PL58321B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL58321B1
PL58321B1 PL126439A PL12643968A PL58321B1 PL 58321 B1 PL58321 B1 PL 58321B1 PL 126439 A PL126439 A PL 126439A PL 12643968 A PL12643968 A PL 12643968A PL 58321 B1 PL58321 B1 PL 58321B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
sleeve
semiconductor
housing
radiation
protrudes
Prior art date
Application number
PL126439A
Other languages
English (en)
Inventor
inz. Michal Korwin-Pawlowski mgr
inz.Jerzy Pultorak dr
Original Assignee
Polska Akademia Nauk
Filing date
Publication date
Application filed by Polska Akademia Nauk filed Critical Polska Akademia Nauk
Publication of PL58321B1 publication Critical patent/PL58321B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 30.X.1969 58321 KI. 21 g, 29/10 MKP H 01 1 clpe llftLIOTEKAr Wspóltwórcy wynalazku: mgr inz. Michal Korwin-Pawlowski, dr inz.Jerzy Pultorak Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Technologii Elek¬ tronowej), Warszawa (Polska) Obudowa pólprzewodnikowego odbiornika promieniowania, w szczególnosci fotodiody wielkiej czestotliwosci Przedmiotem wynalazku jest obudowa pólprze¬ wodnikowego odbiornika promieniowania, w szcze¬ gólnosci fotodiody wielkiej czestotliwosci o kon¬ centrycznym ukladzie elektrod. Obudowa wedlug wynalazku moze byc takze stosowana w przypad¬ ku detektorów promieniowania jadrowego, pod¬ czerwonego itp. Obudowa jest przystosowana spe¬ cjalnie do przyrzadów pólprzewodnikowych z ba¬ riera powierzchniowa.Znane sa róznego rodzaju obudowy pólprzewod¬ nikowych odbiorników promieniowania. Powsze¬ chnie stosowane obudowy fotodiod wielkiej cze¬ stotliwosci maja koncentryczny uklad elektrod, przy czym tulejka metalowa stanowiaca jedna z elektrod jest odizolowana za pomoca teflonowego pierscienia i zywicy epoksydowej od drugiej elek¬ trody posiadajacej doprowadzenie pradowe do zlacza p-n wytworzonego w plytce pólprzewodni¬ kowej w ksztalcie stozka z otworkiem w srodku sluzacym jio doprowadzenia promieniowania swiet¬ lnego do plytki pólprzewodnikowej. Plytka pól¬ przewodnikowa przylutowana jest do trzpienia i dociskana do doprowadzenia pradowego wraz z nini za pomoca sprezyny opierajacej sie z drugiej strony o wkret.Opisana przykladowo obudowa wykazuje takie wady jak: skomplikowana konstrukcja i zwiaza¬ na z tym wysoka cena, mala wytrzymalosc me¬ chaniczna (szczególnie podatne na uszkodzenia sa doprowadzenie pradowe, i plytka pólprzewodniko- 10 15 20 30 wa dociskane do siebie przez sprezyne) oraz ko¬ niecznosc zachowania wspólosiowosci zlacza p-n i doprowadzenie pradowego zlacza oraz plasko- równoleglosci górnej i dolnej powierzchni plytki pólprzewodnikowej.Wymienionych wad nie ma, lub ma je w nie¬ wielkim stopniu obudowa wedlug wynalazku.Celem wynalazku jest uproszczenie konstrukcji co w duzej mierze ulatwi wykonanie obudowy.Cel ten zrealizowano w ten sposób, ze wspól¬ osiowe elektrody obudowy sa polaczone sztywne* i izolowane elektrycznie za pomoca zywicy orga¬ nicznej przy czym jedna z nich z jednego konca wystaje, zas po przeciwnej stronie zakonczona jest plasko i na niej umieszczona jest fotodioda.Calosc zamknieta jest od strony przeciwnej w sto¬ sunku do wystajacej elektrody za pomoca her¬ metycznego okienka przepuszczajacego promienio¬ wanie.Obudowa wedlug wynalazku zostanie objasnio¬ na blizej za pomoca rysunku, na którym fig. 1 przedstawia znana obudowe, a fig. 2 — obudowe- wedlug wynalazku.Przedstawione na fig. 1 rozwiazanie sklada sie z tulejki 3 stanowiaca jedna elektrode odizolowa¬ na pierscieniem 7 i warstwa zywicy 2 od drugiej elektrody h Plytka pólprzewodnikowa 8 przylu¬ towana jest do trzpienia 4 i dociskana sprezyna 5 opierajaca sie o wkret 6j.Przedstawiona na fig. 2 obudowa sklada sie l 58321\ 3 dwóch elektrod metalowych wykonanych np. ze stopu zelaza-niklowo-kobaltowego (kowaru) lub mosiadzu, sztywno polaczonych mechanicznie i od¬ izolowanych od siebie elektrycznie przez zywice organiczna (epoksydowa, silikonowa).Jedna z elektrod ma ksztalt tulei 1, a druga tworzy pelny trzpien 2 o srednicy mniejszej od ^wewnetrznej srednicy tulei, osadzony wspólosio¬ wo z tuleja. Trzpien z jednej strony wystaje poza tuleje. Zywica organiczna 3, wypelnia szczeline pomiedzy trzpieniem i tuleja. W celu zwiekszenia wytrzymalosci mechanicznej obudowy, zywica mozna wypelnic takze czesc przestrzeni ograni¬ czonej przez powierzchnie boczna trzpienia i pla¬ szczyzne dolnej podstawy tulei.Czesc powierzchni bocznej trzpienia wystajacej poza tuleja nie jest pokryta zywica, co umozliwia doprowadzenie do niego napiecia. Przeciwny ko¬ niec trzpienia tworzy powierzchnia plaska do któ¬ rej przy lutowana jest plytka 6 z materialu pól¬ przewodnikowego stanowiaca detektor promienio¬ wania, przy czym powierzchnia ta jest tak usy¬ tuowana pomiedzy plaszczyznami podstaw tulei, aby po zamontowaniu plytki pólprzewodnikowej mozliwe bylo* zamkniecie obudowy za pomoca okienka 4 wykonanego w postaci plytki plasko- równoleglej lub soczewki skupiajacej z materia¬ lu przepuszczajacego odbierane promieniowanie (szkla, kwarcu, korundu). Okienko umieszczone jest na powierzchni tulei lub w specjalnym gniez¬ dzie, które stanowi czesc tulei o srednicy równej srednicy okienka lub nieco wiekszej.Polaczenie okienka z tuleja i trzpienia z tuleja sa hermetyczne dzieki zastosowaniu w nich zywic -organicznych.Plytka pólprzewodnikowa polaczona jest elek- 'Fig. 2 4 trycznie z tuleja za pomoca doprowadzenia pra¬ dowego 5 w postaci cienkiego drutu lub tasiemki metalowej albo cienkiej warstwy materialu prze¬ wodzacego prad elektryczny i przepuszczajacego 5 odbierane promieniowanie (ze zlota lub innego metalu) nalozonej na przyklad przez naparowanie w prózni na powierzchnie plytki pólprzewodniko¬ wej, zywicy organicznej i specjalnych wystepów kontaktowych, które posiada tuleja na calym, lub 10 czesci obwodu wewnetrznej powierzchni bocznej.W przypadku gdy doprowadzenie pradowe tworzy drut lub tasiemka, wystepów kontaktowych moze na tulei nie byc, a polaczenie doprowadzenia z tuleja moze byc wykonane na bocznej powierzchni 15 wewnetrznej tulei przez przylutowanie lub przy- spawanie.Zaletami obudowy wedlug wynalazku sa prosta i latwa do wykonania konstrukcja, hermetycznosc, sztywnosc i duza wytrzymalosc mechaniczna, a 20 takze mala pojemnosc elektryczna. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Obudowa pólprzewodnikowego odbiornika pro¬ mieniowania, w szczególnosci fotodiody wielkiej czestotliwosci, znamienna tym, "ze stanowia ja dwie elektrody metalowe rozmieszczone wspólosiowo, z których zewnetrzna ma ksztalt tulei, sztywno po¬ laczone mechanicznie i izolowane elektrycznie za pomoca zyiwcy organicznej przy czym trzpien wy¬ staje z jednej strony poza tuleje i zywice, a po przeciwnej stronie zakonczony jest plaska po¬ wierzchnia na której umieszczona jest plytka z materialu pólprzewodnikowego polaczona dodat¬ kowo elektrycznie z tuleja, natomiast tuleja po stronie przeciwnej niz ta, z której wystaje trzpien, przykryta jest hermetycznie okienkiem wykona¬ nym z materialu przepuszczajacego promieniowanie. F/gf PZG W Pab., zam. 895-69, nakl. 290 egz. PL
PL126439A 1968-04-13 PL58321B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL58321B1 true PL58321B1 (pl) 1969-08-25

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4078944A (en) Encapsulated solar cell assembly
US4131905A (en) Light-triggered thyristor and package therefore
US4347655A (en) Mounting arrangement for semiconductor optoelectronic devices
US3221219A (en) Semiconductor device having a nickel surface in pressure sliding engagement with a silver surface
KR102460192B1 (ko) 케이스 격리된 오일 충전식 mems 압력 센서
CN111987076B (zh) 一种近红外光与可见光的宽光谱光电探测器及其制作方法
US2699594A (en) Method of assembling semiconductor units
US4240098A (en) Semiconductor optoelectronic device package
US8896105B2 (en) Microelectronic devices and methods for manufacturing microelectronic devices
US8633572B2 (en) Low ohmic through substrate interconnection for semiconductor carriers
US3087838A (en) Methods of photoelectric cell manufacture
US3585454A (en) Improved case member for a light activated semiconductor device
US3480783A (en) Photon coupler having radially-disposed,serially connected diodes arranged as segments of a circle
US3992717A (en) Housing for a compression bonded encapsulation of a semiconductor device
US2934588A (en) Semiconductor housing structure
US2697805A (en) Point contact rectifier
US3328650A (en) Compression bonded semiconductor device
US4202004A (en) Energy conversion unit
US3389267A (en) Photoelectric cell with heat sink
PL58321B1 (pl)
US3604989A (en) Structure for rigidly mounting a semiconductor chip on a lead-out base plate
US3210618A (en) Sealed semiconductor housings
US3159775A (en) Semiconductor device and method of manufacture
US3619734A (en) Assembly of series connected semiconductor elements having good heat dissipation
US3267341A (en) Double container arrangement for transistors