PL59467B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL59467B1
PL59467B1 PL120324A PL12032467A PL59467B1 PL 59467 B1 PL59467 B1 PL 59467B1 PL 120324 A PL120324 A PL 120324A PL 12032467 A PL12032467 A PL 12032467A PL 59467 B1 PL59467 B1 PL 59467B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
semiconductor
generator
modulating
plate
voltage
Prior art date
Application number
PL120324A
Other languages
English (en)
Inventor
dr Witold Rosinski prof.
inz. RajmundLatkowski mgr
inz. Wieslaw Wegorzewski mgr
Original Assignee
Polska Akademia Nauk
Filing date
Publication date
Application filed by Polska Akademia Nauk filed Critical Polska Akademia Nauk
Publication of PL59467B1 publication Critical patent/PL59467B1/pl

Links

Description

Opublikowano: 25.IIU970 59467 KI. 21 g, 11/02 MKP ho£& !flw UKD Wspóltwórcy wynalazku: prof. dr Witold Rosinski, mgr inz. Rajmund Latkowski, mgr inz. Wieslaw Wegorzewski Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Technologii Elek¬ tronowej), Warszawa (Polska) Generator pólprzewodnikowy Przedmiotem wynalazku jest generator pólprze¬ wodnikowy nie zawierajacy obwodu rezonanso¬ wego generujacy drgania bardzo wysokiej czesto¬ tliwosci, zwany generatorem Gunna, wykonany z arsenku galu lub innego pólprzewodnika i zaopa¬ trzony w dodatkowa elektrode lufo elektrody umoz¬ liwiajace ciagla regulacje czasu przelotu genero¬ wanych domen przez plytke, a tym samym zmiane czestotliwosci generowanych drgan.Konstrukc j a omawianego pólprzewodnikowego generatora opiera sie na wykorzystaniu wlasciwo¬ sci niektórych pólprzewodników generowania drgan elektrycznych po przylozeniu do nich odpo¬ wiedniego napiecia.Praktycznie generator taki stanowi plytka pól¬ przewodnika, na przyklad arsenku galu, do któ¬ rej przylozone jest napiecie stale lub impuiisowe.Wielkosc napiecia powodujacego generacje domen, a tym samym powstanie drgan, jest rózna dla róz¬ nych materialów pólprzewodnikowych, z których wykonane sa plytki. Czestotliwosc generowanych drgan zalezy od czasu przelotu domeny przez plyt¬ ke.W dotychczasowych rozwiazaniach zmiane cza¬ su przelotu generowanych domen uzyskiwano przez ksztaltowanie plytki pólprzewodnikowej, jednak rozwiazanie to nie zapewnialo ciaglej regulacji czasu przelotu domen.Celem wynalazku jest opracowanie pólprzewod¬ nikowego generatora z ciagla regulacja czasu przer lotu domeny przez plytke pólprzewodnika. 10 15 20 25 80 Istota wynalazku polega na zastosowaniu dodat¬ kowego obszaru (lub obszarów) spelniajacego role modulatora, do którego doprowadzone jest napie¬ cie. Zmiana napiecia elektrody dodatkowej wywo¬ luje zmiane czeisitotliwosci generowanych drgan.Generator wedlug wynalazku zostanie objasnio¬ ny blizej na podstawie rysunku, na którym fig. 1 przedstawia generator z jedna elektroda modulu¬ jaca, fig. 2 — z dwoma elektrodami modulujacy¬ mi a fig. 3 — generator z ukladem zasilajacym.Przedstawiony na fig. 1 generator sklada sie z plytki pólprzewodnikowej 1 i kontaktów omowych 2, poprzez które zasilana jest plytka pólprzewod¬ nikowa wykonana na przyklad z arsenku galu.Plytka pólprzewodnikowa 1 wykonana jest z jed¬ norodnego materialu lufo z wielu warstw róznego rodzaju materialów. Plytka 1 jest zaopatrzona w dodatkowy obszar 3 z kontaktem omowym 4. Elek¬ troda 3 spelnia irole elektrody modulujacej, do któ¬ rej doprowadzone jest napiecie modulujace czas przelotu generowanych domen, a tym samym zmia¬ ne czestotliwosci generowanych drgan.Na fig. 2 przedstawiony jest generator z dwoma dodatkowymi obszarami modulujacymi 3 i kontak¬ tami omowymi 4.Na fig. 3 przedstawiony jest uklad zasilania i sterowania generatora. Kontakty omowe 2 plytki 1 zasilane sa ze zródla 6 poprzez potencjometr 5, a kontakty 4 obszaru modulujacego 3 zasilane sa poprzez potencjometr 7. 5946759467 PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Generator pólprzewodnikowy skladajacy sie z plytki pólprzewodnikowej wykonanej korzystnie \iWVt z arsenku galu oraz z kontaktów omowych, zna¬ mienny tym, ze zawiera dodatkowy obszar lub ob¬ szary (3) z kontaktami omowymi (4), które zasila¬ ne sa napieciem modulujacym. 13/67/SP Zaklady Kartograficzne, Wroclaw, zam. C/1059, 290 PL
PL120324A 1967-05-02 PL59467B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL59467B1 true PL59467B1 (pl) 1969-12-29

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Ignatov et al. THz-field induced nonlinear transport and dc voltage generation in a semiconductor superlattice due to Bloch oscillations
US3209282A (en) Tunnel diode oscillator
PL59467B1 (pl)
Nebenzahl et al. Reflected phase-conjugate wave in a plasma
US3487334A (en) Microwave power generator using lsa mode oscillations
US3434008A (en) Solid state scanning system
US3634780A (en) Magnetically frequency-tunable semiconductor transit time oscillator
US3796969A (en) Frequency control and synchronization of gunn oscillations
US3339153A (en) Amplification oscillation and mixing in a single piece of bulk semiconductor
Solymar et al. Analysis of cylindrical-to-plane-wave conversion by volume holograms
US3579143A (en) Method for increasing the efficiency of lsa oscillator devices by uniform illumination
US3422289A (en) Semiconductor bulk oscillators
US3528035A (en) Two-valley semiconductive devices
US3462617A (en) Current function generator
US3795871A (en) High frequency phase shift oscillator utilizing frequency dependent transistor phase shifts
US3390352A (en) Tunnel-effect semiconductor, used as an oscillator or amplifier, forms part of surface of waveguide or chamber
US3628170A (en) Lsa or hybrid mode oscillator started by series-connected gunn or quenched mode oscillator
US3408594A (en) Indium arsenide gunn oscillator
US3287659A (en) Signal generators using semiconductor material in magnetic and electric fields
Marzolf Tunnel diode static inverter
Sodha et al. Nonlinear mechanisms for self‐focusing of microwaves in semiconductors
US3538451A (en) Light controlled variable frequency gunn effect oscillator
US3624556A (en) Bulk-effect semiconductor devices
US3624461A (en) Two-valley semiconductor oscillator
SU563881A1 (ru) Полупроводниковый генератор