PL60878B1 - - Google Patents

Description

60878 KI. 21a*,75 Opublikowano: 20.XI.1970 MKP H 05 k, 3/00 UKD Twórca wynalazku: Michal Bialko Wlasciciel patentu: Politechnika Gdanska (Katedra Ukladów Elektroni< nych) Gdansk (Polska) IBIBUOT TZ" Iflfe* i:- *¦¦ ~~. - EKAf .. ", i Mikroelektroniczna linia o stalych rozlozonych z ograniczonym przesuwem fazy Przedmiotem wynalazku jest mikroelektroniczna linia o stalych rozlozonych z ograniczonym przesu¬ wem fazy.W dotychczas stosowanych mikroelektronicznych liniach o stalych rozlozonych faza funkcji przenie¬ sienia dazy do nieskonczonosci przy czestotliwosci zmierzajacej do nieskonczonosci. Takie linie skla¬ daja sie z nalozonych kolejno na podloze warstwy oporowej, warstwy dielektryka i warstwy oporo¬ wej, lub w innym rozwiazaniu, warstwy metalicz¬ nej, warstwy dielektryka i warstwy oporowej.Zaciskami linii w pierwszym przypadku sa za¬ ciski wyprowadzone z poczatków i konców warstw oporowych, a w drugim przypadku zaciski wypro¬ wadzone z poczatku i konca warstwy oporowej oraz z warstwy metalicznej. W opisanych liniach jest wykorzystana opornosc wzdluzna warstw opo¬ rowych.Celem wynalazku jest zbudowanie mikroelektro- nicznej linii o stalych rozlozonych posiadajacej ograniczony przesuw fazy.Cel ten osiagnieto przez nalozenie na podloze kolejno warstwy metalicznej, warstwy oporowej, warstwy dielektryka i warstwy oporowej.Wynalazek zostanie blizej objasniony na przy¬ kladzie wykonania przedstawionym na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia przekrój poprzeczny linii wedlug wynalazku, fig. 2 przedstawia elemen¬ tarny czwórnik ukladu zastepczego linii a fig. 3 przedstawia przebieg przesuniecia fazowego cd 10 15 20 25 30 funkcji przeniesienia linii w funkcji czestotliwosci.Mikroelektroniczna linia wedlug fig. 1 sklada sie z kolejno ulozonych na podlozu 8 warstwy meta¬ licznej 7 z zaciskiem 6, warstwy oporowej 5, war¬ stwy dielektryka 4 oraz warstwy oporowej 3 z za¬ ciskami 1 i 2.Ukladem zastepczym linii jest kaskadowe pola¬ czenie nieskonczonej ilosci czwórników elementar¬ nych przedstawionych na fig. 2. W elementarnym czwórniku opornik dR reprezentuje elementarna opornosc warstwy oporowej 3, kondensator dC re¬ prezentuje elementarna pojemnosc pomiedzy war¬ stwami oporowymi 3 i 5, a opornik dG elementarna przewodnosc skrosna warstwy oporowej 5. Ze schematu ukladu zastepczego linii widac wyraznie, ze linie wedlug wynalazku mozna traktowac jako kaskadowe polaczenie czwórników, w których ogra¬ niczenie przesuniecia fazowego osiagnieto przez wlaczenie szeregowo z kondensatorem dC opornika dG.Na fig. 3 pokazane sa wykresy ilustrujace jak zmienia sie przesuniecie fazowe sienia linii wedlug wynalazku w zaleznosci od wielkosci parametru R-G, gdzie G jest wypadkowa przewodnoscia skrosna warstwy oporowej 5, a R wypadkowa opornoscia wzdluzna warstwy oporo¬ wej 3. Krzywa 1 przedstawia przebieg przesuniecia fazowego w przypadku gdy przewodnosc G jest nieskonczenie wielka.Odpowiada to przypadkowi gdy grubosc warstwy 6087860878 oporowej 5 jest równa zeru. Krzywe 2, 3 i 4 ilu¬ struja przebiegi fazy dla róznych wartosci iloczy¬ nu R«G, przy czym krzywa 2 odpowiada najwiek¬ szej wartosci parametru R»G, a krzywa 4 najmniej¬ szej wartosci parametru R-G. Korzysci techniczne wynikajace z zastosowania linii wedlug wynalazku polegaja na umozliwieniu realizacji charakterystyk fazowych niemozliwych do zeralizowania przy po¬ mocy dotychczas znanych mikroelektronicznych li¬ nii o stalych rozlozonych.Linia wedlug wynalazku moze byc stosowana ja¬ ko przesuwnik lub jako korektor fazy. PL PL

Claims (2)

1. Zastrzezenie patentowe Mikroelektroniczna linia o stalych rozlozonych z ograniczonym przesuwem fazy znamienna tym, ze sklada sie z naniesionych kolejno na podloze (8) warstwy metalicznej (7), warstwy oporowej (5), warstwy dielektryka (4) i warstwy oporowej (3). Fig./ dR H \ dC r X d& Fig.

2. WDA-l. Zam. 5556. Naklad 220 egz. PL PL