PL48515B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL48515B1 PL48515B1 PL100608A PL10060863A PL48515B1 PL 48515 B1 PL48515 B1 PL 48515B1 PL 100608 A PL100608 A PL 100608A PL 10060863 A PL10060863 A PL 10060863A PL 48515 B1 PL48515 B1 PL 48515B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- resonant circuit
- factor
- resistors
- transistor
- amplifier
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- BTCSSZJGUNDROE-UHFFFAOYSA-N gamma-aminobutyric acid Chemical compound NCCCC(O)=O BTCSSZJGUNDROE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Description
Pierwszenstwo: 3IBLIOTLKA1 Urzedu Patentowego 28.1.1963 (P 100 608) Opublikowano: ^ j^ 1964 48515 KI 21 a\ 29/04 MKP H 03 f UKD Aloo Wspóltwórcy wynalazku: mgr Bogdan Calusinski, doc. dr inz. Józef Go- lecki, mgr inz. Jan Gallar Wlasciciel patentu: Akademia Górniczo-Hutnicza (Katedra Wytrzyma¬ losci Materialów) Kraków (Polska) Tranzystorowy mnoznik dobroci i Przedmiotem wynalazku jest tranzystorowy mnoznik dobroci mogacy pracowac jako wzmac¬ niacz lub jako generator.W znanych ukladach, noszacych nazwe ukladów Soldi'ego — Valeriani'ego, opory ustalajace sredni 5 potencjal bazy tranzystora obciazaja obwód rezo¬ nansowy. Poza tym dobór innych elementów ukla¬ du jest dla malych czestotliwosci dosc krytyczny.Zjawisko to jest wywolane obecnoscia kondensato¬ ra sprzegajacego obwód rezonansowy z baza tran- 10 zystora. Uniknac tego zjawiska mozna tylko przez zwiekszenie pojemnosci kondensatora sprzegajace¬ go do wartosci okolo o rzad wiekszej od pojem¬ nosci kondensatorów w obwodzie rezonansowym.Istotne znaczenie ma tu fakt, ze kondensatorem i5 sprzegajacym nie moze byc kondensator elektro¬ lityczny. Nalezy podkreslic, iz dodatkowe obciaze¬ nie obwodu rezonansowego przez dzielnik napiec ustalajacy sredni potencjal bazy tranzystora zmniejsza, choc nieznacznie, efektywna dobroc ob- 20 wodu rezonansowego. Celem osiagniecia wymaga¬ nej selektywnosci nalezy zatem zaistosowac obwód rezonansowy o nieco wiekszej dobroci.Niedogodnosci znanych ukladów usuwa tranzy¬ storowy mnoznik dobroci wedlug wynalazku, pra- 25 cujacy w tak dobranym ukladzie, ze oporniki usta¬ lajace sredni potencjal baz tranzystorów nie obcia¬ zaja obwodów rezonansowych.Na rysunku fig. 1 przedstawia schemat ukladu mnoznika dobroci wedlug wynalazku z równoleg- 30 lym obwodem rezonansowym a fig. 2 — ten sam uklad z szeregowym obwodem rezonansowym.Przedstawione na fig. 1 i fig. 2 uklady moga pra¬ cowac zarówno jako generatory jak tez jako wzmacniacze selektywne, w zaleznosci od wielkos¬ ci odpornosci opornika R. Zadaniem opornika R jest regulowanie dostarczonej do obwodu rezonanso¬ wego energii tak, aby zrównowazyc straty w sa¬ mym obwodzie rezonansowym oraz w obciazajacej go zawadzie wejsciowej tranzystora dla danej am¬ plitudy napiecia na obwodzie rezonansowym.Zmniejszanie opornosci opornika R powoduje wzrost wzmocnienia i selektywnosci ukladu pracu¬ jacego jako wzmacniacz, a po przekroczeniu pew¬ nej krytycznej wartosci opornosci uklad zaczyna pracowac jako generator. Dalsze zmniejszanie tej opornosci powoduje zwiekszanie amplitudy drgan generatora, az do wystapienia znieksztalcen nieli¬ niowych. Opornosc opornika R przy uruchamianiu ukladu nalezy ustalic doswiadczalnie. Doswiadczal¬ ny dobór opornika R w przypadku, gdy mnozniki dobroci maja pracowac jako generatory, jest dla malych czestotliwosci niezbyt krytyczny.W ukladzie wedlug wynalazku oporniki Rl i R2 (fig. 1 i fig. 2), ustalajace sredni potencjal baz tranzystorów nie obciazaja obwodów rezonanso¬ wych. W przypadku mnoznika dobroci z szerego¬ wym obwodem rezonansowym wedlug fig. 2 blo¬ kuje isie srodek dzielnika napiecia zlozonego z opor¬ nika KI i R2 kondensatorem C3 o pojemnosci 48515 S \48515 o rzad wiekszej w porównaniu z pojemnoscia kon¬ densatorów Cl i C2 w równoleglym obwodzie rezo¬ nansowym (fig. 1).Wejscia ukladów pracujacych jako wzmacniacze zaznaczone sa linia przerywana (fig. 1 i fig. 2).Wskazanym jest sterowanie wzmacniaczy zród¬ lem o wysokiej opornosci wewnetrznej. W przy¬ padku zastosowania zródla o niskiej opornosci wewnetrznej nastepuje rozstrojenie ukladu rezo¬ nansowego i pogorszenie jego dobroci. Te fakty na¬ lezy uwzglednic przy projektowaniu wzmacniaczy.Elementy L, Cl i C2, konieczne dla uzyskania zadanej czestotliwosci oblicza sie ze znanego wzo¬ ru Thompsona. Oporniki Rl, R2 i Re oblicza sie w sposób ogólnie stosowany przy projektowaniu wzmacniaczy tranzystorowych.Tranzystorowy mnoznik dobroci wedlug wyna¬ lazku pracujacy jako wzmacniacz moze osiagnac wezsza krzywa rezonansowa niz krzywa rezonanso¬ wa dotychczas znanych ukladów, pracujacych z ty¬ mi samymi obwodami rezonansowymi. W przypad- 15 ku zas pracy mnozników dobroci jako generatorów osiaga sie lepsza stabilnosc niz dla znanych ukla¬ dów, pracujacych z tymi samymi obwodami rezo¬ nansowymi. Poza tym mozliwe jest zastosowanie jako kondensatorów Cl i C2 (fig. 2) kondensatorów elektrolitycznych co moze miec szczególne znacze¬ nie przy niskich czestotliwosciach. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Tranzystorowy mnoznik dobroci, który moze pra¬ cowac jako wzmacniacz lub generator znamienny tym, ze ma oporniki (Rl, R2) wlaczone do obwodu zaisilania wzmacniacza lub generatora, które to oporniki ustalaja sredni potencjal baz tranzysto¬ rów nie obciazajac przy tym obwodów rezonanso¬ wych, przy czym dla mnoznika dobroci z szere¬ gowym obwodem rezonansowym srodek dzielnika napiecia zlozonego z oporników (Rl, R2) blokuje sie kondensatorem (C3) o duzej pojemnosci. /'-¦ Fia.4 *(- nfz ZG „Ruch" W-wa, zam. 891-64 naklad 250 egz. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL48515B1 true PL48515B1 (pl) | 1964-08-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3209282A (en) | Tunnel diode oscillator | |
| US3176212A (en) | Direct current power supplies | |
| US3312911A (en) | Tunnel diode relaxation oscillator | |
| PL48515B1 (pl) | ||
| US2892164A (en) | Semi-conductor filter circuits | |
| US2745009A (en) | High stability transistor oscillator | |
| US2837652A (en) | Solid state inverters | |
| US2426021A (en) | Pulsed oscillator | |
| US2487279A (en) | Means for generating alternating currents | |
| US3268830A (en) | Operational amplifier gain control circuit utilizing non-linear devices | |
| US3349348A (en) | Temperature-compensated circuit arrangement | |
| US3188579A (en) | Cryogenic oscillator | |
| RU2168846C1 (ru) | Генератор хаотических колебаний | |
| US3271644A (en) | Power oscillator for an electromechanical vibrating transducer | |
| US2448543A (en) | Circuit for periodically generating oscillations | |
| US3260963A (en) | Inverter having circuitry for controlling the relative duration of the output alternations | |
| US3092787A (en) | Crystal controlled multiple frequency generator | |
| US2931991A (en) | Transistor inverter | |
| US2988734A (en) | Magnetic memory systems | |
| US3167724A (en) | Hook type transistor relaxation oscillator | |
| US3088670A (en) | Pyroelectric squaring element | |
| US3141139A (en) | Direct-coupled transistor oscillator having variable source impedance for controlling frequency | |
| US3227890A (en) | Parametric oscillator | |
| SU419881A1 (ru) | Феррорезонансный стабилизатор напряжения | |
| US3234405A (en) | Plural electrode composite constant current-gain transistor for logic circuit |