PL55977B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL55977B1
PL55977B1 PL112309A PL11230965A PL55977B1 PL 55977 B1 PL55977 B1 PL 55977B1 PL 112309 A PL112309 A PL 112309A PL 11230965 A PL11230965 A PL 11230965A PL 55977 B1 PL55977 B1 PL 55977B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
crucible
thermocouples
chambers
diameter
single crystal
Prior art date
Application number
PL112309A
Other languages
English (en)
Inventor
inz. Andrzej Blinowski mgr
inz mgr
TeresaBarbara Perkowska .
Original Assignee
Fabryka Pólprzewodników „Tewa"
Filing date
Publication date
Application filed by Fabryka Pólprzewodników „Tewa" filed Critical Fabryka Pólprzewodników „Tewa"
Publication of PL55977B1 publication Critical patent/PL55977B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 10.X.1968 55977 KI. 40 d, 3/00 MKP C 22 f 3/00 UKD 669.2/.8-172 Wspóltwórcy wynalazku: mgr inz. Andrzej Blinowski, mgr inz,. Teresa Barbara Perkowska Wlasciciel patentu: Fabryka Pólprzewodników „Tewa", Warszawa (Polska) Sposób automatycznej stabilizacji srednicy monokrysztalu o zalozonej opornosci wlasciwej i Przedmiotem wynalazku jest sposób automatycz¬ nej stabilizacji srednicy monokrysztalu o zalozo¬ nej opornosci wlasciwej w procesie monokrysta- lizacji. W procesie wyciagania monokrysztalów srednica ich jest funkcja temperatury stopionego materialu w tyglu oraz predkosci wyciagania. Na¬ tomiast opornosc wlasciwa monokrysztalu jest odwrotnie proporcjonalna do zawartosci domiesz¬ ki w fazie cieklej.W przypadku wyciagania monokrysztalu z tygla nie zasilanego w stopiony material, zawartosc do¬ mieszki w fazie cieklej zmienia sie w procesie monokrystalizacji, wskutek ubywania z tygla ma¬ terialu, w postaci monokrysztalu, mniej zdomie- szkowanego anizeli faza ciekla.Wyciagany monokrysztal ma wtedy opornosc wlasciwa malejaca w funkcji dlugosci, zalezna od wspólczynników rozdzialu domieszek oraz ak¬ tualnego skladu chemicznego fazy cieklej.Aby uzyskac stala opornosc wlasciwa mono¬ krysztalu, nalezy zapewnic stale stezenie domiesz¬ ki w stopionym materiale w tyglu. Dla spelnie¬ nia tego niezbednego warunku, konieczne jest utrzymanie ciaglego zasilania tygla w stopiony material o scisle ustalonym stezeniu domieszki, zaleznym od wspólczynnika rozdzialu i zadanej koncowej opornosci wlasciwej monokrysztalu. Za¬ silanie w stopiony material tygla, z którego od¬ bywa sie monokrystalizacja, mozna rozwiazac róznymi metodami. Jedna z nich jest metoda zna- 10 15 20 25 30 na z patentu polskiego Nr 48184 gdzie staly po¬ ziom fazy cieklej jest utrzymany droga swobod¬ nego zanurzenia tygla z otworem w dnie w wiek¬ szym zbiorniku stopionego materialu o ustalonym stezeniu domieszki. Takie rozwiazanie powoduje, ze poziom cieczy w tyglu nie zalezy od srednicy wyciaganego monokrysztalu, zapewnia wprawdzie prawie stala opornosc wlasciwa, lecz nie daje mozliwosci stabilizacji srednicy po przez kontro¬ lowanie poziomu lustra stopionego materialu.Znane sa z literatury patentowej inne rozwia¬ zania na przyklad w patencie ZSRR Nr 133 238 opi¬ sane jest urzadzenie, wyposazone w dwukomorowy tygiel w którym komory polaczone sa na zasadzie naczyn polaczonych i w komorze, z której naste¬ puje wyciaganie, znajduje tylko nieznaczna czesc stopionego materialu, przy czym material ten w miare wyciagania monokrysztalu uzupelniany jest z drugiej komory. Rozwiazanie takie nie zapew¬ nia jednak latwej regulacji srednicy monokrysz¬ talu, oraz tylko czesciowo pozwala na ustalenie poziomu domieszki w czasie monokrystalizacji. In¬ ne rozwiazanie podaje patent USA Nr 2 977 258 gdzie takze wystepuje dwukomorowy tygiel w którym komory polaczone sa ze soba na zasadzie naczyn polaczonych z dodatkowym uzupelnieniem materialu w tyglu zewnetrznym przez wprowa¬ dzenie z góry materialu w stanie stalym w po¬ staci preta. 5597755977 Zasadnicza wada takiego rozwiazania jest ko¬ niecznosc wstepnego przygotowywania materialu wsadowego w postaci pretów o jednakowymi rów¬ nomiernym przekroju.Innym jeszcze rozwiazaniem jest metoda tlo¬ kowa zasilania tygla w której przy stalej pred¬ kosci przesuwu tloka, poziom lustra cieczy w ty¬ glu zalezy od srednicy wyciaganego monokrysz¬ talu. Do pomiaru poziomu lustra cieczy w ty¬ glach, w celu utrzymania zalozonej srednicy monokrysztalów stosowano metody kontaktowe i pojemnosciowe, znane na przyklad z patentów ZSRR Nr 130 185 oraz NRF 1170 150, oraz optycz¬ nej z wykorzystaniem podczerwieni znanej z pa¬ tentu wegierskiego Nr 151 414.Wszystkie omówione tu metody pomiarowe sa bardzo skomplikowane, malo dokladne i powta¬ rzalne ze wzgledu na szczególna czulosc na za¬ klócenie zewnetrzne, oraz wymagaja skompliko¬ wanej aparatury pomiarowej.Celem wynalazku jest opracowanie takiego spo¬ sobu stabilizacji srednicy monokrysztalu i opor¬ nosci wlasciwej, który pozwoli na otrzymywanie dowolnych monokrysztalów, o zadanej srednicy i zalozonej opornosci wlasciwej, jednakowej na calej dlugosci. Cel ten zostal osiagniety przez zastoso¬ wanie dwukomorowego tygla, w którym obie ko¬ mory polaczone sa ze soba na zasadzie naczyn po¬ laczonych, zasilane od dolu w stopiony material tlokowo ze stala predkoscia, przy czym w jednej z nich zanurza sie w stopionym materiale pól¬ przewodnikowym dwie termopary, lub jedna ter- mopare dwuzlaczowa i zlacza tych termopar umieszcza sie na niejednakowych poziomach, przez co uzaleznia sie sygnal napieciowy z tych termo¬ par od polozenia lustra cieczy i sygnal ten powo¬ duje zmiane mocy grzewczej nagrzewnika odpo¬ wiednio regulujac srednice wyciaganego mono¬ krysztalu.Dla lepszego wyjasnienia sposobu wedlug wy¬ nalazku przedstawia sie jego przyklad pokazany schematycznie na rysunku, na którym przedsta¬ wiony jest dwukomorowy tygiel 1 z otworami 2 umieszczonymi w dnie, który przymocowany jest do górnej czesci zasobnika 3 znajdujacego sie we wnetrzu nagrzewnika 4. W dolnej czesci zasob¬ nika 3 pod tyglem 1, znajduje sie przesuwny tlok 5 wraz z trzpieniem. 6.Roztopiony material do monokrystalizacji znaj¬ duje sie w obu komorach tygla 1 oraz pomiedzy dnem tygla a tlokiem 5. Do malej komory 7 tygla 1 wypelnionej roztopionym materialem do pozio¬ mu jak w komorze duzej, zanurza sie dwie ter¬ mopary 8 i 9 na rózna glebokosc, przez co uza¬ leznia sie ich sygnal napieciowy od poziomu lustra cieczy w obu komorach. Podobny efekt uzyskuje sie przez zanurzenie dwóch termopar na jednako¬ wa glebokosc ,lecz w oslonach z materialów o róz¬ nym przewodnictwie cieplnym.Termopary 8 i 9 polaczone sa ze soba biegu¬ nami dodatnimi, natomiast ujemne bieguny pola¬ czone sa ze zródlem pradu stalego 10, o nastaw¬ nym napieciu w taki sposób, ze wypadkowa sila termoelektryczna termopar jest kompensowana tym napieciem. W sklad calego ukladu wchodza jeszcze regulator 11, organ wykonawczy 12 i na¬ grzewnik 13. 5 Sposób automatycznej stabilizacji opornosci wla¬ sciwej i srednicy monokrysztalu polega na tym, ze w przypadku nie calkowitej kompensacji wy¬ padkowej sily termoelektrycznej termopar z na¬ stawionym napieciem ze zródla pradu stalego, io sygnal napieciowy zalezny od wysokosci poziomu cieczy w tyglu za posrednictwem regulatora 11 oraz organu wykonawczego 12 powoduje zmiane mocy nagrzewnika 4, który zasilany jest za po¬ srednictwem transformatora 13. W przypadku za- 15 stosowania grzejnika indukcyjnego miejsce na¬ grzewnika zajmie wzbudnik natomiast transforma¬ tora odpowiedni generator.Zmiana srednicy monokrysztalu w stosunku do zadanej spowoduje zaklócenie bilansu cieczy w 20 tyglu, co spowoduje zmiane sygnalu z termopar pomiarowych i poprzez uklad regulacji zmiane mocy grzewczej. W przypadku zmniejszenia sie srednicy monokrysztalu w stosunku do zadanej, moc zostaje obnizona. Zwiekszenie srednicy spo¬ woduje skutek przeciwny.Opornosc wlasciwa monokrysztalu uwarunko¬ wana jest fazowym wspólczynnikiem rozdzialu oraz koncentracja domieszki w tyglu. Poniewaz objetosc materialu w tyglu jest praktycznie sta¬ la opornosc monokrysztalu ustala sie na poziomie odpowiadajacym koncentracji atomów domieszki w materiale znajdujacym sie w zasobniku, podob¬ nie jak jest w metodzie plywajacego tygla. 25 35 PL

Claims (2)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób automatycznej stabilizacji srednicy mo¬ nokrysztalu o zalozonej opornosci wlasciwej znamienny tym, ze stosuje sie dwukomorowy ty- 40 giel zasilany ze stala wydajnoscia, w którym komory polaczone sa ze soba na zasadzie na¬ czyn polaczonych, przy czym w jednej z nich zanurza sie w stopionym materiale pólprzewod¬ nikowym dwie termopary (8) i (9), lub jedna *5 termopare dwuzlaczowa i zlacza tych termo¬ par umieszcza sie na niejednakowych pozio¬ mach, przez co uzaleznia sie sygnal napiecio¬ wy z tych termopar od polozenia lustra cie¬ czy, przy czym ten sygnal doprowadza sie po 50 przez regulator (11) do organu wykonawczego (12), powodujac zmiane mocy grzewczej w na¬ grzewniku (4), przez co podwyzsza sie lub ob¬ niza temperature stopionego materialu w obu komorach tygla w zaleznosci od' obnizenia sie 55 lub podwyzszenia lustra cieczy w tyglu.
  2. 2. Sposób wedlug zastrz. 1 znamienny tym, ze w jednej z komór tygla (1) zanurza sie dwie termopary (8) i (9), lub jedna termopare dwu¬ zlaczowa i zlacza tych termopar umieszcza sie 60 na jednakowym poziomie w stosunku do lustra cieczy, lecz kazde zlacze w oslonie o róznym przewodnictwie cieplnym.KI. 40 d, 3/00 55977 MKP C 22 f PL
PL112309A 1965-12-31 PL55977B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL55977B1 true PL55977B1 (pl) 1968-08-26

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Stimson The international temperature scale of 1948
US2892739A (en) Crystal growing procedure
LaBelle Jr et al. Growth of controlled profile crystals from the melt: Part I-Sapphire filaments
Gollub et al. Observation of enhanced diamagnetism above T c in indium due to thermodynamic fluctuations
US3359077A (en) Method of growing a crystal
US5030315A (en) Methods of manufacturing compound semiconductor crystals and apparatus for the same
McFee Foreign ion rejection in the growth of sodium chloride single crystals from the melt
US2908004A (en) Temperature control for crystal pulling
US3241925A (en) Apparatus for growing solid homogeneous compositions
US2852420A (en) Method of manufacturing semiconductor crystals
US4556784A (en) Method for controlling vertically arranged heaters in a crystal pulling device
PL55977B1 (pl)
US3305485A (en) Method and device for the manufacture of a bar by segregation from a melt
Bronson et al. THE HEAT CAPACITIES OF SILVER, NICKEL, ZINC, CADMIUM AND LEAD FROM− 80° TO 120° C.
US3119778A (en) Method and apparatus for crystal growth
GB843800A (en) Improvements in or relating to methods of treating bodies of material so as to controla solid-liquid interface therein
US4797174A (en) Process and apparatus for the continuous checking of the supermelting of the solidification front of a monocrystal during formation and application to the checking of the growth of a crystal
CA1087964A (en) Crystal growing furnace
Moore A method of growing large perfect crystals from solution.
KR880008466A (ko) 실리콘 수지상 웨브 결정의 성장방법
Sedgwick et al. Bourdon Gauge Determination of Equilibrium in the ZnSe (s)‐l2 (g) System
Lin et al. Dopant segregation control in Czochralski crystal growth with a wetted float
Rudolph et al. Thermodiffusion and Morphological Stability in Convectionless Crystal Growth Systems from Melts and Melt‐Solutions
JP2854643B2 (ja) 単結晶引上げにおけるドーピング方法
Seidensticker et al. Solute partitioning during silicon dendritic web growth