Opublikowano: 21.XI.1966 52183 KI. -M-erM^er MKP UKD G 01 r j^/cz 8'6Lio O; Wspóltwórcy wynalazku: mgr inz. Zdzislaw Lebiedz, mgr inz. Mariuszi^J*- ^f°*er Nieniewski Wlasciciel patentu: Instytut Elektrotechniki, Warszawa (Polska) Pólprzewodnikowy uklad pomiaru przetezen oraz zabezpieczenia nadpradowego Przedmiotem wynalazku jest pólprzewodnikowy uklad pomiaru przetezen oraz zabezpieczenia nad¬ pradowego, który dostarcza dwóch sygnalów pra¬ du stalego, oddzielonych galwanicznie, z których jeden jest proporcjonalny do przyrostu pradu mierzonego w szynie ponad pewna wartosc na¬ stawiona pradu, a drugi zmienia sie skokowo od wartosci 0 do maksimum po przekroczeniu przez prad mierzony w szynie innej nastawionej war¬ tosci pradu.Pólprzewodnikowy uklad pomiaru przetezen oraz zabezpieczenia nadpradowego znajduje za¬ stosowanie w zautomatyzowanych napedach, ukla¬ dach automatyki, zabezpieczeniach oraz urzadze¬ niach pomiarowych.Uklad wedlug wynalazku moze byc uzyty w tranzystorowym regulatorze napedu prostowniko¬ wego pradu stalego, gdzie uzyskuje sie dzieki za¬ stosowaniu tego ukladu zmniejszenie pradu sil¬ nika przy przeciazeniach oraz wprowadza bez- inercyjna blokade siatkowa, wylaczajaca zasila¬ nie silnika w stanach awaryjnych. Mozliwe jest równiez zastosowanie ukladu wedlug wynalazku w innych napedach pradu stalego np. w ukladzie Leonarda, napedach ze wzmacniaczami elektro¬ maszynowymi, magnetycznymi, tyratronowymi i tyrystorowymi.Wadami znanych ukladów pomiaru pradu w szynie, z obwodem ferromagnetycznym, w szcze¬ linie którego jest umieszczony halotron, sa: duza 2 bezwladnosc oraz koniecznosc wykonania skom¬ plikowanej konstrukcji mechanicznej, podtrzymu¬ jacej obwód ferromagnetyczny w poblizu szyny.Ponadto znane uklady pomiaru pradu w szynie nie 5 posiadaja dwóch wyjsc pradu stalego, oddzielo¬ nych galwanicznie, z których jedno daje sygnal proporcjonalny do przyrostu pradu w szynie po¬ nad pewna wartosc nastawiona, a drugie daje sygnal informujacy o przekroczeniu przez prad io w szynie pewnej innej wartosci nastawionej. Pól¬ przewodnikowy uklad pomiaru przetezen oraz za¬ bezpieczenia nadpradowego wedlug wynalazku jest pozbawiony tych wad i braków.Istota wynalazku polega na tym, ze kilkustop- 15 niowy wzmacniacz tranzystorowy pradu przemien¬ nego jest dolaczony do halotronu zasilanego pra¬ dem polaryzacji z tranzystorowego generatora pradu przemiennego z automatyczna stabilizacja amplitudy i do transformtora izolujacego z dwo- 20 ma uzwojeniami wtórnymi, z których jedno jest przylaczone do wejscia kanalu pomiaru przete- zenia, a drugie do wejscia kanalu zabezpieczenia nadpradowego. W ukladzie istnieje sprzezenie oporowo-pojemnosciowe od bazy ostatniego tran- 25 zystora wzmacniajacego do wyjscia stopnia po¬ przedzajacego i do obwodu kolektorowego tego tranzystora z transformatorem izolujacym. Do obu uzwojen transformatora izolujacego sa dolaczone uklady prostujaco-wygladzajace, przy czym wtór- 30 niki emiterowe sa sterowane z tych ukladów 5218352183 i zasilane z suwaków potencjometrycznych na- stawczych.Diody i oporowe dzielniki napiecia sa umiesz¬ czone na wejsciu wtórników emiterowych obu ka¬ nalów, a przerzuinik Schmitta i przerzutnik bi- stabilny z przyciskiem kasujacym znajduja sie w kanale zabezpieczenia nadpradowego. Ponadto w obwodzie generatora pradu przemiennego polary¬ zacji halotronu znajduje sie dzielnik napiecia skla¬ dajacy sie z oporów i diody Zenera a do obwodu rezonansowego w tym generatorze jest dostarcza¬ ny sygnal wejsciowy z multiwibratora wraz z ukladem kluczujacym, przy czym do wyjscia ob¬ wodu rezonansowego jest dolaczony uklad wzmac¬ niajacy. Transformator wyjsciowy i transforma¬ tor automatycznej stabilizacji pradu przemiennego sa umieszczone w obwodzie generatora a uzwo¬ jenie wtórne transformatora automatycznej sta¬ bilizacji amplitudy jest dolaczone do ukladu pro- stujaco-wygladzajacego, przy czym tranzystorowe •stopnie wzmacniajace pradu stalego sa polaczone z obwodem kolektorowym tranzystora ukladu klu¬ czujacego na wyjsciu multiwibratora. Halotron jest umieszczony miedzy koncentratorami w obwodzie magnetycznym mierzonego pradu.Fig. 1 — przedstawia charakterystyki statyczne ukladu wedlug wynalazku, fig. 2 przedstawia schemat ideowy ukladu, fig. 3 przedstawia spo¬ sób umieszczenia halotronu w polu mierzonego pradu.Uklad wedlug wynalazku posiada dwa wyjscia pradu stalego, oddzielone galwanicznie. Jezeli staly lub wolno zmieniajacy sie prad w szynie ma wartosc mniejsza od nastawionej wartosci A (fig. 1), to sygnal wyjsciowy kanalu pomiaru prze- tezenia Uwyi jest 0. Jezeli prad w szynie przekra¬ cza wartosc A, to sygnal wyjsciowy Uwyi narasta proporcjonalnie do róznicy wartosci chwilowej pradu szyny i wartosci nastawionej A. Uklad umozliwia zmiane wartosci nastawionej pradu np. z punktu A do A' (fig. 1) oraz zmiane stro- mosci charakterystyki Uwyl np. UWyi i Uwyi' oraz Uwyi" i Uwy/". Jezeli prad w szynie ma wartosc ponizej wartosci nastawionej B, to sygnal wyjs¬ ciowy kanalu zabezpieczajacego Uwy2 jest 0. Je¬ zeli prad w szynie przekrpczy wartosc nastawio¬ na B, to sygnal Uwy2 wzrasta szybko do wartosci maksymalnej i pozostaje niezmienny bez wzgle¬ du na wzrost lub zmalenie pradu szyny. Uklad umozliwia zmiane wartosci nastawionej pradu np. z punktu B do B'.Uklad wedlug wynalazku sklada sie z genera¬ tora (fig. 2) pradu przemiennego (tranzystory Tj... T12), halotronu (H) umieszczonego w polu magnetycznym mierzonego pradu, wzmac¬ niacza pradu przemienego (tranzystory T13..T16), kanalu pomiaru przetezenia (tranzystory Ti7, T18), kanalu zabezpieczajacego (tranzystory Tig.. T29).Uklad jest zasilany z trzech stabilizowanych, od¬ izolowanych galwanicznie od siebie zródel napie¬ cia stalego: Ux — generator i wzmacniacz pradu zmiennego, U2 — kanal pomiaru przetezen, U3 — kanal zabezpieczajacy.Podstawowy uklad generacji czestotliwosci nos¬ nej jest to znany multiwibrator astabilny (tranzy¬ story Tx, T2, opory R3... R6 potencjometr Plr pojemnosci C2, Cs). Multiwibrator ten, podobnie Jak dalsze elementy generatora, jest zasilany na¬ pieciem stabilizowanym przez diode Zenera D^ 5 Opory Rx i R2 zapewniaja odpowiednie poziomy napiec w dzielniku napieciowym, skladajacym sie z tych oporów i diody Di. Pojemnosc C2 boczni¬ kuje diode Dj w stanach nieustalonych, co jest korzystne dla zmniejszenia jej obciazenia. Czesto- 10 tliwosc drgan prostokatnych, otrzymywanych w multiwibratorze, jest okreslona przez stala czasu R4' C2, gdzie R4' oznacza sume oppru R4 i pola¬ czonej z nim szeregowo lewej czesci potencjometru Pi. Potencjometr Px sluzy do symetryzacji prze- 15 biegu wyjsciowego multiwibratora. Tranzystory Tx i T2 sa na przemian zatykane i odtykane (nasy¬ cone). Dodatnie sprzezenie zwrotne, bedace wa¬ runkiem generacji, jest realizowane przez pojem¬ nosci C2 i C3. 20 Dla zmniejszenia wplywu obciazenia na multi¬ wibrator jest zastosowany wtórnik emiterowjr (tranzystor T3, opór R7), który steruje ukladem kluczujacym (tranzystor T4, opory R8...R10). Na. wyjsciu klucza tj. na kolektorze tranzystora T4 25 otrzymuje sie impulsy prostokatne o amplitudzie zaleznej od napiecia stalego, dostarczanego do oporu R10 od emitera tranzystora T12. Dokladne wygladzenie tego napiecia jest zapewnione przez pojemnosc C4. Napiecie wyjsciowe z klucza jest 30 dostarczone do wtórnika emiterowego (tranzystor T5). W obwodzie emitera tranzystora T5 znajduje sie opór Rn, polaczony szeregowo z obwodem rezonansowym: indukcyjnosc L i po¬ jemnosc C5. Czestotliwosc rezonansowa tego ob- 35 wodu jest zblizona do czestotliwosci drgan pro¬ stokatnych na wyjsciu multiwibratora.Poniewaz obwód rezonansowy nie przepuszcza czestotliwosci podstawowej przebiegu, wiec na ba¬ ze tranzystora T6 wtórnika emiterowego jest dos- 40 tarczane poprzez pojemnosc C6 napiecie sinusoi¬ dalne o czestotliwosci równej czestotliwosci drgan prostokatnych na wyjsciu multiwibratora. We wtórniku emiterowym (tranzystor T6, opory R12...R14) nastepuje wzmocnienie pradowe prze- 45 biegu sinusoidalnego, który nastepnie poprzez po¬ jemnosc C7 zostaje doprowadzony do stopnia wzmacniajacego napieciowego (tranzystor T7, opo¬ ry: R15...R18, potencjometr P2, pojemnosc C8)..Wzmocnione napiecie sinusoidalne otrzymywane 50 na kolektorze tranzystora T7 jest doprowadzane poprzez pojemnosc C9 do wtórnika emiterowego (tranzystor T8, opory Ri9...R2i), z którego wyj¬ scia — poprzez pojemnosc C10 — jest sterowany wyjsciowy stopien wzmacniajacy generatora (tran- 55 zystor T„, opory R22... R25, pojemnosci Cu i Ci2, transformatory Trx i Tr2). Napiecie wyjsciowe ge¬ neratora czestotliwosci nosnej jest dostarczane z uzwojenia wtórnego transformatora Trx do odpo¬ wiednich scianek halotronu (H). 60 Poniewaz uzwojenie pierwotne transformatora Tri jest zasilane z kolektora tranzystora T9, a prad kolektora jest zalezny w niewielkim stopniu, od zmian obciazenia w kolektorze, wiec prad po¬ laryzacji halotronu jest w przyblizeniu staly, nie- 65 ' zaleznie od r zmian opornosci halotronu (np. na52183 skutek podgrzania lub wymiany egzemplarza ha¬ lotronu).; W ukladzie wedlug wynalazku jest prze¬ widziana stabilizacja amplitudy pradu sinusoidal¬ nego czestotliwosci nosnej. Amplituda ta zmienia sie w ukladzie bez stabilizacji przede wszystkim 6 ze wzgledu na zmiany temperatury otoczenia, np. przy podgrzaniu ukladu wzrasta czestotliwosc na¬ piecia wyjsciowego multiwibratora i nastepuje zmiana punktu pracy ukladu na charakterystyce rezonansowej obwodu L, C5. Uklad automatycznej 10 stabilizacji amplitudy otrzymuje sygnal sprzeze¬ nia zwrotnego na stosunkowo niskoomowym opo¬ rze Rn, zasilanym z uzwojenia wtórnego transfor¬ matora Tr2.Napiecie z oporu R28 Jest po wyprostowaniu 15 i wygladzeniu w obwodzie prostujaco-wygladza¬ jacym (diody D2...D5, opór R27 pojemnosc C18) doprowadzone do wtórnika emiterowego (tranzy¬ stor T10, opory R28, R»). Sygnal wyjsciowy pradu stalego tego wtórnika jest proporcjonalny do am- 20 plitudy pradu wyjsciowego generatora. Napiecie odniesienia do ukladu automatycznej stabilizacji amplitudy jest okreslone przez nastawienie po¬ tencjometru P3 w dzielniku napiecia zlozonym z tego potencjometru i oporów R80 oraz R82. Po- 85 równanie napiecia odniesienia (t.j. napiecia na oporze R80 i potencjonometrze P3) z sygnalem sprzezenia zwrotnego nastepuje w tranzystorze Tu, w którego obwodzie kolektorowym znajduje sie opór R81. Jezeli np. prad wyjsciowy genera- 30 tora zmniejszy sie, to zmniejszy sie napiecie na oporze R2e R» oraz na skutek zmniejszenia wy¬ sterowania tranzystora Tu — na oporze R31. Po¬ niewaz napiecie z oporu R3i jest dostarczane do wtórnika emiterowego, zbudowanego z tranzysto- aa ra Ti2 i oporu R33, wiec sygnal na oporze R33 zwiekszy sie, co oznacza, ze uklad kluczujacy wy¬ konany na tranzystorze T4 jest zasilany zwiek¬ szonym napieciem kolektorowym, a wiec wzrasta amplituda przebiegu prostokatnego na wyjsciu 40 z ukladu kluczujacego, a tym samym i amplituda pradu wyjsciowego generatora.Plytka (fig. 3) halotronu ^ jest ustawiona mie¬ dzy dwoma koncentratorami K, np. ferrytowymi, ksztaltujacymi przebieg linii pola M wokól szyny 45 z pradem Sz. Koncentratory powoduja pewne zwiekszenie sygnalu wyjsciowego halotronu H nie wplywajac na zwiekszenie bezwladnosci ukladu.Do odpowiednich scianek halotronu H prosto¬ padlych do linii pola magnetycznego M jest do- 50 prowadzony prad polaryzacji z generatora G, a miedzy dwiema pozostalymi sciankami halotro¬ nu H, prostopadlymi do linii pola magnetycznego M jest odbierany sygnal wyjsciowy halotronu H, dostarczany na wejscie wzmacniacza pradu prze- 55 miennego WPZ.Uklad zlozony z oporu R34 i pojemnosci C14 (fig. 2) sluzy do kompensacji halotronu, zapewnia¬ jacej, ze dla pradu szyny wynoszacego 0 sygnal wyjsciowy halotronu jest tez0. 60 Wzmacniacz pradu przemiennego sklada sie z dwóch stopni wzmocnienia napieciowego (tran¬ zystory Ti3, T14, opory R35...R41, pojemnosci Ci5...C18, jednego stopnia wzmocnienia pradowe¬ go (tranzystor T15, opory R42. • • R44) i stopnia wyj- 65 sciowego z transformatorem izolujacym (transfor¬ mator Ti* opory R45... R*, pojemnosci C19... Cu transformator Tr8).Opory RM, R», R», K4i, R«sluza do realizacji lo¬ kalnych ujemnych sprzezen zwrotnych w posz¬ czególnych stopniach wzmocnienia majacych na celu utrzymanie stalosci wzmocnienia i punktów pracy tranzystorów.Sprzezenie zwrotne dla pradu przemiennego (opór R«, pojemnosc Cu) pozwala dodatkowo zmniejszyc wzmocnienie ukladu — bez zmiany optymalnego punktu pracy tranzystora T1S.Sprzezenie zwrotne w stopniu wyjsciowym (rea¬ lizowane za pomoca oporu R« i pojemnosci C*) zapewnia stale wzmocnienie napieciowe tego stop¬ nia — niezaleznie ód obciazenia transformatora Tr8. Na obu uzwojeniach wtórnych transforma¬ tora Tr4 sa otrzymane napiecia przemienne duzej czestotliwosci o amplitudzie proporcjonalnej do wartosci chwilowej wolno zmieniajacego sie pra¬ du szyny. Napiecia te sa prostowane i wygladzane w ukladach prostujaco-wygladzajacych (odpowied¬ nio: diody D6...D„, Du...^, opory R50t R8l, R55, Rs« pojemnosci CM C*,). Nastawienie zadanych progowych wartosci pradów szyny: A i B (fig. 1) jest dokonywane za pomoca potencjometrów P5 i P6. Punkt A charakterystyki kanalu pomiaru przetezen jest okreslony przez polozenie suwaka b potencjometru P5, a punkt B — przez po¬ lozenie suwaka b potencjonometru P6. Suwaki a, b potencjonometru P5, a takze suwaki a, b, e po¬ tencjonometru Pa sa sprzegniete mechanicznie.Jezeli napiecie na pojemnosci C22 jest nizsze niz napiecie na suwaku b potencjometru P» (w sto¬ sunku do ujemnego bieguna zródla zasilania Uj), to tranzystory T17 i T18 podwójnego wtórnika emiterowego kanalu pomiaru przetezen sa zatka¬ ne. Jezeli napiecie na pojemnosci CM jest wyz¬ sze niz napiecie na suwaku b potencjometru P5, to dioda D10 jest odetkana i tranzystory T17, T18 przewodza, przy czym napiecie miedzy emi¬ terem tranzystora Tlt i suwakiem b potencjo¬ metru P5 jest prawie równe róznicy napiec na po¬ jemnosci CM i suwaku b potencjometru P5. Uklad oporu R54 i potencjometru P4 w obwodzie emi¬ tera tranzystora Ti* pozwala na zmiane nachyle¬ nia charakterystyki statycznej kanalu pomiaru przetezen (krzywa Uwyi, Uwyl' na fig. 1), ponie¬ waz napiecie wyjsciowe tego kanalu jest odbie¬ rane miedzy suwakiem b potencjometru P5 i su¬ wakiem potencjometru P4.Dzielnik napiecia zlozony z oporów R52, R88 za¬ pewnia, ze napiecie miedzy baza a emiterem zat¬ kanych tranzystorów T17, T18 nie przekracza sto¬ sunkowo nieduzej wartosci dopuszczalnej dla sto¬ sowanych tranzystorów. Dioda D10 jest zatkana jezeli napiecie na pojemnosci Cn jest nizsze od napiecia na oporze R92. Opór Rn zapewnia sta- libizacje termiczna tranzystorów T17 i Ti, a rów¬ niez wyrównuje obciazenie transformatora Tr3.Uklad wtórników emiterowych kanalu zabezpie¬ czajacego (tranzystory T18, T20, dioda D15, opory R57-..R59) dziala identycznie jak uklad wtórni¬ ków emiterowych kanalu pomiaru przetezen (tran¬ zystory Ti7, T18). Napiecie z emitera tranzystora52183 8 Tjo jest dostarczane poprzez opór R60 do przerzut- nika Schmitta (tranzystory T2i, 1*221 opory Rie.-.Res pojemnosc C24). Jezeli napiecie na opo¬ rze R50 jest dostatecznie male (tzn. prad szyny jest mniejszy od wartosci w punkcie B, fig. 1) 5 to tranzystor T2i jest zatkany, a tranzystor T22 — odetkany i nasycony.Wzrost pradu szyny do wartosci w punkcie B powoduje wzrost napiecia na oporze R59. Przy na¬ pieciu na oporze R59 wyzszym niz na oporze R53 10 nastepuje odetkanie tranzystora T21, co z kolei powoduje poprzez opór sprzegajacy R82 i pojem¬ nosc C24 zatykanie tranzystora T22, a wiec obni¬ zenie spadku napiecia na oporze R63 i wzrost pra¬ du kolektora tranzystora T2i. Ze wzgledu na 15 przedstawione dodatnie sprzezenie zwrotne w przerzutniku Schmitta nastepuje szybkie odetka¬ nie tranzystora T21 i zatkanie tranzystora T22 — niezaleznie od szybkosci zmian pradu szyny. Im¬ pulsy wyjsciowe przerzutnika Schmitta sa dos- 2o tarczane poprzez opór R66 i pojemnosc C25 do ukladu dwóch kluczy (tranzystory T23, T24, opo¬ ry Ttm...R71, pojemnosc C26). Jezeli prad w szy¬ nie jest ponizej wartosci w punkcie B (fig. 1), to tranzystor T21 jest zatkany. T^ — odetkany, T23— 25 zatkany i T24 — odetkany i nasycony.Wzrost pradu szyny ponad wartosc w punkcie B powoduje zatkanie tranzystora T22, odetkanie i nasycenie tranzystora T23 i zatkanie tranzystora T24. Impuls otrzymywany na kolektorze tranzystora ^ T24 jest dostarczany poprzez kondensator C28 do przerzutnika bistabilnego (tranzystory T25, T26, opory R73... R80, pojemnosci C2i... C30, dioda D16).Poczatkowy stan przerzutnika bistabilnego jest okreslony dzieki zastosowaniu przycisku Prz. ^ Przycisniecie tego przycisku powoduje dolaczenie bazy tranzystora T25 poprzez opór R72 do poten¬ cjalu na suwaku c potencjometru P8, w wyniku czego nastepuje odetkanie tego tranzystora — a poprzez dodatnie sprzezenie zwrotne: opory R74, 40 R77 i pojemnosci C^, C30 — zatkanie tranzysto¬ ra T2e. Jezeli prad w szynie przekroczy wartosc w punkcie B (fig. 1) to dodatni impuls otrzymy¬ wany na kolektorze tranzystora T24 jest dostar¬ czany do bazy tranzystora T25 i powoduje jego 45 zatkanie, a jednoczesnie odetkanie tranzystora T26. Dodatni impuls na kolektorze tranzystora T26 jest dostarczany poprzez wtórnik emiterowy (tranzystor T27, opory R8i, R82) do wejscia ukla¬ du kluczujacego (tranzystor T^, opory R83, R34). 50 W chwili zadzialania kanalu zabezpieczajacego nastepuje na kolektorze tranzystora T28 spadek potencjalu od wartosci na suwaku b potencjome¬ tru P6 do wartosci na suwaku c potencjometru P6. Napiecie z kolektora tranzystora T28 jest dos- gg tarczane do wyjsciowego wtórnika emiterowego (tranzystor T29, opory R85, R86). Przekroczenie przez prad w szynie wartosci w punkcie B (fig. 1) powoduje wiec zatkanie tranzystora T29. Napie¬ cie wyjsciowe kanalu zabezpieczajacego, odbierane go miedzy emiterem tranzystora T29 a suwakiem b potencjometru P6 wzrasta od wartosci 0 do war¬ tosci odpowiadajacej róznicy potencjalów miedzy suwakiem b i c potencjometru P6. W wyniku za¬ stosowania przerzutnika bistabilnego napiecie wyj- eg sciowe kanalu zabezpieczajacego utrzymuje swa wartosc po zadzialaniu tego kanalu niezaleznie od dalszych zmian pradu w szynie. Sygnal wyjscio¬ wy kanalu zabezpieczajacego sluzy do wylaczania ukladu, którego prad szyny podlega zabezpiecze¬ niu. Skasowanie sygnalu wyjsciowego kanalu za¬ bezpieczajacego jest mozliwe jedynie przez po¬ nowne nacisniecie przycisku Prz.Zalety ukladu wedlug wynalazku sa nastepu¬ jace: istnienie dwóch izolowanych wyjsc, z któ¬ rych jedno daje sygnal proporcjonalny do przyro¬ stu pradu mierzonego ponad pewna wartosc^ na¬ stawiona, a drugie daje sygnal o wartosci stalej — po chwilowym przekroczeniu przez prad szyny pewnej, innej wartosci nastawionej, mozliwosc lat¬ wego nastawiania w szerokim zakresie pradów po¬ czatkowych, zadzialania obu kanalów, mozliwosc latwego nastawiania stromosci charakterystyki ka¬ nalu pomiaru proporcjonalnego, uzyskanie trwale dzialajacego sygnalu kanalu zabezpieczajacego — bez wzgledu na zmiany pradu go chwilowym przekroczeniu wartosci nastawionej, mala czulosc* ukladu na zmiany temperatury otoczenia — ze wzgledu na zastosowanie wzmacniacza pradu prze¬ miennego oraz generatora pradu polaryzacji halo- tronu z automatyczna stabilizacja amplitudy, mala czulosc na zmiany napiecia zasilajacego genera¬ tor — ze wzgledu na zastosowanie diody Zenera w ukladzie zasilania multiwibratora i automatycz¬ na stabilizacje amplitudy pradu wyjsciowego ge¬ neratora, mala czulosc wzmacniacza pradu prze¬ miennego na zmiane napiecia i zmiany parame¬ trów tranzystorów — ze wzgledu na stosowane w kazdym stopniu wzmocnienia lokalne ujemne sprzezenia zwrotne, mala czulosc ukladu na zmia¬ ne optornosci halotronu, mozliwosc zastosowania tranzystorów z malym dopuszczalnym napieciem: baza — emiter do ukladów wtórników za uklada¬ mi prostujaco-wygladzajacymi w obu kanalach przy jednoczesnym uzyskiwaniu duzych wartosci sygnalów w obwodach prostujaco-wygladzajacych obu kanalów, duza obciazalnosc wyjsc obu kana¬ lów ukladu, brak rdzenia ferromagnetycznego obejmujacego halotron, co umozliwia znaczne zwiekszenie szybkosci dzialania ukladu, latwosc za¬ instalowania halotronu w poblizu szyny, której prad jest mierzony, latwosc nastawiania wzmoc¬ nienia ukladu — poprzez odpowiednie zblizenie* koncentratorów do halotronu. PL