PL57877B1 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 18.1.1968 (P 124 760) 25.VIII.1969 57877 KI. 21 a1, 36/06 MKP H 03 k UKD M Twórca wynalazku: mgr inz. Zbigniew Tymowski Wlasciciel patentu: Przemyslowy Instytut Telekomunikacji, Warszawa (Polska) Pólprzewodnikowy modulator impulsowy wielkiej czestotliwosci Przedmiotem wynalazku jest pólprzewodnikowy modulator impulsowy wielkiej czestotliwosci slu¬ zacy do uzyskania amplitudowej modulacji impul¬ sowej fali nosnej przy bardzo duzym stosunku amplitudy impulsu wyjsciowego do szczatkowego poziomu napiecia wielkiej czestotliwosci wystepu¬ jacego przy braku wizyjnego impulsu moduluja¬ cego. Znany jest uklad realizujacy wyzej wymie¬ nione funkcje z zastosowaniem lampy elektronowej i diody pólprzewodnikowej umozliwiajacy uzyska¬ nie stosunku amplitudy do poziomu szczatkowego w. cz. rzedu 60 dB.Pólprzewodnikowy modulator impulsowy wiel¬ kiej czestotliwosci wedlug wynalazku umozliwia uzyskanie tego stosunku rzedu 100 dB, przy czym zrealizowany jest wylacznie z elementów pólprze¬ wodnikowych i elementów biernych.Modulator impulsowy wielkiej czestotliwosci wedlug wynalazku sklada sie z dwóch jednostop- niowych wzmacniaczy, pracujacych w klasie C i polaczonych ze soba kaskadowo, poprzez miedzy- stopniowy uklad modulujacy z oporowymi dziel¬ nikami napiecia. Podstawowy uklad miedzystopnio- wego ukladu modulujacego sklada sie z jednej pary diod i co najmniej z jednego tranzystora.W stanie statycznym diody sa spolaryzowane za¬ porowo, natomiast tranzystor znajduje sie w stanie nasycenia, przy czym jedno z wyjsc tranzystora jest wlaczone pomiedzy diody, które sa kierunkami przewodzenia sa usytuowane od siebie. Tranzystor 10 15 20 25 30 ukladu modulujacego jest ponadto polaczony z ma¬ sa ukladu, natomiast baza tego tranzystora jest polaczona z wejsciem na które sa podawane wi¬ zyjne impulsy modulujace.Uklad wedlug wynalazku jest przedstawiony na zalaczonym rysunku, na którym fig. 1 przedstawia jego zasadnicze rozwiazanie, zas fig. 2 jego od¬ miane.Uklad wedlug wynalazku przedstawiony na fig. 1 sklada sie z dwóch konwencjonalnych jednostop- niowych wzmacniaczy rezonansowych 1 i 2 pracuja¬ cych w klasie C (to jest z katem przeplywu mniej¬ szym niz 180°) oraz miedzystopniowego ukladu modulujacego 3, poprzez który wyjscie 6 wzmac¬ niacza 1 jest polaczone z wejsciem 19 wzmacnia¬ cza 2.Podstawowy uklad A miedzystopniowego ukladu modulujacego 3 sklada sie z jednej pary diod 9 i 14 i co najmniej z jednego tranzystora 12 z tym, ze w stanie statycznym diody 9 i 14 sa spolaryzo¬ wane zaporowo, a tranzystor 12 znajduje sie w sta¬ nie nasycenia. Jedno z wyjsc tranzystora 12 jest wlaczone pomiedzy diody 9 i 14, które kierunkami przewodzenia sa usytuowane od siebie, natomiast drugie wyjscie tranzystora 12 jest polaczone z masa ukladu.Baza tego tranzystora 12 jest polaczona z wej¬ sciem 5 wizyjnych impulsów modulujacych. Diody ostrzowe 9 i 14 sa spolaryzowane zaporowo dzieki 5787757877 dzielnikom oporowym 7, 8 i 16, 17 zasilanym na¬ pieciem +U, oraz dzieki nasyceniu tranzystora 12 uwarunkowanemu wartosciami oporników 11 i 13.Dla poprawy separacji zastosowano przegrody ekranujace 10 i 15. Budowa odmiany pólprzewod¬ nikowego modulatora impulsowego wielkiej cze¬ stotliwosci wedlug wynalazku polega na tym, ze podstawowy uklad A miedzystopniowego ukladu modulujacego 3 sklada sie z jednej pary diod 9 i 14 i dwóch tranzystorów 12 i 17 tworzacych z diodami uklad typu Jt (fig. 2).W stanie statycznym tranzystory 12 i 17 sa na¬ sycone. Galaz pozioma ukladu typu Jt tworza dio¬ dy 9 i 14, które sa usytuowane kierunkami prze¬ wodzenia do siebie, natomiast tranzystory 12 i 17 tworza galezie pionowe ukladu Jt. Jedne wyjscia tranzystorów 12 i 17 sa dolaczone do diod 9 i 14, drugie zas do masy calego ukladu modulujacego 3.Bazy obu tranzystorów sa ze soba polaczone bezposrednio lub przez dlawik wielkiej czestotli¬ wosci 18, a jedna z baz dolaczona jest do wejscia 5 wizyjnych impulsów modulujacych.Miedzystopniowy uklad modulujacy 3 moze sie skladac takze z dwóch lub wiecej podstawowych ukladów A polaczonych ze soba szeregowo. Modu¬ lacja impulsowa zaczyna zachodzic po podaniu na wejscie A wzmacniacza 1 fali nosnej oraz na wej¬ scie 5 wizyjnych impulsów modulujacych. Impulsy te powoduja zmiane stanu tranzystora 12 na stan zatkania, co powoduje zmiane polaryzacji diod 9 i 14. Dzieki temu miedzystopniowy uklad modulu¬ jacy 3 w czasie trwania wizyjnego impulsu modu¬ lujacego przedstawia soba mala impedancje przej¬ sciowa dla fali ciaglej, która przechodzi na wyjscie 20 w postaci impulsu w. cz.Przy braku wizyjnego impulsu modulujacego na wyjsciu 5 impedancja przejsciowa ukladu 3 jest bardzo duza i fala ciagla przechodzi na wyjscie 20 na poziomie rzedu — 100 dB w stosunku do ampli¬ tudy napiecia w. cz. w impulsie. Wynika stad, iz uklad wedlug wynalazku dziala na zasadzie modu¬ lacji impedancji przejsciowej ukladu 3 pod wply¬ wem zewnetrznych impulsów modulujacych. 15 20 25 40 PL

Claims (3)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Pólprzewodnikowy modulator impulsowy wielkiej czestotliwosci skladajacy sie z dwóch jedno- stopniowych wzmacniaczy pracujacych w klasie C i polaczonych ze soba kaskadowo poprzez miedzy¬ stopniowy uklad modulujacy z oporowymi dzielni¬ kami napiecia znamienny tym, ze podstawowy uklad (A) miedzystopniowego ukladu modulujace¬ go (3) sklada sie z jednej pary diod (9 i 14) i co najmniej z jednego tranzystora (12) z tym, ze w stanie statycznym diody (9 i 14) sa spolaryzowa- . ne zaporowo, w tranzystor (12) znajduje sie w sta¬ nie nasycenia przy czym jedno z wyjsc tranzysto¬ ra (12) jest wlaczone pomiedzy diody (9 i 14) które kierunkami przewodzenia sa usytuowane od siebie, podczas, gdy drugie wyjscie tranzystora (12) jest polaczone z masa ukladu, natomiast baza tego tranzystora (12) jest polaczona z wejsciem (5) wi¬ zyjnych impulsów modulujacych.
2. 2. Odmiana pólprzewodnikowego modulatora impulsowego wielkiej czestotliwosci wedlug zastrz. 1 znamienna tym, ze podstawowy uklad (A) mie¬ dzystopniowego ukladu modulujacego (3) sklada sie z jednej pary diod (9 i 14) i z dwóch tranzystorów (12 i 17) tworzacych z diodami uklad typu Jt z tym, ze tranzystory (12 i 17) w stanie statycznym sa nasycone, przy czym galaz pozioma ukladu typu Jt tworza diody (9 i 14), które sa usytuowane kie¬ runkami przewodzenia do siebie, zas tranzystory (12 i 17) tworza galezie pionowe ukladu typu Jt i jednymi wyjsciami sa dolaczone do diod (9 i 14), a drugimi do masy calego ukladu modulujacego (3), natomiast bazy tranzystorów (12 i 17) sa pola¬ czone bezposrednio lub przez dlawik wielkiej cze¬ stotliwosci (18) i jedna z baz dolaczona jest do wejscia (5) wizyjnych impulsów modulujacych.
3. 3. Pólprzewodnikowy modulator wedlug zastrz. 1, 2 znamienny tym, ze jego miedzystopniowy uklad modulujacy (3) sklada sie z dwóch lub wiecej pod¬ stawowych ukladów (A) miedzystopniowego ukla¬ du modulujacego (3) polaczonych ze soba szere¬ gowo. f i\» n» (H i H* \s \io ¦* 14 © \* D/7i n£ i T ! AJ -o +U 19. —o— 20 —o fig.1KI. 2131, 36/06 57877 MKP H 03 k r- ffJs f fi Ku ¦+& w m tf /5 f/ +// £0 Fig. Z PL