PL247402B1 - Wide-tuning planar bandpass filter microwave cell circuit with increased steepness of edges - Google Patents

Wide-tuning planar bandpass filter microwave cell circuit with increased steepness of edges Download PDF

Info

Publication number
PL247402B1
PL247402B1 PL440488A PL44048822A PL247402B1 PL 247402 B1 PL247402 B1 PL 247402B1 PL 440488 A PL440488 A PL 440488A PL 44048822 A PL44048822 A PL 44048822A PL 247402 B1 PL247402 B1 PL 247402B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
line
diode
capacitive
anode
resistor
Prior art date
Application number
PL440488A
Other languages
Polish (pl)
Other versions
PL440488A1 (en
Inventor
Mirosław Magnuski
Dariusz Wójcik
Maciej Surma
Artur Noga
Original Assignee
Politechnika Slaska Im Wincent
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Slaska Im Wincent filed Critical Politechnika Slaska Im Wincent
Priority to PL440488A priority Critical patent/PL247402B1/en
Publication of PL440488A1 publication Critical patent/PL440488A1/en
Publication of PL247402B1 publication Critical patent/PL247402B1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203Strip line filters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

Układ ogniwa mikrofalowego planarnego filtru pasmowo-przepustowego o szerokim zakresie przestrajania ze zwiększoną stromością zboczy zbudowane z czterech diod pojemnościowych i jedenastu odcinków mikropaskowych linii transmisyjnych o korzystnie dobranych impedancjach charakterystycznych i długościach, wykonanych na podłożu dielektrycznym z metalizowaną warstwą masy, charakteryzuje się tym, że wrota wejściowe (WWE) filtru stanowią pierwszy koniec (KL1-1) pierwszej linii (L1) zagiętej pod kątem prostym w korzystnie wybranym punkcie, drugi koniec (KL1-2) pierwszej linii (L1) dołączony jest do pierwszego końca (KL2-1) drugiej linii (L2) oraz do pierwszego końca (KL3-1) trzeciej linii (L3), natomiast drugi koniec (KL2-2) drugiej linii (L2) dołączony jest do anody pierwszej diody pojemnościowej (D1), katoda pierwszej diody pojemnościowej (D1) połączona jest jednocześnie do katody drugiej diody pojemnościowej (D2) oraz do pierwszego doprowadzenia (KR1-1) pierwszego rezystora (R1), a anoda drugiej diody (D2) dołączona jest do pierwszego końca (KL4-1) czwartej linii (L4), drugi koniec (KL4-2) czwartej linii (L4) dołączony jest jednocześnie do pierwszego końca (KL7-1) siódmej linii (L7) oraz do pierwszego końca (KL10-1) dziesiątej linii (L10) oraz do drugiego końca (KL6-2) szóstej linii (L6), drugi koniec (KL7-2) siódmej linii (L7) dołączony jest za pomocą drugiej przelotki (V2) do masy układu, pierwszy koniec (KL6-1) szóstej linii (L6) dołączony jest jednocześnie do drugiego końca (KL3-2) trzeciej linii (L3) oraz do drugiego końca (KL5-2) piątej linii (L5) oraz do pierwszego końca (KL8-1) ósmej linii (L8), przy czym pierwszy koniec (KL5-1) piątej linii (L5) dołączony jest do masy układu za pomocą pierwszej przelotki (V1), drugi koniec (KL8-2) ósmej linii (L8) dołączony jest do anody trzeciej diody pojemnościowej (D3), katoda trzeciej diody pojemnościowej (D3) dołączona jest jednocześnie do katody czwartej diody pojemnościowej (D4) oraz do pierwszego doprowadzenia (KR2-1) drugiego rezystora (R2), anoda czwartej diody (D4) dołączona jest do pierwszego końca (KL9-1) dziewiątej linii (L9), drugi koniec (KL9-2) dziewiątej linii (L9) dołączony jest jednocześnie do drugiego końca (KL10-2) dziesiątej linii (L10) oraz do pierwszego końca (KL11-1) jedenastej linii (L11), jedenasta linia (L11) jest zagięta pod kątem prostym w korzystnie wybranym punkcie, drugi koniec (KL11-2) jedenastej linii (L11) dołączony jest do wrót wyjściowych (WWY) układu, drugi koniec (KR1-2) pierwszego rezystora (R1) oraz drugi koniec (KR2-2) drugiego rezystora (R2) dołączone są do napięcia sterującego (VD).A microwave cell circuit of a planar band-pass filter with a wide tuning range and increased steepness of edges constructed from four capacitive diodes and eleven sections of microstrip transmission lines with advantageously selected characteristic impedances and lengths, made on a dielectric substrate with a metallized mass layer, characterized in that the input gate (WWE) of the filter constitutes the first end (KL1-1) of the first line (L1) bent at a right angle at a advantageously selected point, the second end (KL1-2) of the first line (L1) is connected to the first end (KL2-1) of the second line (L2) and to the first end (KL3-1) of the third line (L3), while the second end (KL2-2) of the second line (L2) is connected to the anode of the first capacitive diode (D1), the cathode of the first capacitive diode (D1) is connected simultaneously to the cathode of the second capacitive diode (D2) and to the first lead (KR1-1) of the first a resistor (R1), and the anode of the second diode (D2) is connected to the first end (KL4-1) of the fourth line (L4), the second end (KL4-2) of the fourth line (L4) is connected simultaneously to the first end (KL7-1) of the seventh line (L7) and to the first end (KL10-1) of the tenth line (L10) and to the second end (KL6-2) of the sixth line (L6), the second end (KL7-2) of the seventh line (L7) is connected by means of the second via (V2) to the mass of the system, the first end (KL6-1) of the sixth line (L6) is connected simultaneously to the second end (KL3-2) of the third line (L3) and to the second end (KL5-2) of the fifth line (L5) and to the first end (KL8-1) of the eighth line (L8), wherein the first end (KL5-1) of the fifth line (L5) is connected to the mass of the system by means of the first via (V1), the second end (KL8-2) of the eighth line (L8) is connected to the anode of the third capacitive diode (D3), the cathode of the third capacitive diode (D3) is connected simultaneously to the cathode of the fourth capacitive diode (D4) and to the first lead (KR2-1) of the second resistor (R2), the anode of the fourth diode (D4) is connected to the first end (KL9-1) of the ninth line (L9), the second end (KL9-2) of the ninth line (L9) is connected simultaneously to the second end (KL10-2) of the tenth line (L10) and to the first end (KL11-1) of the eleventh line (L11), the eleventh line (L11) is bent at a right angle at a favorably selected point, the second end (KL11-2) of the eleventh line (L11) is connected to the output gate (WWY) of the circuit, the second end (KR1-2) of the first resistor (R1) and the second end (KR2-2) of the second resistor (R2) are connected to the control voltage (VD).

Description

Opis wynalazkuDescription of the invention

Przedmiotem wynalazku jest układ ogniwa mikrofalowego planarnego filtra pasmowoprzepustowego o szerokim zakresie przestrajania ze zwiększoną stromością zboczy.The subject of the invention is a microwave cell system of a planar band-pass filter with a wide tuning range and increased steepness of the edges.

Znane sposoby, realizacji planarnych przestrajanych elektrycznie filtrów pasmowoprzepustowych na zakresy mikrofalowe opierają się na zastosowaniu do ich przestrajania diod pojemnościowych lub kondensatów MEMS jako zmiennych reaktancji. Filtry te zbudowane są z przestrajanych za pomocą zmiennych reaktancji rezonatorów sprzężonych wzajemnie. W praktyce wykorzystywane jest sprzężenie galwanicznie lub sprzężenie poprzez pole elektromagnetyczne. Rezonatory filtrów wykonane są z linii mikropaskowych, paskowych lub koplanarnych, których długość elektryczna zmienia się podczas przestrajania.Known methods of implementing planar electrically tunable bandpass filters for microwave ranges are based on the use of capacitive diodes or MEMS condensates as variable reactances for their tuning. These filters are built from resonators tunable by means of variable reactances, mutually coupled. In practice, galvanic coupling or coupling through an electromagnetic field is used. Filter resonators are made of microstrip, strip or coplanar lines, the electrical length of which changes during tuning.

Istotną właściwością filtrów pasmowoprzepustowych obok tłumienia w paśmie przepuszczania i tłumienia w paśmie zaporowym jest stromość zboczy ich charakterystyk w pasmach przejściowych. Poprawę stromości zboczy filtru pasmowoprzepustowego uzyskuje się poprzez wprowadzenie do charakterystyki filtru dodatkowych biegunów tłumienia. Dodatkowe bieguny tłumienia można uzyskać przez dodanie do struktury filtru zwartych na końcu lub rozwartych odcinków linii transmisyjnych, łączne dodanie sekcji górno i dolnoprzepustowych, łączne dodanie sekcji pasmowoprzepustowych i pasmowozaporowych, oraz przez zastosowanie wielokrotnych sprzężeń pomiędzy jego rezonatorami.An important property of bandpass filters, apart from passband attenuation and stopband attenuation, is the steepness of their characteristics in transition bands. The steepness of the bandpass filter slopes is improved by introducing additional attenuation poles into the filter characteristics. Additional attenuation poles can be obtained by adding shorted or open transmission line sections to the filter structure, jointly adding high-pass and low-pass sections, jointly adding bandpass and bandstop sections, and by using multiple couplings between its resonators.

Zagadnieniem technicznym wymagającym rozwiązania jest opracowanie nowego układu ogniwa mikrofalowego planarnego filtru pasmowoprzepustowego o szerokim zakresie przestrajania ze zwiększoną stromością zboczy w paśmie przejściowym charakterystyki przenoszenia.The technical issue that requires a solution is the development of a new planar band-pass filter microwave cell circuit with a wide tuning range and increased steepness of the slopes in the transition band of the transfer characteristic.

Cel, ten osiągnięto dzięki strukturze filtru z potrójnym indukcyjnym sprzężeniem pomiędzy rezonatorami pozwalającej na uzyskanie dwóch biegunów tłumienia położonych poniżej dolnej częstotliwości granicznej i powyżej górnej częstotliwości granicznej filtru co poprawia stromość charakterystyk w pasmach przejściowych.This goal was achieved thanks to the filter structure with triple inductive coupling between the resonators, which allows to obtain two damping poles located below the lower cut-off frequency and above the upper cut-off frequency of the filter, which improves the steepness of the characteristics in the transition bands.

Układ ogniwa mikrofalowego planarnego filtru, pasmowoprzepustowego o szerokim zakresie przestrajania ze zwiększoną stromością zboczy zbudowane z czterech diod pojemnościowych i jedenastu odcinków mikropaskowych linii transmisyjnych o korzystnie dobranych impedancjach charakterystycznych i długościach, wykonanych na podłożu dielektrycznym z metalizowaną warstwą masy, charakteryzuje się tym, że wrota wejściowe filtru stanowią pierwszy koniec pierwszej linii zagiętej pod kątem prostym, w korzystnie wybranym punkcie, drugi koniec pierwszej linii dołączony jest do pierwszego końca drugiej linii oraz do pierwszego końca trzeciej linii, natomiast drugi koniec drugiej linii dołączony jest do anody pierwszej diody pojemnościowej, katoda pierwszej diody pojemnościowej połączona jest jednocześnie do katody drugiej diody pojemnościowej oraz do pierwszego doprowadzenia pierwszego rezystora, a anoda drogiej diody dołączona jest do pierwszego końca czwartej linii, drugi koniec czwartej linii dołączony jest jednocześnie do pierwszego końca siódmej linii oraz do pierwszego końca dziesiątej linii oraz do drugiego końca szóstej linii, drugi koniec siódmej linii dołączony jest za pomocą drugiej przelotki do masy układu, pierwszy koniec szóstej linii dołączony jest jednocześnie do drugiego końca trzeciej linii oraz do drugiego końca piątej linii oraz do pierwszego końca ósmej linii, przy czym pierwszy koniec piątej linii dołączony jest do masy układu za pomocą pierwszej przelotki, drugi koniec ósmej linii dołączony jest do anody trzeciej diody pojemnościowej, katoda trzeciej diody pojemnościowej dołączona jest jednocześnie do katody czwartej diody pojemnościowej oraz do pierwszego doprowadzenia drugiego rezystora, anoda czwartej diody dołączona jest do pierwszego końca dziewiątej linii, drugi koniec dziewiątej linii dołączony jest jednocześnie do drugiego końca dziesiątej linii oraz do pierwszego końca jedenastej linii, jedenasta linia jest zagięta pod kątem prostym w korzystnie wybranym punkcie, drugi koniec jedenastej linii dołączony jest do wrót wyjściowych układu, drugi koniec pierwszego rezystora oraz drugi koniec drugiego rezystora dołączone są do napięcia sterującego.A planar microwave cell circuit of a bandpass filter with a wide tuning range and increased steepness of edges constructed of four capacitive diodes and eleven sections of microstrip transmission lines with advantageously selected characteristic impedances and lengths, made on a dielectric substrate with a metallized ground layer, characterized in that the filter input gates constitute the first end of the first line bent at a right angle, at a advantageously selected point, the second end of the first line is connected to the first end of the second line and to the first end of the third line, while the second end of the second line is connected to the anode of the first capacitive diode, the cathode of the first capacitive diode is connected simultaneously to the cathode of the second capacitive diode and to the first lead of the first resistor, and the anode of the expensive diode is connected to the first end of the fourth line, the second end of the fourth line is connected simultaneously to the first end of the seventh line and to the first end of the tenth line and to the second end of the sixth line, the second end of the seventh line is connected by means of a second via to the ground of the system, the first end of the sixth line is connected simultaneously to the second end of the third line and to the second end of the fifth line and to the first end of the eighth line, wherein the first end of the fifth line is connected to the mass of the system by means of the first via, the second end of the eighth line is connected to the anode of the third capacitive diode, the cathode of the third capacitive diode is connected simultaneously to the cathode of the fourth capacitive diode and to the first lead of the second resistor, the anode of the fourth diode is connected to the first end of the ninth line, the second end of the ninth line is connected simultaneously to the second end of the tenth line and to the first end of the eleventh line, the eleventh line is bent at a right angle at a preferably selected point, the second end of the eleventh line is connected to the output gate of the system, the second end of the first resistor and the second end of the second resistor are connected to the control voltage.

Zaletą rozwiązania według wynalazku jest możliwość otrzymania ogniwa filtru o dużym zakresie przestrajania posiadającego dwa bieguny tłumienia występujące w górnym i dolnym paśmie przejściowym, których występowanie powoduje poprawę stromości zboczy charakterystyki filtru. Częstotliwości biegunów tłumienia są przestrajane współbieżnie z częstotliwością środkową filtru, a stosunek częstotliwości biegunów tłumienia do częstotliwości środkowej filtru jest stały w całym zakresie przestrajania.The advantage of the solution according to the invention is the possibility of obtaining a filter cell with a large tuning range having two damping poles occurring in the upper and lower transition bands, the occurrence of which improves the steepness of the filter characteristic slopes. The damping pole frequencies are tuned concurrently with the filter center frequency, and the ratio of the damping pole frequencies to the filter center frequency is constant over the entire tuning range.

Uzyskanie dodatkowych biegunów tłumienia występujących w charakterystyce filtru osiągnięto dzięki zastosowaniu potrójnego sprzężenia indukcyjnego pomiędzy tworzącymi go rezonatorami.Obtaining additional damping poles in the filter characteristic is achieved by using triple inductive coupling between the resonators constituting it.

Zastosowanie w układzie połączenie szeregowe diod pojemnościowych i linii transmisyjnych, dzięki wchłonięciu indukcyjności własnych diod, pozwala na konstrukcję filtrów pracujących w zakresie częstotliwości zbliżonym do częstotliwości rezonansu własnego diod i ułatwia uzyskanie dużego zakresu przestrajania.The use of a series connection of capacitive diodes and transmission lines in the circuit, thanks to the absorption of the diodes' own inductance, allows the construction of filters operating in the frequency range close to the diodes' self-resonance frequency and facilitates obtaining a wide tuning range.

Przedmiot wynalazku objaśniono w przykładzie wykonania na rysunku, który przedstawia schemat układu ogniwa mikrofalowego planarnego filtru pasmowoprzepustowego o szerokim zakresie przestrajania ze zwiększoną stromością zboczy.The subject of the invention is explained in an example embodiment in the drawing, which shows a diagram of a microwave cell circuit of a planar band-pass filter with a wide tuning range and increased steepness of the edges.

Układ jest pasmowoprzepustowym filtrem dwuobwodowym zrealizowanym na podłożu dielektrycznym w technice mikropaskowej. Sygnał doprowadzony jest z wrót wejściowych (WWE), które stanowi pierwszy koniec (KL1-1) linii (L1). Linia (L1) pełni rolę transformatora podnoszącego impedancję obciążenia pierwszego rezonatora filtru. Pierwszy rezonator filtru stanowią kaskadowo połączone linie (L2), (L3), (L4), dwie diody pojemnościowe (D1), (D2) oraz układ typu P1 zbudowany z linii (L5), (L6), (L7) wraz z przelotkami (V1) i (V2). Linia (L3) o korzystnie dobranej długości wraz z linią (L1) pozwalają na optymalne dopasowanie impedancji źródła sygnału dołączonego do wrót wejściowych (WWE). Linie (L5), (L6), (L7) tworzące obwód typu P1 wraz z przelotkami (V1), (V2) są elementami obwodu sprzężenia obu rezonatorów filtru. Takie rozwiązanie obwodu sprzęgającego pozwala na uzyskanie w charakterystyce częstotliwościowej filtru dwóch biegunów tłumienia występujących w jej górnym i dolnym paśmie przejściowym. Sygnał z pierwszego rezonatora (R1) doprowadzony jest poprzez wymieniony obwód sprzęgający do drugiego rezonatora (R2). Drugi rezonator filtru utworzony jest z kaskadowo połączonych linii (L8), (L9), (L10), dwóch szeregowo połączonych diod pojemnościowych (D3), (D4) oraz układu sprzęgającego typu P1 zbudowanego z linii (L5), (L6), (L7) wraz z przelotkami (V1) i (V2). Sygnał z drogiego rezonatora (R2) doprowadzony jest za pomocą linii transmisyjnej (L11) o korzystnie dobranej długości do wrót wyjściowych (WWY) filtru. Linia (L11) jest transformatorem impedancji podnoszącym impedancję obciążenia drugiego rezonatora i wraz z linią (L10) pozwala na optymalne dopasowanie impedancji obciążenia dołączonego do wrót (WWY). Linie (L1) i (L11) są wygięte pod kątem prostym w korzystnie dobranych punktach w celu zmniejszenia powierzchni zajmowanej przez układ filtru. Filtr przestrajany, jest napięciem (VD) doprowadzonym do połączonych ze sobą katod obu par diod pojemnościowych przez rezystory (R1) i (R2). Wrota wejściowe (WWE) filtru stanowią pierwszy koniec (KL1 -1) pierwszej linii (L1) zagiętej pod kątem prostym w korzystnie wybranym punkcie. Drugi koniec (KL1 - 2) pierwszej linii (L1) dołączony jest do pierwszego końca (KL2-1) drugiej linii (L2) oraz do pierwszego końca (KL3-1) trzeciej linii (L3), natomiast drugi koniec (KL2-2) drugiej linii, (L2) dołączony jest do anody pierwszej diody pojemnościowej (D1). Katoda pierwszej diody pojemnościowej (D1) połączona jest jednocześnie do katody drugiej diody pojemnościowej (D2) oraz do pierwszego doprowadzenia (KR1-1) pierwszego rezystora (R1), a anoda drugiej diody (D2) dołączona jest do pierwszego końca (KL4-1) czwartej linii (L4). Drugi koniec (KL4-2) czwartej linii (L4) dołączony jest jednocześnie do pierwszego końca (KL7-1) siódmej linii (L7) oraz do pierwszego końca (KL10-1) dziesiątej linii (L10) oraz do drugiego końca (KL6-2) szóstej linii (L6). Dragi koniec (KL7-2) siódmej linii (L7) dołączony jest za pomocą drugiej przelotki (V2) do masy układu. Pierwszy koniec (KL6-1) szóstej linii (L3) dołączony jest jednocześnie do drugiego końca (KL3-2) trzeciej linii (L3) oraz do drugiego końca (KL5-2) piątej linii (L5) oraz do pierwszego końca (KL8-1) ósmej linii (L8), przy czym pierwszy koniec (KL5-1) piątej linii (L5) dołączony jest do masy układu za pomocą pierwszej przelotki (V1). Drugi koniec (KL8-2) ósmej linii (L8) dołączony jest do anody trzeciej diody pojemnościowej (D3), katoda trzeciej diody pojemnościowej (D3) dołączona jest jednocześnie do katody czwartej diody pojemnościowej (D4) oraz do pierwszego doprowadzenia (KR2-1) drugiego rezystora (R2). Anoda czwartej diody (D4) dołączona jest do pierwszego końca (KL9-1) dziewiątej linii (L9), a drugi koniec (KL9-2) dziewiątej linii (L9) dołączony jest jednocześnie do drugiego końca (KL10-2) dziesiątej linii (L10) oraz do pierwszego końca (KL11-1) jedenastej linii (L11). Jedenasta linia (L11) jest zagięta pod kątem prostym w korzystnie wybranym punkcie, natomiast drugi koniec (KL11-2) jedenastej linii (L11) dołączony jest do wrót wyjściowych (WWY) układu. Drugi koniec (KR1-2) pierwszego rezystora (R1) oraz drugi koniec (KR2-2) drugiego rezystora (R2) dołączone są do napięcia sterującego (VD).The circuit is a bandpass two-circuit filter implemented on a dielectric substrate using microstrip technology. The signal is supplied from the input gate (WWE), which is the first end (KL1-1) of the line (L1). The line (L1) acts as a transformer raising the load impedance of the first filter resonator. The first filter resonator consists of cascade-connected lines (L2), (L3), (L4), two capacitive diodes (D1), (D2) and a P1-type circuit consisting of lines (L5), (L6), (L7) with vias (V1) and (V2). The line (L3) of an advantageously selected length together with the line (L1) allow for optimal matching of the impedance of the signal source connected to the input gate (WWE). The lines (L5), (L6), (L7) forming the P1-type circuit together with vias (V1), (V2) are elements of the coupling circuit of both filter resonators. This solution of the coupling circuit allows to obtain in the frequency characteristic of the filter two attenuation poles occurring in its upper and lower transition band. The signal from the first resonator (R1) is fed through the mentioned coupling circuit to the second resonator (R2). The second filter resonator is made of cascade-connected lines (L8), (L9), (L10), two series-connected capacitive diodes (D3), (D4) and a P1-type coupling circuit made of lines (L5), (L6), (L7) together with vias (V1) and (V2). The signal from the expensive resonator (R2) is fed by means of a transmission line (L11) of an advantageously selected length to the output gate (WWY) of the filter. Line (L11) is an impedance transformer that increases the load impedance of the second resonator and together with line (L10) allows for optimal matching of the load impedance connected to the gate (WWY). The lines (L1) and (L11) are bent at right angles at advantageously selected points in order to reduce the area occupied by the filter circuit. The tunable filter is a voltage (VD) supplied to the interconnected cathodes of both pairs of capacitive diodes through resistors (R1) and (R2). The input gate (WWE) of the filter is the first end (KL1 -1) of the first line (L1) bent at right angles at a advantageously selected point. The second end (KL1 - 2) of the first line (L1) is connected to the first end (KL2-1) of the second line (L2) and to the first end (KL3-1) of the third line (L3), while the second end (KL2-2) of the second line (L2) is connected to the anode of the first capacitive diode (D1). The cathode of the first capacitive diode (D1) is connected simultaneously to the cathode of the second capacitive diode (D2) and to the first lead (KR1-1) of the first resistor (R1), and the anode of the second diode (D2) is connected to the first end (KL4-1) of the fourth line (L4). The other end (KL4-2) of the fourth line (L4) is connected simultaneously to the first end (KL7-1) of the seventh line (L7) and to the first end (KL10-1) of the tenth line (L10) and to the second end (KL6-2) of the sixth line (L6). The other end (KL7-2) of the seventh line (L7) is connected by means of the second via (V2) to the mass of the system. The first end (KL6-1) of the sixth line (L3) is connected simultaneously to the second end (KL3-2) of the third line (L3) and to the second end (KL5-2) of the fifth line (L5) and to the first end (KL8-1) of the eighth line (L8), the first end (KL5-1) of the fifth line (L5) being connected to the ground of the system by means of the first via (V1). The second end (KL8-2) of the eighth line (L8) is connected to the anode of the third capacitive diode (D3), the cathode of the third capacitive diode (D3) is connected simultaneously to the cathode of the fourth capacitive diode (D4) and to the first lead (KR2-1) of the second resistor (R2). The anode of the fourth diode (D4) is connected to the first end (KL9-1) of the ninth line (L9), and the second end (KL9-2) of the ninth line (L9) is connected simultaneously to the second end (KL10-2) of the tenth line (L10) and to the first end (KL11-1) of the eleventh line (L11). The eleventh line (L11) is bent at a right angle at a favorably selected point, while the second end (KL11-2) of the eleventh line (L11) is connected to the output gate (WWY) of the circuit. The second end (KR1-2) of the first resistor (R1) and the second end (KR2-2) of the second resistor (R2) are connected to the control voltage (VD).

Claims (1)

Zastrzeżenie patentowePatent Claim 1. Układ ogniwa mikrofalowego planarnego filtru pasmowoprzepustowego o szerokim zakresie przestrajania ze zwiększoną stromością zboczy zbudowane z czterech diod pojemnościowych i jedenastu odcinków mikropaskowych linii transmisyjnych o korzystnie dobranych impedan cjach charakterystycznych i długościach, wykonanych na podłożu dielektrycznym z metalizowaną warstwą masy, znamienny tym, że wrota wejściowe (WWE) filtru stanowią pierwszy koniec (KL1-1) pierwszej linii (L1) zagiętej pod kątem prostym w korzystnie wybranym punkcie, drugi koniec (KL1-2) pierwszej linii (L1) dołączony jest do pierwszego końca (KL2-1) drugiej linii (L2) oraz do pierwszego końca (KL3-1) trzeciej linii (L3), natomiast drugi koniec (KL2-2) drugiej linii (L2) dołączony jest do anody pierwszej diody pojemnościowej (D1), katoda pierwszej diody pojemnościowej (D1) połączona jest jednocześnie do katody drugiej diody pojemnościowej (D2) oraz do pierwszego doprowadzenia (KR1-1) pierwszego rezystora (R1), a anoda drogiej diody (D2) dołączona jest do pierwszego końca (KL4-1) czwartej linii (L4), drugi koniec (KL4-2) czwartej linii (L4) dołączony jest jednocześnie do pierwszego końca (KL71) siódmej linii (L7) oraz do pierwszego końca (KL10-1) dziesiątej linii (L10) oraz do drugiego końca (KL6-2) szóstej linii (L6), drugi koniec (KL7-2) siódmej linii (L7) dołączony jest za pomocą drugiej przelotki (V2) do masy układu, pierwszy koniec (KL6-1) szóstej linii (L6) dołączony jest jednocześnie do drugiego końca (KL3-2) trzeciej linii (L3) oraz do drugiego końca (KL5-2) piątej linii (L5) oraz do pierwszego końca (KL8-1) ósmej linii (L8), przy czym pierwszy koniec (KL5-1) piątej linii (L5) dołączony jest do masy układu za pomocą pierwszej przelotki (V1), drugi koniec (KL8-2) ósmej linii (L8) dołączony jest do anody trzeciej diody pojemnościowej (D3), katoda trzeciej diody pojemnościowej (D3) dołączona jest jednocześnie do katody czwartej diody pojemnościowej (D4) oraz do pierwszego doprowadzenia (KR2-1) drugiego rezystora (R2), anoda czwartej diody (D4) dołączona jest do pierwszego końca (KL9-1) dziewiątej linii (L9), drugi koniec (KL9-2) dziewiątej linii (L9) dołączony jest jednocześnie do drugiego końca (KL10-2) dziesiątej linii (L10) oraz do pierwszego końca (KL11-1) jedenastej linii (L11), jedenasta linia (L11) jest zagięta pod kątem prostym w korzystnie wybranym punkcie, drugi koniec (KL11-2) jedenastej linii (L11) dołączony jest do wrót wyjściowych (WWY) układu, drugi koniec (KR1-2) pierwszego rezystora (R1) oraz drugi koniec (KR2-2) drugiego rezystora (R2) dołączone są do napięcia sterującego (VD).1. A microwave cell circuit of a planar bandpass filter with a wide tuning range and increased steepness of edges, constructed of four capacitive diodes and eleven sections of microstrip transmission lines with advantageously selected characteristic impedances and lengths, made on a dielectric substrate with a metallized mass layer, characterized in that the input gate (WWE) of the filter is the first end (KL1-1) of the first line (L1) bent at a right angle at a advantageously selected point, the second end (KL1-2) of the first line (L1) is connected to the first end (KL2-1) of the second line (L2) and to the first end (KL3-1) of the third line (L3), while the second end (KL2-2) of the second line (L2) is connected to the anode of the first capacitive diode (D1), the cathode of the first capacitive diode (D1) is connected simultaneously to the cathode of the second capacitive diode (D2) and to the first lead (KR1-1) of the first resistor (R1), and the anode of the expensive diode (D2) is connected to the first end (KL4-1) of the fourth line (L4), the second end (KL4-2) of the fourth line (L4) is connected simultaneously to the first end (KL71) of the seventh line (L7) and to the first end (KL10-1) of the tenth line (L10) and to the second end (KL6-2) of the sixth line (L6), the second end (KL7-2) of the seventh line (L7) is connected by means of the second via (V2) to the mass of the system, the first end (KL6-1) of the sixth line (L6) is connected simultaneously to the second end (KL3-2) of the third line (L3) and to the second end (KL5-2) of the fifth line (L5) and to the first end (KL8-1) of the eighth line (L8), wherein the first end (KL5-1) of the fifth line (L5) is connected to the mass of the system by means of the first via (V2) vias (V1), the second end (KL8-2) of the eighth line (L8) is connected to the anode of the third capacitive diode (D3), the cathode of the third capacitive diode (D3) is connected simultaneously to the cathode of the fourth capacitive diode (D4) and to the first lead (KR2-1) of the second resistor (R2), the anode of the fourth diode (D4) is connected to the first end (KL9-1) of the ninth line (L9), the second end (KL9-2) of the ninth line (L9) is connected simultaneously to the second end (KL10-2) of the tenth line (L10) and to the first end (KL11-1) of the eleventh line (L11), the eleventh line (L11) is bent at a right angle at a favorably selected point, the second end (KL11-2) of the eleventh line (L11) is connected to the output gate (WWY) of the circuit, the second end (KR1-2) of the first resistor (R1) and the other end (KR2-2) of the second resistor (R2) are connected to the control voltage (VD).
PL440488A 2022-02-25 2022-02-25 Wide-tuning planar bandpass filter microwave cell circuit with increased steepness of edges PL247402B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL440488A PL247402B1 (en) 2022-02-25 2022-02-25 Wide-tuning planar bandpass filter microwave cell circuit with increased steepness of edges

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL440488A PL247402B1 (en) 2022-02-25 2022-02-25 Wide-tuning planar bandpass filter microwave cell circuit with increased steepness of edges

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL440488A1 PL440488A1 (en) 2023-08-28
PL247402B1 true PL247402B1 (en) 2025-06-23

Family

ID=87846835

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL440488A PL247402B1 (en) 2022-02-25 2022-02-25 Wide-tuning planar bandpass filter microwave cell circuit with increased steepness of edges

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL247402B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
PL440488A1 (en) 2023-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105789787B (en) Broadband balance band-pass filter with reconfigurable frequency and bandwidth
US8305164B1 (en) Frequency-agile frequency-selective variable attenuator
CN102324599A (en) Balanced type radio frequency voltage tunable bandpass filter with constant absolute bandwidth
DE102007024895A1 (en) Multiband filter
CN108493566B (en) Wide-stopband reconfigurable filtering type power divider based on SIR and DGS structures
KR100883529B1 (en) Power Dividers and Power Synthesizers Using Dual-Band-CRHH Transmission Lines
CN205621827U (en) A Broadband Balanced Bandpass Filter with Reconfigurable Frequency and Bandwidth
CN110444844A (en) A single-channel and multi-channel reconfigurable filter circuit
CN102881981A (en) Lumped element power divider integrated with band-pass filtering function
CN115425381A (en) Wilkinson power divider with reconfigurable working mode
CN202363564U (en) Double-frequency band elimination filter
KR100198944B1 (en) Duplexer
CN113904082A (en) Dual microstrip line coupler, power amplifier and related device and chip
KR20100022873A (en) Balun-band pass filter using two ring resonators
KR100973006B1 (en) Balloon
CN107689785B (en) a switch filter
WO2016177086A1 (en) Filter, filtering method and storage medium
US6064281A (en) Semi-lumped bandpass filter
Wang et al. Miniaturized substrate integrated waveguide filters with stepped-impedance slot resonators for millimeter-wave application
CN202259613U (en) Balanced type RF electrically tunable band-pass filter with constant relative bandwidth
CN218849765U (en) A High-Q Tunable Superconducting Bandpass Filter with Improved Return Loss
Altaf et al. Design, Optimization and Realization of Two Compact C-band Microstrip BPF Structures
CN103390783B (en) A kind of microwave distributed switchable band pass filter
RU2372695C1 (en) Bandpass all-pass retunable shf filter
PL248616B1 (en) A three-circuit tunable planar microwave bandpass filter with increased steepness