PL58781B1 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 10. XII. 1969 58781 KI. 21 a2, 36/14 MKP H 04 b UKD Wspóltwórcy wynalazku: dr inz. Tadeusz Bartkowski, dr inz. Marian ai.i lOTCtfA Zientalski, mgr inz. Miroslaw Radziwanowski, *l*LlvJlfcK/^ mgr inz. Kazimierz Jankowski Wlasciciel patentu: Politechnika Gdanska (Katedra Teletransmisji), UnajoP» . »»»., i Gdansk(Polska) **m •»¦»' <* * J Uklad pólprzewodnikowego selektora poziomu Przedmiotem wynalazku jest ulelad pólprzewod¬ nikowego selektora poziomu. W technice telekomu¬ nikacyjnej czesto wystepuje koniecznosc identy¬ fikacji okreslonego poziomu (mocy, napiecia lub pradu). Problem ten wystepuje zarówno w tech¬ nice cyfrowej jak równiez w dziedzinach elektro¬ niki wykorzystujacych te technike takich jak; mier¬ nictwo elektroniczne, automatyka, technika prze¬ kazywania i wydobywania informacji i inne.Problem ten jest szczególnie istotny w nowo¬ czesnych teletransmisyjnych urzadzeniach dyskret¬ nej automatycznej regulacji i kontroli poziomu.W znanych ukladach selektorów poziomu do identyfikacji wykorzystuje sie dwa przerzutniki Schmitta o odpowiednio rozstawionych progach zadzialania, uklady wieloprpgowe bazujace na wzmacniaczach emiterowych, wzglednie zespoly ukladów logicznych.Zasadnicza wada tych ukladów jest ich zlozonosc która wymaga duzej ilosci elementów i zmniejsza niezawodnosc, histereza wystepujaca w ukladach bazujacych na przerzutnikach Schmitta oraz nie¬ stabilnosc temperaturowa progów zadzialania se¬ lektora. Wady te sa szczególnie klopotliwe w se¬ lektorach, w których wymagana dokladnosc iden¬ tyfikacji poziomu wynosi okolo 0,01 N.Celem wynalazku jest opracowanie selektora po¬ ziomu identyfikujacego okreslony poziom zawarty w zalozonym przedziale zmian. Cel ten zostal osiag¬ niety przez równolegle polaczenie dwóch wzmac- 10 15 20 25 niaczy progowych, posiadajacych wspólny opór ob¬ ciazenia, z których jeden jest sterowany w emi¬ terze, a drugi w bazie.Wynalazek zostanie blizej objasniony na przy¬ kladzie wykonania, przedstawionym na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia uproszczony schemat ideowy, a fig. 2 — charakterystyke napieciowa ukladu.Zasada dzialania ukladu jest nastepujaca. Na¬ piecie wejsciowe Ui podawane jest na wzmacniacz odwracajacy faze, pracujacy w ukladzie o wspól¬ nym emiterze WE, zrealizowany na tranzystorze T3, w którym potencjal emitera jest stabilizowany za pomoca diody Zenera D2 o napieciu Zenera Uz2.Równoczesnie napiecie wejsciowe podawane jest na drugi wzmacniacz, który pracuje w ukladzie o wspólnej bazie WB. Wzmacniacz ten zostal zre¬ alizowany na tranzystorze T2 i posiada stabilizo¬ wany potencjal bazy dioda Dj o napieciu Zenera Uzl. Obydwa te wzmacniacze pracuja równolegle na opór obciazenia Rk. Wzmacniacz na tranzysto¬ rze T2 jest sterowany w obwodzie emitera poprzez wtórnik emiterowy zrealizowany na tranzystorze Ti.Uklad pracuje prawidlowo przy spelnieniu zalez¬ nosci :' UZl UZ; Jezeli napiecie wejsciowe Ui jest mniejsze (co 30 do wartosci bezwzglednej) od napiecia Zenera Uzl 5878158781 diodj Di, to tranzystor T3 jest zatkany, zas tran¬ zystor T2 znajduje sie w stanie nasycenia i powo¬ duje, ze napiecie wyjsciowe U2 przyjmuje wartosc minimalna. W przypadku, gdy napiecie wejsciowe Ui zawarte jest pomiedzy napieciami Uzi i Uz2, wówczas tranzystory T2 i T3 sa zatkane, a napie¬ cie wyjsciowe U2 przyjmuje wartosc maksymalna, bliska napieciu zasilania Ufi.' Po przekroczeniu przez napiecie wejsciowe Ui wartosci napiecia Zenera Uz2 tranzystor T2 pozo¬ staje nadal zatkany, natomiast tranzystor T3 prze¬ chodzi w stan nasycenia.Napiecie wyjsciowe U2 przyjmuje wówczas po¬ nownie wartosc minimalna.Polozenie przedzialu identyfikacji oraz jego sze¬ rokosc okreslane sa poprzez napiecie Zenera diod Di i D2. Korzysci techniczne, wynikajace z zasto¬ sowania wynalazku, polegaja na zwiekszeniu nie¬ zawodnosci selektora (mniejsza niz dla ukladów konwencjonalnych ilosc elementów) oraz praktycz¬ nym wyeliminowaniu zjawiska histerezy. 10 15 '- 20 PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe Uklad pólprzewodnikowego selektora poziomu znamienny tym, ze jest zbudowany ze wzmac¬ niacza w ukladzie o wspólnej bazie (T2, Di, Rk) i wzmacniacza odwracajacego faze, pracujacego w ukladzie o wspólnym emiterze (T3< D2, Rk) pracujacych równolegle na wspólny opór obcia¬ zenia (Rk), przy czym jeden wzmacniacz (T2, Dx, Rk) sterowany jest w obwodzie emitera, a dru¬ gi wzmacniacz (T3, D2, Rk) odwracajacy faze — w obwodzie bazy tym samym napieciem wej¬ sciowym (Ui). Uklad wedlug zastrz. 1 znamienny tym, ze po¬ miedzy baze tranzystora (T2) wzmacniacza w ukladzie o wspólnej bazie, a zacisk baterii za¬ silajacej dolaczono diode Zenera (Di), a pomie¬ dzy emiter tranzystora (T3) wzmacniacza od¬ wracajacego faze, a ten sam zacisk baterii do¬ laczono diode Zenera (D2). wejscie do zaedaniaf-UB) wyjscie do zasilania (+Ub) /<*• i fi3.

2. Krak 1 z. 365 IX. 69 250 PL