PL58325B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL58325B1 PL58325B1 PL126757A PL12675768A PL58325B1 PL 58325 B1 PL58325 B1 PL 58325B1 PL 126757 A PL126757 A PL 126757A PL 12675768 A PL12675768 A PL 12675768A PL 58325 B1 PL58325 B1 PL 58325B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- tungsten
- alloy
- iron
- contacts
- applying
- Prior art date
Links
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 3
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZDQHXVLPYMFLM-UHFFFAOYSA-N gold tantalum Chemical compound [Ta].[Ta].[Ta].[Au] RZDQHXVLPYMFLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005662 Paraffin oil Substances 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- JHOPGIQVBWUSNH-UHFFFAOYSA-N iron tungsten Chemical compound [Fe].[Fe].[W] JHOPGIQVBWUSNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 30.X.1969 58325 KI. 21 g, 11/02 MKP „„, mo Wspóltwórcy wynalazku: mgr. inz. Zygmunt Weydman, dr inz. Tadeusz Niemyjski Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Technologii Elek¬ tronowej), Warszawa (Polska) Sposób wytwarzania kontaktów omowych do krysztalów weglika krzemu i Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia kontaktów omowych do krysztalów weglika krzemu Si C. Wytwarzanie wspomnianych kon¬ taktów napotyka na duze trudnosci spowodowane zwlaszcza wspólczynnikiem rozszerzalnosci ter- 5 micznej oraz koniecznoscia unikniecia wytwarzania sie warstewki grafitu pod stopem kontaktowym w procesie wtapiania stopu do krysztalu SiC.Wynalazek eliminuje powyzsze trudnosci i wy¬ róznia sie zastosowaniem stopu zelazo-wolfram, 10 który posiada dobre wlasnosci zwilzania (wolfram) i rozpuszczania (zelazo) weglika krzemu SiC oraz nie powoduje naprezen termicznych przy wtapia¬ niu. Wykonanie samego kontaktu polega na na¬ niesieniu mieszaniny rozdrobnionego zelaza z wol- 15 framem w postaci zawiesiny koloidalnej na krysz¬ tal SiC lub naniesienia na ten ostatni gotowego stopu zelaza z wolframem i ogrzaniu calosci w atmosferze ochronnej w temperaturze 1600—1800°C, a w koncu powolnym ochlodzeniu. 2o Zaleta tych kontaktów jest równiez to, ze pro¬ ces wytwarzania ich mozna prowadzic w tempe¬ raturach stosunkowo niskich, tj. okolo 1600°C, a pracowac moga od temperatur niskich np. ciekle¬ go azotu do temperatur wysokich ca 1000°C. Do- 25 tychczas glównie stosuje sie kontakty ze stopu zloto-tantal lub czysty wolfram. Ze wzgledu na zastosowanie jako glównego skladnika zelaza — kontakty te sa o wiele tansze anizeli zloto-tantal lub czysty wolfram. 30 Nalezy nadmienic, ze znane kontakty zloto-tan¬ tal posiadaja bardzo dobre wlasnosci zwilzania SiC i przylegaja dobrze do powierzchni, jednakze nie wytrzymuja jednak duzych gradientów tem¬ peratur i odpadaja. Poza tym nie pozwalaja na uzyskanie kontaktów punktowych, co w wielu wypadkach ma bardzo istotne znaczenie. Czysty wolfram wymaga wysokich temperatur przy wta¬ pianiu, a to z kolei moze miec ujemny wplyw na parametry przyrzadu wykonywanego czesto po¬ nizej tych temperatur.W zaleznosci od potrzeb przygotowuje sie stop, przy czym dla kontaktów o wiekszych (powierzch¬ niach przygotowuje sie stop o wiekszej zdolnosci zwilzania przez zwiekszenie skladnika wolframu do okolo 30%, zelaza 70%. W celu wykonywania kontaktów punktowych zwieksza sie ilosc zelaza do okolo 90%, wolframu — 10%. Ze wzgledów czysto praktycznych wygodne jest sporzadzenie odpowiedniej pasty zamiast stopu.W tym celu stosuje sie mieszanine drobnych opilków zelaza oraz wolfram w postaci proszku w zawiesinie koloidalnej. Uzycie pasty pozwala uniknac stosowania, czesto pracochlonnych, kaset grafitowych.Wykonanie kontaktu polega na nalozeniu pasty lub, kawalka stopu na krysztal SiC, umieszczenie w piecu z atmosfera ochronna nip. wodoru, stop¬ niowym podgrzewaniu do temperatury 1600— —1800°C i powolnym ochlodzeniu. 58325< ... 58325 3 Przyklad. W malynl naczyniu miesza sie 100 mg opilek z miekkiego zelaza* z 25 mg prósz- 1. ku wolframowego. Do mieszaniny dodaje sie kol- lodium w eterze lub krople oleju parafinowego.Po wymieszaniu uzyskuje sie gesta maz. Na krysz- 5 tal SiC naklada sie kropelke mazi calosc umiesz¬ cza sie w piecu, podnosi stopniowo jego tempera¬ ture do 1600°C. Te temperature utrzymuje sie w czasie 2—3 minut, nastepnie powoli chlodzi. Na 2. krysztale SiC powstaje wtopiona kulka o srednicy zblizonej do wymiarów nalozonej kropli mazi. 4 PL
Claims (1)
1. Zastrzezenia patentawe ¦ Sposób wytwarzania kontaktów omowych do krysztalów weglika krzemu przez, naniesienie masy na tenze krysztal, znamienny tym, ze ja¬ ko mase kontaktowa stosuje sie mieszanine i/lub stop wolframu z zelazem, zas po nanie¬ sieniu jej na krysztal calosc podgrzewa sie do temperatury 1600—1800°C w atmosferze ochron¬ nej; a nastepnie powolnie chlodzi. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze mase kontaktowa stosuje sie w postaci zawie¬ siny koloidalnej o konsystencji pasty. FZG w Pab., zam. 898-69, nakl. 290 egz. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL58325B1 true PL58325B1 (pl) | 1969-08-25 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2402582A (en) | Preparation of silicon materials | |
| US2837448A (en) | Method of fabricating semiconductor pn junctions | |
| Chandrasekhar | The seebeck coefficient of bismuth single crystals | |
| US3839779A (en) | Ceramic brazing method | |
| Wu et al. | Shaping quality, microstructure, and mechanical properties of melt-grown mullite ceramics by directed laser deposition | |
| Knapp et al. | Measurements of melting temperatures of quasicrystalline Al-Mn phases | |
| PL58325B1 (pl) | ||
| Mousavi et al. | Phase evolution of superconducting Sn–In–Bi solder alloys | |
| US2137316A (en) | Electrode system and method of making same | |
| Fujino et al. | Phase diagram of the partial system of MnSi-Si | |
| US4717789A (en) | Thermoelectric elements | |
| US3242015A (en) | Apparatus and method for producing single crystal structures | |
| KR100209580B1 (ko) | 이트륨계 초전도체의 제조방법 | |
| US4717788A (en) | Method for producing thermoelectric elements | |
| Geller et al. | Anisotropic electrical conductivity and low-temperature phase transitions of the solid electrolyte Ag 26 I 18 W 4 O 16 | |
| Patel et al. | Growth of barite group crystals by the flux evaporation method | |
| CN115125620B (zh) | 碲化铁的制备方法 | |
| US1013700A (en) | Silicon carbid. | |
| Ramesh et al. | Thermal evidence for the structural instability in Ni3Al alloys | |
| Fripp et al. | Effects of supercooling in the initial solidification of PbTe-SnTe solid solutions | |
| Kasai et al. | Growth and morphology of Pb1− ySnySe and (PbSe) 1− z (SnTe) z alloys from the vapor phase | |
| US3238614A (en) | Method of connecting contacts to thermoelectric elements | |
| US2201150A (en) | Hard carbide composition | |
| Whitsett et al. | Single crystal preparation of mercury selenide | |
| Stolbovsky et al. | Investigation of CaSO4-KPO3-Na2B4O7 System as a Basis for Synthesis of Low-Melting Glasses Used as a Glass-Solder Material |