PL54278B3 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL54278B3 PL54278B3 PL108256A PL10825665A PL54278B3 PL 54278 B3 PL54278 B3 PL 54278B3 PL 108256 A PL108256 A PL 108256A PL 10825665 A PL10825665 A PL 10825665A PL 54278 B3 PL54278 B3 PL 54278B3
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- winding
- cores
- digital
- ferrite
- dielectric layer
- Prior art date
Links
Description
Pierwszenstwo: Opublikowano: 05.IV.1965 (P 108 256) 5.XII.1967 54278 KI. 21 a*, 37/06 MKP Wl*k Wspóltwórcy wynalazku: mgr. inz. Jerzy Danda, mgr inz. Zbigniew Szczesny Wlasciciel patentu: Instytut Maszyn Matematycznych, Warszawa (Polska) Plytka pamieci ferrytowej o malej impedancji falowej przewodu cyfrowego Przedmiotem wynalazku jest plytka pamieci fer¬ rytowej o malej impedancji falowej, w której im- pedaneja przewodu cyfrowego, wykonanego w po¬ staci sciezki metalicznej naniesionej na plytke i rdzenie oraz przechodzacej przemiennie przez wszystkie rdzenie, kompensowana jest dodatkowa pojemnoscia.W pamieciach tworzonych z pierscieniowych fer¬ rytowych rdzeni toroidalnych, przewody cyfrowe maja zawsze charakter indukcyjny dla stosowanych impulsów pradowych zapisu i odczytu. Powoduje to znaczne niedogodnosci, szczególnie przy duzych po¬ jemnosciach takich pamieci i krótkich cyklach po¬ bierania informacji.Dotychczas nieznane sa rozwiazania plytek pa¬ mieci ferrytowej, w których stosowana bylaby kom¬ pensacja impedancji linii przy pomocy pojemnosci utworzonej przez kondensator, którego czescia mo¬ ze byc przewód cyfrowy.Opisana w patencie glównym Nr 53.630 konstruk¬ cja plytek pamieci ferrytowej, obok wielu niewat¬ pliwych zalet posiada te wade, ze linia ma duza indukcyjnosc, która w znacznym stopniu utrudnia jej stosowanie szczególnie w tak zwanych pamie¬ ciach szybkich. Indukcyjnosc te trudno jest kom- pe sowac sposobami konwencjonalnymi, które wy¬ magalyby wlaczania w obwód linii dodatkowych elementów o charakterze pojemnosciowym. Sto¬ sowanie takich elementów powoduje bowiem roz¬ budowywanie pamieci, a ponadto stwarza powazne 2 trudnosci przy utrzymaniu wlasciwego przebiegu i ksztaltu impulsów przesylanych przez linie.Celem wynalazku jest zatem wprowadzenie do przewodu dodatkowej pojemnosci kompensujacej 5 jego indukcyjnosc, równomiernie rozlozonej wzdluz calego przewodu, i nie powodujacej dodatkowych zaklócen w normalnej pracy pamieci.Zadanie wedlug wynalazku zostalo rozwiazane dzieki temu, ze plytka pamieci ferrytowej, w której io jedno uzwojenie toroidalnych rdzeni ferrytowych stanowi sciezka metaliczna, nalozona na rdzenie umieszczone w gniazdach i przechodzaca przemien¬ nie przez wszystkie rdzenie, wedlug patentu glów¬ nego Nr 53.630, ma nalozona na powierzchnie kaz- 15 dego takiego uzwojenia warstwe dielektryka oraz warstwe przewodzaca, przy czym warstwa dielek¬ tryka i warstwa przewodzaca tworza wraz z uzr wojeniem kondensator, wspóldecydujacy o wlas¬ ciwosciach linii,, jej impedancji falowej i czasie 20 propagacji impulsów, dla pamieci pracujacej w sy¬ stemach jednego, dwóch lub wielu rdzeni na bit.Rozwiazanie kompensacji wedlug wynalazku ma te zalete, ze praktycznie kompensowany jest w za¬ sadzie kazdy odcinek przewodu. Kompensacja od- 25 bywa sie ponadto przy pomocy pojemnosci pracuja¬ cej równolegle wzdluz calej dlugosci linii, dzieki czemu nie wprowadza sie prawie zadnych zakló¬ cen w przebiegu impulsów przechodzacych przez li¬ nie. Dla impulsu linia taka ma charakter czesto 30 reaktancyjny lub prawie czysto reaktancyjny. 5427854278 3 Wynalazek zostanie blizej wyjasniony na przy¬ kladzie wykonania, przedstawionym na rysunku, który przedstawia wycinek plytki pamieci ferry¬ towej z utworzonym na niej kondensatorem kom¬ pensujacym.Na rozwinieta powierzchnie przewodzaca uzwoje¬ nia 1, które przechodzi przemiennie przez wszy¬ stkie rdzenie ferrytowe 3 i naniesione jest bezpos¬ rednio na powierzchnie rdzeni 3 oraz na konstruk¬ cje wsporcza 2, nalozona jest folia z materialu przewodzacego w postaci paska 5 oddzielonego od uwzojenia X warstwa dielektryka 4. Powstala w ten sposób konstrukcja tworzy kondensator po¬ laczony równolegle z uzwojeniem 1, którego po- v-jemnosó kompensuje indukcyjnosc przewodu cyfro- » #*weg6 uzwojenia 1 z rdzeniami 3. Plytka 5 i warstwa dielektryka 4 moga byc wykonane w postaci pas¬ ków, jak to pokazano na rysunku, moga równiez óbejmowac^C^fe powierzchnie uzwojenia 1 i kon¬ strukcji wsporczej 2 z jednej lub z obu stron, tworzac korytko dla przewodu cyfrowego, przez co uzyskuje sie w latwy stosunkowo sposób mozli¬ wosc zmian wartosci pojemnosci tak utworzonego kondensatora. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenia pt a testowe Plytka pamieci ferrytowej o malej impedancji falowej przewodu cyfrowego, w której jedno uzwojenie toroidalnych rdzeni ferrytowych sta¬ nowi sciezka metaliczna, nalozona na rdzenie umieszczone w gniazdach i przechodzaca prze¬ miennie przez wszystkie rdzenie, wedlug paten¬ tu Nr 53.630, znamienna tym, ze na powierzch¬ nie plaskiego uzwojenia cyfrowego (1) nalozona jest warstwa dielektryka (4) oraz warstwa prze¬ wodzaca (5), przy czym warstwy (4) i (5) tworza wraz z uzwojeniem (1) kondensator wspóldecy¬ dujacy o wlasciwosciach linii, jej impedancji fa¬ lowej i czasie propagacji impulsów dla pamieci pracujacej w systemach jednego, dwóch lub wie¬ lu rdzeni na bit. Plytka wedlug zastrz. 1, znamienna tym, ze warstwa dielektryka (4) i folia przewodzaca (5) pokrywa dowolnie duza powierzchnie uzwojenia (1) i konstrukcji wsporczej (2), dzieki czemu mozliwe jest dobieranie najkorzystniejszej dla pracy uzwojenia cyfrowego wartosci pojemnosci kompensujacej indukcyjnosc uzwojenia (1). Kartogr., D/946-11-67, 290 PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL54278B3 true PL54278B3 (pl) | 1967-10-25 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3030612A (en) | Magnetic apparatus and methods | |
| US2792563A (en) | Magnetic system | |
| US5039655A (en) | Thin film memory device having superconductor keeper for eliminating magnetic domain creep | |
| KR101044203B1 (ko) | 전자기 밴드갭 구조물 및 이를 포함하는 인쇄회로기판 | |
| RU2003108824A (ru) | Антенные устройства для электромагнитных скважинных каротажных зондов | |
| US3740624A (en) | Monolithic capacitor having corner internal electrode terminations | |
| CN113740353B (zh) | 一种基于衬底集成波导双重入式谐振腔的差分湿度传感器 | |
| GB1370877A (en) | Feedthrough capacitors | |
| EP0320405A3 (en) | Semiconductor static random access memory device | |
| PL54278B3 (pl) | ||
| JPH04268756A (ja) | 集積回路のキャパシタ | |
| Cohn | The electric and magnetic constants of metallic delay media containing obstacles of arbitrary shape and thickness | |
| Bracey et al. | Surface-wave research in Sheffield | |
| US3157857A (en) | Printed memory circuit | |
| US2297516A (en) | High frequency translating device | |
| US3623037A (en) | Batch fabricated magnetic memory | |
| US3161859A (en) | Modular memory structures | |
| US3585535A (en) | Microstrip delay line | |
| EP4560636A1 (en) | Ferroelectric memory and terminal | |
| Alley | Interdigital capacitors for use in lumped-element microwave integrated circuits | |
| US3172084A (en) | Superconductor memory | |
| CN101458993A (zh) | 层叠电容器阵列 | |
| Müller et al. | Prognostic value of the cyclin-dependent kinase inhibitor p27Kip1 in gastric cancer. | |
| EP4243577A1 (en) | Printed circuit board | |
| SU404132A1 (ru) | Накопитель емкостного типа для долговременного запоминающего устройства |