PL59467B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL59467B1 PL59467B1 PL120324A PL12032467A PL59467B1 PL 59467 B1 PL59467 B1 PL 59467B1 PL 120324 A PL120324 A PL 120324A PL 12032467 A PL12032467 A PL 12032467A PL 59467 B1 PL59467 B1 PL 59467B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- semiconductor
- generator
- modulating
- plate
- voltage
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Description
Opublikowano: 25.IIU970 59467 KI. 21 g, 11/02 MKP ho£& !flw UKD Wspóltwórcy wynalazku: prof. dr Witold Rosinski, mgr inz. Rajmund Latkowski, mgr inz. Wieslaw Wegorzewski Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Technologii Elek¬ tronowej), Warszawa (Polska) Generator pólprzewodnikowy Przedmiotem wynalazku jest generator pólprze¬ wodnikowy nie zawierajacy obwodu rezonanso¬ wego generujacy drgania bardzo wysokiej czesto¬ tliwosci, zwany generatorem Gunna, wykonany z arsenku galu lub innego pólprzewodnika i zaopa¬ trzony w dodatkowa elektrode lufo elektrody umoz¬ liwiajace ciagla regulacje czasu przelotu genero¬ wanych domen przez plytke, a tym samym zmiane czestotliwosci generowanych drgan.Konstrukc j a omawianego pólprzewodnikowego generatora opiera sie na wykorzystaniu wlasciwo¬ sci niektórych pólprzewodników generowania drgan elektrycznych po przylozeniu do nich odpo¬ wiedniego napiecia.Praktycznie generator taki stanowi plytka pól¬ przewodnika, na przyklad arsenku galu, do któ¬ rej przylozone jest napiecie stale lub impuiisowe.Wielkosc napiecia powodujacego generacje domen, a tym samym powstanie drgan, jest rózna dla róz¬ nych materialów pólprzewodnikowych, z których wykonane sa plytki. Czestotliwosc generowanych drgan zalezy od czasu przelotu domeny przez plyt¬ ke.W dotychczasowych rozwiazaniach zmiane cza¬ su przelotu generowanych domen uzyskiwano przez ksztaltowanie plytki pólprzewodnikowej, jednak rozwiazanie to nie zapewnialo ciaglej regulacji czasu przelotu domen.Celem wynalazku jest opracowanie pólprzewod¬ nikowego generatora z ciagla regulacja czasu przer lotu domeny przez plytke pólprzewodnika. 10 15 20 25 80 Istota wynalazku polega na zastosowaniu dodat¬ kowego obszaru (lub obszarów) spelniajacego role modulatora, do którego doprowadzone jest napie¬ cie. Zmiana napiecia elektrody dodatkowej wywo¬ luje zmiane czeisitotliwosci generowanych drgan.Generator wedlug wynalazku zostanie objasnio¬ ny blizej na podstawie rysunku, na którym fig. 1 przedstawia generator z jedna elektroda modulu¬ jaca, fig. 2 — z dwoma elektrodami modulujacy¬ mi a fig. 3 — generator z ukladem zasilajacym.Przedstawiony na fig. 1 generator sklada sie z plytki pólprzewodnikowej 1 i kontaktów omowych 2, poprzez które zasilana jest plytka pólprzewod¬ nikowa wykonana na przyklad z arsenku galu.Plytka pólprzewodnikowa 1 wykonana jest z jed¬ norodnego materialu lufo z wielu warstw róznego rodzaju materialów. Plytka 1 jest zaopatrzona w dodatkowy obszar 3 z kontaktem omowym 4. Elek¬ troda 3 spelnia irole elektrody modulujacej, do któ¬ rej doprowadzone jest napiecie modulujace czas przelotu generowanych domen, a tym samym zmia¬ ne czestotliwosci generowanych drgan.Na fig. 2 przedstawiony jest generator z dwoma dodatkowymi obszarami modulujacymi 3 i kontak¬ tami omowymi 4.Na fig. 3 przedstawiony jest uklad zasilania i sterowania generatora. Kontakty omowe 2 plytki 1 zasilane sa ze zródla 6 poprzez potencjometr 5, a kontakty 4 obszaru modulujacego 3 zasilane sa poprzez potencjometr 7. 5946759467 PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Generator pólprzewodnikowy skladajacy sie z plytki pólprzewodnikowej wykonanej korzystnie \iWVt z arsenku galu oraz z kontaktów omowych, zna¬ mienny tym, ze zawiera dodatkowy obszar lub ob¬ szary (3) z kontaktami omowymi (4), które zasila¬ ne sa napieciem modulujacym. 13/67/SP Zaklady Kartograficzne, Wroclaw, zam. C/1059, 290 PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL59467B1 true PL59467B1 (pl) | 1969-12-29 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ignatov et al. | THz-field induced nonlinear transport and dc voltage generation in a semiconductor superlattice due to Bloch oscillations | |
| US3209282A (en) | Tunnel diode oscillator | |
| PL59467B1 (pl) | ||
| Nebenzahl et al. | Reflected phase-conjugate wave in a plasma | |
| US3487334A (en) | Microwave power generator using lsa mode oscillations | |
| US3434008A (en) | Solid state scanning system | |
| US3634780A (en) | Magnetically frequency-tunable semiconductor transit time oscillator | |
| US3796969A (en) | Frequency control and synchronization of gunn oscillations | |
| US3339153A (en) | Amplification oscillation and mixing in a single piece of bulk semiconductor | |
| Solymar et al. | Analysis of cylindrical-to-plane-wave conversion by volume holograms | |
| US3579143A (en) | Method for increasing the efficiency of lsa oscillator devices by uniform illumination | |
| US3422289A (en) | Semiconductor bulk oscillators | |
| US3528035A (en) | Two-valley semiconductive devices | |
| US3462617A (en) | Current function generator | |
| US3795871A (en) | High frequency phase shift oscillator utilizing frequency dependent transistor phase shifts | |
| US3390352A (en) | Tunnel-effect semiconductor, used as an oscillator or amplifier, forms part of surface of waveguide or chamber | |
| US3628170A (en) | Lsa or hybrid mode oscillator started by series-connected gunn or quenched mode oscillator | |
| US3408594A (en) | Indium arsenide gunn oscillator | |
| US3287659A (en) | Signal generators using semiconductor material in magnetic and electric fields | |
| Marzolf | Tunnel diode static inverter | |
| Sodha et al. | Nonlinear mechanisms for self‐focusing of microwaves in semiconductors | |
| US3538451A (en) | Light controlled variable frequency gunn effect oscillator | |
| US3624556A (en) | Bulk-effect semiconductor devices | |
| US3624461A (en) | Two-valley semiconductor oscillator | |
| SU563881A1 (ru) | Полупроводниковый генератор |