PL32405B1 - Sposób przeprowadzania pomiaru odksztalcen przy pomocy promieni rentgenowskich - Google Patents

Description

Wynalazek dotyczy sposobu przeprowa¬ dzania pomiaru odksztalcen przy pomocy promieni (rentgenowskich.Przy elastycznym odksztalcaniu jakiej¬ kolwiek struktury krystalicznej, np. przed¬ miotu metalowego, krysztaly doznaja w za¬ leznosci od stopnia odksztalcenia mniej lub wiecej silnego jednorodnego odksztal¬ cenia siatki. Ze zmiany wymiarów 'siatki mozna wywnioskowac o wielkosci odksztal¬ cenia przedmiotu krystalicznego. Znane jest stosowanie droga rentgenograficzna tych jednorodnych odksztalcen siatki, które, jak wiadomo, oznaczaja zmiane odstepów pla¬ szczyzn siatki do pomiaru odksztalcen* a zatem równiez do pomiary naprezen.Zdjecia moiga byc dokonywane jako zdje¬ cia promieniami zwrotnymi przy pomocy swiatloczulej blonki plaskiej, stozkowej lub cylindrycznej.Dokladne wyzyskanie sposobu wymaga inteirfererucyj nastrecza duze trudnosci co najmniej do\± 0,01 mm. Wymierzenie intei ferencyj nastrecza duze trudnosci wzglednie jest nawet zupelnie niemozliwe, szczególnie w dwóch przypadkach. W pier¬ wszym przypadku, gdy chodzi o odksztal¬ cacie struktur nadzwyczaj krystalicznych lub takich struktur, których siatki .sa bar¬ dzo silnie zaklócone, jak np. utwardzonych lub wysokouszlachetnionych stali. W dru¬ gim przypadku, gdy chodzi o przedmioty, wykazujace strukture stosunkowo grubo- krystaliczna. Tego rodzaju grube struktu-ry skladaja sie z'krystalitów, których dlu¬ gosc lancucha wynosi okolo 10 \i lub wie¬ cej.W pierwszym przypadku otrzymywane interferencje sa bardzo niewyrazne. Prak¬ tycznie uniemozliwia to dokladne okresle¬ nie maksimum zaczernienia. W drugim przypadku przez dodatkowe oddzialywa¬ nie zalamania promieni rentgenowskich na powierzchniach ziarn duzych krystalitów otrzymuje sie interferencje, które moga znacznie odchylac sie od polozenia teore¬ tycznego i zatem uniemozliwiaja dokladne okreslenie stalych siatki.Pomijajac przytoczone przypadki, po¬ miar odksziltaeenia przy pomocy duzych katów polysku, stosowanych zazwyczaj do tego celu, nie da sie wówczas przeprowa¬ dzic, gdy nie rozporzadza sie odpowied¬ nimi promieniami rentgenowskimi, aby przy badanym materiale osiagnac interfe¬ rencje z-katem polysku, zblizonym do 90°.To wystepuje np. przy badaniu stopów, za¬ wierajacych tytan.Wedlug innego równiez znanego sposo¬ bu stan odksztalcenia okresla sie, mierzac szerokosc punktów interferencyj w kierun¬ ku stycznym. Zdjecia moga byc przepro¬ wadzane jako zdjecia promieniami zwrot¬ nymi z blonka plaska, blonka stozkowa lub blonka cylindryczna. Oczywiscie, ze ten znany sposób jest ograniczony tylko do takich materialów, które przy sposobie z promieniami zwrotnymi daja interferen¬ cje, które skupione sa w pojedynczych punktach interferencyj. Sposób ten zawo¬ dzi np. przy wszystkich utwardzonych i stopowych stalach.Wreszcie znane jest równiez badanie stanu odksztalcenia przez mierzenie szen kosci krawedziowo ograniczonych linij in¬ terferencyj. Wedlug tego sposoby przyj¬ muje sie ostre ograniczenie liniowe linij interferencyjnych materialu bacUihego. Spo¬ sób ten zawodzi, gdy nie ma ostrego ogra¬ niczenia linij, np. przy wszystkich pier¬ wiastkach o duzej liczbie porzadkowej atomowej, np. przy olowiu.Przy przedmiotach, nie posiadajacych struktury krystalicznej, jak drewno, szklo, guma itd. z góry wyklucza sie rentgeno- grafiezny pomiar odksztalcenia dotychczas znanymi metodami.Wynalazek wskazuje droge, jak mozna opanowac wskazane trudnosci, oraz pole¬ ga na tym, ze badany material lub jego czesci zaopatruje sie w mocno trzymajaca sie powloke krystaliczna, odksztalcajaca sie razem z przedmiotem badanym, i ze nastepnie stan odksztalcenia bada sie rent- genograficznie w znany sposób, mierzac stan odksztalcenia materialu powloki.Korzystnie jest postarac sie o to, aby powloka byla umieszczona w zwartej po¬ staci na przedmiocie badanym. Oczywiscie material na powloke obiera sie taki, aby jego cieplny wspólczynnik rozszerzalnosci byl mozliwie zblizony do takiegoz wspól¬ czynnika materialu podstawowego. W wiekszosci przypadków uzywana jest po¬ wloka metalowa, a mianowicie z czystego metalu lub stopowego, który w* rózny spo¬ sób moze byc nalozony na badany przed¬ miot, np. droga elektrolityczna, przez roz¬ pylanie katodowe, przez natryskiwanie, za¬ nurzanie itd.Wielkosc ziarn materialu na powloki dobiera sie w zaleznosci od rodzaju spo¬ sobu badania rentgenograficznego. Tak np. badanie przez pomiar zmian- stanu plasz¬ czyzn w siatce wymaga na ogól materialu na powloke szczególnie drobnoziarnistego.Rentgenogtaficzny pomiar odksztalce¬ nia korzystnie jest przeprowadzac takim rodzajem promieniowania, które z danym materialem na powloki daje glównie inter¬ ferencje o kacie polysku, zblizonym do 90°.Przy tej postaci wykonania sposobu uzy¬ skuje sie interferencje, które daja sie mie¬ rzyc szczególnie latwo i dokladnie.Przy sposobie wedlug wynalazku do po¬ miaru nie uzywa sie juz odksztalconych — 2 —siatek samego materialu, lecz sa mierzone odksztalcenia.-powlok, osadzonych na ma¬ terialach i trwale trzymajacych sie ich.Dzieki temu obecnie moga byc badane rentigenoigraficznie materialy, których siatki bardzo utrudnialy dotychczas dokladny po¬ miar, wzglednie uniemozliwialy go, lub które w ogóle nie posiadaly siatek. Z po¬ wyzszego wynika dalsza zaleta, ze najróz¬ niejsze materialy moga byc badane przy stosowaniu tej samej powloki i tego ssane¬ go rodzaju promieni stale w tych samych warunkach i dlatego z ta sama doklad¬ noscia pomiaru. Ze wzgledu na równo¬ mierna grubosc powloki, wytwarzanej w -najprostszy sposób, przy sposobie we¬ dlug wynalazku osiaga sie zawsze te sama glebokosc pomiaru. PL

Claims (1)

Zastrzezenia patentowe. 1. Sposób przeprowadzania pomiaru odksztalcen przy . pomocy promieni rent¬ genowskich, znamienny tym, ze badany przedmiot lub jego czesci zaopatruje sie w mocno trzymajaca sie go powloke kry¬ staliczna, której odksztalcenia zmieniaja sie tak, jak odksztalcenia przedmiotu, i.na¬ stepnie stan odksztalcenia przedmiotu ba* da sie rentgenograficznie w znany sposób przez pomiar stanu odksztalcenia materia¬ lu powloki. 2. Sposób wedlug zastrz- 1, znamienny tym, ze stan odksztalcenia przedmiotu ba¬ da sie reintgenograficznie w znany sposób przez pomiar zmiany odstepów plaszczyzn siatki materialu powloki. 3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stan odksztalcenia przedmiotu ba¬ da sie rentgenograficznie w znany sposób przez pciniiar odksztalcenia materialu po¬ wloki sposobem pomiaru szerokosci po¬ wierzchniowej punktów interferencji. 4. Sposób wedlug zastrz. t, znamienny tym, ze stan odksztalcenia przedmiotu ba¬ da sie rentgenograficznie w znany sposób przez pomiar liniowej szerokosci interfe¬ rencji materialu powloki. 5. Sposób wedlug zastrz. 1—4, zna¬ mienny tym, ze na przedmiocie badanym umieszcza sie powloke metalowa z czyste¬ go metalu lub stopowego. 6. Sposób wedlug zastrz. 1—5, zna¬ mienny tym, ze wielkosc ziarn materialu powloki dopasowuje sie do kazdorazowo obranego sposobu badania. 7. Sposób wedlug zastrz. 1—6, zna¬ mienny tym, ze material powloki naklada sie elektrolitycznie. 8. Sposób wedlug zastrz. 1—7, zna¬ mienny tym, ze powloke naklada sie przez rozpylanie katodowe. 9. Sposób wedlug zastrz. 1-—8, zna¬ mienny tym, ze jako metal na powloke stosuje sie chrom, nikiel, miedz lub stopy chromoiniklowe. 10. Sposób wedlug zastrz,. 1—9, zna¬ mienny tym, ze do przeprowadzania ba¬ dania rentgenograflcznego stosuje sie ro¬ dzaj promieniowania, które z danym ma¬ terialem powloki daje zasadniczo interfe¬ rencje o kacie polysku okolo 90°. D r a g e r - G e s e 11 s c h a f t m. b. FL Zastepca: inz. J. Wyganowski rzecznik patentowy 40248 —10<} —

1.44 PL