W tranzystorach punktowych bardzo wazna role odgrywa odleglosc miedzy punktami styku emitera i kolektora na powierzchni krysztalu pólprzewodnika. Ustalenie tej odleglosci oraz zapewnienie jej stalosci posiada duze znaczenie w produkcji tych tranzystorów. Istnieje kilka rozwiazan konstrukcyjnych tranzystorów o styku punktowym. W tych znanych tranzys¬ torach • punktowyeh elektrody stykowe posiadaja postac odpowiednio zaostrzonych drutów, które sa zamocowene we wspólnej oprawce i przebie¬ gaja swobodnie prawie równolegle az do po¬ wierzchni pólprzewodnika, gdzie dotykaja go w dostatecznie bliskich punktach. Konstrukcja ta jest bardzo klopotliwa i nie jest niezawodna w dzialaniu.Niedogodnosci powyzsze usuwa tranzystor punktowy, stanowiacy przedmiot wynalazku i rózniacy sie od znanych tranzystorów tym, ze jego elektrody stykowe posiadaja postac wa¬ skich pasków z cienkiej folii z odpowiedniego materialu, sklejonych ze soba, wskutek czego ustalenie odleglosci miedzy elektrodami jest okreslone albo gruboscia warstwy kleju, albo tez gruboscia przekladki, umieszczonej miedzy tymi elektrodami foliowymi oraz gruboscia dwóch warstw kleju. Koniec tak sklejonego zespolu dwóch lub wiecej elektrod, który ma pracowac jako styk, obcina sie w mysl wynalaz¬ ku tak, aby obciecie to dawalo jednakowa dlu¬ gosc ostrzy dla wszystkich pasków folii. W ten sposób otrzymuje sie rozstawienie ostrzy uwa¬ runkowane gruboscia izolacji miedzy paskami folii.Tak otrzymane ostrza musza byc jednak od¬ powiednio ustawione na powierzchni pólprze¬ wodnika przy zachowaniu odpowiednich do¬ cisków. W tym celu powierzchnie pólprzewod¬ nika wykonuje sie wklesla, nadajac tej krzy- wiznie promien mniejszy od dlugosci paska zespolu elektrod, liczonej od zaostrzonego kon¬ ca do miejsca elastycznego zamocowania, w któ¬ rym zespól elektrod moze sie nieco poddawac ugieciu.Wynalazek wyjasniono na rysunku, na któ¬ rym fig. 1 przedstawia zespól dwóch elektrod •V tranzystora wedlug wynalazku, fig. 2 w widoku z bokm i*p dolu — przyklad wykonania konca tfj^Ufcktrod wralL^ffe.^Jbracujacego jako k, ilng. 3 —*Jpfcy)llkó5 stawienia ostrzy elektrod na powierzchni pólprzewodnika.W mysl wynalazku zespól elektrod tranzys¬ tora jest utworzony z dwóch lub wiecej elek¬ trod l, wykonanych z cienkiej folii, rozmiesz¬ czonych w pewnej od siebie odleglosci, scisle okreslonej badz tylko warstwa kleju 2, badz tez przekladka 3 i warstwami kleju 2. Po wyko¬ naniu takiego zespolu elektrod, ten jego koniec, który ma sie stykac z powierzchnia krysztalu pólprzewodnika obcina sie przynajmniej dwu¬ krotnie pod róznymi katami 4 i 5 w celu wy¬ tworzenia ostrzy 6 i 7 w obu elektrodach I.Obciecie to jest wykonane tak, ze dlugosc os¬ trzy wszystkich elektrod foliowych 1 jest jed¬ nakowa. Dzieki takiemu wykonaniu uzyskuje sie rozstawienie ostrzy 6, 7, uwarunkowane gruboscia izolacji miedzy elektrodami 1.W celu uzyskania nalezytego rozstawienia ostrzy 6, 7 na powierzchni pólprzewodnika przy zachowaniu odpowiednich docisków, powierz¬ chnie tego przewodnika 8 wykonuje sie w mysl wynalazku wklesla i mianowicie o promieniu krzywizny mniejszym od dlugosci pasków zes¬ polu elektrod, liczonej od ostrzy 6, 7 do miejsca zamocowania elektrod. Przez przesuwanie zatem ostrzy 6, 7 po powierzchni 8 i mianowicie od polozenia, oznaczonego liczba 9, poprzez polo¬ zenie 10 do polozenia 11 umozliwiona zostaje dowolna zmiana docisku ostrza jednej z elek¬ trod i w stosunku do drugiej elektrody i. Po wlasciwym ustawieniu zespolu elektrod na po¬ wierzchni pólprzewodnika 8 styk zalewa sie odpowiednia masa. PLIn point transistors a very important role is played by the distance between the emitter and collector contact points on the surface of the semiconductor crystal. Determining this distance and ensuring its consistency is of great importance in the manufacture of these transistors. There are several design solutions for point-contact transistors. In these known point transducers, the contact electrodes are in the form of suitably sharpened wires, which are mounted in a common holder and run freely almost parallel to the surface of the semiconductor, where they touch it at sufficiently close points. This construction is very cumbersome and not reliable in operation. The above disadvantages are removed by the point transistor, which is the subject of the invention and differs from the known transistors in that its contact electrodes have the form of narrow strips of thin foil of a suitable material, glued together. whereby the determination of the distance between the electrodes is determined either by the thickness of the glue layer or also by the thickness of the spacer between these foil electrodes and the thickness of the two glue layers. The end of the set of two or more electrodes so glued, which is to function as a contact, is cut according to the invention so that the cut results in an equal blade length for all the foil strips. In this way, the spacing of the blades, determined by the thickness of the insulation, between the foil strips is obtained. For this purpose, the surfaces of the semiconductor are made concave, giving this curvature a radius less than the length of the electrode unit strip, measured from the pointed end to the flexible attachment point at which the electrode unit may be slightly bent. Fig. 1 shows the assembly of two electrodes V of the transistor according to the invention, Fig. 2 in a side view and * p bottom - an example of the end tfj ^ Ufcktrod wralL ^ ffe. ^ J taken as k, ilng. According to the invention, the transistor electrode assembly is composed of two or more thin foil electrodes, spaced at some distance from each other, precisely defined or only adhesive layer 2, or spacer 3, and adhesive layers 2. After such an electrode assembly is made, its end that is to be in contact with the surface of the semiconductor crystal is cut at least twice at different angles 4 and 5 in order to produce blades 6 and 7 in both electrodes I. This cut is made so that the three lengths of all foil electrodes 1 are equal. Due to this embodiment, the spacing of the blades 6, 7 is obtained, determined by the thickness of the insulation between the electrodes 1. In order to obtain a proper spacing of the blades 6, 7 on the surface of the semiconductor while maintaining the appropriate pressures, the surface of this conductor 8 is made concave in accordance with the invention, i.e. a radius of curvature smaller than the length of the strips, the set of electrodes, counted from the blades 6, 7 to the place where the electrodes are attached. Thus, by moving the blades 6, 7 over the surface 8, namely from the position indicated by the number 9, through position 10 to position 11, any change in the pressure of the blade of one of the electrodes and with respect to the other electrode i is made possible. a suitable mass is poured over the surface of the semiconductor 8 contact. PL