PL54278B3 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL54278B3
PL54278B3 PL108256A PL10825665A PL54278B3 PL 54278 B3 PL54278 B3 PL 54278B3 PL 108256 A PL108256 A PL 108256A PL 10825665 A PL10825665 A PL 10825665A PL 54278 B3 PL54278 B3 PL 54278B3
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
winding
cores
digital
ferrite
dielectric layer
Prior art date
Application number
PL108256A
Other languages
English (en)
Inventor
inz. Jerzy Danda mgr.
inz. ZbigniewSzczesny mgr
Original Assignee
Instytut Maszyn Matematycznych
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Maszyn Matematycznych filed Critical Instytut Maszyn Matematycznych
Publication of PL54278B3 publication Critical patent/PL54278B3/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 05.IV.1965 (P 108 256) 5.XII.1967 54278 KI. 21 a*, 37/06 MKP Wl*k Wspóltwórcy wynalazku: mgr. inz. Jerzy Danda, mgr inz. Zbigniew Szczesny Wlasciciel patentu: Instytut Maszyn Matematycznych, Warszawa (Polska) Plytka pamieci ferrytowej o malej impedancji falowej przewodu cyfrowego Przedmiotem wynalazku jest plytka pamieci fer¬ rytowej o malej impedancji falowej, w której im- pedaneja przewodu cyfrowego, wykonanego w po¬ staci sciezki metalicznej naniesionej na plytke i rdzenie oraz przechodzacej przemiennie przez wszystkie rdzenie, kompensowana jest dodatkowa pojemnoscia.W pamieciach tworzonych z pierscieniowych fer¬ rytowych rdzeni toroidalnych, przewody cyfrowe maja zawsze charakter indukcyjny dla stosowanych impulsów pradowych zapisu i odczytu. Powoduje to znaczne niedogodnosci, szczególnie przy duzych po¬ jemnosciach takich pamieci i krótkich cyklach po¬ bierania informacji.Dotychczas nieznane sa rozwiazania plytek pa¬ mieci ferrytowej, w których stosowana bylaby kom¬ pensacja impedancji linii przy pomocy pojemnosci utworzonej przez kondensator, którego czescia mo¬ ze byc przewód cyfrowy.Opisana w patencie glównym Nr 53.630 konstruk¬ cja plytek pamieci ferrytowej, obok wielu niewat¬ pliwych zalet posiada te wade, ze linia ma duza indukcyjnosc, która w znacznym stopniu utrudnia jej stosowanie szczególnie w tak zwanych pamie¬ ciach szybkich. Indukcyjnosc te trudno jest kom- pe sowac sposobami konwencjonalnymi, które wy¬ magalyby wlaczania w obwód linii dodatkowych elementów o charakterze pojemnosciowym. Sto¬ sowanie takich elementów powoduje bowiem roz¬ budowywanie pamieci, a ponadto stwarza powazne 2 trudnosci przy utrzymaniu wlasciwego przebiegu i ksztaltu impulsów przesylanych przez linie.Celem wynalazku jest zatem wprowadzenie do przewodu dodatkowej pojemnosci kompensujacej 5 jego indukcyjnosc, równomiernie rozlozonej wzdluz calego przewodu, i nie powodujacej dodatkowych zaklócen w normalnej pracy pamieci.Zadanie wedlug wynalazku zostalo rozwiazane dzieki temu, ze plytka pamieci ferrytowej, w której io jedno uzwojenie toroidalnych rdzeni ferrytowych stanowi sciezka metaliczna, nalozona na rdzenie umieszczone w gniazdach i przechodzaca przemien¬ nie przez wszystkie rdzenie, wedlug patentu glów¬ nego Nr 53.630, ma nalozona na powierzchnie kaz- 15 dego takiego uzwojenia warstwe dielektryka oraz warstwe przewodzaca, przy czym warstwa dielek¬ tryka i warstwa przewodzaca tworza wraz z uzr wojeniem kondensator, wspóldecydujacy o wlas¬ ciwosciach linii,, jej impedancji falowej i czasie 20 propagacji impulsów, dla pamieci pracujacej w sy¬ stemach jednego, dwóch lub wielu rdzeni na bit.Rozwiazanie kompensacji wedlug wynalazku ma te zalete, ze praktycznie kompensowany jest w za¬ sadzie kazdy odcinek przewodu. Kompensacja od- 25 bywa sie ponadto przy pomocy pojemnosci pracuja¬ cej równolegle wzdluz calej dlugosci linii, dzieki czemu nie wprowadza sie prawie zadnych zakló¬ cen w przebiegu impulsów przechodzacych przez li¬ nie. Dla impulsu linia taka ma charakter czesto 30 reaktancyjny lub prawie czysto reaktancyjny. 5427854278 3 Wynalazek zostanie blizej wyjasniony na przy¬ kladzie wykonania, przedstawionym na rysunku, który przedstawia wycinek plytki pamieci ferry¬ towej z utworzonym na niej kondensatorem kom¬ pensujacym.Na rozwinieta powierzchnie przewodzaca uzwoje¬ nia 1, które przechodzi przemiennie przez wszy¬ stkie rdzenie ferrytowe 3 i naniesione jest bezpos¬ rednio na powierzchnie rdzeni 3 oraz na konstruk¬ cje wsporcza 2, nalozona jest folia z materialu przewodzacego w postaci paska 5 oddzielonego od uwzojenia X warstwa dielektryka 4. Powstala w ten sposób konstrukcja tworzy kondensator po¬ laczony równolegle z uzwojeniem 1, którego po- v-jemnosó kompensuje indukcyjnosc przewodu cyfro- » #*weg6 uzwojenia 1 z rdzeniami 3. Plytka 5 i warstwa dielektryka 4 moga byc wykonane w postaci pas¬ ków, jak to pokazano na rysunku, moga równiez óbejmowac^C^fe powierzchnie uzwojenia 1 i kon¬ strukcji wsporczej 2 z jednej lub z obu stron, tworzac korytko dla przewodu cyfrowego, przez co uzyskuje sie w latwy stosunkowo sposób mozli¬ wosc zmian wartosci pojemnosci tak utworzonego kondensatora. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenia pt a testowe Plytka pamieci ferrytowej o malej impedancji falowej przewodu cyfrowego, w której jedno uzwojenie toroidalnych rdzeni ferrytowych sta¬ nowi sciezka metaliczna, nalozona na rdzenie umieszczone w gniazdach i przechodzaca prze¬ miennie przez wszystkie rdzenie, wedlug paten¬ tu Nr 53.630, znamienna tym, ze na powierzch¬ nie plaskiego uzwojenia cyfrowego (1) nalozona jest warstwa dielektryka (4) oraz warstwa prze¬ wodzaca (5), przy czym warstwy (4) i (5) tworza wraz z uzwojeniem (1) kondensator wspóldecy¬ dujacy o wlasciwosciach linii, jej impedancji fa¬ lowej i czasie propagacji impulsów dla pamieci pracujacej w systemach jednego, dwóch lub wie¬ lu rdzeni na bit. Plytka wedlug zastrz. 1, znamienna tym, ze warstwa dielektryka (4) i folia przewodzaca (5) pokrywa dowolnie duza powierzchnie uzwojenia (1) i konstrukcji wsporczej (2), dzieki czemu mozliwe jest dobieranie najkorzystniejszej dla pracy uzwojenia cyfrowego wartosci pojemnosci kompensujacej indukcyjnosc uzwojenia (1). Kartogr., D/946-11-67, 290 PL
PL108256A 1965-04-05 PL54278B3 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL54278B3 true PL54278B3 (pl) 1967-10-25

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2792563A (en) Magnetic system
US2847615A (en) Memory device
US5039655A (en) Thin film memory device having superconductor keeper for eliminating magnetic domain creep
KR101044203B1 (ko) 전자기 밴드갭 구조물 및 이를 포함하는 인쇄회로기판
RU2003108824A (ru) Антенные устройства для электромагнитных скважинных каротажных зондов
US3740624A (en) Monolithic capacitor having corner internal electrode terminations
GB2360132B (en) Structure with switchable magnetic properties
GB1370877A (en) Feedthrough capacitors
PL54278B3 (pl)
JPH04268756A (ja) 集積回路のキャパシタ
US3098996A (en) Information storage arrangement
US2772400A (en) Microwave polarization changer
US3157857A (en) Printed memory circuit
US3161859A (en) Modular memory structures
US3585535A (en) Microstrip delay line
ES449378A1 (es) Perfeccionamientos introducidos en condensadores ceramicos.
Alley Interdigital capacitors for use in lumped-element microwave integrated circuits
US3172084A (en) Superconductor memory
Dhanya et al. Structure and microwave dielectric properties of ALn4 (MoO4) 7 (A= Ba, Sr, Ca, Ln= La, Pr, Nd, and Sm) ceramics
CN101458993A (zh) 层叠电容器阵列
US3172086A (en) Cryoelectric memory employing a conductive sense plane
Müller et al. Prognostic value of the cyclin-dependent kinase inhibitor p27Kip1 in gastric cancer.
US3354439A (en) Electrochemical memory
TW541534B (en) Static 2T-1C ferroelectric memory
SU404132A1 (ru) Накопитель емкостного типа для долговременного запоминающего устройства