PL61494B1 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: * Opublikowano: 16.XI.1970 61494 KI. 21 a4, 73 MKP H 01 p, 1/00 UKD Wspóltwórcy wynalazku: Zenon Krzycki, Lech Smoczynski Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Technologii Elektronowej), Warszawa (Polska) Szerokopasmowe przejscie mikrofalowe z linii wspólosiowej na linie paskowa Przedmiotem wynalazku jest szerokopasmowe przejscie mikrofalowe z linii wspólosiowej o impe- dancji charakterystycznej równej 50Q wypelnio¬ nej dielektrykiem, na linie paskowa symetryczna o tej samej wartosci impedancji charakterystycz¬ nej. Przejscie to umozliwia zastosowanie zlacz wspólosiowych, o zewnetrznej sredniej linii równej 10,15 mm, w podzespolach mikrofalowych wyko¬ nanych na linii paskowej symetrycznej oraz cal¬ kowicie kompensuje odbicia powstajace na skutek niejednorodnosci wystepujacej w plaszczyznie po¬ laczenia przewodów linii paskowej z linii wspól¬ osiowej.W znanych i stosowanych dotychczas przejsciach . kompensacje niejednorodnosci uzyskuje sie przez zastosowanie paska wewnetrznego zwezonego na koncu, do którego przymocowany jest przewód we¬ wnetrzny linii wspólosiowej. Wielkosc zwezenia przewodu wewnetrznego linii paskowej jest róz¬ na dla róznych standartów laczonych linii oraz za¬ kresów czestotliwosci pracy. W innych znanych rozwiazaniach, stosuje sie plynne przejscie z linii wspólosiowej na liniej na której' przewód zewne¬ trzny ma przekrój kwadratowy, a przewód we¬ wnetrzny przekrój kolowy. Odcinek linii kwadra¬ towej przechodzi dalej w linie paskowa symetrycz¬ na. Rozwiazania takie pozwalaja uzyskac bardzo male odbicie w szerokim zakresie czestotliwosci, jednak sprawiaja szereg trudnosci przy wykona¬ lo 15 20 niu. Ponadto cechuja je duze wymiary gabary¬ towe.Wynalazek stawia sobie za cel opracowanie przejscia umozliwiajacego zastosowanie zlacz wspól¬ osiowych o zewnetrznej srednicy linii równej 10,15 mm z dielektrykiem stanowiacym policzte- rofluoroetylen w podzespolach mikrofalowych wy¬ konanych na linii paskowej symetrycznej o impe¬ dancji charakterystycznej równej 50Q. Celem wy¬ nalazku jest takze latwosc mechanicznego wykona¬ nia przejscia z zachowaniem jego powtarzalnosci, przy czym powinno ono odznaczac sie mala war¬ toscia wspólczynnika odbicia w szerokim zakre¬ sie czestotliwosci.Cel ten wedlug wynalazku osiagniety zostal przez to, ze miedzy przewodem wewnetrznym linii pa¬ skowej a plaszczyzna ekranu linii wspólosiowej jest szczelina zawierajaca sie w granicach do 0,5 mm.Przejscie wedlug wynalazku zostanie blizej ob¬ jasnione na podstawie rysunku na którym fig. 1 przedstawia przejscie z linii wspólosiowej na pa¬ skowa w przekroju pionowym a fig. 2 w przekroju poziomym.Linia paskowa sklada sie z przewodu wewne¬ trznego liz przewodu zewnetrznego 2 stanowia¬ cego ekran. Natomiast linia wspólosiowa sklada sie z plaszcza 3, wewnetrznego przewodu 4 i dielek¬ tryka 5. Szerokosc w paska z dielektrykiem po¬ wietrznym wynosi okolo 9,8 mm a odleglosc b 6149461494 3 miedzy ekranami zewnetrznymi wynosi okolo 7.8 mm. Zakonczenie przewodu wewnetrznego 1 linii paskowej, polaczone z przewodem wewne¬ trznym 4 linii wspólosiowej, w obszarze ich po¬ laczenia jest prostopadle do osi wzdluznej linii.Miedzy przewodem wewnetrznym linii paskowej a plaszczyzna styku przewodów zewnetrznych obu linii utworzona jest szczelina 6. Szerokosc szcze¬ liny 6 jest nie wieksza od 0,5 mm. Oczywiscie jest równiez mozliwe wykonanie przejscia bez szcze¬ liny. Zakonczenie przewodu wewnetrznego 4 linii wspólosiowej ma ksztalt kulisty $rzy czym pro¬ mien kuli jest równy polowie srednicy tego prze¬ wodu. 10 PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Szerokopasmowe przejscie mikrofalowe z linii wspólosiowej na linie paskowa, zawierajace prze¬ wód wewnetrzny linii wspólosiowej z którego za¬ konczeniem o ksztalcie kulistym polaczony jest trwale przewód wewnetrzny linii paskowej, przy czym polaczenie przewodu linii paskowej z prze¬ wodem linii wspólosiowej, w obszarze ich pola¬ czenia, jest prostopadle do osi wzdluznej linii zna¬ mienne tym, ze miedzy przewodem wewnetrznym (1) linii paskowej a plaszczyzna ekranu linii wspól¬ osiowej jest szczelina (6) zawierajaca sie w grani¬ cach do 0,5 mm. ng.1 Fig. 2 ¦ LDA — 23.7.70 — 220 szt. PL PL