PL60549B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL60549B1 PL60549B1 PL129730A PL12973068A PL60549B1 PL 60549 B1 PL60549 B1 PL 60549B1 PL 129730 A PL129730 A PL 129730A PL 12973068 A PL12973068 A PL 12973068A PL 60549 B1 PL60549 B1 PL 60549B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- switching
- transistors
- voltage
- switching element
- ground
- Prior art date
Links
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 31.VIII.1970 60549 KI. 21 e, 19/10 MKP G 01 r, 19/10 Twórca wynalazku: Pawel Studzinski Wlasciciel patentu: Zjednoczone Zaklady Elektronicznej Aparatury Pomiarowej „Elpo", Warszawa (Polska) Elektroniczny dzielnik napiecia zwlaszcza do cyfrowego woltomie¬ rza kompensacyjnego i Przedmiotem wynalazku jest elektroniczny dzielnik napiecia zwlaszcza do cyfrowego wolto¬ mierza kompensacyjnego.W znanym ukladzie elektronicznego dzielnika napiecia kazda para tranzystorów przelaczaja¬ cych pracuje w ukladzie o wspólnym oporniku emiterowym, a do baz tych tranzystorów, spola¬ ryzowanych napieciem stalym, doprowadza sie przez diody napiecie sterujace. Uklad kazdej pary tranzystorów przelaczajacych jest symetryczny, z tym, ze kolektor jednego tranzystora otrzymuje napiecie wzorcowe, natomiast kolektor drugiego tranzystora polaczony jest z punktem o potencjale masy przyrzadu.Aby uklad dzialal prawidlowo, napiecie steruja¬ ce musi miec wieksza wartosc od wartosci bez¬ wzglednej napiecia wzorcowego. Na zlaczach ba- za-emiter, zablokowanych tranzystorów przelacza¬ jacych do masy, wystepuje, przy pracy w nasy¬ ceniu pozostalych tranzystorów przelaczajacych, suma napiecia wzorcowego i napiecia sterujacego.Zakres mozliwych wartosci tego sumarycznego na¬ piecia, a wiec równiez zakres wartosci napiecia wzorcowego, jest ograniczony wytrzymaloscia na¬ pieciowa zlacza baza-emiter tranzystorów przela¬ czajacych do masy i powoduje koniecznosc stoso¬ wania malych napiec, niekorzystnych ze wzgledu na wymagania dotyczace liniowosci i stabilnosci dzielnika. Zwiekszenie natomiast napiec i to w niewielkim zakresie wymaga stosowania specjal- 25 nych tranzystorów, zwiekszajacych powaznie koszt wykonania dzielnika.Celem wynalazku jest zbudowanie ukladu dziel¬ nika napiecia nie majacego wymienionych wad, to znaczy umozliwiajacego zastosowanie wyzszych napiec wzorcowych, przy wprowadzeniu niewiel¬ kich dodatkowych srodków technicznych.Cel ten zostal osiagniety przez zastosowanie w elektronicznym dzielniku napiecia, zawierajacym znany uklad par tranzystorów przelaczajacych, z których kazda zawiera wspólny opornik emite- rowy, elementu przelaczajacego oraz, zaleznej od stopnia podzialu, ilosci prostowników pólprzewod¬ nikowych laczacych bazy tranzystorów przelacza¬ jacych do masy, których ilosc jest równiez zalez¬ na od stopnia podzialu, z wyprowadzeniem ele¬ mentu przelaczajacego i zródlem napiecia pomoc¬ niczego, przy czym, drugie wyprowadzenie ele¬ mentu przelaczajacego jest polaczone z punktem o potencjale bliskim lub równym potencjalowi masy przyrzadu.Zastosowanie dzielnika wedlug wynalazku w cyfrowym woltomierzu kompensacyjnym, umozli¬ wia okolo dwukrotne powiekszenie wartosci na¬ piecia wzorcowego w porównaniu ze znanym ukla¬ dem, bez zaostrzania wymagan odnosnie dopusz¬ czalnych napiec baza-emiter tranzystorów prze¬ laczajacych do masy. Pozwala to na zastosowanie w dzielniku tranzystorów polarnych o niewielkim napieciu przebicia baza-emiter, gwarantujacych 6054960549 duza stabilnosc dlugookresowa. Dzieki powieksze- szeniu napiecia wzorcowego mozna uzyskac okolo dwukrotne rozszerzenie tolerancji dla napiec na¬ sycenia zastosowanych tranzystorów przelaczaja¬ cych oraz ograniczyc selekcje i dobór elementów.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przy¬ kladzie wykonania na rysunku, który przedstawia uklad elektryczny dzielnika.Uklad dzielnika zawiera tranzystory Tal5 Ta2...Tan przelaczajace do masy, których ilosc jest zalezna od zalozonego stopnia podzialu oraz taka sama ilosc tranzystorów Tb1} Tb2...Tbn, przelaczajacych do zródla napiecia wzorcowego, przy czym tran¬ zystory te tworza pary majace wspólne oporniki emiterowe R^ R2...Rn. Do kolektorów tranzystorów Tbj, Tb2...Tbn doprowadzone jest napiecie wzorco- cowe ±Uw. Do baz tranzystorów Taj, Ta2...Tan przelaczajacych do masy, poprzez oporniki Rs^ Rs2...Rsn, doprowadzone jest napiecie sterujace, a emitery tych tranzystorów polaczone sa poprzez dio¬ dy Dj, D2...Dn, z emiterem tranzystora Tsstanowia¬ cego element przelaczajacy, sterowanego sygnalem zaleznym od znaku napiecia wzorcowego. Emiter tranzystora przelaczajacego Ts polaczony jest przez opornik Rz ze zródlem dodatniego napiecia po¬ mocniczego Uz.Przy dodatniej polaryzacji napiecia wzorcowego Uw baza tranzystora przelaczajacego Ts jest rów¬ niez spolaryzowana dodatnio, gdyz zawsze otrzy¬ muje napiecie o znaku zgodnym ze znakiem na¬ piecia wzorcowego i tranzystor ten nie przewodzi.Napiecie na zlaczach baza-emiter tranzystorów Ta1? Ta2...Tan przelaczajacych do masy, pracuja¬ cych w obszarze nasycenia, jest równe róznicy miedzy napieciem pomocniczym Uz i napieciem wzorcowym Uw. Przy odpowiednio dobranej war¬ tosci napiecia pomocniczego Uz róznica potencjalów na zlaczach baza-emiter moze byc bardzo mala i nie przekraczac jednego wolta.Przy ujemnej polaryzacji napiecia wzorcowego, baza tranzystora przelaczajacego Ts otrzymuje po- 10 20 25 35 40 tencjal ujemny, tranzystor zaczyna przewodzic i potencjal punktu S spada do wartosci bliskiej po¬ tencjalowi masy, umozliwiajac przeplyw pradu przez diody D1? D2...Dn wlaczone miedzy bazy tran¬ zystorów przelaczajacych do masy a emiter tran¬ zystora przelaczajacego.Potencjal baz zablokowanych tranzystorów Tax, Ta2...Tan przelaczajacych do masy spada do war¬ tosci równej spadkowi napiecia na opornosciach diod i opornosci zlacza emiter-kolektor tranzystora przelaczajacego Ts, a wiec osiaga wartosc bliska potencjalowi masy, podczas gdy napiecie emiterów tych tranzystorów jest, dzieki pracujacym w sta¬ nie nasycenia tranzystorom Tbj, Tb2...Tbn przela¬ czajacym do zródla napiecia wzorcowego, prawie równe napieciu wzorcowemu. W ten sposób na¬ piecie baza-emiter tranzystorów Ta1? Ta2...Tan przelaczajacych do masy osiaga wartosc zblizona do wartosci napiecia wzorcowego Uz.Wynalazek nie jest ograniczony tylko do opisa¬ nego przykladu wykonania, lecz obejmuje równiez stosowanie oddzielnie pojedynczych cech, i odmian, z których jedna moze byc przykladowo zastapie¬ nie tranzystora przelaczajacego Ts innym elemen¬ tem przelaczajacym np. przekaznikiem. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Elektroniczny dzielnik napiecia, zwlaszcza do cyfrowego woltomierza kompensacyjnego, zawiera¬ jacy znany uklad par tranzystorów przelaczaja¬ cych, z których kazda zawiera wspólny opornik emiterowy, znamienny tym, ze ma element prze¬ laczajacy (Ts) oraz, zalezna od stopnia podzialu, ilosc prostowników pólprzewodnikowych laczacych bazy tranzystorów (Ta^ Ta2...Tan) przelaczajacych do masy, których ilosc jest równiez zalezna od stopnia podzialu, z wyprowadzeniem elementu przelaczajacego (Ts) i zródlem napiecia pomocni¬ czego (U2), przy czym, drugie wyprowadzenie te¬ go elementu przelaczajacego jest polaczone z pun¬ ktem o potencjale bliskim lub równym potencjalo¬ wi masy przyrzadu. -M . 1 n *5/ D4 T Tai fiszl 1 Tbi €U^ *1 D£ Ta2 Tb2 *sf\ €U£ Rz Dn Tan. Tbn Rn\\ \Rz +Uz -CZh— INy. PZG w Pab., zam. 696-70, nakl. 230 egz. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL60549B1 true PL60549B1 (pl) | 1970-06-25 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2663806A (en) | Semiconductor signal translating device | |
| JPH03235517A (ja) | スイッチ回路 | |
| GB1240137A (en) | Current stabilizing electrical circuit | |
| US4158804A (en) | MOSFET Reference voltage circuit | |
| GB1196186A (en) | Controllable Voltage Sources | |
| GB1268095A (en) | Integrated circuit | |
| SE7907853L (sv) | Omkopplingskrets | |
| PL60549B1 (pl) | ||
| US3937987A (en) | Threshold detector | |
| US7671637B2 (en) | Differential transistor pair current switch supplied by a low voltage VCC | |
| US3417319A (en) | Constant current apparatus | |
| US4740719A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| US2980806A (en) | Corrected diode | |
| US2944166A (en) | Bistable trigger circuit | |
| US4404477A (en) | Detection circuit and structure therefor | |
| US3265906A (en) | Inverter circuit in which a coupling transistor functions similar to charge storage diode | |
| EP0046549B1 (de) | Ausgangsstufe einer monolithisch integrierten Ladungsverschiebeanordnung | |
| US4677316A (en) | Logic circuit with threshold and built-in safety | |
| FI59883B (fi) | Stabiliseringsanordning foer likstroem | |
| US3567964A (en) | Integrated circuit for reference amplifier | |
| US5182470A (en) | Negative overvoltage protection circuit, in particular for output stages | |
| US3939433A (en) | Feedback circuit | |
| US3193703A (en) | Bistable biasing of tunnel diodes | |
| EP0076623A2 (en) | Voltage reference circuit | |
| US3109108A (en) | High speed stepping switch circuit |