PL433519A1

PL433519A1 - Thermoelectric coating and method of its application, in particular on the elements of a heat exchanger

Info

Publication number: PL433519A1
Application number: PL433519A
Authority: PL
Inventors: Tomasz SIEMIEŃCZUK; Wojciech GULBIŃSKI; Ariel Lewandowski
Original assignee: Aic Spółka Akcyjna
Priority date: 2020-04-11
Filing date: 2020-04-11
Publication date: 2021-10-18
Also published as: PL240624B1

Abstract

Przedmiotem zgłoszenia jest powłoka termoelektryczna zawierająca elementy półprzewodnikowe „p” i „n” w postaci nie stykających się ze sobą warstw, które ułożone są względem siebie naprzemiennie, tak, że pomiędzy warstwami „p” znajduje się warstwa „n” przy czym warstwy „p” i „n” połączone są ze sobą szeregowo elementami przewodzącymi zaopatrzonymi w końcówki przyłączeniowe do wyprowadzania powstałej energii elektrycznej, oraz zawierająca warstwę izolatora elektrycznego, charakteryzuje się tym, że na podłoże (1) naniesiona jest warstwa (2a) izolatora elektrycznego o grubości co najmniej 200 nm, na której naniesione są warstwy elementów przewodzących (3a) o grubości od 200 nm do 5 µm, na których naniesione są warstwy półprzewodnikowe „p” i „n” o grubości od 50 nm do 5 µm i szerokości od 0,1 mm do 5 mm, na których naniesione są warstwy elementów przewodzących (3b) o grubości od 200 nm do 5 µm, na których naniesiona jest warstwa (2b) izolatora elektrycznego o grubości co najmniej 200 nm, przy czym warstwa (2a) izolatora elektrycznego wykonana jest na bazie Al2O3 albo SiO2 albo MgO.The subject of the application is a thermoelectric coating containing semiconductor elements "p" and "n" in the form of non-contacting layers, which are arranged alternately with each other, so that between the "p" layers there is the "n" layer, with the "p" layers "And" n "are connected with each other in series by conductive elements provided with connection terminals for outputting the generated electric energy, and containing an electrical insulator layer, characterized in that a layer (2a) of an electrical insulator with a thickness of at least 200 nm with layers of conductive elements (3a) with a thickness of 200 nm to 5 µm, with "p" and "n" semiconductor layers with a thickness of 50 nm to 5 µm and a width of 0.1 mm up to 5 mm, with layers of conductive elements (3b) with a thickness of 200 nm to 5 µm, with a layer (2b) of an electrical insulator with a thickness of at least 200 nm, pr whereby the layer (2a) of the electrical insulator is made of Al2O3 or SiO2 or MgO.