PL53758B1 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 24.Y.1965 (P 109 221) 15.IX.1967 53758 KI. 21 »\ 3«/18 MKP UKD nnkAtrlP*' Wspóltwórcy wynalazku: prof. dr inz. Józef Salacinfiflri, dr imz. Tadeusz Bartkowski, dr inz. Marian Zientalski Wlasciciel patentu: Politechnika Gdanska Gdansk (Polaka) (Katedra Teletransmisji), Pólprzewodnikowy uklad przekaznikowy ze strefa nieczulosci oparty na przerzutnikach Schmitta, pracujacy na tranzystorach p-n-p i n-p-n Przedmiotem wynalazku jest pólprzewodnikowy uklad przekaznikowy ze strefa nieczulosci. opar¬ ty na dwóch przerzutnikach Schmitta.Uklad wedlug wynalazku posiada zasadnicze za¬ lety w stosunku do dotychczasowych rozwiazan bezstykowych ukladów o charakterystyce przekaz¬ nikowej ze strefa nieczulosci, a mianowicie: duza prostote ukladu duza stalosc temperaturowa stre¬ fy nieczulosci ze wzgledu na sumowanie sie war¬ tosci bezwzglednych napiec progowych oraz prak¬ tycznie niezalezny od temperatury srodek strefy histerezy.Dotychczasowe rozwiazania bazujace na prze¬ rzutnikach pracujacych na tranzystorach tego sa¬ mego typu wymagaja, do uzyskania zadanej cha¬ rakterystyki, dodatkowych wzmacniaczy pradu sta¬ lego, które wprowadzaja dodatkowa niestabilnosc temperaturowa.Uklady wykorzystujace wzajemne przesuniecie napiec progowych, w celu uzyskania strefy nie¬ czulosci, sa równiez malo stabilne, gdyz na sku¬ tek zmian temperaturowych zmienia sie srodek strefy histerezy. Wymagaja one równiez dodatko¬ wego napiecia polaryzujacego do przesuniecia cha¬ rakterystyki przekaznikowej na osi napiec.Celem wynalazku jest realizacja bezstykowego ukladu o charakterystyce przekaznikowej ze stre¬ fa nieczulosci, opartego na przerzutnikach Schmitta.Cel ten zostal osiagniety przez zastosowanie dwóch praerzutailków Schmitta o wspólnym wejs- 10 15 20 25 30 ciu, przy czym pierwszy przerzutnik zrealizowano na tranzystorach typu n^p-n, a drugi przerzutnik zrealizowano na tranzystorach p-n-p. Napiecie wyjsciowe obu przerzutników podano na wspólny opór sumujacy.Rozwiazanie to pozwala w prosty sposób uzyskac charakterystyke przekaznikowa ze strefa nieczu¬ losci symetryczna dookola wartosci zerowej i wy¬ kazujaca duza stabilnosc temperaturowa.W rozwiazaniu tym staja sie zbedne uklady odej¬ mujace odpowiednie napiecie polaryzujace, otrzy¬ mywane np. za pomoca diod Zenera. Napiecia te sa potrzebne do przesuniecia charakterystyki ukla¬ du symetrycznie dookola wartosci zerowej.Wynalazek zostanie blizej objasniony na przy¬ kladzie wykonania przedstawionym na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schemat ideowy pólprzewodnikowego ukladu przekaznikowego ze strefa nieczulosci, opartego na przerzutnikach Schmitta, a fig. 2 przedstawia charakterystyke ukladu przekaznikowego ze srefa nieczulosci.Typy zastosowanych w ukladzie elementów oraz ich wartosci okreslone sa przez parametry uzyt¬ kowe jak: szerokosc strefy nieczulosci, oraz wiel¬ kosc i czas narastania uskoków na wyjsciu.Zasada dzialania ukladu jest nastepujaca. Syg¬ nal wejsciowy podaje sie równoczesnie na oba przerzutniki Schmitta. Pierwszy przerzutnik Schmitta pracuje na tranzystorach Trj i Tr2 typu n-p^n, natomiast drugi przerzutnik Schmitta pra- 5375853758 X 3 cuje na tranzystorach Tr3 i Tr4 typu p-n-p. Gdy sygnal wejsciowy jest na tyle maly, ze zawiera sie pomiedzy wartosciami progowymi Up2 i Upi zaden z przerzutników Schmitta nie zadziala i na¬ piecia na kolektorach tranzystorów Tr2 i Tr4 osia¬ gaja wartosc minimalna okreslona przez spadki napiec na oporach emiterów oraz tranzystorach.Przy symetrii obu przerzutników Schmitta oraz równych co do bezwzglednej wartosci napieciach zasilania Uki = Uk2, napiecie wyjsciowe UWy poja¬ wiajace sie na oporze sumujacym R3 jest równe zeru.W przypadku, gdy sygnal wejsciowy UWe prze¬ kroczy górna wartosc progowa Upi zadziala pierw¬ szy przerzutnik powodujac wzrost napiecia kolek¬ tora tranzystora Tr2. Napiecie to podawane jest poprzez opór Ri na opór sumujacy R3 i powodu¬ je skokowy wzrost napiecia Uwy do wartosci \ix.W przypadku, gdy z kolei sygnal wejsciowy tJwe przekroczy dolna wartosc progowa Up2 zadziala 15 dolny przerzutnik Schmitta powodujac zatkanie tranzystora Tr4, co z kotle! pociaga za soba ma¬ lenie napiecia tranzystora Tr4 do wartosci blis¬ kiej —Uk2. Napiecie to podaje sie poprzez opór R2 na wspólny opór sutnujacy R3. Powoduje to skokowe zmniejszanie sie napiecia wyjsciowego UWy na oporze R3 do wartosci —U2. PL

Claims (2)

1. Zastrzezenie patentówe Pólprzewodnikowy uklad przekaznikowy ze strefa nieczulosci opajrty na przerzutnikach Schmitta, pracujacy na tranzystorach p-n-p i n-p-n znamienny tym, ze sklada sie z dwóch przerzutni¬ ków Schmitta, z których jeden pracuje na tran¬ zystorach typu n-p-n, a drugi pracuje na tran¬ zystorach typu p-n-p, przy czym wejscia .obu przerzutników sa polaczone równolegle, natomiast wyjscia przerzutników sa dolaczone do wspólnego opornika sumujacego (R3) za pomoca oporników (Ri, R2)* /<¦' Dokonano dwóch ;r-r-"/:c; 53758 MKP H 03 k l"- u. 'fil o, u, ke Pi u, f<* .

2, PL