PL56303B1 - - Google Patents

Description

Opublikowano: 30.XI.1968 56303 KI. 21 a2, 18/05 MKP H 03 f UKD % 'a Twórca wynalazku: dr inz. Michal Bialko Wlasciciel patentu: Politechnika Gdanska (Katedra Ukladów Elektro¬ nicznych) Gdansk (Polska) Uklad bezindukcyjnego wzmacniacza selektywnego z czterowarstwowa mikroelektroniczna linia RGC o stalych rozlozonych, o malym wplywie zmian wartosci elementów ukladu wzmacniacza na jego dobroc Przedmiotem wynalazku jest uklad bezindukcyj¬ nego wzmacniacza selektywnego z czterowarstwowa mikroelektroniczna linia RGC o stalych rozlozo¬ nych, o malym wplywie zmian wartosci elementów ukladu wzmacniacza na jego dobroc.W stosowanych dotychczas ukladach bezinduk- cyjnych wzmacniaczy selektywnych czterowarstwo- we mikroelektroniczne linie RGC o stalych rozlozo¬ nych wykorzystywane nie byly. Natomiast w takich wzmacniaczach sa stosowane trójwarstwowe linie mikroelektroniczne RC o stalych rozlozonych dzia¬ lajace w ukladzie filtru zerowego wlaczonego w petli sprzezenia zwrotnego.W sklad takiego filtru zerowego wchodzi trój- warstwowa mikroelektroniczna linia RC o stalych rozlozonych polaczona z dodatkowym skupionym opornikiem lub kondensatorem.Uklady takich wzmacniaczy charakteryzuja sie bardzo duzym wplywem zmian wartosci elementów ukladu wzmacniacza na jego dobroc, co w efekcie powoduje duze rozrzuty wartosci dobroci wzmac¬ niaczy przy produkcji seryjnej.Celem wynalazku jest zbudowanie bezindukcyj¬ nego wzmacniacza selektywnego z mikroelektro¬ niczna linia o stalych rozlozonych o malym wply¬ wie zmian wartosci elementów ukladu wzmacnia¬ cza na jego dobroc. Cel ten zostal osiagniety przez wlaczenie w petle sprzezenia zwrotnego wzmacnia¬ cza, czterowarstwowej mikroelektronicznej linii RGC o stalych rozlozonych jako przesuwnika fazy, 10 20 30 przy czym pomiedzy kolektor i baze tranzystora wzmacniajacego wlaczono wzdluzna warstwe opo¬ rowa czterowarstwowej mikroelektronicznej linii RGC o stalych rozlozonych zas warstwe metaliczna tej linii dolaczono do bieguna dodatniego baterii za¬ silajacej wzmacniacz. Przy takim polaczeniu ukla¬ du bezwzgledna wartosc przesuniecia fazowego w petli sprzezenia zwrotnego wzmacniacza jest mniej¬ sza od 360°.Wynalazek zostanie blizej objasniony na przykla¬ dzie wykonania przedstawionym na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schemat ideowy wzmac¬ niacza wedlug wynalazku, fig. 2 przedstawia wy¬ kresy Bodego modulu (T) i argumentu cp stosunku zwrotnego T (wzmocnienia calej petli sprzezenia zwrotnego), a fig. 3 przedstawia charakterystyki modulu (Kz) funkcji przeniesienia K7 wzmacniacza.Wzmacniacz wedlug fig. 1 posiada wlaczona pomie¬ dzy kolektor i baze tranzystora wzmacniajacego Tp wzdluzna warstwe oporowa czterowarstwowej mi¬ kroelektronicznej linii RGC L, a warstwe metalicz¬ na tej linii ma dolaczona do bieguna dodatniego +UB baterii zasilajacej wzmacniacz.Zaciskami wejsciowymi wzmacniacza sa zaciski 1—0, a wyjsciowymi zaciski 2—0. Linia L stanowi galaz napieciowo-równoleglego sprzezenia zwrotne¬ go. Takie wlaczenie linii pozwala na uzyskanie, dla czestotliwosci srodkowej fr wzmacniacza, wartosci argumentu c?m stosunku zwrotnego T bliskiej 360°.Wartosc dobroci Q wzmacniacza wedlug fig. 1 jest 56 30356 303 równa w przyblizeniu—= 360°-« Plaski prze¬ bieg charakterystyki argumentu cp stosunku zwrot¬ nego T, w poblizu czestotliwosci srodkowej f, wzmacniacza, pokazany na fig. 2, swiadczy o ma¬ lym wplywie zmian wartosci elementów ukladu wzmacniacza na jego dobroc.Krzywe pokazane na fig. 3 przedstawiaja charak¬ terystyki modulu (Kz) funkcji przeniesienia Kz dla róznych wartosci G = 360° — cpm przy czym krzy¬ wej 1 odpowiada mniejsza wartosc Q niz krzywej 2.Korzysci techniczne wynikajace, ze stosowania wzmacniacza wedlug wynalazku polegaja na umoz¬ liwieniu zrealizowania bezindukcyjnego wzmacnia¬ cza selektywnego o malym wplywie zmian war¬ tosci elementów wzmacniacza na jego dobroc przy pomocy jednostopniowego wzmacniacza tranzysto¬ rowego z czterowarstwowa mikroelektroniczna li¬ nia RGC o stalych rozlozonych wlaczona w jego petle sprzezenia zwrotnego. 10 15 Zastosowanie wzmacniacza wedlug wynalazku pozwoli na zmniejszenie rozrzutów wartosci dobro¬ ci wzmacniaczy selektywnych z liniami mikroelek- tronicznymi, produkowanych seryjnie. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Uklad bezindukcyjnego wzmacniacza selektywne¬ go z czterowarstwowa mikroelektroniczna linia RGC o stalych rozlozonych, o malym wplywie zmian wartosci elementów ukladu wzmacniacza na jego dobroc, w którym wyzej wymieniona czterowar¬ stwowa mikroelektroniczna linia RGC o stalych rozlozonych wlaczona jest w petle sprzezenia zwrotnego jako przesuwnik fazy, znamienny tym, ze miedzy kolektor i baze tranzystora wzmacniaja¬ cego (Tx) wlaczona jest wzdluzna warstwa oporowa czterowarstwowej mikroelektronicznej linii RGC (L) o stalych rozlozonych, zas warstwa metaliczna tej linii dolaczona jest do bieguna dodatniego (+ U]-)» baterii zasilajacej wzmacniacz. Tie i -W M l Fiq2 Bltk 3063/68 310 egz.A4 ^ PL