PL44228B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL44228B1 PL44228B1 PL44228A PL4422859A PL44228B1 PL 44228 B1 PL44228 B1 PL 44228B1 PL 44228 A PL44228 A PL 44228A PL 4422859 A PL4422859 A PL 4422859A PL 44228 B1 PL44228 B1 PL 44228B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- changing
- electron beam
- lamp
- sulphide
- Prior art date
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 7
- CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [Cd]=S CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 102000001690 Factor VIII Human genes 0.000 description 1
- 108010054218 Factor VIII Proteins 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N tin(ii) sulfide Chemical compound [Sn]=S AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
Opublikowano dnia 20 lutego 1961 r. **} 343* ^ ^ IBIBLIOTEK*.POLSKIEJ RZECZYPOSPOLITEJ LUDOWEJ OPIS PATENTOWY Nr 44228 KI. 21 a1, 32/40 Przemysloiuy Instytut Elektroniki*) Warszawa, Polska Lampa obrazowa Patent trwa od dnia 20 listopada i959 r.Przedmiotem wynalazku jest lampa obrazo¬ wa, której modulacje wiazki elektronów uzys¬ kuje sie przez zmiany pojemnosci cienkiej war¬ stwy pólprzewodnika.Znane dotychczas lampy obrazowe typu „Vi- dicon" dzialaja na zasadzie modulacji wiazki elektronowej, przez zmiany opornosci cienkiej warstwy pólprzewodnika, spowodowane zmia¬ nami naswietlenia. Zasadnicza wada lamp tego typu jest ich duza bezwladnosc, spowodowana znaczna pojemnoscia warstwy pólprzewodnika, a /tym samym opózniona reakcje na bodzce swietlne, ograniczajaca zastosowanie tych lamp wylacznie do celów telewizji przemyslowej i te¬ lekina.Wady te usuwa lampa obrazowa wedlug wy¬ nalazku, której ekran stanowi cienka warstwa substancji swiatloczulej, posiadajacej wlasnosc zmian pojemnosci pod wplywem naswietlania, na przyklad siarczku kadmu lub siarczku cynku, dzieki czemu modulacja wiazki elektronów jest *) Wlasciciel patentu oswiadczyl, ze twórca wy¬ nalazku jest mgr inz. Aleksander Fryszman. w niej uzyskana nie przez zmiany opornosci, ale przez zmiany pojemnosci warstwy. Umozliwia to zastosowanie warstwy o nieduzej opornosci poprzecznej, zmniejszajacej bezwladnosc reakcji lampy. Badania mechanizmu modulacji wiazki elektronów w cienkiej warstwie pólprzewodnika wykazaly, ze uzyskanie modulacji przez zmiany pojemnosci warstwy jest mozliwe nawet w tych przypadkach, gdy jej powierzchnia nie posiada reliefu potencjalowego. Lampa wedlug wynalaz¬ ku jest ponadto prostsza w konstrukcji i obslu¬ dze od innych podobnych lamp, a tym samym jest od nich tansza w produkcji i eksploatacji.Zasada dzialania lampy obrazowej wedlug wynalazku jesl; wyjasniona na rysunku, na któ¬ rym fig. 1 przedstawia schematycznie przekrój podluzny tej lampy, a fig. 2 — charakterystyke jej emisji wtórnej. Lampa obrazowa wedlug wynalazku sklada sie ze szklanej obudowy 2, której powierzchnia czolowa jest pokryta przez¬ roczystym przewodzacym podlozem 2 oraz war¬ stwa 3 substancji swiatloczulej, posiadajacej wlasnosci zmian pojemnosci pod wplywem zmian naswietlenia, na przyklad siarczku kadmulub mieszaniny siarczku kadmu i siarczku cyn¬ ku. Wewnatrz obudowy 1 znajduje sie dzialo elekJg-oi^e^ 4, polaezdbiS z odprowadzeniami 5, umieszczonymi w cokole 6 lampy i oddzielone od warstwy swiatloczulej 3 kolektorem 7 elek¬ tronów.Dzialanie lampy obrazowej wedlug wynalazku opisano ponizej. Przenoszony obraz jest rzucany za posrednictwem odpowiedniego ukladu optycz¬ nego 8, przez przezroczysta warstwe przewodza¬ ca 2, na cienka warstwe swiatloczula 3 o zmien¬ nej pojemnosci. W czasie pracy lampy obiega po warstwie swiatloczulej wiazka elektronów 10, emitowana przez dzialo elektronowe 4. Zmiany natezenia naswietlenia warstwy swiatloczulej 3 w poszczególnych jej punktach powoduja zmia¬ ny pojemnosci oraz odpowiednie zmiany pradu przeplywajacych przez warstwe elektronów. Sy¬ gnal elektryczny, zmodulowany zmiana pojem¬ nosci warstwy, jest zdejmowany z bocznej elek¬ trody 9, polaczonej z przezroczystym przewodza¬ cym podlozem 2.Wykorzystanie do celów modulacji wiazki elektronów zmian pojemnosci warstwy swiatlo¬ czulej powoduje wskutek mozliwosci zastoso¬ wania warstw o mniejszej opornosci poprzecz¬ nej znaczne zmniejszenie bezwladnosci lampy.Fig. 2 ilustruje charakterystyke emisji wtórnej lampy obrazowej wedlug wynalazku, wyrazajaca zaleznosc wspólczynnika emisji wtórnej 8 od napiecia U, przyspieszajacego elektrony. Wydaj¬ nosc lamp obrazowych zalezy od wybranego dla pracy lampy obszaru charakterystyki 11 emisji wtórnej, przy czym wydajnosc lampy obrazowej wedlug wynalazku jest najwieksza w tych ob¬ szarach 10 charakterystyki, w których wspól¬ czynnik emisji wtórnej d 1 dla odcinków charakterystyki o ostrym kacie nachylenia a oraz § 1 dla odcinków o rozwartych katach nachylenia a. Na fig. 2 obszary 10 charaktery¬ styki, odpowiadajace maksymalnej wydajnosci lampy, zostaly zakreskowane.Lampa wedlug wynalazku moze znalezc za¬ stosowanie zarówno w telewizji przemyslowej, jak i widowiskowej oraz w telekinie. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Lampa obrazowa z modulacja wiazki elektro¬ nów uzyskiwanej na warstwie pólprzewodni¬ kowej, znamienna tym, ze posiada cienka warstwe (3) substancji swiatloczulej, posiada¬ jacej wlasnosc zmian pojemnosci pod wply¬ wem naswietlania, na przyklad siarczku kad¬ mu lub mieszaniny siarczku kadmu i siarczku cynku, dzieki czemu modulacje wiazki elek¬ tronów uzyskuje sie w niej przez zmiane po¬ jemnosci tej warstwy. Przemyslowy Instytut Elektroniki Zastepca: inz. Zbigniew Kaminski rzecznik patentowyDo opisu patentowego Nr 44228 Fig t Fig 2 80. RSW „Prasa", Kielce, PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL44228B1 true PL44228B1 (pl) | 1961-02-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2177736A (en) | Television transmitting apparatus | |
| US2572494A (en) | Velocity selection in electron tubes | |
| US2654852A (en) | Photoconductive target for cathode-ray devices | |
| US2186393A (en) | Fluorescent screen | |
| US2415842A (en) | Electrooptical device | |
| US2710813A (en) | Cadmium selenide-zinc selenide photoconductive electrode and method of producing same | |
| US2929866A (en) | Television pickup tube | |
| US2682010A (en) | Cathode-ray projection tube | |
| PL44228B1 (pl) | ||
| DE887668C (de) | Bildspeicherroehre, insbesondere fuer Fernsehzwecke | |
| US3784831A (en) | Electrooptical system | |
| CA1038012A (en) | Television camera tube | |
| US2916664A (en) | Electron discharge device | |
| US3020432A (en) | Photoconductive device | |
| US2900569A (en) | Photoconductive type pickup tubes | |
| US2839645A (en) | Photocell structure | |
| US2967972A (en) | Electron display device | |
| US3242367A (en) | Storage target electrode | |
| US2115093A (en) | Cathode ray tube | |
| US3772553A (en) | Secondary emission structure | |
| US2813989A (en) | Color pickup tubes | |
| RU2210136C2 (ru) | Лазерный электронно-лучевой прибор с электростатической фокусировкой пучка электронов | |
| US3107315A (en) | Solid state display screens | |
| US2820167A (en) | Tricolor pickup tube | |
| US2160022A (en) | Screen for cathode ray tubes |