PL247856B1 - Czujnik galwaniczny stopnia fizycznej obróbki cieczy przed i po procesie obróbki - Google Patents

Abstract

Przedmiotem zgłoszenia jest sposób galwanicznego pomiaru stopnia fizycznej obróbki cieczy przed i po procesie obróbki oraz czujnik galwaniczny stopnia fizycznej obróbki cieczy przed i po procesie obróbki, przeznaczony do pomiaru stopnia fizycznej obróbki cieczy przed i po procesie naświetlania cieczy plazmą niskotemperaturową, selektywnymi elektroluminescencyjnymi źródłami światła, polem wielkiej częstotliwości, mikrofalowym lub polami torsyjnymi (spinowymi). Sposób polega na tym, że pobiera się próbkę cieczy kierowanej do reaktora fizycznej obróbki cieczy oraz pobiera się próbkę cieczy na wyjściu reaktora fizycznej obróbki cieczy, po czym ciecz przed obróbką kanałem dozującym ciecz nieobrobioną (S1) oraz ciecz po procesie obróbki kanałem dozującym ciecz obrobioną (S2) doprowadza się jednocześnie do wymywalnej przestrzeni mieszania utworzonej pomiędzy dwiema elektrodami (E1, E2), po czym miliwoltomierzem mierzy się różnicę potencjałów pomiędzy elektrodami (E1, E2), która jest miarą stopnia fizycznej obróbki cieczy w reaktorze. Wymywalną przestrzeń mieszania tworzy się z użyciem szczeliny kapilarnej pomiędzy elektrodami (E1, E2). Czujnik pomiędzy symetrycznie ukształtowanymi elektrodami (E1, E2) podłączonymi do miliwoltomierza, ma wymywalną przestrzeń mieszania, która jest zasilana cieczą przed obróbką i cieczą po obróbce odpowiednio kanałem dozującym ciecz nieobrobioną (S1) i kanałem dozującym ciecz obrobioną (S2).

Description

Opis wynalazku

Przedmiotem wynalazku jest czujnik galwaniczny stopnia fizycznej obróbki cieczy przed i po procesie obróbki, przeznaczony do pomiaru stopnia fizycznej obróbki cieczy przed i po procesie naświetlania cieczy plazmą niskotemperaturową, selektywnymi elektroluminescencyjnymi źródłami światła, polem wielkiej częstotliwości, mikrofalowym lub polami torsyjnymi (spinowymi).

Czujnik kontrolowania potencjału gazu elektrolitycznego znany z europejskiego zgłoszenia patentowego nr EP3012624, zawiera elektrodę roboczą do wykrywania gazu i przeciwstawną elektrodę w odniesieniu do elektrody roboczej oraz elektrodę odniesienia do kontrolowania potencjału elektrody roboczej. Elektrody są rozmieszczone tak, że stykają się z roztworem elektrolitycznym umieszczonym w zbiorniku elektrolitycznym. Każda elektroda robocza, przeciwstawna elektroda i elektroda odniesienia jest utworzona poprzez nałożenie i spiekanie pewnej ilości pasty wykonanej ze znanego porowatego materiału elektrodowego przepuszczalnego dla gazu w postaci membrany mającej właściwości odpychania wody. Elektroda robocza, przeciwstawna elektroda i elektroda odniesienia są usytuowane naprzeciw siebie. Przepuszczalne dla gazu membrany są dwie, przy czym na pierwszej przepuszczalnej dla gazu membranie znajduje się elektroda robocza, a druga przepuszczalna dla gazu membrana na przeciwstawnej elektrodzie i elektrodzie odniesienia. Przepuszczalna dla gazu membrana usytuowana po stronie elektrody roboczej jest przymocowana do zbiornika elektrolitycznego w taki sposób, że stykają się z częścią otworową, a wykryty gaz jest wprowadzany przez część przewodzącą gaz i reaguje na elektrodę roboczą. Ponadto czujnik potencjału elektrolitycznego połączony jest z obwodem wykrywania gazu mającym część wykrywającą prąd, zdolną do wykrywania prądu na elektrodzie roboczej w wyniku reakcji wykrytego gazu i część potencjalną sterującą zdolną do kontrolowania potencjału elektrody roboczej, wykorzystywanej w charakterze urządzenia do wykrywania gazu. Czujnik potencjału elektrolitycznego jest przeznaczony do wykrywania gazu zawierającego związek wodorowy, takiego jak silan, fosfina, german, arsyna, diboran itp.

Moduł czujnika tlenu z kompensacją temperatury znany z polskiego zgłoszenia patentowego nr PL299842 A1, posiada część nośną czujnika oraz uchwyt górny i dolny membrany, umieszczonej pomiędzy dwoma pierścieniowymi powierzchniami czołowymi obydwu uchwytów, z których co najmniej jedna jest pokryta żywicą silikonową. Część nośna jest łączona z uchwytem górnym połączeniem gwintowym z uszczelką. Usytuowana nad membraną anoda jest galwanicznie połączona z metalową obudową tranzystora z czterema wyprowadzeniami. Wyprowadzenia oraz pierścieniowa katoda są połączone z wielożyłowym przewodem wyprowadzającym. Katoda jest usytuowana w celce pomiarowej jak najdalej od anody. Część nośna jest w dolnej części wykonana w kształcie wydrążonego stopniowanego wałka o trzech różnych zewnętrznych średnicach. Na części o pośredniej średnicy jest wykonany gwint zewnętrzny połączenia gwintowego. Wydrążenie wałka jest koncentryczne, owalne i o dwóch różnych wielkościach powierzchni przekrojów poprzecznych. Uchwyt ma kształt tulei z występem i w otworze posiada wewnętrzny gwint połączenia gwintowego. Uchwyt ma kształt pierścienia z dwoma różnymi średnicami wewnętrznymi. Część elektroniczna tranzystora jest czujnikiem temperatury, a obudowa tranzystora stanowi wyprowadzenie anody lub jest elektrodą pomiarową.

Istota czujnika według wynalazku, polega na tym, że pomiędzy symetrycznie ukształtowanymi elektrodami podłączonymi do miliwoltomierza, ma wymywalną przestrzeń mieszania, która jest zasilana cieczą przed obróbką i cieczą po obróbce odpowiednio kanałem dozującym ciecz nieobrobioną i kanałem dozującym ciecz obrobioną.

Korzystnie, elektrody osadzone są w kanałach dozujących ciecz nieobrobioną i obrobioną, przy czym kanały dozujące ciecz nieobrobioną i obrobioną wykonane są z rurek ukształtowanych w literę U oraz elektrody ukształtowane są w literę U, ponadto wymywalna przestrzeń mieszania usytuowana jest pomiędzy elektrodami w postaci szczeliny kapilarnej wykonanej pomiędzy kanałami dozującymi ciecz nieobrobioną i obrobioną.

Korzystnie, elektrody osadzone są w kanałach dozujących ciecz nieobrobioną i obrobioną, przy czym kanały dozujące ciecz nieobrobioną i obrobioną wykonane są z rurek o osiach usytuowanych wzdłuż jednej linii oraz elektrody o osiach usytuowane są wzdłuż jednej linii, ponadto wymywalna przestrzeń mieszania usytuowana jest pomiędzy elektrodami w postaci szczeliny kapilarnej wykonanej pomiędzy kanałami dozującymi ciecz nieobrobioną i obrobioną.

Korzystnie, elektrody w przekroju ukształtowane są w postaci zbiornika, w którego dnie jest wykonany otwór przykryty dielektryczną membraną stanowiącą wymywalną przestrzeń mieszania, zaś wewnętrzne ścianki elektrod pokryte są izolatorem dielektrycznym, ponadto nad i pod dielektryczną membraną symetrycznie względem elektrod umieszczone są dwie płytki dielektryczne dzielące przestrzeń pomiędzy elektrodami na dwa kanały dozujące ciecz nieobrobioną i obrobioną.

Korzystnie, elektrody osadzone są w izolatorach dielektrycznych, do których u dołu przylega dielektryczna membrana zamocowana dielektrycznym kołnierzem mocującym, ponadto nad dielektryczną membraną symetrycznie względem elektrod umieszczona jest płytka dielektryczna dzieląca przestrzeń pomiędzy elektrodami na dwa kanały dozujące ciecz nieobrobioną i obrobioną.

Korzystnie, dwie elektrody ukształtowane są w literę V, pomiędzy którymi w dolnej części osadzona jest dielektryczna membrana nałożona na zaokrągloną u góry płytkę dielektryczną, ponadto nad skośnymi ramionami litery V utworzonymi z elektrod umieszczone są kanały dozujące ciecz nieobrobioną i obrobioną w postaci zakraplaczy.

Korzystnie, dwie elektrody ukształtowane są w literę V, pomiędzy którymi w dolnej części osadzona jest dielektryczna membrana nałożona na zaokrągloną u dołu płytkę dielektryczną, zaś pod dielektryczną membraną jest druga płytka dielektryczna, ponadto nad skośnymi ramionami litery V utworzonymi z elektrod umieszczone są kanały dozujące ciecz nieobrobioną i obrobioną w postaci zakraplaczy.

Korzystnie, ma płaskie dwie elektrody pomiędzy którymi osadzona jest dielektryczna membrana, przy czym nad dielektryczną membraną pomiędzy elektrodami umieszczone są kanały dozujące ciecz nieobrobioną i obrobioną oddzielone płytką dielektryczną, natomiast pod dielektryczną membraną pomiędzy elektrodami umieszczone są kanały odprowadzające ciecz nieobrobioną i obrobioną oddzielone drugą płytką dielektryczną, ponadto pod kanałem odprowadzającym ciecz obrobioną umieszczony jest zbiornik cieczy obrobionej.

Korzystnie, dielektryczna membrana wykonana jest z płytki perforowanej lub z płytki porowatej.

Korzystnie, dwie elektrody ukształtowane są w literę V osadzone są w obudowie, pomiędzy elektrodami osadzona jest ukształtowana w odwróconą literę Y dielektryczna membran, przy czym nóżka litery Y umieszczona jest symetrycznie pomiędzy elektrodami, a nad skośnymi ramionami litery V utworzonymi z elektrod umieszczone są kanały dozujące ciecz nieobrobioną i obrobioną w postaci zakraplaczy, ponadto pod ścieżką odprowadzającą ciecz obrobioną pod kanałem dozującym ciecz obrobioną, umieszczony jest zbiornik cieczy obrobionej.

Korzystnie, dielektryczna membrana ukształtowana w odwróconą literę Y wykonana jest z wygiętego arkusza dielektrycznego, w którym po obu stronach, na wysokości połowy dielektrycznej membrany wykonane są nacięcia.

Przedmiot wynalazku w przykładzie wykonania uwidoczniony jest na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia czujnik różnicy potencjałów elektrycznych zawierający dwie symetryczne elektrody ukształtowane w literę U, fig. 2 - czujnik różnicy potencjałów elektrycznych zawierający dwie symetryczne elektrody o osiach usytuowanych wzdłuż jednej linii, fig. 3 - czujnik różnicy potencjałów elektrycznych zawierający dwie symetryczne elektrody z płytką dielektryczną, fig. 4 - czujnik różnicy potencjałów elektrycznych zawierający dwie symetryczne elektrody osadzone w izolatorze dielektrycznym, fig. 5 - czujnik różnicy potencjałów elektrycznych zawierający dwie symetryczne elektrody ukształtowane w literę V, fig. 6 - czujnik różnicy potencjałów elektrycznych zawierający dwie symetryczne elektrody z dwiema przesłonami dielektrycznymi, fig. 7 - czujnik różnicy potencjałów elektrycznych zawierający dwie symetryczne elektrody i wyposażony w zbiornik cieczy obrobionej, fig. 7 - miniaturowy czujnik różnicy potencjałów elektrycznych zawierający dwie płaskie symetryczne elektrody, a fig. 8 - czujnik różnicy potencjałów elektrycznych zawierający dwie symetryczne elektrody ukształtowane w literę V rozdzielone membraną ukształtowaną w odwróconą literę V.

Przykład 1

Czujnik galwaniczny stopnia fizycznej obróbki cieczy przed i po procesie obróbki ma dwie symetrycznie ukształtowane elektrody E1, E2 podłączone do miliwoltomierza, pomiędzy którymi jest usytuowana wymywalna przestrzeń mieszania. Wymywalna przestrzeń mieszania jest zasilana cieczą przed obróbką i cieczą po obróbce odpowiednio kanałem dozującym ciecz nieobrobioną S1 i kanałem dozującym ciecz obrobioną S2. Elektrody E1, E2 osadzone są w kanałach dozujących ciecz nieobrobioną S1 i obrobioną S2, przy czym kanały dozujące ciecz nieobrobioną S1 i obrobioną S2 wykonane są z rurek ukształtowanych w literę U oraz elektrody E1, E2 ukształtowane są w literę U, natomiast wymywalna przestrzeń mieszania usytuowana jest pomiędzy elektrodami E1, E2 w postaci szczeliny kapilarnej wykonanej pomiędzy kanałami dozującymi ciecz nieobrobioną S1 i obrobioną S2.

Pomiar stopnia fizycznej obróbki cieczy przed i po procesie obróbki polega na tym, że pobiera się próbkę cieczy kierowanej do reaktora fizycznej obróbki cieczy oraz pobiera się próbkę cieczy na wyjściu reaktora fizycznej obróbki cieczy, po czym ciecz przed obróbką kanałem dozującym ciecz nieobrobioną S1 oraz ciecz po procesie obróbki kanałem dozującym ciecz obrobioną S2 doprowadza się jednocześnie do wymywalnej przestrzeni mieszania utworzonej pomiędzy dwiema elektrodami E1, E2, po czym miliwoltomierzem mierzy się różnicę potencjałów pomiędzy elektrodami E1, E2, która jest miarą stopnia fizycznej obróbki cieczy w reaktorze. Ponadto ciecz przed obróbką oraz ciecz po procesie obróbki do wymywalnej przestrzeni mieszania doprowadza się przepływowo ciągle, wymywalną przestrzeń mieszania tworzy się z użyciem szczeliny kapilarnej pomiędzy elektrodami E1, E2.

Przykład 2

Czujnik galwaniczny stopnia fizycznej obróbki cieczy przed i po procesie obróbki wykonany jak w przykładzie pierwszym z tą różnicą, że elektrody E1, E2 osadzone są w kanałach dozujących ciecz nieobrobioną S1 i obrobioną S2, przy czym kanały dozujące ciecz nieobrobioną S1 i obrobioną S2 wykonane są z rurek o osiach usytuowanych wzdłuż jednej linii oraz elektrody E1, E2 o osiach usytuowane są wzdłuż jednej linii, ponadto wymywalna przestrzeń mieszania usytuowana jest pomiędzy elektrodami E1, E2 w postaci szczeliny kapilarnej wykonanej pomiędzy kanałami dozującymi ciecz nieobrobioną S1 i obrobioną S2.

Przykład 3

Czujnik galwaniczny stopnia fizycznej obróbki cieczy przed i po procesie obróbki wykonany jak w przykładzie pierwszym z tą różnicą, że elektrody E1, E2 w przekroju ukształtowane są w postaci zbiornika, w którego dnie jest wykonany otwór przykryty porowatą dielektryczną membraną M stanowiącą wymywalną przestrzeń mieszania, zaś wewnętrzne ścianki elektrod E1, E2 pokryte są izolatorem dielektrycznym ID, ponadto nad i pod dielektryczną membraną M symetrycznie względem elektrod E1, E2 umieszczone są dwie płytki dielektryczne dzielące przestrzeń pomiędzy elektrodami E1, E2 na dwa kanały dozujące ciecz nieobrobioną S1 i obrobioną S2.

Przykład 4

Czujnik galwaniczny stopnia fizycznej obróbki cieczy przed i po procesie obróbki wykonany jak w przykładzie pierwszym z tą różnicą, że elektrody E1, E2 osadzone są w izolatorach dielektrycznych ID, do których u dołu przylega perforowana dielektryczna membrana M zamocowana dielektrycznym kołnierzem mocującym KM, ponadto nad dielektryczną membraną M symetrycznie względem elektrod E1, E2 umieszczona jest płytka dielektryczna PD dzieląca przestrzeń pomiędzy elektrodami E1, E2 na dwa kanały dozujące ciecz nieobrobioną S1 i obrobioną S2.

Przykład 5

Czujnik galwaniczny stopnia fizycznej obróbki cieczy przed i po procesie obróbki wykonany jak w przykładzie pierwszym z tą różnicą, że dwie elektrody E1, E2 ukształtowane są w literę V, pomiędzy którymi w dolnej części osadzona jest porowata dielektryczna membrana M nałożona na zaokrągloną u góry płytkę dielektryczną PD, ponadto nad skośnymi ramionami litery V utworzonymi z elektrod E1, E2 umieszczone są kanały dozujące ciecz nieobrobioną S1 i obrobioną S2 w postaci zakraplaczy.

Przykład 6

Czujnik galwaniczny stopnia fizycznej obróbki cieczy przed i po procesie obróbki wykonany jak w przykładzie pierwszym z tą różnicą, że dwie elektrody E1, E2 ukształtowane są w literę V, pomiędzy którymi w dolnej części osadzona jest porowata dielektryczna membrana M nałożona na zaokrągloną u dołu płytkę dielektryczną PD, zaś pod dielektryczną membraną M jest druga płytka dielektryczna PD, ponadto nad skośnymi ramionami litery V utworzonymi z elektrod E1, E2 umieszczone są kanały dozujące ciecz nieobrobioną S1 i obrobioną S2 w postaci zakraplaczy.

Przykład 7

Czujnik galwaniczny stopnia fizycznej obróbki cieczy przed i po procesie obróbki wykonany jak w przykładzie pierwszym z tą różnicą, że ma płaskie dwie elektrody E1, E2 pomiędzy którymi osadzona jest dielektryczna membrana M, przy czym nad dielektryczną membraną M pomiędzy elektrodami E1, E2 umieszczone są kanały dozujące ciecz nieobrobioną S1 i obrobioną S2 oddzielone płytką dielektryczną PD, natomiast pod dielektryczną membraną M pomiędzy elektrodami E1, E2, umieszczone są kanały odprowadzające ciecz nieobrobioną i obrobioną oddzielone drugą płytką dielektryczną PD, ponadto pod kanałem odprowadzającym ciecz obrobioną umieszczony jest zbiornik cieczy obrobionej ZB.

Przykład 8

Czujnik galwaniczny stopnia fizycznej obróbki cieczy przed i po procesie obróbki wykonany jak w przykładzie pierwszym z tą różnicą, że dwie elektrody E1, E2 ukształtowane są w literę V osadzone są w obudowie OB. Pomiędzy elektrodami E1, E2 osadzona jest ukształtowana w odwróconą literę Y dielektryczna membrana M, przy czym nóżka litery Y umieszczona jest symetrycznie pomiędzy elektrodami E1, E2, a nad skośnymi ramionami litery V utworzonymi z elektrod E1, E2 umieszczone są kanały dozujące ciecz nieobrobioną S1 i obrobioną S2 w postaci zakraplaczy, ponadto pod ścieżką odprowadzającą ciecz obrobioną pod kanałem dozującym ciecz obrobioną S2, umieszczony jest zbiornik cieczy obrobionej ZB. Dielektryczna membrana M ukształtowana w odwróconą literę Y wykonana jest z wygiętego arkusza dielektrycznego, w którym po obu stronach, na wysokości połowy dielektrycznej membrany M wykonane są nacięcia.

Wobec pełnej symetrii budowy czujnika galwanicznego wskazania miliwoltomierza dla dwóch cieczy nieróżniących się od siebie jest zerowe. A zatem zerowe wskazania czujnika zalanego np. wodą wodociągową stanowią pierwszy sprawdzian prawidłowego działania nowego czujnika. Natomiast podanie próbek cieczy przed obróbką i po obróbce oraz pomiar różnicy potencjałów jest miarą stopnia obróbki cieczy bez konieczności wykonywania pomiarów impedancyjnych, lub jako ich istotne uzupełnienie. Sygnał napięciowy uzyskiwany z czujnika już przy umiarkowanym stopniu obróbki ma poziom ok. 40 mV, czyli jest dostatecznie duży biorąc pod uwagę możliwości klasycznych przyrządów pomiarowych. Wobec powyższego czujnik galwaniczny jest czujnikiem różnicowym, który składa się z dwóch identycznych półogniw połączonych galwanicznie za pomocą wymywalnej przestrzeni mieszania, który ma formę zespołu kanalików lub pojedynczego kanału niewypełnionego lub wypełnionego materiałem jonowo-przewodzącym lub też zawierającego jonowo-przewodzącą membranę M lub ewentualnie utworzonego wyłącznie z materiału membrany. Tak pomyślany zespół kanalików lub pojedynczy kanał powinien mieć właściwość nie w pełni szczelnego uwięzienia małych porcji zarówno cieczy nieobrobionej jak i obrobionej tak, aby mogły się one mieszać zasadniczo tylko w tym ograniczonym obszarze. Membrana M może być wykonana z folii dielektrycznej z nacięciami, nasiąkliwego frytu szklanego lub ceramicznego, ze spieku luźnego, tkaniny, z waty szklanej / mineralnej jak również może stanowić złoże z nierozpuszczalnymi drobinami; piasek; węgiel-pył, czy też filtr zwilżalny. Wymywalną przestrzeń mieszania może stanowić Szczelina lub szczeliny mechanicznie wiążące dostatecznie małą ilość cieczy tak, że może po kilku dozach zostać spłukana. Wymaga się przy tym aby obydwie ciecze (przed i po obróbce) dopływały do tego obszaru w sposób ciągły lub impulsowy - kroplami i przemywały ten obszar tak, aby zapewnić dostatecznie wysoką dynamikę pomiarów cieczy o parametrach zmiennych w czasie. Niezbędne jest aby obydwie ciecze nie mieszały się ze sobą przed dotarciem do obszaru pomiarowego i korzystne jest aby nadmiary cieczy po minięciu obszaru pomiarowego także się nie mieszały, co w praktyce pozwoli na odbieranie skierowanej do czujnika porcji cieczy obrobionej jako wartościowego produktu i kierowanie porcji cieczy surowej z czujnika do ścieku. Obszar pomiarowy zamknięty jest elektrodami wykonanymi z identycznego materiału przewodzącego prąd elektryczny i niepodlegającego korozji w badanych cieczach.

Claims (12)

1. Zastrzeżenia patentowe

   1. Czujnik galwaniczny stopnia fizycznej obróbki cieczy przed i po procesie obróbki zawierający elektrody, znamienny tym, że pomiędzy symetrycznie ukształtowanymi elektrodami (E1, E2) podłączonymi do miliwoltomierza, ma wymywalną przestrzeń mieszania, która jest zasilana cieczą przed obróbką i cieczą po obróbce odpowiednio kanałem dozującym ciecz nieobrobioną (S1) i kanałem dozującym ciecz obrobioną (S2).
2. 2. Czujnik według zastrz. 1, znamienny tym, że elektrody (E1, E2) osadzone są w kanałach dozujących ciecz nieobrobioną (S1) i obrobioną (S2), przy czym kanały dozujące ciecz nieobrobioną (S1) i obrobioną (S2) wykonane są z rurek ukształtowanych w literę U oraz elektrody (E1, E2) ukształtowane są w literę U, ponadto wymywalna przestrzeń mieszania usytuowana jest pomiędzy elektrodami (E1, E2) w postaci szczeliny kapilarnej wykonanej pomiędzy kanałami dozującymi ciecz nieobrobioną (S1) i obrobioną (S2).
3. 3. Czujnik według zastrz. 1, znamienny tym, że elektrody (E1, E2) osadzone są w kanałach dozujących ciecz nieobrobioną (S1) i obrobioną (S2), przy czym kanały dozujące ciecz nieobrobioną (S1) i obrobioną (S2) wykonane są z rurek o osiach usytuowanych wzdłuż jednej linii oraz elektrody (E1, E2) o osiach usytuowane są wzdłuż jednej linii, ponadto wymywalna przestrzeń mieszania usytuowana jest pomiędzy elektrodami (E1, E2) w postaci szczeliny kapilarnej wykonanej pomiędzy kanałami dozującymi ciecz nieobrobioną (S1) i obrobioną (S2).
4. 4. Czujnik według zastrz. 1, znamienny tym, że elektrody (E1, E2) w przekroju ukształtowane są w postaci zbiornika, w którego dnie jest wykonany otwór przykryty dielektryczną membraną (M) stanowiącą wymywalną przestrzeń mieszania, zaś wewnętrzne ścianki elektrod (E1, E2) pokryte są izolatorem dielektrycznym (ID), ponadto nad i pod dielektryczną membraną (M) symetrycznie względem elektrod (E1, E2) umieszczone są dwie płytki dielektryczne dzielące przestrzeń pomiędzy elektrodami (E1, E2) na dwa kanały dozujące ciecz nieobrobioną (S1) i obrobioną (S2).
5. 5. Czujnik według zastrz. 1, znamienny tym, że elektrody (E1, E2) osadzone są w izolatorach dielektrycznych (ID), do których u dołu przylega dielektryczna membrana (M) zamocowana dielektrycznym kołnierzem mocującym (KM), ponadto nad dielektryczną membraną (M) symetrycznie względem elektrod (E1, E2) umieszczona jest płytka dielektryczna (PD) dzieląca przestrzeń pomiędzy elektrodami (E1, E2) na dwa kanały dozujące ciecz nieobrobioną (S1) i obrobioną (S2).
6. 6. Czujnik według zastrz. 1, znamienny tym, że dwie elektrody (E1, E2) ukształtowane są w literę V, pomiędzy którymi w dolnej części osadzona jest dielektryczna membrana (M) nałożona na zaokrągloną u góry płytkę dielektryczną (PD), ponadto nad skośnymi ramionami litery V utworzonymi z elektrod (E1, E2) umieszczone są kanały dozujące ciecz nieobrobioną (S1) i obrobioną (S2) w postaci zakraplaczy.
7. 7. Czujnik według zastrz. 1, znamienny tym, że dwie elektrody (E1, E2) ukształtowane są w literę V, pomiędzy którymi w dolnej części osadzona jest dielektryczna membrana (M) nałożona na zaokrągloną u dołu płytkę dielektryczną (PD), zaś pod dielektryczną membraną (M) jest druga płytka dielektryczna (PD), ponadto nad skośnymi ramionami litery V utworzonymi z elektrod (E1, E2) umieszczone są kanały dozujące ciecz nieobrobioną (S1) i obrobioną (S2) w postaci zakraplaczy.
8. 8. Czujnik według zastrz. 1, znamienny tym, że ma płaskie dwie elektrody (E1, E2) pomiędzy którymi osadzona jest dielektryczna membrana (M), przy czym nad dielektryczną membraną (M) pomiędzy elektrodami (E1, E2) umieszczone są kanały dozujące ciecz nieobrobioną (S1) i obrobioną (S2) oddzielone płytką dielektryczną (PD), natomiast pod dielektryczną membraną (M) pomiędzy elektrodami (E1, E2) umieszczone są kanały odprowadzające ciecz nieobrobioną i obrobioną oddzielone drugą płytką dielektryczną (PD), ponadto pod kanałem odprowadzającym ciecz obrobioną umieszczony jest zbiornik cieczy obrobionej (ZB).
9. 9. Czujnik według zastrz. od 1 do 9, znamienny tym, że dielektryczna membrana (M) wykonana jest z płytki perforowanej.
10. 10. Czujnik według zastrz. od 5 do 8, znamienny tym, że dielektryczna membrana (M) wykonana jest z płytki porowatej.
11. 11. Czujnik według zastrz. 1, znamienny tym, że dwie elektrody (E1, E2) ukształtowane są w literę V osadzone są w obudowie (OB), pomiędzy elektrodami (E1, E2) osadzona jest ukształtowana w odwróconą literę Y dielektryczna membrana (M), przy czym nóżka litery Y umieszczona jest symetrycznie pomiędzy elektrodami (E1, E2), a nad skośnymi ramionami litery V utworzonymi z elektrod (E1, E2) umieszczone są kanały dozujące ciecz nieobrobioną (S1) i obrobioną (S2) w postaci zakraplaczy, ponadto pod ścieżką odprowadzającą ciecz obrobioną pod kanałem dozującym ciecz obrobioną (S2), umieszczony jest zbiornik cieczy obrobionej (ZB).
12. 12. Czujnik według zastrz. 11, znamienny tym, że dielektryczna membrana (M) ukształtowana w odwróconą literę Y wykonana jest z wygiętego arkusza dielektrycznego, w którym po obu stronach, na wysokości połowy dielektrycznej membrany (M) wykonane są nacięcia.