PL54387B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL54387B1 PL54387B1 PL105771A PL10577164A PL54387B1 PL 54387 B1 PL54387 B1 PL 54387B1 PL 105771 A PL105771 A PL 105771A PL 10577164 A PL10577164 A PL 10577164A PL 54387 B1 PL54387 B1 PL 54387B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- circuit
- active element
- diode
- parametric
- signal
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 4
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 25. I. 1968 54387 KI. 21 a4, 29/50 MKP H03'/^ UKD Twórca wynalazku: mgr inz. Piotr Karpowicz Wlasciciel patentu: Politechnika Gdanska (Katedra Radiokomunikacji), Gdansk (Polska) Sposób pobudzania ukladów parametrycznych za pomoca zmiennej reaktancji elementu czynnego oraz uklad do stosowania tego sposobu Przedmiotem wynalazku jest sposób pobudzania ukladów parametrycznych za pomoca zmiennej reaktancji elementu czynnego oraz uklad do sto¬ sowania tego sposobu.W dotychczas stosowanych ukladach parame¬ trycznych sposób pobudzania polegal na stosowaniu zmiennej reaktancji elementu biernego takiego jak dioda waraktorowa czy rdzen ferrytowy.Zmiennosc reaktancji elementu biernego osiagano przez stosowanie dodatkowego generatora pompu¬ jacego.Pobudzanie ukladów parametrycznych wedlug wynalazku osiaga sie przez wlaczenie do ukladu parametrycznego zmiennej reaktancji elementu czynnego takiego jak dioda tunelowa czy tranzy¬ stor. Zmiennosc reaktancji elementu czynnego osiagnieto przez pompowanie sygnalem wielkiej czestotliwosci pobieranym z obowdu oscylacyjne¬ go odtlumionego przez ten sam- element czynny.Wynalazek zostanie blizej objasniony na przy¬ kladzie wykonania przedstawionym na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schemat ideowy ukladu parametrycznego wykorzystujacego zmienna reak- tancje diody tunelowej a fig. 2 przedstawia cha¬ rakterystyke pradowo-napieciowa diody tunelo¬ wej ze wskazaniem punktu pracy.Sposób pobudzania ukladów parametrycznych wedlug wynalazku polega na jednoczesnym wyko¬ rzystaniu zmiennej pojemnosci diody tunelowej DT i jej wlasnosci wzmacniajacych do odtlumiania 10 15 20 25 obwodu oscylatora co^ i czesciowo do odtlumiania obwodu sygnalowego wj oraz obwodu jalowego co2.Na skutek odtlumiania w obwodzie oscylatora co3 . powstana oscylacje. Sygnal z tego obwodu jest uzyty do pompowania pojemnosci diody tunelo-# wej DT.W podanym na fig. 1 schemacie ukladu parame¬ trycznego dioda tunelowa DT jest wlaczona po¬ miedzy obwód sygnalowy coi i obwód jalowy co2 polaczony z obwodem oscylatora 0)3. Dioda tune¬ lowa DT jest spolaryzowana napieciem doprowa¬ dzonym z oporowego dzielnika napiecia R, P. Na¬ piecie polaryzujace jest tak dobrane aby punkt pracy diody znajdowal sie na opadajacej czesci charakterystyki pradowo-napieciowej, tak jak ilu¬ struje to fig. 2.Zmiennosc pojemnosci diody DT uzyskuje sie przez pompowanie tej diody sygnalem doprowa¬ dzonym do niej z odtlumianego przez te sama diode DT obwodu oscylatora C03. Obwód sygnalowy co! jest sprzegniety kondensatorem Ci z obwodem jalowym co2. Kondensator C2 blokuje uklad pola¬ ryzacji diody tunelowej DT. Korzysci techniczne wynikajace ze stosowania wynalazku polegaja na . wyeliminowaniu oddzielnego generatora pompuja¬ cego oraz na poprawieniu dobroci obwodów: sy¬ gnalowego \ i jalowego co2. Sposób wedlug wy¬ nalazku umozliwia budowe prostych generatorów parametrycznych, wzmacniaczy, powielaczy lub mieszaczy. 5438754387 PL
Claims (1)
1. Sposób pobudzania ukladów parametrycznych za pomoca zmiennej reaktancji elementu czyn¬ nego znamienny tym, ze sygnal pompujacy do zmiany reaktancji elementu czynnego jest po¬ bierany z obwodu oscylatora odtlumianego przez ten sam element czynny. Uklad parametryczny pobudzany za pomoca zmiennej reaktancji elementu czynnego sposo¬ bem wedlug zastrz. 1 znamienny tym, ze sklada sie z diody tunelowej (DT) wlaczonej pomiedzy obwód sygnalowy (ai) i obwód jalowy (co2) po¬ laczony z obwodem oscylatora (0)3), przy czym dioda tunelowa (DT) jest jednoczesnie dolaczo¬ na równolegle do obwodu oscyloatora oj3. fiQ. i U i fig- 2 Krak 1 z. 659 XI. 67 310 PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL54387B1 true PL54387B1 (pl) | 1967-12-27 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3209282A (en) | Tunnel diode oscillator | |
| GB1236630A (en) | Tuning circuit arrangement | |
| JPH06188729A (ja) | ノイズ除去回路および電圧制御形発振回路 | |
| US2764687A (en) | Transistor automatic frequency control | |
| US3956714A (en) | Energizing circuit with insulated-gate field-effect transistors for crystal oscillator | |
| PL54387B1 (pl) | ||
| US3054070A (en) | Oscillators operable selectively between oscillation and non-oscillation | |
| US4450416A (en) | Voltage controlled oscillator | |
| JPS5845203B2 (ja) | オンドホシヨウカイロ | |
| US3081436A (en) | Negative resistance diode oscillator | |
| US2454132A (en) | Oscillating system | |
| US2465407A (en) | Rectangular wave impulse generator | |
| US3421111A (en) | Voltage controlled field-effect transistor l-c oscillator | |
| RU2168846C1 (ru) | Генератор хаотических колебаний | |
| US3041552A (en) | Frequency controlled oscillator utilizing a two terminal semiconductor negative resistance device | |
| DE3690396C2 (pl) | ||
| US6037843A (en) | Controllable reactance circuit for an integrated circuit | |
| US3167724A (en) | Hook type transistor relaxation oscillator | |
| US3406403A (en) | Variable frequency oscillator | |
| US3372348A (en) | Oscillator having piezoelectric elements operating at different harmonic modes | |
| US3831112A (en) | Voltage controlled sweep oscillator | |
| US3179902A (en) | Crystal controlled transistor oscillator | |
| US4873498A (en) | Reflection oscillators employing series resonant crystals' | |
| US3918008A (en) | Voltage controlled sweep oscillator | |
| KR880000674B1 (ko) | 논리게이트 수정발진기의 주파수 안정화 장치 |