PL63517B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL63517B1
PL63517B1 PL137535A PL13753569A PL63517B1 PL 63517 B1 PL63517 B1 PL 63517B1 PL 137535 A PL137535 A PL 137535A PL 13753569 A PL13753569 A PL 13753569A PL 63517 B1 PL63517 B1 PL 63517B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
oscillations
elastic
semiconductor
spin
crystal
Prior art date
Application number
PL137535A
Other languages
English (en)
Inventor
Kaliski Sylwester
Original Assignee
Wojskowa Akademia Techniczna Im Jaroslawa Dab¬Rowskiego
Filing date
Publication date
Application filed by Wojskowa Akademia Techniczna Im Jaroslawa Dab¬Rowskiego filed Critical Wojskowa Akademia Techniczna Im Jaroslawa Dab¬Rowskiego
Priority to DE19702061159 priority Critical patent/DE2061159C3/de
Priority to US97499A priority patent/US3668441A/en
Priority to GB5938370A priority patent/GB1328649A/en
Priority to FR7044957A priority patent/FR2116325B1/fr
Priority to JP45111693A priority patent/JPS4825821B1/ja
Publication of PL63517B1 publication Critical patent/PL63517B1/pl

Links

Description

Opublikowano: 20.XI.1971 63517 KI. 21 g, 41/00 MKP H 03 b, 7/14 ftllUOTEKA Twórca wynalazku: Sylwester Kaliski Wlasciciel patentu: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jaroslawa Dab¬ rowskiego, Warszawa (Polska) Sposób otrzymywania oscylacji spontanicznych sprezysto-spinowych w ukladach ferromagnetopiezopólprzewodnikowych Przedmiotem wynalazku jest sposób generowa¬ nia spotanicznych oscylacji sprezysto-spinowych w ukladach ferromagnetopiezopólprzewodnikowych.Znany jest sposób generowania spontanicznych oscylacji sprezystych w krysztale piezopólprze- wodnikowym, do którego przyklada sie stale na¬ piecie elektryczne wywolujace w nim strumien dryfujacych elektronów, który przy predkosci kry¬ tycznej wzmacnia spontaniczne oscylacje w krysz¬ tale o czestotliwosciach równych czestotliwosciom drgan wlasnych krzysztalu.Sposób ten jest jednak ograniczony do oscyla¬ cji poprzecznych i podluznych.Znany jest sposób otrzymywania spontanicznych oscylacji powierzchniowych fal sprezystych w plytce z krysztalu piezopólprzewodnikowego, w którym przez naswietlenie wytwarza sie cienka przypowierzchniowa warstwe pólprzewodzaca. W warstwie pod wplywem przylozonego stalego na¬ piecia wytwarza sie strumien dryfujacych elek¬ tronów, który przy krytycznej predkosci dryfu wzmacnia oscylacje spontaniczne powierzchnio¬ wych fal sprezystych powstajace w krysztale, w którym zapewnione jest pelne odbicie fali od kra¬ wedzi plytki przez zrealizowanie warunków brze¬ gowych typu Sommerfelda.Celem wynalazku jest otrzymanie uwielokrot- nionych oscylacji sprezysto-spinowych o czestotli¬ wosciach od kilkuset do kilku tysiecy megaherców 10 15 20 25 przez wykorzystanie efektu krytycznej predkosci dryfu elektronów i wykorzystanie wewnetrznego mechanizmu sprzezenia sprezysto-spinowego w krysztalach ferromagnetycznych.Cel ten osiagnieto dzieki temu, ze zastosowano uklad majacy jednoczesnie wlasnosci ferromagne¬ tyczne i piezopólprzewodnikowe.Istota wynalazku polega na tym, ze w ukladzie ferromagnetopiezopólprzewodnikowym zlozonym z krysztalu ferromagnetycznego i warstwy krysztalu piezopólprzewodnikowego do warstwy pólprze¬ wodnikowej poprzez styki omowe przyklada sie stale napiecie elektryczne, które wytwarza strumien dryfujacych elektronów w warstwie.W krysztale ferromagnetycznym, w którym za¬ pewnione jest pelne odbicie fal powierzchniowych od krawedzi krysztalu przez spelnienie warunków brzegowych typu Sommerfelda, samowzbudne oscy¬ lacje powierzchniowe sprezysto-spinowe wytwa¬ rzaja w warstwie pólprzewodnikowej poprzez styk mechaniczny miedzy krysztalem a warstwa, fale sprezyste wywolujace w niej pole piezoelektrycz¬ ne. Przy krytycznej predkosci dryfu elektronów na¬ stepuja w wyniku piezoefektu wzmocnienia oscy¬ lacji sprezystych w warstwie, a te z kolei uwie- lokrotniaja oscylacje sprezysto-spinowe w krysz¬ tale. Sprzezenie sprezysto-spinowe powodujace na¬ rastanie oscylacji spinowych jest najwieksze w warunkach rezonansu spinowo-akustycznego, któ¬ ry osiaga sie przez umieszczenie krysztalu w sta- 63 51763 517 3 lym polu magnetycznym, o wartosci okreslonej parametrami ukladu.W celu otrzymania poprzecznych oscylacji spon¬ tanicznych sprezysto-spinowych mozna stosowac monolityczny krysztal ferromagnetopiezopólprze- wodnikowy, w którym ruchliwosc elektronów po¬ siada wartosc, pozwalajaca uzyskac predkosc kry¬ tyczna. Z uwagi na brak tego typu krysztalów o wystarczajacej ruchliwosci, uklad mozna zreali¬ zowac przez nalozenie na siebie na przemian Warstw krysztalu ferromagnetycznego i pólprze¬ wodnikowego o grubosci plytki mniejszej od za¬ danej dlugosci fali. Sposób dzialania ukladu jest analogiczny do ukladu dla oscylacji powierzchnio¬ wych.Sposób wedlug wynalazku zostanie objasniony na podstawie rysunku, na którym fig. 1 przed¬ stawia przyklad wykonania ukladu zlozonego z plytki z granatu zelazo-itrowego i przypo¬ wierzchniowej warstwy pólprzewodnikowej z siarczku kadmu dla otrzymania powierzchnio¬ wych oscylacji spontanicznych, a fig. 2 przedsta¬ wia przyklad wykonania ukladu zlozonego z na przemian nalozonych warstw z granatu zelazo-itro¬ wego i siarczku kadmu dla otrzymania oscylacji poprzecznych.Powstajace pod wplywem fluktuacji termicznych powierzchniowe oscylacje spontaniczne sprezysto- -spinowe (fig. 1) i w plytce 1 wytwarzaja w war- . stwie pólprzewodzacej 2, oscylacje sprezyste, któ¬ re wytwarzaja pole piezoelektryczne modulujace strumien dryfujacych elektronów w warstwie 2, wytworzony przez napiecie stale ze zródla 4, przy¬ lozone do tej warstwy przez styki omowe 3.Przy krytycznej predkosci dryfu poprzez piezo- efekt nastepuje wzmocnienie oscylacji sprezystych w warstwie (2), które z kolei wzmacniaja oscyla¬ cje sprezyste w plytce (1). W przypadku otrzyma¬ nia poprzecznych oscylacji sprezysto-spinowych (fig. 2) stale napiecie ze zródla 4, poprzez styki omowe 3 przyklada sie do bocznych powierzchni wielowarstwowego ukladu. W warunkach gdy uklad znajduje sie w rezonansie spinowo-akustycz- nym, co osiaga sie przez umieszczenie ukladu w stalym polu magnetycznym, okreslonym parame¬ trami ukladu, nastepuje uwielokrotnieniie oscylacji spinowych.Otrzymanie oscylacji o zadanej czestotliwosci uzyska sie przez zapewnienie pelnego odbicia od krawedzi granicznych, a wiec przez spelnienie 10 15 20 25 30 35 40 45 50 warunków brzegowych typu Sommerfelda w przy¬ padku oscylacji powierzchniowych, a w przypad¬ ku oscylacji poprzecznych przez zapewnienie pel¬ nego odbicia od powierzchni prostopadlych do kie¬ runku rozchodzenia sie fal sprezysto-spinowych.Warstwa pólprzewodnikowa moze byc nalozona na plytke mechanicznie lub epitaksjalnie.Dla otrzymania oscylacji powierzchniowych wy¬ starczajace jest chlodzenie naturalne ukladu, dla oscylacji poprzecznych mozna stosowac dodatko¬ we chlodzenie, przez co zapewni sie ciagla prace ukladu. PL PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób otrzymywania oscylacji spontanicznych sprezysto-spinowych w ukladach ferromagnetopie- zopólprzewodnikowych, znamienny tym, ze w plyt¬ ce z krysztalu ferromagnetycznego, na który nalo¬ zona jest warstwa pólprzewodnikowa dla otrzy¬ mania oscylacji powierzchniowych do warstwy pól¬ przewodnikowej poprzez styki omowe przyklada sie stale napiecie elektryczne, które wytwarza w warstwie pólprzewodnikowej strumien dryfuja¬ cych elektronów, który jest modulowany polem piezoelektrycznym wytworzonym przez oscylacje sprezyste w warstwie wywolane przez oscylacje powierzchniowe w krysztale ferromagnetycznym i przy krytycznej predkosci dryfu strumienia wzmacnia oscylacje sprezyste w warstwie piezo- pólprzewodnikowej, które z kolei wzmacniaja oscy¬ lacje sprezyste w krysztale ferromagnetycznym i gdy uklad znajduje sie w stanie rezonansu spi- nowo-akustycznego, co osiaga sie przez umiesz¬ czenie ukladu w stalym polu magnetycznym, któ¬ rego wartosc jest okreslona parametrami ukladu poprzez sprzezenie sprezysto-spinowe nastepuje uwielokrotnienie oscylacji spinowych, przy czym rozmiary plytki zapewniaja calkowite odbicie oscy¬ lacji powierzchniowych o zadanej czestotliwosci od krawedzi plytki przez spelnienie warunków brzegowych typu Sommerfelda.
2. Sposób wedlug zastrz. 1 znamienny tym, ze dla otrzymania oscylacji poprzecznych w ukladzie zlozonym z na przemian lezacych warstw z krysz¬ talu ferromagnetycznego i pólprzewodnikowego stale napiecie elektryczne przyklada sie do po¬ wierzchni bocznych ukladu, którego rozmiary za¬ pewniaja pelne odbicie fali od powierzchni pro¬ stopadlych do kierunku jej rozchodzenia. ZF „Ruch" W-wa, zam. 900-71, nakl. 250 egz. Fig.2 Dokonano dwóch poprawek PL PL
PL137535A 1969-12-13 1969-12-13 PL63517B1 (pl)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19702061159 DE2061159C3 (de) 1969-12-13 1970-12-11 Verfahren zur Erzeugung von spontanen elastisch-spinartigen Schwingungen in Anordnungen mit ferromagnetischen und piezohalbleitenden Materialien
US97499A US3668441A (en) 1969-12-13 1970-12-14 Method of generation of spontaneous elastic-spin-oscillations in ferromagnetopiezosemiconductor circuits
GB5938370A GB1328649A (en) 1969-12-13 1970-12-14 Method of generating spontaneous elastic-spin oscillations in ferromagnetopiezoelectric semiconductor circuits
FR7044957A FR2116325B1 (pl) 1969-12-13 1970-12-14
JP45111693A JPS4825821B1 (pl) 1969-12-13 1970-12-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL63517B1 true PL63517B1 (pl) 1971-08-31

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3568108A (en) Thin film piezoelectric filter
White Surface elastic-wave propagation and amplification
Armand On the output spectrum of unlocked driven oscillators
US3382381A (en) Tab plateback
US3955160A (en) Surface acoustic wave device
GB2042842A (en) Surface acoustic wave variable delay devices
GB1081178A (en) Acoustically resonant device
US3585418A (en) Piezoelectric resonators and method of tuning the same
US3543058A (en) Piezoelectric transducer
US3838366A (en) Monolithic electro-mechanical filters
PL63517B1 (pl)
US3487334A (en) Microwave power generator using lsa mode oscillations
Litvinenko et al. A chaotic magnetoacoustic oscillator with delay and bistability
US3668441A (en) Method of generation of spontaneous elastic-spin-oscillations in ferromagnetopiezosemiconductor circuits
US3453456A (en) Ultrasonic transducer
US3633118A (en) Amplifying surface wave device
Gu et al. Properties of a magnetopolaron at the interface of polar-polar crystals
US3434008A (en) Solid state scanning system
Abdelraheem et al. Amplification of ultrasonic waves in bulk GaN and GaAlN/GaN heterostructures
US3673474A (en) Means for generating (a source of) surface and bulk elastic wares
US3617911A (en) Wide band direct-current-pumped semiconductor maser
Marshall Voltage-and conductivity-independent mode of operation in thin acoustoelectric oscillators
US3659122A (en) Method of continuous amplification of surface and transverse coupled elastic-spin waves
US3458831A (en) Semiconductor device for producing and amplifying electrical signals of very high frequencies
US3593214A (en) High impedance transducer