PL45337B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL45337B1 PL45337B1 PL45337A PL4533761A PL45337B1 PL 45337 B1 PL45337 B1 PL 45337B1 PL 45337 A PL45337 A PL 45337A PL 4533761 A PL4533761 A PL 4533761A PL 45337 B1 PL45337 B1 PL 45337B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- copper
- chlorine
- gcds
- cadmium sulphide
- concentration
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [Cd]=S CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims description 2
- -1 chlorine ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 2
- 238000005469 granulation Methods 0.000 claims 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 claims 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002471 indium Chemical class 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
Description
Opublikowano dnia 10 stycznia 1962 r. y*i< POLSKIEJ RZECZYPOSPOLITEJ LUDOWEJ OPIS PATENTOWY Nr 45337 KI. 21 g, 29/01 Przemyslowy Instytut Elektroniki*) Warszawa, Polska Sposób wytwarzania warstw fotoprzewodzacych, zwlaszcza w fotoopor- nikach lub podobnych urzadzeniach z pólprzewodnikami Patent trwa od dnia 11 maja 1961 r.Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwa¬ rzania warstw fotoprzewodzacych z siarczku kadmowego, aktywowanego na przyklad mie¬ dzia i chlorem.Znane sa elementy fotoprzewodzace, stano¬ wiace monokrzysztaly siarczku kadmowego, jednak ze wzgledu na niewielkie ich wymiary zastosowanie tych elementów w budowie urza¬ dzen elektronowych jest bardzo ograniczone.W celu usuniecia tej wady zastosowano warstwy fotoprzewodzace polikrystaliczne na bazie siarczku kadmowego aktywowanego za pomoca miedzi, chloru, srebra lub innych pierwiastków, przy czym znane dotychczas spo¬ soby wytwarzania i aktywacji tych warstiw opieraja sie na tak zwanej technice fosforowej, *) Wlasciciel patentu oswiadczyl, ze wspól¬ twórcami wynalazku sa Mieczyslaw Czajkowski, Andrzej Baczynski i Janusz Bissinger. polegajacej na stosowaniu temperatur 1100 do 1200° C w atmosferze gazów innercyjnych.Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwa¬ rzania polikrystalicznych warstw fotoprzewo¬ dzacych na bazie siarczku kadmu, w którym aktywacje przeprowadza sie dwufazowo w tem¬ peraturach rzedu 500 do 600° C w atmosferze powietrza, otrzymujac w pierwszej fazie zakty- wowane mikrokrysztaly, które po zmieleniu i prasowaniu powtórnie sie spieka, otrzymujac warstwe polikrystaliczna.Dzieki dwukrotnemu spiekaniu warstwa poli¬ krystaliczna uzyskuje wysoka czulosc po¬ wierzchniowa, obejmujaca caly zakres widzial¬ ny widma i bliskiej podczerwieni, których to wlasnosci nie mozna uzyskac zadnym ze zna¬ nych sposobów.Sposób wytwarzania warstw fotoczulych we¬ dlug wynalazku opisano ponizej. Materialem wyjsciowym warstwy jest siarczek kadmu.L u n^iiUscn^SRLw^aj. W celu aktywacji siar¬ czek kadmu miesza sie ze zwiazkami zawieraja¬ cymi miedz i cl\lor, na przyklad' CuS04 i NaCl, w takiej ilosci, aby stezenie jonów miedzi wy¬ nosilo okolo 5 . 10-* g/gCdS, a stezenie jonów chloru — okolo 10-2 g/gCdS. Mieszanitne te pod¬ daje sie suszeniu a nastepnie spiekaniu w tem¬ peraturze okolo 550° C, w czasie okolo 2 godzin.Otrzymany spiek miele sie na przyklad na mlynach kulowych do granulacji okolo 50/4, przeplukuje, w celu usuniecia aktywatorów lub innych domieszek nie zwiazanych z krysztala¬ mi, suszy, a nastepnie prasuje w odpowiedniego ksztaltu format pod cisnieniem okolo 5000 at i ponownie spieka w temperaturze okolo 550° C, w czasie okolo 30 min. Otrzymane plaskie ksztaltki stanowia warstwe polikrystaliczna o wlasnosciach fotoprzewodzacych, posiadajaca znaczna czulosc powierzchniowa w zakresie wszystkich dlugosci swiatla widzialnego i blis¬ kiej podczerwieni.W celu zastosowania ksztaltek jako elemen¬ tów fotooporników lub innych urzadzen elek¬ tronowych nanosi sie na nie elektrody, na przy¬ klad w postaci warstwy indowej naparowywa¬ nej w prózni znanymi sposobami.Na rysunku fig. 1 przedstawia przykladowo element fotooporowy, stanowiacy plaska ksztaltke 1 polikrystalicznego siarczku kadmu aktywowanego miedzia i chlorem, z naniesio¬ nymi elektrodami 2, w postaci warstw indu, fig. 2 — przekrój przykladowej konstrukcji fotoopornika, w którym elektrody 2 warstwy fotoczulej 1 umieszczonej wewnatrz obudowy 3 sa polaczone z nózkami metalowymi 6 za po¬ moca pasty przewodzacej 4, na przyklad srebr¬ nej, przy czym warstwa fotoprzewodzaca jest oslonieta za pomoca szklanej szybki 5, a fig. 3 — przekrój tego fotoopornika wzdluz linii AA na fig. 2.Sposób wytwarzania warstw fotoczulych we¬ dlug wynalazku moze znalezc równiez zastoso¬ wanie przy produkcji innego rodzaju urzadzen elektronowych. PL
Claims (3)
- Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania warstw fotoprzewo¬ dzacych, zwlaszcza w fotoopornikach lub podobnych urzadzeniach z pólprzewodnika¬ mi, stanowiacych polikrystaliczne warstwy siarczku kadmu aktywowanego na przyklad miedzia, chlorem lub innymi pierwiastkami, znamienny tym, ze mieszanine siarczku kadmu z aktywatorami spieka sie w tem¬ peraturze 500 do 600° C w czasie okolo 2 godzin, a otrzymany produkt miele sie do granulacji okolo 50 a, plucze i prasuje pod cisnieniem okolo 5000 at w celu otrzy¬ mania zadanej ksztaltki, po czym ponownie spieka w temperaturze 500 do 600° C w cza¬ sie okolo 30 min.
- 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze do aktywacji siarczku kadmu stosuje sie CuS04 i NaCl w takiej ilosci, aby stezenie jonów miedzi wynosilo 5 . 10~4 g/gCdS, a ste¬ zenie jonów chloru 10"2 g/gCdS. Przemyslowy Instytut Elektroniki Zastepca: inz. Zbigniew Kaminski rzecznik patentowyDo opisu patentowego nr 45337 '•/, IfófA Lc///&y^i AA z&si/ is/s Fig.
- 3 PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL45337B1 true PL45337B1 (pl) | 1961-12-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Edwards et al. | A new transparent conducting oxide in the Ga 2 O 3–In 2 O 3–SnO 2 system | |
| Payne | University of Illinois at Urbana-Champaign | |
| Talimian et al. | Transparent magnesium aluminate spinel: Effect of critical temperature in two-stage spark plasma sintering | |
| Van Steensel et al. | The luminescence of Bi3+ in LalnO3 and some other perovskites | |
| Wu et al. | Dielectric properties of (Ba, Nb) doped TiO2 ceramics: Migration mechanism and roles of (Ba, Nb) | |
| Carlsson et al. | Photoplastic behavior of CdTe | |
| Gul et al. | Effect of vanadium and barium on the Bi-based (2223) superconductors | |
| Kumar et al. | Factors contributing to the local polar-structural heterogeneity and ultrahigh piezoelectricity in Sm-modified Pb (Mg1/3Nb2/3) O3–PbTiO3 | |
| Kim et al. | Electrical and thermal transport properties of S-and Te-doped InSe alloys | |
| Braden et al. | Anomalous dispersion of LO phonon branches in Ba0. 6K0. 4BiO3 | |
| Li et al. | Atomic-scale microstructures, Raman spectra and dielectric properties of cubic pyrochlore-typed Bi1. 5MgNb1. 5O7 dielectric ceramics | |
| PL45337B1 (pl) | ||
| Pal et al. | Electric field and mechanical stress driven structural inhomogeneity and compositionally induced relaxor phase transformation in modified BaTiO3 based lead-free ferroelectrics | |
| Gupta et al. | Optimization of SnS active layer thickness for solar cell application | |
| Bharati et al. | The electrical properties of Fe2WO6 | |
| Osbond et al. | High dielectric constant ceramics in the PbSc0. 5Ta0. 5O3-PbZrO3 and PbSc0. 5Ta0. 5O3-PbTiO3 systems | |
| Fujimoto et al. | Pressure and temperature dependence of dielectric properties of brominated trissarcosine calcium chloride | |
| Nishida et al. | 119Sn-Mössbauer Spectroscopic Study of High-Tc Superconducting YBa2 (Cu0. 995Sn0. 005) 3O7-y and the Gamma-Ray Irradiation Effect | |
| Nautiyal et al. | Dielectric properties of silver sodium niobate mixed ceramic system | |
| Adam | Transport and thermoelectric properties of crystalline Cu2− xAgxSe alloys prepared by facile method | |
| Kus et al. | Phase transitions in LixNa1-xNbO3 solid solution for 0< x< 0.1 | |
| Murata et al. | Electrical nanocontact between bismuth nanowire edges and electrodes | |
| PL50672B1 (pl) | ||
| Siethoff et al. | Plastic Deformation of GaSb and the Influence of Stacking‐Fault Energy on Dynamical Recovery of Semiconductors | |
| Sohn et al. | Strong ferroelectric perovskite phase in Pb-containing composites |