PL58234B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL58234B1
PL58234B1 PL116154A PL11615466A PL58234B1 PL 58234 B1 PL58234 B1 PL 58234B1 PL 116154 A PL116154 A PL 116154A PL 11615466 A PL11615466 A PL 11615466A PL 58234 B1 PL58234 B1 PL 58234B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
light
gloss
photodiode
measurement
measuring
Prior art date
Application number
PL116154A
Other languages
English (en)
Inventor
inz. Jerzy Maciej Nowak mgr
inz. Pa¬wel Czyz mgr
Original Assignee
Instytut Badawczo Projektowy Przemyslu Farbi Lakierów
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Badawczo Projektowy Przemyslu Farbi Lakierów filed Critical Instytut Badawczo Projektowy Przemyslu Farbi Lakierów
Publication of PL58234B1 publication Critical patent/PL58234B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 19.VIII.1966 (116 154) 31.14970 58234 KI. 42 h, 17/05 MKP G 01 flfV UKD Wspóltwórcy wynalazku: mgr inz. Jerzy Maciej Nowak, mgr inz. Pa¬ wel Czyz Wlasciciel patentu: Instytut Badawczo Projektowy Przemyslu Farb i Lakierów, Gliwice (Polska) Sposób pomiaru polysku i urzadzenie do stosowania tego sposobu Przedmiotem wynalazku jest sposób pomiaru polysku przy pomocy fotodiod lub fototranzysto¬ rów germanowych i krzemowych oraz urzadzenie do stosowania tego sposobu w praktyce.Sposób pomiaru polysku wedlug wynalazku po¬ lega na uzyciu do pomiaru zbieznego strumienia swiatla o bardzo malym kacie brylowym i ognis¬ kowaniu go przez mierzona powierzchnie na czu¬ lym fotoelemencie typu fotodiody lub fototran¬ zystora.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schema¬ tycznie zasade pomiaru wedlug wynalazku, fig. 2 przedstawia schematycznie znany sposób pomia¬ ru, fig. 3 przedstawia w przekroju podluznym aparat mierzacy, fig. 4 przedstawia urzadzenie w widoku aksonometrycznym.W budowanych i uzywanych dotychczas polys- komierzach fotoelekrycznych, opartych na foto¬ komórkach prózniowych lub ogniwach selenowych jako fotoczujnikach, do pomiaru stosuje sie rów¬ nolegly strumien swiatla, który jest rzutowany ze zródla 1 przy pomocy kondensora 2 na mie¬ rzona powierzchnie 3 i po odbiciu od niej jest skupiany odpowiednim ukladem soczewek na fo¬ toogniwie 7. Powstajacy w fotoogniwie prad, pro¬ porcjonalny do ilosci odbitego swiatla mierzony jest czulym galwanometrem lub miernikiem elek¬ tronowym 8.Dla zmniejszenia wplywu swiatla rozproszonego 10 15 0r na wynik pomiaru stosuje sie przeslony 6 w ognisku ukladu soczewek skupiajacych swiatlo od¬ bite. Otwór przeslony przy tym nie moze byc zbyt maly z uwagi na strate swiatla i zmniejszenie czu¬ losci aparatu. W wyniku tego oraz w wyniku wad soczewek duza czesc swiatla rozproszonego 0r prze¬ dostaje sie na powierzchnie fotoelementu 7 i jest rejestrowana na równi ze swiatlem odbitym zwierciadlanie 0ZW i podwyzsza wartosc mierzo¬ nego polysku. W znanych polyskomierzach do po¬ miaru uzywa sie strumienia swiatla o kacie bry¬ lowym wynoszacym kilka steradianów; powstajace stad bledy pomiaru polysku moga osiagnac nawet kilkanascie procent. Dazenie do zmniejszenia wply¬ wu swiatla rozproszonego spowodowalo znaczna rozbudowe systemu optycznego obecnych aparatów i zwiekszenie ich rozmiarów oraz ciezaru. Znaczne straty swiatla w ukladzie optycznym (soczewki, przeslony) oraz ograniczona czulosc fotoogniw i fotokomórek prózniowych obnizaja ogólna spraw¬ nosc ukladu fotoelektrycznego i zmuszaja do sto¬ sowania silnych zródel swiatla oraz bardzo czulych, wrazliwych na mechaniczne uszkodzenia mierni¬ ków jak galwanometry lub mierniki elektronowe, co powoduje zwiekszenie rozmiarów oraz ciezaru obecnie produkowanych polyskomierzy i ogranicza ich stosowanie glównie do stacjonarnych, labora¬ toryjnych warunków pracy.Przy przeprowadzeniu pomiaru polysku sposo¬ bem wedlug wynalazku, przy uzyciu strumienia 5823458234 3 zbieznego, nie zachodzi koniecznosc stosowania so¬ czewek ogniskujacych odbity strumien swiatla.Fotodiode lub fototranzystor umieszcza sie w ognisku powstalym w wyniku odbicia zbieznego strumienia swiatla od mierzonej powierzchni. Ze wzgledu na bardzo mala powierzchnie czynna, fo¬ todioda „zbiera" niewielka czesc swiatla rozpro¬ szonego pochodzacego z malego kata brylowego, rzedu 0,5 steradiana.Przy pomiarze polysku sposobem wedlug wyna¬ lazku zbiezny strumien swiatla jest rzutowany przez kondensor 2 na mierzona powierzchnie 3 pod katem padania a, odbijany i ogniskowany przez nia na fotodiodzie lub fototranzystorze 4 pod katem odbicia |3 = a. Przeplywajacy przez fotodiode 4 prad jest proporcjonalny do wielkosci odbitego strumienia swiatla, czyli do polysku i jest mierzo¬ ny mikroamperomierzem 5. Zródlem swiatla jest zarówka 1 zasilana ze stabilizowanego zródla pradu elektrycznego.Aparat sklada sie z dwóch czesci: czujnika foto- tranzystorowego oraz czesci B zawierajacej mikro- amperomierz, zródlo nasilania oraz elementy do regulacji danego miernika. Obie czesci aparatu sa polaczone kablem elektrycznym 11.Czujnik fototranzystorowy, fig. 3 sklada sie z naswietlacza (zarówka z kondensorem) 9 rzucaja¬ cego zbiezny strumien swiatla na badana powierz¬ chnie 3 oraz fototranzystora lub fotodiody 10 mie¬ rzacych strumien odbity. Naswietlacz i fototranzy¬ stor zamocowane sa w ten sposób, aby zachowany byl warunek: kat padania równa sie katowi od¬ bioru (odbicia) strumienia swiatla. Czujnik posiada swiatloszczelna obudowe 12 zaopatrzona w szczeli¬ ne pomiarowa 13, przez która wydostaje sie stru¬ mien swiatla padajacy na badana powierzchnie 3 i powraca strumien odbity. Druga czesc aparatu B znajduje sie w przenosnej obudowie i zawiera mikroamperomierz 14, zródlo zasilania oraz ele¬ menty 15, 16, 17 do wlaczania i regulacji miernika.Do zasilania polyskomierza sluzy maly akumulator lub bateria sucha. Jako miernik fotopradu zostal uzyty mikroamperomierz. Fotodioda moze pracowac w ukladzie mostkowym lub szeregowym przy ujemnym napieciu polaryzacji rzedu kilku woltów.Przy pracy w ukladzie mostkowym uzyskuje sie wieksza stabilnosc pracy polyskomierza, czulosc jednak jest mniejsza.Obsluga aparatu jest prosta i obejmuje wlaczenie 5 elektrycznego zródla zasilania, cechowanie mierni¬ ka pradu oraz dokonywanie wlasciwych pomiarów polysku. Cechowanie miernika przeprowadza sie po ustawieniu czujnika fototranzystorowego na po¬ wierzchni wzorcowej; polega ono na sprowadzeniu io wskazówki mikroamperomierza 14 przy pomocy elementów 15 i 16 w pozycje „0" przy wylaczonym naswietlaczu oraz w pozycje „100" przy wlaczonym naswietlaczu.Po dokonaniu cechowania aparatu przeprowadza 15 sie wlasciwe pomiary. Przeprowadzenie wlasciwego pomiaru polega na ustawieniu czujnika na mierzo¬ nej powierzchni i dokonaniu odczytu wartosci po¬ lysku na mikroamperomierzu w procentach wzgle¬ dem polysku powierzchni wzorcowej, który przyj- 20 muje sie za 100%.Obudowa czesci B aparatu posiada pojemniki 18 i 19 do przechowywania czujnika, kabla laczacego i wzorców polysku.Polyskomierz fototranzystorowy w porównaniu 25 z klasycznymi polyskomierzami fotoelektrycznymi odznacza sie szeregiem zalet, a przede wszystkim malymi wymiarami i ciezarem, duza czuloscia oraz malym zuzyciem energii elektrycznej. Miesci sie w niewielkim futerale i moze sluzyc jako aparat pod- 30 reczny, przenosny do pomiarów róznych powierz¬ chni, a przede wszystkim powlok lakierowych, tworzyw sztucznych, ceramicznych oraz metalo¬ wych. 35 PL

Claims (2)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób pomiaru polysku, znamienny tym, ze do pomiaru uzywa sie zbieznego strumienia swiatla o kacie brylowym od 0,1 do 1,5 steradiana.
  2. 2. Urzadzenie do stosowania sposobu wedlug 40 zastrz. 1, wyposazone w czujnik fotoelektryczny, którym jest fotodioda lub fototranzystor germano¬ wy lub krzemowy, znamienne tym, ze czujnik fo¬ toelektryczny umieszczony jest w punkcie obrazo¬ wym zbieznego strumienia swiatla odbitego od mie- 45 rzonej powierzchni.KI. 42 h, 17/05 58234 MKP G 01 j 777777777777, Fig.1 FiS.ZKI. 42 h, 17/05 58234 MKP G 01 j Fi3.3 £ FigA LZGraf. Zam. 2050. 27.Y.69. 250 PL
PL116154A 1966-08-19 PL58234B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL58234B1 true PL58234B1 (pl) 1969-06-25

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Catalano et al. The ASTRI SST-2M prototype: Camera and electronics
CN207946357U (zh) 一种荧光检测器的荧光激发装置
UST102104I4 (en) Scanning optical system adapted for linewidth measurement in semiconductor devices
PL58234B1 (pl)
US3458257A (en) Method and apparatus for detecting spatial relationships and for determining properties derived therefrom
CN105628197A (zh) 一种照度计
Maffione et al. Instrument for underwater measurement of optical backscatter
CN117388189A (zh) 一种水下光谱辐射测量装置以及测量方法
JPS5629112A (en) Distance measurement unit
Coles et al. An automated system to measure the quantum efficiency of CCDs for astronomy
Edwards et al. Wide-angle photoelectric integrating flashmeter
GB1241549A (en) An improved photometric instrument
JPS57151807A (en) Distance measuring device
Zurita et al. Measuring the reflectance and the internal quantum efficiency of silicon and InGaAs/InP photodiodes in near infrared range
SU138391A1 (ru) Фотоэлектрическое устройство
RU2062449C1 (ru) Устройство для измерения интенсивности светового излучения
Engström et al. A simple portable densitometer
CN117723923A (zh) 一种光-电转换器件物理机制测试系统和测试方法
CS221739B1 (cs) Zdroj světla rosného vlhkoměru
Dravins A Self-Scanned Silicon Diode Array for Astronomical Photometry
SU137297A1 (ru) Прибор дл определени степени параллелизации волокон в полуфабрикатах: пр дильного производства
SU151105A1 (ru) Способ определени влажности порошкообразных материалов
Hiatt et al. Note on the Measurement of Photographic Densities with a Barrier Type of Photocell
RU150172U1 (ru) Установка для контроля параметров фотоэлектрических преобразователей
Campos et al. Measuring the reflectance and the internal quantum efficiency of silicon and InGaAs/InP photodiodes in near infrared range.-art...