PL62172B1 - - Google Patents

Description

Opublikowano: 20.111.1971 62172 KI. 21 g, 41/00 MKP H03k, 3/33 IIIUOTEKA tom** •*¦ ¦•¦ "^ Wspóltwórcy wynalazku: Witold Rosinski, Rajmund Latkowski, Wieslaw Wegorzewski Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Technologii Elek¬ tronowej), Warszawa (Polska) Przyrzad pólprzewodnikowy Przedmiotem wynalazku jest przyrzad pólprze¬ wodnikowy generujacy drgania wielkiej czestotli¬ wosci powstajace w objetosci pólprzewodnika, szczególnie przyrzad Gunna.Wiadomo, ze w niektórych pólprzewodnikach, jak np. w arsenku galu typu n wykazujacym odpo¬ wiednio wysoka ruchliwosc nosników i opornosc wlasciwa pojawiaja sie drgania wielkiej czestotli¬ wosci w zakresie mikrofalowym, gdy do dwóch elektrod pólprzewodnika o liniowej charakterystyce zostaje przylozone odpowiednio wysokie napiecie.Wówczas w objetosci pólprzewodnika przy katodzie powstaje warstwa ladunku przestrzennego zwana domena o bardzo wysokim natezeniu pola elek¬ trycznego, która wraz z nosnikami wedruje ku ka¬ todzie i tam zanika.Okres powstajacych oscylacji zwiazany jest za¬ sadniczo z okresem wedrówki domeny w obszarze krysztalu pólprzewodnika.W ten sposób w pierwszym przyblizeniu czesto¬ tliwosc powstajacych oscylacji zalezy od odleglosci miedzy elektrodami krysztalu pólprzewodnika.Zmiane czestotliwosci otrzymywanych oscylacji w zaleznosci od wartosci przylozonego napiecia mozna uzyskac stosujac odpowiedni ksztalt elemen¬ tu pólprzewodnikowego i kontaktów lub odpowied¬ ni sklad domieszek wzdluz próbki. Na zmiane ksztaltu powstajacych drgan mozna wplywac utrzy¬ mujac wzdluz elementu pólprzewodnikowego okre¬ slony gradient temepratury, albo tez stosujac na 15 25 30 jej powierzchniach dodatkowe elektrody o wysokiej opornosci kontaktu. Stwierdzono tez, ze pokrycie krysztalu pólprzewodnika warstwa dielektryka o duzym wspólczynniku przenikalnosci i nalozonym na te warstwe metalem powoduje, przy zachowaniu odpowiedniej geometrii, zanik drgan wielkiej cze¬ stotliwosci.Celem wynalazku jest opracowanie przyrzadu pólprzewodnikowego, w którym w latwy sposób mozna by wplywac na zmiane generowanych drgan.Cel ten wedlug wynalazku zostal osiagniety przez zastosowanie elektrod lub elektrody sterujacej w postaci warstwy o zmiennej stratnosci i umiesz¬ czona na warstwie dielektryka pokrywajacego po¬ wierzchnie elementu pólprzewodnikowego wytwa¬ rzajacego drgania mikrofalowe w objetosci pól¬ przewodnika.Zmiana przewodnictwa warstwy zewnetrznej spo¬ woduje zmiane warunków powstawania i rozcho¬ dzenia sie domen w objetosci pólprzewodnika — az do zaniku domen wlacznie — a w ten sposób umozliwi sterowanie tego zjawiska dodatkowymi czynnikami. Zmiane stratnosci warstwy zewnetrz¬ nej uzyskac mozna w dowolny sposób jak np. sto¬ sujac warstwe fotoprzewodzaca, wstrzykujac do tej warstwy nosniki itd.Przyrzad wedlug wynalazku zostanie objasniony blizej za pomoca rysunku, na którym fig. 1 przed¬ stawia przyrzad w widoku z boku, a fig. 2 — inny 6217262 172 przyklad wykonania z fig. 1. Warstwa 3 (fig. 1) o zmiennej (sterowanej) stratnosci nalozona jest nie bezposrednio na powierzchnie elementu pólprze¬ wodnikowego 2, do którego przylaczone sa kon¬ takty omowe 1 i 5, lecz poprzez warstwe dielek¬ tryka 4 o duzej stalej dielektrycznej. Warstwa 3 moze pokrywac cala powierzchnie elementu, tak jak to jest przedstawione na fig. 1 lub moze pokry¬ wac tylko w pewnych wybranych miejscach tak, jak to oznaczone jest cyfra 6 na fig. 2.Zmiane stratnosci mozna uzyskac stosujac np. warstwe fotoprzewodzaca lub inna. PL PL

Claims (2)

1. Zastrzezenie patentowe Przyrzad pólprzewodnikowy przeznaczony do ge¬ neracji zmiennych drgan wielkiej czestotliwosci powstajacych w objetosci pólprzewodnika, zna¬ mienny tym, ze elektroda lub elektrody sterujace stanowia warstwe o zmiennej stratnosci umiesz¬ czona na warstwie dielektryka pokrywajacego po¬ wierzchnie elementu pólprzewodnikowego, wytwa¬ rzajacego drgania mikrofalowe w objetosci pól¬ przewodnika. L 'dwza&sssisz&MSWBifiaam t \ W i Fig.1 Fig.

2. ZF „Buch" W-wa, zam. 1525-70, nakl. 250 egz. PL PL