Znane sa uklady NOR wzglednie NANI}, rów¬ niez z tranzystorami laczonymi równolegle, dla których w kazdym ukladzie podstawowym przy¬ porzadkowany jest wspólny opór pracy. Do bazy kazdego tranzystora prowadzi wejscie przez opornik szeregowy. Taki uklad podstawowy wy¬ kazuje niekorzystna ceche pod wzgledem podat¬ nosci na zaklócenia, poboru mocy i technologicz¬ nego wykonianlia w miknoelektronlijce. Poniewaz o- pornlikli szeregowo polaczlone z wejsciami sa w sto¬ sunku dio opornosci bazy tranzystorów niiskloiamiowe, impuls zaklóceniowy wystepujacy ma przyklad ma kolektorze stopnJia poprzedzajacego, dochodzi w bez mala pelnej wielkosci na baze i z powodu duzej opornosci wejsciowej zablokowanego tranzystora nie wystepuje dzielenie napiecia. Powiekszenie wartosci tych oporników nie ma sensu z punktu widzenia fizycznego i technologicznego, poniewaz pogarsza charakterystyke czestotliwosciowa i utrudnia wykonanie w mikroelektronice. Wytwa¬ rzanie tych ukladów w wykonaniu mikroelek- trycznym, jak równiez w blokowej technice pól¬ przewodnikowej, wymaga duzej liczby czynnosci,, przez co obnizona zostaje wydajnosc i niezawod¬ nosc. W okablowaniu, wzglednie w metalowych 10 15 przewodach rozbudowanych ukladów do prze¬ twarzania danydh, wystepuja cjzesto pokazne impulsy zaklóceniowe, które powoduja zadziala¬ nie poszczególnych zespolów, chociaz nie zostala doprowadzona do ich wejscia zadna informacja podlegajaca przetwarzaniu. Stosowanie srodków zmierzajacych do usuniecia podatnosci na zakló¬ cenia, pociaga za soba znaczne koszty.Celem wynalazku jest wytworzenie podstawo¬ wego ukladu, który dopuszcza wzglednie wyso¬ ki poziom zaklócen,, wykazuje wystarczajaca szybkosc przelaczania, pobiera niewielka moc i wykazuje korzysci przy zastosowaniu mikro¬ elementów.Zadaniem wynalazku jest takie sprzezenie wla¬ sciwych elementów skladowych z tranzystorami, aby powodowaly one tylko znikome przestero- wanie tranzystorów stopnia nastepnego i aby 20 ten uklad, zwlaszcza przy realizacji z uzyciem mikroelementów wykazywal lepsze wlasciwosci, zwlaszcza przez zaoszczedzenie ilosci przejsc dy¬ fuzyjnych.Zadanie to rozwiazano wedlug wynalazku przez zastosowanie dwóch lub wiecej tranzystorów po- 25 laczonych równolegle w ukladzie ze wspólnym emiterem oraz wspólnym opornikiem roboczym w kolektorze, z doprowadzeniem wejsc bezposre¬ dnio do baz poszczególnych tranzystorów. Pomie¬ dzy opornikiem roboczym i kolektorami tranzy- 39 starów podlaczone sa dwa lub kilka ukladów \ 55 95255 952 3 diod, z których kazdy prowadzi do osobnego wyjscia. Te uklady skladaja sie z jednej lub kiil- ku diod sprzegajacych, polaczonych w szereg z kierunkiem przewodzenia w strone wyjscia.Diody sprzegajace moga byc zmostkowane przez diode równolegla z kierunkiem zaporowym w strone wyjscia, przy czym dioda ta dziala jako pojemnosc. Przez polaczenie ze soba wiekszej liczby jednakowych ukladów podstawowych, mo¬ zna uzyskac zespól logiczny. Uklad podstawowy odznacza sie zdolnoscia szybkiego przelaczania, znikoma wrazliwoscia na zaklócenia i znikomym poborem mocy, zas dzieki odpowiedniemu ukla¬ dowi elementów nadaje sie specjalnie do scala¬ nia.Wynalazek zostanie blizej objasniony na przy¬ kladzie wykonania, przedstawionym na rysunku.Wejscia 1, 2, 3 prowadza do baz tranzystorów 4, 5, 6, które polaczone sa równolegle w ukladzie ze wspólnym emiterem. Kolektory tranzystorów 4, 5, 6 polaczone isa z wezlowym punktem 7, do którego dolaczone jest napiecie 8 poprzez wspól¬ ny roboczy opornik 9, przeznaczony do ograni¬ czenia pradu roboczego. Sygnal wystepujacy w wezlowym punkcie 7 jest prowadzony do wyjsc 13, 14, 15 poprzez uklady sprzezeniowe,, zlozone z polaczonych szeregowo sprzegajacych diod 10, 11, 12 z kierunkiem przepustowym, zwróconym w strone wyjscia i zmostkowanych przez równo- legle diody 16, 17, 18 z kierunkiem zaporowym,, zwróconym w strone wyjscia.Jezeli do jednego z wejsc 1, 2, 3 zostanie przy¬ lozony sygnal „L", dajacy napiecie powodujace przeplyw pradu bazy, który przesteruje tranzy¬ story, wówczas na kolektorach tranzystorów 4, 5, 6 wystapi niewielkie napiecie okreslane jako sy¬ gnal „O". Jezeli wyjsciom 13, 14, 15 sa podpo¬ rzadkowane dalsze takie same uklady podstawo¬ we, wówczas sprzegajace diody 10, 11, 12 przed¬ stawiaja dzielnik napiecia dla niewielkiego na¬ piecia sygnalu „O" tranzystorów 4, 5, 6. W ten sposób zostaja zablokowane tranzystory nastep¬ nych stopni, poniewaz pomiedzy baza i emiterem tych tranzystorów przylozone jest tak male na¬ piecie, ze nawet przy maksymalnych dopuszczal¬ nych sygnalach zaklóceniowych i temperaturach, 4 tranzystory te nie zostana przez to napiecie prze- sterowane.Jezeli zadne z wejsc lr 2, 3 nie otrzyma sygna¬ lu wytwarzajacego napiecie, wówczas tranzysto- 5 ry 4, 5, 6 pozostana zablokowane. W tym przy¬ padku opornik 9 sluzy jako opornik szeregowy bazy dla tranzystorów nastepnych stopni,, które z powodu znikomej opornosci w kierunku prze¬ pustowym diod 10, 11, 12, zostaja wzglednie sil- 10 nie przesterowane. Jezeli polaczonych jest szere¬ gowo kilka diod sprzegajacych 10, 11, 12 oraz, jezeli wybrana jest odpowiednio, mala wartosc opornika 9, wówczas wystepuje ograniczenie pra¬ du bazy tranzystorów nastepnych stopni glównie 15 przez diody 10, 11, 12.Podczas procesu przelaczania z sygnalu ,,L" na sygnal „O" zostaje szybko odprowadzony zma¬ gazynowany ladunek z obszaru bazy nastepnego stopnia przez dzialajace jako pojemnosc równo- 20 legle diody 16, 17, 18, co powoduje dodatkowe zwiekszenie szybkosci przelaczania. W celu umoz¬ liwienia powiekszenia ilosci wejsc i/albo wyjsc, z wezlowego punktu 7 zostal wyprowadzony do¬ datkowy zacisk 19. PL