Pierwszenstwo: Opublikowano: 25.VI.1968 55048 KI. 21 a2, 36/14 mkp -ft-timr UKfl Wspóltwórcy wynalazku: dr inz. Tadeusz Bartkowski, prof. dr inz. Jó¬ zef Salacinski, dr inz. Marian Zientalski Wlasciciel patentu: Politechnika Gdanska (Katedra Teletransmisji), Gdansk (Polska) Uklad wzmacniacza tranzystorowego o dyskretnej bezstykowej regulacji wzmocnienia Przedmiotem wynalazku jest uklad wzmacnia¬ cza tranzystorowego o dyskretnej bezstykowej re¬ gulacji wzmocnienia sterowany za pomoca liczni¬ ka rewersyjnego. Sluzy on do automatycznej re¬ gulacji poziomu w systemach "wielokrotnych pra¬ cujacych na torach kablowych, telekomunikacyj¬ nych liniach napowietrznych i liniach energetycz¬ nych.Stosowane dotychczas uklady wykorzystywaly jako elementy regulujace tlumiki zawierajace przekazniki lub wybieraki dwukierunkowe.Wada tych ukladów jest stosunkowo mala pew¬ nosc pracy spowodowana stykami mechaniczny¬ mi, nieduza szybkosc regulacji oraz duze gaba¬ ryty. Wady te zostaly usuniete czesciowo przez zastosowanie przekazników kontaktronowych ale i te urzadzenia sa trudne do miniaturyzacji oraz wymagaja znacznych mocy wzbudzenia.Nowoczesne rozwiazania wzmacniaczy o dys¬ kretnej regulacji wzmocnienia wykorzystuja w charakterze elementu regulacyjnego termistor po¬ srednio zarzony, umieszczony w petli sprzezania zwrotnego i wymagaja dodatkowych ukladów przyspieszajacych proces regulacji.Celem wynalazku jest opracowanie prostego technicznie ukladu bezstykowej dyskretnej regu¬ lacji wzmocnienia.Cel ten zostal osiagniety przez zastosowanie w obwodzie sprzezenia zwrotnego i obwodzie obcia¬ zenia wzmacniacza tranzystorowego, dolaczanych 2 dodatkowo oporników. Oporniki te sa dolaczane za pomoca tranzystorów kluczujacych, sterowa¬ nych w sposób dyskretny przez licznik rewersyj- ny. 5 Wynalazek zostanie blizej objasniony na przy¬ kladzie wykonania, przedstawionym na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schemat tranzysto¬ rowego wzmacniacza regulowanego o dyskretnej regulacji wzmocnienia, a fig. 2 schemat zastoso- io wanego ukladu tranzystorów kluczujacych.Sygnal wejsciowy zostaje podany na zaciski wej¬ sciowe wzmacniacza 1—0. Wzmacniacz jest zbu¬ dowany na tranzystorze Tr. Do opornika obciaze¬ nia Rk tranzystora Tr oraz do opornika sprzezenia 15 zwrotnego Re dolacza sie równolegle, przy porno- oddzielone cy tranzystorów kluczujacych Tk — Tk Ten, oporniki Rkl — Rkn i Rej — galwanicznie odpowiednio kondensatorami Ck — 25 i Ce, - C.Dolaczenie oporników Re — Re bocznikujacych opornik emitera Re zmniej¬ sza emiterowe sprzezenie zwrotne powodujac tym samym wzrost wzmocnienia wzmacniacza, a do¬ laczenie oporników Rk — Rk bocznikujacych opornik kolektora Rk powoduje zmniejszenie wzmocnienia wzmacniacza. Odlaczenie oporników R — Re powoduje zmalenie wzmocnienia a odlaczenie oporników Rk - R^ wzrost wzmoc¬ nienia. 5504855048 S Uklad tranzystorów kluczujacych Tk — Tk i T — T jest polaczony zaciskami Kt — 1^ i Ej — E^ z poszczególnymi komórkami licznika rewersyjnego.Zaciski (k) i (e) ukladu tranzystorów kluczuja¬ cych sa dolaczone odpowiednio do kolektora i e- mitera tranzystora wzmacniajacego Tr. Wyjsciem wzmacniacza sa zaciski 2—0. Bateria zasilajaca jest dolaczona do zacisków + Uc r—Uc. Wartos¬ ci poszczególnych elementów sa okreslone przez wspólczynniki rozwiniecia binarnego wymaganej zmiany wzmocnienia.Ilosc zespolów kluczujacych okresla liczba sta¬ nów wzmocnienia wzmacniacza o dyskretnej zmia¬ nie wzmocnienia. Na przyklad dla wzmacniacza o 128 stanach wzmocnienia ilosc zespolów klu¬ czujacych wynosi 7. Opisane uklady moga byc laczone kaskadowo, co zwieksza zakres i doklad¬ nosc regulacji.Opisany uklad umozliwia zastosowanie daleko posunietej miniaturyzacji oraz eliminuje przela¬ czajace elementy stykowe przez co zapewnia du- WDA-l. Zam. 106. Nakl. 320 egz. za pewnosc pracy i zmniejsza znacznie calkowity pobór mocy ze zródla zasilania. PL