PL54387B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL54387B1
PL54387B1 PL105771A PL10577164A PL54387B1 PL 54387 B1 PL54387 B1 PL 54387B1 PL 105771 A PL105771 A PL 105771A PL 10577164 A PL10577164 A PL 10577164A PL 54387 B1 PL54387 B1 PL 54387B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
circuit
active element
diode
parametric
signal
Prior art date
Application number
PL105771A
Other languages
English (en)
Inventor
inz. Piotr Karpowicz mgr
Original Assignee
Politechnika Gdanska
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Gdanska filed Critical Politechnika Gdanska
Publication of PL54387B1 publication Critical patent/PL54387B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 25. I. 1968 54387 KI. 21 a4, 29/50 MKP H03'/^ UKD Twórca wynalazku: mgr inz. Piotr Karpowicz Wlasciciel patentu: Politechnika Gdanska (Katedra Radiokomunikacji), Gdansk (Polska) Sposób pobudzania ukladów parametrycznych za pomoca zmiennej reaktancji elementu czynnego oraz uklad do stosowania tego sposobu Przedmiotem wynalazku jest sposób pobudzania ukladów parametrycznych za pomoca zmiennej reaktancji elementu czynnego oraz uklad do sto¬ sowania tego sposobu.W dotychczas stosowanych ukladach parame¬ trycznych sposób pobudzania polegal na stosowaniu zmiennej reaktancji elementu biernego takiego jak dioda waraktorowa czy rdzen ferrytowy.Zmiennosc reaktancji elementu biernego osiagano przez stosowanie dodatkowego generatora pompu¬ jacego.Pobudzanie ukladów parametrycznych wedlug wynalazku osiaga sie przez wlaczenie do ukladu parametrycznego zmiennej reaktancji elementu czynnego takiego jak dioda tunelowa czy tranzy¬ stor. Zmiennosc reaktancji elementu czynnego osiagnieto przez pompowanie sygnalem wielkiej czestotliwosci pobieranym z obowdu oscylacyjne¬ go odtlumionego przez ten sam- element czynny.Wynalazek zostanie blizej objasniony na przy¬ kladzie wykonania przedstawionym na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schemat ideowy ukladu parametrycznego wykorzystujacego zmienna reak- tancje diody tunelowej a fig. 2 przedstawia cha¬ rakterystyke pradowo-napieciowa diody tunelo¬ wej ze wskazaniem punktu pracy.Sposób pobudzania ukladów parametrycznych wedlug wynalazku polega na jednoczesnym wyko¬ rzystaniu zmiennej pojemnosci diody tunelowej DT i jej wlasnosci wzmacniajacych do odtlumiania 10 15 20 25 obwodu oscylatora co^ i czesciowo do odtlumiania obwodu sygnalowego wj oraz obwodu jalowego co2.Na skutek odtlumiania w obwodzie oscylatora co3 . powstana oscylacje. Sygnal z tego obwodu jest uzyty do pompowania pojemnosci diody tunelo-# wej DT.W podanym na fig. 1 schemacie ukladu parame¬ trycznego dioda tunelowa DT jest wlaczona po¬ miedzy obwód sygnalowy coi i obwód jalowy co2 polaczony z obwodem oscylatora 0)3. Dioda tune¬ lowa DT jest spolaryzowana napieciem doprowa¬ dzonym z oporowego dzielnika napiecia R, P. Na¬ piecie polaryzujace jest tak dobrane aby punkt pracy diody znajdowal sie na opadajacej czesci charakterystyki pradowo-napieciowej, tak jak ilu¬ struje to fig. 2.Zmiennosc pojemnosci diody DT uzyskuje sie przez pompowanie tej diody sygnalem doprowa¬ dzonym do niej z odtlumianego przez te sama diode DT obwodu oscylatora C03. Obwód sygnalowy co! jest sprzegniety kondensatorem Ci z obwodem jalowym co2. Kondensator C2 blokuje uklad pola¬ ryzacji diody tunelowej DT. Korzysci techniczne wynikajace ze stosowania wynalazku polegaja na . wyeliminowaniu oddzielnego generatora pompuja¬ cego oraz na poprawieniu dobroci obwodów: sy¬ gnalowego \ i jalowego co2. Sposób wedlug wy¬ nalazku umozliwia budowe prostych generatorów parametrycznych, wzmacniaczy, powielaczy lub mieszaczy. 5438754387 PL

Claims (1)

Zastrzezenia patentowe
1. Sposób pobudzania ukladów parametrycznych za pomoca zmiennej reaktancji elementu czyn¬ nego znamienny tym, ze sygnal pompujacy do zmiany reaktancji elementu czynnego jest po¬ bierany z obwodu oscylatora odtlumianego przez ten sam element czynny. Uklad parametryczny pobudzany za pomoca zmiennej reaktancji elementu czynnego sposo¬ bem wedlug zastrz. 1 znamienny tym, ze sklada sie z diody tunelowej (DT) wlaczonej pomiedzy obwód sygnalowy (ai) i obwód jalowy (co2) po¬ laczony z obwodem oscylatora (0)3), przy czym dioda tunelowa (DT) jest jednoczesnie dolaczo¬ na równolegle do obwodu oscyloatora oj3. fiQ. i U i fig- 2 Krak 1 z. 659 XI. 67 310 PL
PL105771A 1964-08-13 PL54387B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL54387B1 true PL54387B1 (pl) 1967-12-27

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3209282A (en) Tunnel diode oscillator
GB1236630A (en) Tuning circuit arrangement
JPH06188729A (ja) ノイズ除去回路および電圧制御形発振回路
US2764687A (en) Transistor automatic frequency control
US3956714A (en) Energizing circuit with insulated-gate field-effect transistors for crystal oscillator
PL54387B1 (pl)
US3054070A (en) Oscillators operable selectively between oscillation and non-oscillation
US4450416A (en) Voltage controlled oscillator
JPS5845203B2 (ja) オンドホシヨウカイロ
US3081436A (en) Negative resistance diode oscillator
US2454132A (en) Oscillating system
US2465407A (en) Rectangular wave impulse generator
US3421111A (en) Voltage controlled field-effect transistor l-c oscillator
RU2168846C1 (ru) Генератор хаотических колебаний
US3041552A (en) Frequency controlled oscillator utilizing a two terminal semiconductor negative resistance device
DE3690396C2 (pl)
US6037843A (en) Controllable reactance circuit for an integrated circuit
US3167724A (en) Hook type transistor relaxation oscillator
US3406403A (en) Variable frequency oscillator
US3372348A (en) Oscillator having piezoelectric elements operating at different harmonic modes
US3831112A (en) Voltage controlled sweep oscillator
US3179902A (en) Crystal controlled transistor oscillator
US4873498A (en) Reflection oscillators employing series resonant crystals'
US3918008A (en) Voltage controlled sweep oscillator
KR880000674B1 (ko) 논리게이트 수정발진기의 주파수 안정화 장치