PL241410B1 - Method for producing powder kesterite of Cu₂SnZnS₄ type - Google Patents
Method for producing powder kesterite of Cu₂SnZnS₄ type Download PDFInfo
- Publication number
- PL241410B1 PL241410B1 PL428878A PL42887819A PL241410B1 PL 241410 B1 PL241410 B1 PL 241410B1 PL 428878 A PL428878 A PL 428878A PL 42887819 A PL42887819 A PL 42887819A PL 241410 B1 PL241410 B1 PL 241410B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- kesterite
- hours
- cu2snzns4
- liquid
- amount
- Prior art date
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
Przedmiotem zgłoszenia jest sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4, który polega na tym, że odważa się proszki metali Cu, Sn i Zn w proporcji molowej Cu:Sn:Zn = 2:1:1 i miesza w wysokoenergetycznym młynie kulowym z dodatkiem cieczy dyspergującej w postaci wysokowrzących ciekłych węglowodorów alifatycznych lub aromatycznych wybranych z grupy obejmującej heksan, toluen i ksylen przez okres od 30 minut do 100 godzin, przy prędkości obrotowej młyna od 200 do 1100 obr/min, po czym do mieszaniny dodaje się siarkę elementarną w ilości od stechiometrycznej do 100% nadmiaru w stosunku do ilości teoretycznej siarki występującej w kesterycie typu Cu2SnZnS4 i dalej mieli przez okres od 30 minut do 100 godzin przy prędkości obrotowej młyna kulowego od 200 do 1100 obr/min, następnie odparowuje się ciecz dyspergującą, a uzyskaną mieszaninę ogrzewa się w atmosferze gazu obojętnego w temperaturze od 400 do 700°C przez okres od 0,5 do 36 godzin, uzyskując proszkowy czysty kesteryt o średniej wielkości krystalitów w zakresie od 10 do 200 nm.The subject of the application is a method for the production of Cu2SnZnS4 type kesterite powder, which consists in weighing the powders of metals Cu, Sn and Zn in the molar ratio of Cu: Sn: Zn = 2: 1: 1 and mixed in a high-energy ball mill with the addition of a dispersing liquid in forms of high-boiling liquid aliphatic or aromatic hydrocarbons selected from the group consisting of hexane, toluene and xylene for a period of 30 minutes to 100 hours, at the rotational speed of the mill from 200 to 1100 rpm, then elemental sulfur in an amount ranging from stoichiometric to 100% excess in relation to the theoretical amount of sulfur present in the Cu2SnZnS4 type kesterite and further ground for a period from 30 minutes to 100 hours at the rotational speed of the ball mill from 200 to 1100 rpm, then the dispersing liquid is evaporated, and the obtained mixture is heated in atmosphere of inert gas at a temperature of 400 to 700 ° C for 0.5 to 36 hours, obtaining pure kesterite powder with a mean lower crystallite sizes ranging from 10 to 200 nm.
Description
Opis wynalazkuDescription of the invention
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych.The subject of the invention is a method of producing Cu2SnZnS4 powder kesterite intended for the production of active layers in thin-film photovoltaic cells.
Znane i najczęściej produkowane obecnie cienkowarstwowe ogniwa fotowoltaiczne, są zwykle oparte na chalkogenkach takich jak mieszanina miedzi, indu, galu i selenu (fotoogniwa CIGS), czy też zbudowane w oparciu o tellurek kadmu (fotoogniwa CdTe). Niedogodnością fotoogniw CIGS jest obecność drogich i deficytowych pierwiastków: indu i telluru, natomiast fotoogniwa CdTe ze względu na zawartość toksycznego kadmu muszą podlegać specjalnemu procesowi utylizacji, co powoduje, że są poszukiwane inne rozwiązania materiałowe.The currently known and most commonly produced thin-film photovoltaic cells are usually based on chalcogenides such as a mixture of copper, indium, gallium and selenium (CIGS photovoltaic cells), or built on the basis of cadmium telluride (CdTe photovoltaic cells). The disadvantage of CIGS photovoltaics is the presence of expensive and scarce elements: indium and tellurium, while CdTe photovoltaics, due to the content of toxic cadmium, must undergo a special disposal process, which means that other material solutions are sought.
Jak opisano w publikacji J. Paier i in. pt.: „Cu2ZnSnS4 as a potential photovoltaic material: A hybrid Hartree-Fock density functional theory study”, Phys. Rev. B 79 (2009) 115126 prowadzone są badania nad zastąpieniem fotoogniw CIGS, ogniwami zawierającymi jako warstwę czynną kesteryty tj. materiały o właściwościach półprzewodnikowych składające się głównie z miedzi, cynku, cyny oraz siarki i/lub selenu. Kesteryty charakteryzuje się strukturą krystaliczną bardzo zbliżoną do CIGS, dużym współczynnikiem absorpcji promieniowania w szerokim zakresie światła widzialnego (W^cm-1) i szerokością przerwy energetycznej odpowiednią do zastosowań fotowoltaicznych (Eg = 1,4-1,5 eV), a ponadto dobrą sprawnością konwersji energii promieniowania na energię elektryczną, stosunkowo prostym sposobem wytwarzania i, co ważne, szeroką dostępnością oraz nietoksycznością pierwiastkowych substratów (Cu, Zn, Sn, S, Se).As described in J. Paier et al. entitled: "Cu2ZnSnS4 as a potential photovoltaic material: A hybrid Hartree-Fock density functional theory study", Phys. Rev. B 79 (2009) 115126, research is being carried out on replacing CIGS photocells with cells containing kesterites as the active layer, i.e. materials with semiconductor properties consisting mainly of copper, zinc, tin and sulfur and/or selenium. Kesterites are characterized by a crystal structure very similar to CIGS, a high radiation absorption coefficient in a wide range of visible light (W^cm -1 ) and an energy gap width suitable for photovoltaic applications (Eg = 1.4-1.5 eV), and also a good efficiency of conversion of radiation energy into electricity, a relatively simple method of production and, importantly, wide availability and non-toxicity of elemental substrates (Cu, Zn, Sn, S, Se).
Znany jest ze zgłoszenia patentowego US8440497 B2 sposób wytwarzania kesterytowych ogniw fotowoltaicznych metodą termicznego naparowywania na podłoże. W pierwszym etapie procesu, w warunkach wysokiej próżni, na podłożu molibdenowym osadzana jest warstwa metali Cu, Sn, Zn metodą naparowania. Dobór czasu naparowania poszczególnych metali pozwala uzyskać warstwę o składzie stechiometrycznym, występującym w kesterycie. W kolejnym etapie w temperaturze ponad 300°C, nad warstwą metali przepuszcza się pary siarki i/lub selenu (alternatywnie H2S lub H2Se), tworzące z warstwą metaliczną strukturę kesterytową o grubości 650-3000 nm. Ostatnim etapem procesu jest wygrzewanie warstwy kesterytowej w atmosferze gazu obojętnego w temperaturach 300-600°C w ciągu 5-30 minut.Known from the patent application US8440497 B2 is a method of manufacturing kesterite photovoltaic cells by thermal vapor deposition on the substrate. In the first stage of the process, under high vacuum conditions, a layer of metals Cu, Sn, Zn is deposited on a molybdenum substrate by vapor deposition. The selection of the vapor deposition time of individual metals allows to obtain a layer with a stoichiometric composition present in kesterite. In the next stage, at a temperature of over 300°C, sulfur and/or selenium vapors (alternatively H2S or H2Se) are passed over the metal layer, forming a kesterite structure with the metallic layer, 650-3000 nm thick. The last stage of the process is heating the kesterite layer in an inert gas atmosphere at temperatures of 300-600°C for 5-30 minutes.
W opisie patentowym US8366975 B2 przedstawiono metodę otrzymywania kompozycji kesterytowych z wykorzystaniem szeregu organicznych kompleksów metali. Kompleksy te tworzą zawiesinę w wysokowrzących rozpuszczalnikach w rodzaju amin i/lub rozpuszczalników heteroaromatycznych. Zawiesiną są pokrywane różne podłoża np. metaliczne, szkło, tworzywa sztuczne, po czym następuje odparowanie rozpuszczalnika i wygrzewanie powstałej warstwy w temperaturach zależnych od rodzaju podłoża i układu prekursorowego, w zakresie 80-350°C.US8366975 B2 describes a method for obtaining kesterite compositions using a series of organic metal complexes. These complexes are suspended in high-boiling solvents such as amines and/or heteroaromatic solvents. Various substrates, e.g. metallic, glass, plastics, are covered with the suspension, followed by evaporation of the solvent and heating of the resulting layer at temperatures depending on the type of substrate and precursor system, in the range of 80-350°C.
W opisie patentowym CN102500293 B ujawniono syntezę proszkowego kesterytu z użyciem jako substratów chlorków metali oraz pierwiastkowej siarki. Odpowiednio dobrane proporcje molowe prekursorów metali i siarki rozpuszczano w trietylenotetraminie, otrzymując po kilkuminutowym mieszaniu czerwony roztwór, który poddawano ogrzewaniu w łaźni olejowej w temperaturze 120-240°C przez czas 0,5-12 godzin. Po ochłodzeniu mieszaniny, odfiltrowaniu otrzymanego produktu i przemyciu go etanolem, wodą destylowaną i wysuszeniu, otrzymano mikrokrystaliczny kesteryt odpowiedni do produkcji warstwy czynnej w ogniwach fotowoltaicznych.The patent description CN102500293 B discloses the synthesis of kesterite powder using metal chlorides and elemental sulfur as substrates. Appropriately selected molar proportions of metal precursors and sulfur were dissolved in triethylenetetramine, resulting in a red solution after several minutes of stirring, which was heated in an oil bath at 120-240°C for 0.5-12 hours. After cooling the mixture, filtering off the obtained product and washing it with ethanol, distilled water and drying, a microcrystalline kesterite suitable for the production of the active layer in photovoltaic cells was obtained.
Znane metody otrzymywania kesterytu do zastosowań fotowoltaicznych, takie jak m.in. metoda termicznego naparowywania, wymagają skomplikowanej aparatury, są czasochłonne i kosztowne. Mniej skomplikowane metody np. osadzanie elektrochemiczne dają z kolei warstwy o gorszej jakości.Known methods of obtaining kesterite for photovoltaic applications, such as e.g. thermal vapor deposition method, require complicated apparatus, are time-consuming and expensive. Less complicated methods, e.g. electrochemical deposition, in turn, produce layers of inferior quality.
Celem wynalazku jest opracowanie prostego sposobu wytwarzania czystego proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych który nie wymaga stosowania skomplikowanej aparatury.The aim of the invention is to develop a simple method of producing pure powder kesterite of the Cu2SnZnS4 type, intended for the production of active layers in thin-film photovoltaic cells, which does not require the use of complicated equipment.
Istota sposobu wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4, charakteryzuje się tym, że odważa się proszki metali Cu, Sn i Zn w proporcji molowej Cu:Sn:Zn=2:1:1, miesza i mieli w wysokoenergetycznym młynie kulowym z dodatkiem cieczy dyspergującej w postaci wysokowrzących ciekłych węglowodorów alifatycznych lub aromatycznych wybranych z grupy obejmującej heksan, toluen i ksylen, w ilości co najmniej 50% wagowych cieczy w stosunku do masy mieszaniny proszków metali, przez okres od 30 minut do 100 godzin, przy prędkości obrotowej młyna od 200 do 1100 obr./min. Następnie do mieszaniny dodaje się siarkę elementarną w ilości od stechiometrycznej do 100% nadmiaru w stoThe essence of the method of producing powder kesterite type Cu2SnZnS4 is characterized by weighing powders of Cu, Sn and Zn metals in the molar ratio of Cu:Sn:Zn=2:1:1, mixing and grinding in a high-energy ball mill with the addition of a dispersing liquid in the form of high-boiling liquid aliphatic or aromatic hydrocarbons selected from the group consisting of hexane, toluene and xylene, in the amount of at least 50% by weight of the liquid in relation to the weight of the mixture of metal powders, for a period from 30 minutes to 100 hours, at the rotational speed of the mill from 200 to 1100 rpm ./min. Then, elemental sulfur is added to the mixture in an amount from stoichiometric to 100% excess in one hundred
PL 241 410 B1 sunku do ilości teoretycznej siarki występującej w kesterycie typu Cu2SnZnS4. W razie potrzeby uzupełnia się ciecz dyspergującą o ilość, która wyparowała w czasie gdy pokrywa młyna była otwarta i dalej mieli przez okres od 30 minut do 100 godzin przy prędkości obrotowej młyna kulowego od 200 do 1100 obr./min. Następnie odparowuje się ciecz dyspergującą i uzyskaną mieszaninę ogrzewa się w atmosferze gazu obojętnego w temperaturze od 400 do 700°C przez okres od 0,5 do 36 godzin, uzyskując proszkowy czysty kesteryt o średniej wielkości krystalitów w zakresie od 10 do 200 nm.PL 241 410 B1 in relation to the theoretical amount of sulfur present in kesterite of the Cu2SnZnS4 type. If necessary, the dispersant liquid is replenished with the amount that evaporated when the mill cover was opened and the grinding was continued for a period of 30 minutes to 100 hours at a rotational speed of the ball mill from 200 to 1100 rpm. Then, the dispersant liquid is evaporated and the resulting mixture is heated in an inert gas atmosphere at a temperature of 400 to 700°C for 0.5 to 36 hours, obtaining powdery pure kesterite with an average crystallite size in the range of 10 to 200 nm.
Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4, według wynalazku jest prosty, nie wymaga stosowania skomplikowanej aparatury i jest nietoksyczny dla środowiska.The method of producing powder kesterite of the Cu2SnZnS4 type according to the invention is simple, does not require the use of complicated equipment and is non-toxic to the environment.
Przedmiot wynalazku objaśniono poniżej w praktycznym przykładzie realizacji sposobu wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu2SnZnS4 i zobrazowano na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia rentgenogram proszkowego kesterytu wytworzonego jak opisano w przykładzie wykonania, a fig. 2 wykres funkcji Tauca obrazujący szerokość przerwy energetycznej tego kesterytu.The subject of the invention is explained below in a practical example of a method for producing powder kesterite of the Cu2SnZnS4 type and is illustrated in the drawing, in which Fig. 1 shows the X-ray diagram of powder kesterite produced as described in the embodiment, and Fig. 2 shows the Tauc function graph showing the energy gap width of this kesterite.
Przedstawionego przykładu nie należy uważać za ograniczający istotę lub zawężający zakres ochrony, gdyż stanowi on jedynie ilustrację wynalazku.The presented example should not be considered as limiting the essence or narrowing the scope of protection, as it is only an illustration of the invention.
P r z y k ł a dExample
Odważono proszki metali Cu, Sn i Zn, w takiej ilości, aby uzyskać zawartości teoretyczne pojedynczych metali Cu, Zn i Sn występujących w kesterycie, w stosunku molowym Cu:Sn:Zn=2:1:1, a mianowicie 2,013 g Cu, 1,881 g Sn i 1,036 g Zn. Odważone proszki zmieszano i zmielono w wysokoenergetycznym planetarnym młynie kulowym Pulverisette 7 firmy Fritsch, dodając ksylenu jako cieczy dyspergującej, w ilości 7 cm3 (6 g). Misa i mielniki były wykonane z węglika wolframu. Prędkość obrotowa młyna kulowego wynosiła 900 obr./min., a czas mielenia 4 godziny.Powders of Cu, Sn and Zn metals were weighed in such quantity as to obtain theoretical contents of single metals Cu, Zn and Sn present in kesterite, in molar ratio Cu:Sn:Zn=2:1:1, namely 2.013 g Cu, 1.881 g Sn and 1.036 g Zn. The weighed powders were mixed and ground in a Fritsch Pulverisette 7 high energy planetary ball mill, adding 7 cm 3 (6 g) of xylene dispersant liquid. The bowl and grinding media were made of tungsten carbide. The rotational speed of the ball mill was 900 rpm and the grinding time was 4 hours.
Następnie otwarto pokrywę misy mielącej i do mieszaniny dodano siarkę elementarną w nadmiarze 2% molowych w stosunku do ilości teoretycznej siarki występującej w kesterycie typu Cu2SnZnS4 tj. 2,067 g, uzupełniono ciecz dyspergującą o 1 cm3 ilość, tj. o ilość, która wyparowała w czasie gdy pokrywa młyna była otwarta i dalej mielono składniki przez 10 godzin przy niezmienionej prędkości obrotowej młyna kulowego.Then, the lid of the grinding bowl was opened and elemental sulfur was added to the mixture in excess of 2 mol% in relation to the theoretical amount of sulfur present in the Cu2SnZnS4 type kesterite, i.e. 2.067 g, the dispersing liquid was supplemented by 1 cm3 of the amount, i.e. the amount that evaporated during when the mill lid was open and the ingredients were further ground for 10 hours at the same ball mill speed.
Po zakończeniu procesu otwarto pokrywę misy mielącej, odparowano ciecz dyspergującą i oddzielono mielniki od mieszaniny, którą następnie umieszczono w łódeczce kwarcowej i poddano ogrzewaniu w ceramicznym piecu rurowym w atmosferze czystego argonu, w temperaturze 550°C przez 6 godzin. Otrzymano czysty proszek kesterytu typu Cu2SnZnS4 o strukturze tetragonalnej i średniej wielkości krystalitów 190 nm, którego rentgenogram przedstawiono na fig. 1.After the process was completed, the lid of the grinding bowl was opened, the dispersing liquid was evaporated and the grinding media were separated from the mixture, which was then placed in a quartz boat and heated in a ceramic tube furnace in an atmosphere of pure argon at a temperature of 550°C for 6 hours. A pure kesterite powder of the Cu2SnZnS4 type with a tetragonal structure and an average crystallite size of 190 nm was obtained, the X-ray diagram of which is shown in Fig. 1.
Badania spektroskopowe przeprowadzone techniką UV-Vis potwierdziły cechy półprzewodnikowe wytworzonego kesterytu. Wykorzystując transformację Kubelka-Munka i funkcję Tauca, na podstawie danych UV-Vis wyznaczono szerokość przerwy energetycznej badanego proszku Eg = 1,45 eV (fig. 2) charakterystyczną dla czystego kesterytu typu Cu2SnZnS4 i odpowiednią do zastosowań fotowoltaicznych.Spectroscopic tests carried out using the UV-Vis technique confirmed the semiconductor properties of the produced kesterite. Using the Kubelek-Munk transformation and the Tauc function, on the basis of UV-Vis data, the energy gap width of the tested powder Eg = 1.45 eV (fig. 2) was determined, which is characteristic for pure kesterite of the Cu2SnZnS4 type and suitable for photovoltaic applications.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL428878A PL241410B1 (en) | 2019-02-11 | 2019-02-11 | Method for producing powder kesterite of Cu₂SnZnS₄ type |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL428878A PL241410B1 (en) | 2019-02-11 | 2019-02-11 | Method for producing powder kesterite of Cu₂SnZnS₄ type |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL428878A1 PL428878A1 (en) | 2019-10-21 |
| PL241410B1 true PL241410B1 (en) | 2022-09-26 |
Family
ID=68238701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL428878A PL241410B1 (en) | 2019-02-11 | 2019-02-11 | Method for producing powder kesterite of Cu₂SnZnS₄ type |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL241410B1 (en) |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120055554A1 (en) * | 2009-05-21 | 2012-03-08 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Copper zinc tin chalcogenide nanoparticles |
| US20120060928A1 (en) * | 2009-05-21 | 2012-03-15 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Processes for preparing copper tin sulfide and copper zinc tin sulfide films |
| US8366975B2 (en) * | 2010-05-21 | 2013-02-05 | E I Du Pont De Nemours And Company | Atypical kesterite compositions |
| US8440497B2 (en) * | 2010-10-26 | 2013-05-14 | International Business Machines Corporation | Fabricating kesterite solar cells and parts thereof |
| US20130037111A1 (en) * | 2011-08-10 | 2013-02-14 | International Business Machines Corporation | Process for Preparation of Elemental Chalcogen Solutions and Method of Employing Said Solutions in Preparation of Kesterite Films |
| PL406175A1 (en) * | 2013-11-21 | 2015-05-25 | Stanley Aleksander Rokicki | Carrying composite of photovoltaic cells |
| PL229752B1 (en) * | 2014-10-27 | 2018-08-31 | Politechnika Slaska | Photovoltaic dye cell and method for producing it |
| US10570015B2 (en) * | 2016-09-02 | 2020-02-25 | International Business Machines Corporation | Minimizing tin loss during thermal processing of kesterite films |
| US11087976B2 (en) * | 2016-10-07 | 2021-08-10 | Haldor Topsøe A/S | Kesterite material of CZTS, CZTSe or CZTSSe type |
-
2019
- 2019-02-11 PL PL428878A patent/PL241410B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL428878A1 (en) | 2019-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Banai et al. | A review of tin (II) monosulfide and its potential as a photovoltaic absorber | |
| Hsu et al. | Benign solutions and innovative sequential annealing processes for high performance Cu2ZnSn (Se, S) 4 photovoltaics | |
| Timoumi et al. | Fabrication and characterization of In2S3 thin films deposited by thermal evaporation technique | |
| Agawane et al. | Synthesis of simple, low cost and benign sol–gel Cu 2 ZnSnS 4 thin films: influence of different annealing atmospheres | |
| Chen et al. | Fabrication of Cu2ZnSnS4 thin films using oxides nanoparticles ink for solar cell | |
| Tumbul et al. | Structural, morphological and optical properties of the vacuum-free processed CZTS thin film absorbers | |
| Carter et al. | Cu2ZnSn (S, Se) 4 solar cells from inks of heterogeneous Cu–Zn–Sn–S nanocrystals | |
| TWI609840B (en) | Inorganic salt-nanoparticle ink for thin film photovoltaic devices and related methods | |
| Yang et al. | A general water-based precursor solution approach to deposit earth abundant Cu2ZnSn (S, Se) 4 thin film solar cells | |
| Agawane et al. | Fabrication of Cu2 (ZnxMg1-x) SnS4 thin films by pulsed laser deposition technique for solar cell applications | |
| Cherian et al. | Role of chlorine on the opto-electronic properties of β-In2S3 thin films | |
| Liu et al. | Butyldithiocarbamate acid solution processing: its fundamentals and applications in chalcogenide thin film solar cells | |
| Peksu et al. | Characterization of Cu2ZnSnS4 thin films deposited by one-step thermal evaporation for a third generation solar cell | |
| Olgar et al. | Growth of Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films using short sulfurization periods | |
| JP5874645B2 (en) | Compound semiconductor thin film solar cell and method for manufacturing the same | |
| Li et al. | Fabrication, characterization and application of Cu2ZnSn (S, Se) 4 absorber layer via a hybrid ink containing ball milled powders | |
| Shrotriya et al. | Low cost sprayed CuIn (SxSe1− x) 2 thin films for photovoltaic applications | |
| Kumar et al. | Effect of substrate temperature on properties of co-evaporated copper antimony sulfide thin films | |
| Albalawneh et al. | solution processing of CIGSe solar cells using simple thiol-amine solvents mixture: a review | |
| Das et al. | Growth and characterization of kesterite Cu2ZnSn (SxSe1− x) 4 crystals for photovoltaic applications | |
| Deshmukh et al. | Enabling fine-grain free 2-micron thick CISe/CIGSe film fabrication via a non-hydrazine based solution processing route | |
| Marai et al. | Structural and optical properties of CuIn1-xGaxSe2 nanoparticles synthesized by solvothermal route | |
| Yu et al. | Solution‐Processed Chalcopyrite Solar Cells: the Grain Growth Mechanism and the Effects of Cu/In Mole Ratio | |
| Mazalan et al. | Influence of antimony dopant on CuIn (S, Se) 2 solar thin absorber layer deposited via solution-processed route | |
| Dejene | Material and device properties of Cu (In, Ga) Se2 absorber films prepared by thermal reaction of InSe/Cu/GaSe alloys to elemental Se vapor |