzymania powierzchnio¬ wych oscylacji spontanicznych, a fig. 2 przedsta¬ wia przyklad wykonania ukladu zlozonego z na przemian nalozonych warstw z granatu zelazo-itro¬ wego i siarczku kadmu dla otrzymania oscylacji poprzecznych.Powstajace pod wplywem fluktuacji termicznych powierzchniowe oscylacje spontaniczne sprezysto- -spinowe (fig. 1) i w plytce 1 wytwarzaja w war- . stwie pólprzewodzacej 2, oscylacje sprezyste, któ¬ re wytwarzaja pole piezoelektryczne modulujace strumien dryfujacych elektronów w warstwie 2, wytworzony przez napiecie stale ze zródla 4, przy¬ lozone do tej warstwy przez styki omowe 3.Przy krytycznej predkosci dryfu poprzez piezo- efekt nastepuje wzmocnienie oscylacji sprezystych w warstwie (2), które z kolei wzmacniaja oscyla¬ cje sprezyste w plytce (1). W przypadku otrzyma¬ nia poprzecznych oscylacji sprezysto-spinowych (fig. 2) stale napiecie ze zródla 4, poprzez styki omowe 3 przyklada sie do bocznych powierzchni wielowarstwowego ukladu. W warunkach gdy uklad znajduje sie w rezonansie spinowo-akustycz- nym, co osiaga sie przez umieszczenie ukladu w stalym polu magnetycznym, okreslonym parame¬ trami ukladu, nastepuje uwielokrotnieniie oscylacji spinowych.Otrzymanie oscylacji o zadanej czestotliwosci uzyska sie przez zapewnienie pelnego odbicia od krawedzi granicznych, a wiec przez spelnienie 10 15 20 25 30 35 40 45 50 warunków brzegowych typu Sommerfelda w przy¬ padku oscylacji powierzchniowych, a w przypad¬ ku oscylacji poprzecznych przez zapewnienie pel¬ nego odbicia od powierzchni prostopadlych do kie¬ runku rozchodzenia sie fal sprezysto-spinowych.Warstwa pólprzewodnikowa moze byc nalozona na plytke mechanicznie lub epitaksjalnie.Dla otrzymania oscylacji powierzchniowych wy¬ starczajace jest chlodzenie naturalne ukladu, dla oscylacji poprzecznych mozna stosowac dodatko¬ we chlodzenie, przez co zapewni sie ciagla prace ukladu. PL PL
Claims (2)
1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób otrzymywania oscylacji spontanicznych sprezysto-spinowych w ukladach ferromagnetopie- zopólprzewodnikowych, znamienny tym, ze w plyt¬ ce z krysztalu ferromagnetycznego, na który nalo¬ zona jest warstwa pólprzewodnikowa dla otrzy¬ mania oscylacji powierzchniowych do warstwy pól¬ przewodnikowej poprzez styki omowe przyklada sie stale napiecie elektryczne, które wytwarza w warstwie pólprzewodnikowej strumien dryfuja¬ cych elektronów, który jest modulowany polem piezoelektrycznym wytworzonym przez oscylacje sprezyste w warstwie wywolane przez oscylacje powierzchniowe w krysztale ferromagnetycznym i przy krytycznej predkosci dryfu strumienia wzmacnia oscylacje sprezyste w warstwie piezo- pólprzewodnikowej, które z kolei wzmacniaja oscy¬ lacje sprezyste w krysztale ferromagnetycznym i gdy uklad znajduje sie w stanie rezonansu spi- nowo-akustycznego, co osiaga sie przez umiesz¬ czenie ukladu w stalym polu magnetycznym, któ¬ rego wartosc jest okreslona parametrami ukladu poprzez sprzezenie sprezysto-spinowe nastepuje uwielokrotnienie oscylacji spinowych, przy czym rozmiary plytki zapewniaja calkowite odbicie oscy¬ lacji powierzchniowych o zadanej czestotliwosci od krawedzi plytki przez spelnienie warunków brzegowych typu Sommerfelda.
2. Sposób wedlug zastrz. 1 znamienny tym, ze dla otrzymania oscylacji poprzecznych w ukladzie zlozonym z na przemian lezacych warstw z krysz¬ talu ferromagnetycznego i pólprzewodnikowego stale napiecie elektryczne przyklada sie do po¬ wierzchni bocznych ukladu, którego rozmiary za¬ pewniaja pelne odbicie fali od powierzchni pro¬ stopadlych do kierunku jej rozchodzenia. ZF „Ruch" W-wa, zam. 900-71, nakl. 250 egz. Fig.2 Dokonano dwóch poprawek PL PL
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702061159 DE2061159C3 (de) | 1969-12-13 | 1970-12-11 | Verfahren zur Erzeugung von spontanen elastisch-spinartigen Schwingungen in Anordnungen mit ferromagnetischen und piezohalbleitenden Materialien |
| US97499A US3668441A (en) | 1969-12-13 | 1970-12-14 | Method of generation of spontaneous elastic-spin-oscillations in ferromagnetopiezosemiconductor circuits |
| GB5938370A GB1328649A (en) | 1969-12-13 | 1970-12-14 | Method of generating spontaneous elastic-spin oscillations in ferromagnetopiezoelectric semiconductor circuits |
| FR7044957A FR2116325B1 (pl) | 1969-12-13 | 1970-12-14 | |
| JP45111693A JPS4825821B1 (pl) | 1969-12-13 | 1970-12-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL63517B1 true PL63517B1 (pl) | 1971-08-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3568108A (en) | Thin film piezoelectric filter | |
| White | Surface elastic-wave propagation and amplification | |
| Armand | On the output spectrum of unlocked driven oscillators | |
| US3382381A (en) | Tab plateback | |
| US3955160A (en) | Surface acoustic wave device | |
| GB2042842A (en) | Surface acoustic wave variable delay devices | |
| GB1081178A (en) | Acoustically resonant device | |
| US3585418A (en) | Piezoelectric resonators and method of tuning the same | |
| US3543058A (en) | Piezoelectric transducer | |
| US3838366A (en) | Monolithic electro-mechanical filters | |
| PL63517B1 (pl) | ||
| US3487334A (en) | Microwave power generator using lsa mode oscillations | |
| Litvinenko et al. | A chaotic magnetoacoustic oscillator with delay and bistability | |
| US3668441A (en) | Method of generation of spontaneous elastic-spin-oscillations in ferromagnetopiezosemiconductor circuits | |
| US3453456A (en) | Ultrasonic transducer | |
| US3633118A (en) | Amplifying surface wave device | |
| Gu et al. | Properties of a magnetopolaron at the interface of polar-polar crystals | |
| US3434008A (en) | Solid state scanning system | |
| Abdelraheem et al. | Amplification of ultrasonic waves in bulk GaN and GaAlN/GaN heterostructures | |
| US3673474A (en) | Means for generating (a source of) surface and bulk elastic wares | |
| US3617911A (en) | Wide band direct-current-pumped semiconductor maser | |
| Marshall | Voltage-and conductivity-independent mode of operation in thin acoustoelectric oscillators | |
| US3659122A (en) | Method of continuous amplification of surface and transverse coupled elastic-spin waves | |
| US3458831A (en) | Semiconductor device for producing and amplifying electrical signals of very high frequencies | |
| US3593214A (en) | High impedance transducer |