PL388484A1 - Sposób wytwarzania organicznego kompozytu półprzewodnik/dielektryk - Google Patents

Sposób wytwarzania organicznego kompozytu półprzewodnik/dielektryk

Info

Publication number
PL388484A1
PL388484A1 PL388484A PL38848409A PL388484A1 PL 388484 A1 PL388484 A1 PL 388484A1 PL 388484 A PL388484 A PL 388484A PL 38848409 A PL38848409 A PL 38848409A PL 388484 A1 PL388484 A1 PL 388484A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
organic
solution
room temperature
production
organic semiconductor
Prior art date
Application number
PL388484A
Other languages
English (en)
Other versions
PL217785B1 (pl
Inventor
Ewa Dobruchowska
Michał Wiatrowski
Jacek Ulański
Original Assignee
Politechnika Łódzka
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Łódzka filed Critical Politechnika Łódzka
Priority to PL388484A priority Critical patent/PL217785B1/pl
Publication of PL388484A1 publication Critical patent/PL388484A1/pl
Publication of PL217785B1 publication Critical patent/PL217785B1/pl

Links

Landscapes

  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

Sposób wytwarzania organicznego kompozytu półprzewodnik/dielektryk, o uporządkowanej strukturze półprzewodnika organicznego, polega na tym, że sporządza się roztwór polimeru organicznego nie przewodzącego prądu oraz substancji organicznej o właściwościach półprzewodnika w rozpuszczalniku organicznym tak dobranym, aby polimer i półprzewodnik rozpuszczały się w nim w temperaturze pokojowej. Sporządzony roztwór nanosi się na dowolne, oczyszczone podłoże, podłoże z naniesionym roztworem izoluje się od otoczenia i najpierw pozostawia w temperaturze pokojowej w celu częściowego zestalenia, po czym częściowo zestalony roztwór umieszcza się w atmosferze par lotnego rozpuszczalnika lub rozpuszczalników organicznych na czas potrzebny do całkowitego zestalenia w temperaturze pokojowej. Kompozyt jest przeznaczony do wykorzystania w elektrotechnice, zwłaszcza do wytwarzania organicznych tranzystorów z efektem polowym.
PL388484A 2009-07-07 2009-07-07 Sposób wytwarzania organicznego kompozytu półprzewodnik/dielektryk PL217785B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL388484A PL217785B1 (pl) 2009-07-07 2009-07-07 Sposób wytwarzania organicznego kompozytu półprzewodnik/dielektryk

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL388484A PL217785B1 (pl) 2009-07-07 2009-07-07 Sposób wytwarzania organicznego kompozytu półprzewodnik/dielektryk

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL388484A1 true PL388484A1 (pl) 2011-01-17
PL217785B1 PL217785B1 (pl) 2014-08-29

Family

ID=43502706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL388484A PL217785B1 (pl) 2009-07-07 2009-07-07 Sposób wytwarzania organicznego kompozytu półprzewodnik/dielektryk

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL217785B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL217785B1 (pl) 2014-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Mei et al. Crossover from band-like to thermally activated charge transport in organic transistors due to strain-induced traps
Phan et al. Effects of rapid thermal annealing on humidity sensor based on graphene oxide thin films
Yang et al. High performance organic field-effect transistors based on single-crystal microribbons and microsheets of solution-processed dithieno [3, 2-b: 2′, 3′-d] thiophene derivatives
Fukuda et al. Organic integrated circuits using room-temperature sintered silver nanoparticles as printed electrodes
Ichikawa et al. Comparative study of soluble naphthalene diimide derivatives bearing long alkyl chains as n-type organic thin-film transistor materials
BR112018001264A2 (pt) composição curável, processo para produção de uma composição curável, artigo curado, e, método para produção de um prepreg ou towpreg.
Yoo et al. Polyimide/polyvinyl alcohol bilayer gate insulator for low-voltage organic thin-film transistors
GB2518772A (en) Method for preparing a semiconducting layer
MX2015010323A (es) Particulas de poliestireno expandible de aislamiento termico y procedimiento de preparacion de las mismas.
Kim et al. Mechanically durable organic/high-k inorganic hybrid gate dielectrics enabled by plasma-polymerization of PTFE for flexible electronics
Nian et al. Significantly enhanced breakdown strength and energy density in sandwich-structured NBT/PVDF composites with strong interface barrier effect
Kim et al. Impedance spectroscopy on copper phthalocyanine diodes with surface-induced molecular orientation
WO2011137133A3 (en) Semiconducting devices and methods of preparing
Hasan et al. High performance solution processed zirconium oxide gate dielectric appropriate for low temperature device application
GB2526466A (en) Organic semiconducting blend
DE602006020841D1 (de) Verfahren zur herstellung von regioregulären polymeren
BR112017018698A2 (pt) ?composição livre de ácido de enxofre orgânico, artigo curado, uso de uma composição livre de ácido de enxofre orgânico, e, método para produzir um artigo compósito?.
ATE502970T1 (de) Verfahren zur herstellung von regioregulären polymeren
Dickey et al. Establishing efficient electrical contact to the weak crystals of triethylsilylethynyl anthradithiophene
BR112015015607A8 (pt) suporte de componentes para peças elétricas/eletrônicas
PL388484A1 (pl) Sposób wytwarzania organicznego kompozytu półprzewodnik/dielektryk
Shi et al. Organic semiconductors based on annelated β-oligothiophenes and its application for organic field-effect transistors
Yu et al. pn-Heterojunction effects of perylene tetracarboxylic diimide derivatives on pentacene field-effect transistor
Li et al. High performance pentacene organic field-effect transistors consisting of biocompatible PMMA/silk fibroin bilayer dielectric
FI20075430A0 (fi) Menetelmä johderakenteiden valmistamiseksi ja sen sovellukset