PL48515B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL48515B1
PL48515B1 PL100608A PL10060863A PL48515B1 PL 48515 B1 PL48515 B1 PL 48515B1 PL 100608 A PL100608 A PL 100608A PL 10060863 A PL10060863 A PL 10060863A PL 48515 B1 PL48515 B1 PL 48515B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
resonant circuit
factor
resistors
transistor
amplifier
Prior art date
Application number
PL100608A
Other languages
English (en)
Inventor
Bogdan Calusinski mgr
dr inz. Józef Go-lecki doc.
inz. Jan Gallar mgr
Original Assignee
Akademia Górniczohutnicza
Filing date
Publication date
Application filed by Akademia Górniczohutnicza filed Critical Akademia Górniczohutnicza
Publication of PL48515B1 publication Critical patent/PL48515B1/pl

Links

Description

Pierwszenstwo: 3IBLIOTLKA1 Urzedu Patentowego 28.1.1963 (P 100 608) Opublikowano: ^ j^ 1964 48515 KI 21 a\ 29/04 MKP H 03 f UKD Aloo Wspóltwórcy wynalazku: mgr Bogdan Calusinski, doc. dr inz. Józef Go- lecki, mgr inz. Jan Gallar Wlasciciel patentu: Akademia Górniczo-Hutnicza (Katedra Wytrzyma¬ losci Materialów) Kraków (Polska) Tranzystorowy mnoznik dobroci i Przedmiotem wynalazku jest tranzystorowy mnoznik dobroci mogacy pracowac jako wzmac¬ niacz lub jako generator.W znanych ukladach, noszacych nazwe ukladów Soldi'ego — Valeriani'ego, opory ustalajace sredni 5 potencjal bazy tranzystora obciazaja obwód rezo¬ nansowy. Poza tym dobór innych elementów ukla¬ du jest dla malych czestotliwosci dosc krytyczny.Zjawisko to jest wywolane obecnoscia kondensato¬ ra sprzegajacego obwód rezonansowy z baza tran- 10 zystora. Uniknac tego zjawiska mozna tylko przez zwiekszenie pojemnosci kondensatora sprzegajace¬ go do wartosci okolo o rzad wiekszej od pojem¬ nosci kondensatorów w obwodzie rezonansowym.Istotne znaczenie ma tu fakt, ze kondensatorem i5 sprzegajacym nie moze byc kondensator elektro¬ lityczny. Nalezy podkreslic, iz dodatkowe obciaze¬ nie obwodu rezonansowego przez dzielnik napiec ustalajacy sredni potencjal bazy tranzystora zmniejsza, choc nieznacznie, efektywna dobroc ob- 20 wodu rezonansowego. Celem osiagniecia wymaga¬ nej selektywnosci nalezy zatem zaistosowac obwód rezonansowy o nieco wiekszej dobroci.Niedogodnosci znanych ukladów usuwa tranzy¬ storowy mnoznik dobroci wedlug wynalazku, pra- 25 cujacy w tak dobranym ukladzie, ze oporniki usta¬ lajace sredni potencjal baz tranzystorów nie obcia¬ zaja obwodów rezonansowych.Na rysunku fig. 1 przedstawia schemat ukladu mnoznika dobroci wedlug wynalazku z równoleg- 30 lym obwodem rezonansowym a fig. 2 — ten sam uklad z szeregowym obwodem rezonansowym.Przedstawione na fig. 1 i fig. 2 uklady moga pra¬ cowac zarówno jako generatory jak tez jako wzmacniacze selektywne, w zaleznosci od wielkos¬ ci odpornosci opornika R. Zadaniem opornika R jest regulowanie dostarczonej do obwodu rezonanso¬ wego energii tak, aby zrównowazyc straty w sa¬ mym obwodzie rezonansowym oraz w obciazajacej go zawadzie wejsciowej tranzystora dla danej am¬ plitudy napiecia na obwodzie rezonansowym.Zmniejszanie opornosci opornika R powoduje wzrost wzmocnienia i selektywnosci ukladu pracu¬ jacego jako wzmacniacz, a po przekroczeniu pew¬ nej krytycznej wartosci opornosci uklad zaczyna pracowac jako generator. Dalsze zmniejszanie tej opornosci powoduje zwiekszanie amplitudy drgan generatora, az do wystapienia znieksztalcen nieli¬ niowych. Opornosc opornika R przy uruchamianiu ukladu nalezy ustalic doswiadczalnie. Doswiadczal¬ ny dobór opornika R w przypadku, gdy mnozniki dobroci maja pracowac jako generatory, jest dla malych czestotliwosci niezbyt krytyczny.W ukladzie wedlug wynalazku oporniki Rl i R2 (fig. 1 i fig. 2), ustalajace sredni potencjal baz tranzystorów nie obciazaja obwodów rezonanso¬ wych. W przypadku mnoznika dobroci z szerego¬ wym obwodem rezonansowym wedlug fig. 2 blo¬ kuje isie srodek dzielnika napiecia zlozonego z opor¬ nika KI i R2 kondensatorem C3 o pojemnosci 48515 S \48515 o rzad wiekszej w porównaniu z pojemnoscia kon¬ densatorów Cl i C2 w równoleglym obwodzie rezo¬ nansowym (fig. 1).Wejscia ukladów pracujacych jako wzmacniacze zaznaczone sa linia przerywana (fig. 1 i fig. 2).Wskazanym jest sterowanie wzmacniaczy zród¬ lem o wysokiej opornosci wewnetrznej. W przy¬ padku zastosowania zródla o niskiej opornosci wewnetrznej nastepuje rozstrojenie ukladu rezo¬ nansowego i pogorszenie jego dobroci. Te fakty na¬ lezy uwzglednic przy projektowaniu wzmacniaczy.Elementy L, Cl i C2, konieczne dla uzyskania zadanej czestotliwosci oblicza sie ze znanego wzo¬ ru Thompsona. Oporniki Rl, R2 i Re oblicza sie w sposób ogólnie stosowany przy projektowaniu wzmacniaczy tranzystorowych.Tranzystorowy mnoznik dobroci wedlug wyna¬ lazku pracujacy jako wzmacniacz moze osiagnac wezsza krzywa rezonansowa niz krzywa rezonanso¬ wa dotychczas znanych ukladów, pracujacych z ty¬ mi samymi obwodami rezonansowymi. W przypad- 15 ku zas pracy mnozników dobroci jako generatorów osiaga sie lepsza stabilnosc niz dla znanych ukla¬ dów, pracujacych z tymi samymi obwodami rezo¬ nansowymi. Poza tym mozliwe jest zastosowanie jako kondensatorów Cl i C2 (fig. 2) kondensatorów elektrolitycznych co moze miec szczególne znacze¬ nie przy niskich czestotliwosciach. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Tranzystorowy mnoznik dobroci, który moze pra¬ cowac jako wzmacniacz lub generator znamienny tym, ze ma oporniki (Rl, R2) wlaczone do obwodu zaisilania wzmacniacza lub generatora, które to oporniki ustalaja sredni potencjal baz tranzysto¬ rów nie obciazajac przy tym obwodów rezonanso¬ wych, przy czym dla mnoznika dobroci z szere¬ gowym obwodem rezonansowym srodek dzielnika napiecia zlozonego z oporników (Rl, R2) blokuje sie kondensatorem (C3) o duzej pojemnosci. /'-¦ Fia.4 *(- nfz ZG „Ruch" W-wa, zam. 891-64 naklad 250 egz. PL
PL100608A 1963-01-28 PL48515B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL48515B1 true PL48515B1 (pl) 1964-08-15

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3209282A (en) Tunnel diode oscillator
US3176212A (en) Direct current power supplies
US3312911A (en) Tunnel diode relaxation oscillator
PL48515B1 (pl)
US2892164A (en) Semi-conductor filter circuits
US2745009A (en) High stability transistor oscillator
US2837652A (en) Solid state inverters
US2426021A (en) Pulsed oscillator
US2487279A (en) Means for generating alternating currents
US3268830A (en) Operational amplifier gain control circuit utilizing non-linear devices
US3349348A (en) Temperature-compensated circuit arrangement
US3188579A (en) Cryogenic oscillator
RU2168846C1 (ru) Генератор хаотических колебаний
US3271644A (en) Power oscillator for an electromechanical vibrating transducer
US2448543A (en) Circuit for periodically generating oscillations
US3260963A (en) Inverter having circuitry for controlling the relative duration of the output alternations
US3092787A (en) Crystal controlled multiple frequency generator
US2931991A (en) Transistor inverter
US2988734A (en) Magnetic memory systems
US3167724A (en) Hook type transistor relaxation oscillator
US3088670A (en) Pyroelectric squaring element
US3141139A (en) Direct-coupled transistor oscillator having variable source impedance for controlling frequency
US3227890A (en) Parametric oscillator
SU419881A1 (ru) Феррорезонансный стабилизатор напряжения
US3234405A (en) Plural electrode composite constant current-gain transistor for logic circuit