PL60588B1 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 15.X.1970. 60588 KI. 21 g, 11/02 MKP H 011,19/00 Wspóltwórcy wynalazku: Elzbieta Baranska, Benedykt Licznerski Wlasciciel patentu: Politechnika Wroclawska, Wroclaw (Polska) Sposób wytwarzania cienkowarstwowych nieliniowych struktur oporowo-pojemnosciowych Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania cienkowarstwowych nieliniowych struktur oporowo- pojemnosciowych majacych zastosowanie zwlaszcza przy realizacji cienkowarstwowych ukladów scalo¬ nych. 5 Dotychczas znany jest sposób wytwarzania cienko¬ warstwowych elementów dyskretnych. Opornikiem jest cienka warstwa metalu lub stopu metali nalozo¬ nych droga naparowywania lub napylania na pod¬ loze izolacyjne. Kondensatorem jest trójwarstwowa io -struktura otrzymana przez kolejne nakladanie war¬ stwy metalicznej, dielektrycznej i metalicznej. Zna¬ ne sa tez liniowe struktury oporowe — pojemnoscio¬ we, w których elektrody maja dobrana opornosc Stosowane sa one przede wszystkim jako filtry. Od- 15 czuwa sie brak elementów nieliniowych, które mo¬ zna zastosowac do stabilizacji lub regulacji napiec i pradów w obwodach elektrycznych wykonanych technika cienkowarstwowa.Celem wynalazku jest wytwarzanie cienkowar- 20 jstwowych elementów lub podzespolów elektrycz¬ nych, których opornosc i pojemnosc zmieniaja swo¬ ja wartosc zaleznie od wartosci przylozonego napie¬ cia stalego i zmiennego, zas zadaniem wynalazku jest opracowanie sposobu wytwarzania tych elemen- 25 tów i podzespolów.Zadanie to zostalo rozwiazane przez nalozenie dro¬ ga naparowywania lub napylania w prózni na pod¬ loze izolacyjne cienkiej warstwy oporowej, na która nalozono nastepnie cienka warstwe izolujaca zawie- 30 rajaca mniej niz 20% metalu (lub mieszaniny meta¬ li) dobieranego wagowo. Warstwe taka otrzymano przez naparowanie lub napylenie mieszaniny lub spieków proszków metali i dielektryka. Wreszcie na¬ klada sie trzecia warstwe o okreslonej przewodnos¬ ci.Przedmiot wynalazku jest wyjasniony na przy¬ kladzie wykonania. Na podloze izolacyjne ze szkla nalozono droga prózniowego naparowywania, przez odpowiednie maskownice cienka warstwe alumi¬ nium o grubosci okolo 2000A. Nastepnie na te warst¬ we naniesiono warstwe izolacyjna przez eksplozyj¬ ne odparowanie mieszaniny proszków jednotlenku krzemu SiO i chromu Cr (5°/o wagowo). Grubosc warstwy izolacyjnej wynosi okolo 4000 A. Pózniej naparowano jeszcze raz cienka warstwa aluminium o grubosci okolo 1000 A. Dla umozliwienia wykona¬ nia doprowadzen (lutowanych lub zgrzewnych) do elektrod aluminiowych, naparowuje sie warstwa kontaktowe — warstwe zlota o grubosci okolo 3000 A na podlozowa warstwe chromu o grubosci okolo 100 A.Wynalazek jest dodatkowo objasniony na rysun¬ ku, na którym fig. 1 przedstawia w sposób schema¬ tyczny budowe tak otrzymanej struktury trójwar¬ stwowej, fig. 2 charakterystyke pradowo-napiecio- wa a fig. 3 charakterystyke pojemnosciowa.Przedstawiona budowa trójwarstwowej struktury sklada sie z izolacyjnego podloza 1, cienkiej war¬ stwy aluminium 2, cienkiej warstwy izolacyjnej 6058860588 (SiO + 5°/o Cr) 3 oraz cienkiej warstwy alumi¬ nium 4.Charakterystyka pradowo-napieciowa przedsta¬ wia zmiane pradu stalego I_wyrazonego w miliam- perach (mA) plynacego przez strukture pod wply¬ wem napiecia stalego U_wyrazonego w voltach (V) Dodatnie wartosci napiecia U_oznaczaja dodatnia polaryzacje elektrody górnej, ujemne wartosci na¬ piecia U__ oznaczaja dodatnia polaryzacje elektrody dolnej. Charakterystyka pojemnosciowa przedsta¬ wia zmiane pojemnosci C wyrazonej w nanofara- dach (nF)przy stalym napieciu polaryzacyjnym U_ i malym napieciu zmiennym. Charakterystyka jest symetryczna, pojemnosc nie zalezy od polaryzacji elektrod.Drugim przykladem wykonania jest czwórnik o. wlasnosciach stabilizujacych napiecie stale. Na podloze izolacyjne ze szkla naparowano cienka warstwe chromu o grubosci okolo 200 A. Nastepnie na warstwe te naniesiono warstwe izolacyjna przez eksplozywne odparowanie mieszaniny proszków jednotlenku krzemu i chromu (5°/o wagowo). Gru¬ bosc warstwy izolacyjnej wynosi okolo 4000 A. Póz¬ niej naparowano cienka warstwe aluminium o gru¬ bosci okolo 1000 A. Dla umozliwienia wykonania wyprowadzen naparowano na konce elektrod war¬ stwy kontaktowe, najpierw chrom a nastepnie zlo- 5 to o grubosciach odpowiednio 100 A, i 3000 A.Zasadnicza korzyscia techniczna wynikajaca ze stosowania sposobu wedlug wynalazku jest otrzy¬ mywanie elementów o nieliniowej charakterystyce I (U) technika cienkowarstwowa. * 10 PL PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania cienkowarstwowych nieli- 15 niowych struktur oporowo-pojemnosciowych, zna¬ mienny tym, ze na izolacyjne podloze (1) naklada sie kolejno cienka warstwe (2) o dobranej oporno¬ sci, warstwa izolujaca (3) zawierajaca mniej niz 20% wagowo metalu lub mieszaniny metali otrzy- 20 manyeh przez naparowanie mieszaniny lub spieków proszków metali i dielektryka, lub równoczesne napylenie metali i dielektryka a nastepnie naklada sie cienka warstwe (4) o dobranej opornosci.KI. 21 g, 11/02 60588 MKP H 01 1, 19/00 K^^S^^S^^^ \/I//},»»lJ»/// » T7777A H y l fi tl fi " // F,9.1 U Lvi fy 2 ¦ Fi9.3 PL PL