PL60622B1 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 31.VIII.1970 60622 KI. 21 a4, 29/04 MKP H 03 f, 1/00 UKD Twórca wynalazku: Piotr Karpowicz Wlasciciel patentu: Politechnika Gdanska (Zaklad Radiokomunikacji), Gdansk (Polska) Uklad selektywnego wzmacniacza bardzo wielkiej czestotliwosci ultrawielkiei iPrzedrniiotem wynalazku jest uklad selektywnego wzmacniacza bardzo wielkiej i ultrawielkiej czesto¬ tliwosci o niskim poziomie szumów wlasnych zbu¬ dowany na tranzystorach.Znane dotychczas selektywne wzmacniacze tran¬ zystorowe posiadaja. ekranowane obwody emitera, bazy i kolektora w jiednej, elektrycznie ekranowa¬ nej komorze, a sprzezenie bazy z obwodem wej¬ sciowym jest realizowane za pomoca kondensatora lub baza jest bezposrednio polaczona z niestrojo- nyimi kondensatorami obwodu wejsciowego. Obwo¬ dy wejsciowe sa strojone za pomoca zmiennej in- cDukcyjnosci.Ujemnymi cechami wyzej wymienionych ukla¬ dów jest duzy poziom szumów wlasnych co nie pozwala na selektywny odbiór bardzo malych syg¬ nalów rzedu ulamka mikrowolta oraz zwiekszone wymiary zewnetrzne i ilosc zastosowanych elemen¬ tów w ukladach bardziej rozbudowanych.Celem wynalazku jest umozliwienie odbioiru i przenoszenie sygnalów o wartosciach zblizonych do poziomu szumów wlasnych w urzadzeniach o ' miniaturowym 'wykonaniu.Cel ten zostal osiagniety dzieki umieszczeniu tranzystorów w ekranach elektrycznych, które od¬ dzielaja obwody kolektorowe od obwodów bazy i emitera oraz przez polaczenie baz tranzystorów bezposrednio na kondensatory strojace obwody re¬ zonansowe.Wynalazek zostanie blizej objasniony na przykla- 10 15 20 25 30 dzie wykonania, przedstawionym na rysunku, na którym przedstawiono uklad ideowy selektywnego wzmacniacza bardzo wielkiej i ultrawielkiej cze¬ stotliwosci.Uklad wzmacniacza sklada sie z obwodów rezo¬ nansowych 1, 2, tranzystorów Tl9 T2 odpowiednio spolaryzowanych oraz z elektrycznie ekranowanej komory 3 obwodu wejsciowego. Dopasowanie ener¬ getyczne oraz dopasowanie do minimum szumów wlasnych odbywa sie poprzez polaczenie wejscia wzmacniacza z odpowiednim odczepem cewki 6 i przez zmiane stosunku pojemnosci kondensatorów strojacych 5. Wzmacniacz jest umieszczony w ekra¬ nie elektrycznym, w którego przegródce 4 jest umieszczony tranzystor T± tak, ze baza i emiter sa oddzielone od kolektora i w zwiazku z tym obwody rezonansowe 1, 2 sa wzajemnie ekranowane.Ppisany uklad charakteryzuje sie malymi wy¬ miarami zewnetrznymi oraz niskim poziomem szu¬ mów wlasnych, ,przez co umozliwia selektywny od¬ biór bairdzo malych sygnalów rzedu ulamka mikro¬ wolta i jako tor wej'sciowy urzadzen odbiorczych zwiieksza kilkakrotnie ich czulosc przede wszyst¬ kim w zakresie 3i00—470 MHz, co z kolei umozliwia odbiór sygnalów radiowych o znacznie zwiekszo¬ nym zasiegu.Zastosowanie nowoopracowanego ukladu wzmac¬ niacza pozwala równiez na zmniejszenie mocy urzadzen nadawczych przy zachowaniu uprzednie¬ go zasiegu i dobrej jakosci odbioru. 6062260622 PL PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Uklad selektywnego wzmacniacza bardzo wiel¬ kiej i uLtrawielkiej czestotliwosci o niskim po-ziomie szumów wlasnych znamienny tym, ze ma obwód wejsciowy (1) umieszczony razem z baza i emite¬ rem tranzystora (TJ w jednej elektrycznie ekrano¬ wanej komorze (3) oddzielajacej kolektor tranzy¬ stora (Tj) z obwodem (2) elektrycznym ekranem (4), w który jest wmontowany tranzystor (T^).

2. Selektywny wzmacniacz wedlug zastrz. 1 zna¬ mienny tym, ze baza tranzystora (TJ jest bezpo¬ srednio polaczona ze wspólnymi okladzinami kon¬ densatorów strojacych (5), na których przeciwlegle okladziny jest dolaczona cewka (6). 6 a s ZG „Ruch" W-wa, zam. 569-70, nakl. 220 egz. PL PL