PL234015B1 - Method for producing heterogeneous measuring probe for precision measurement of the material surface in the micro- and nano scale with the vertical pointer - Google Patents
Method for producing heterogeneous measuring probe for precision measurement of the material surface in the micro- and nano scale with the vertical pointer Download PDFInfo
- Publication number
- PL234015B1 PL234015B1 PL423541A PL42354117A PL234015B1 PL 234015 B1 PL234015 B1 PL 234015B1 PL 423541 A PL423541 A PL 423541A PL 42354117 A PL42354117 A PL 42354117A PL 234015 B1 PL234015 B1 PL 234015B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- blade
- fib
- chamber
- micro
- manipulator
- Prior art date
Links
Description
Opis wynalazkuDescription of the invention
Dziedzina technikiTechnical field
Wynalazek dotyczy sposobu wytwarzania heterogenicznej sondy pomiarowej z pionowym ostrzem, której ostrze jest wykonane z półprzewodnika lub metalu stanowiącego inny materiał niż materiał tzw. belki (ang. cantilever), podtrzymującej to ostrze.The invention relates to a method of producing a heterogeneous measuring probe with a vertical blade, the tip of which is made of a semiconductor or a metal that is different from the material of the so-called the cantilever that supports the blade.
Sondy takie przeznaczone są do precyzyjnych pomiarów metodami z rodziny mikroskopii ze skanującą sondą (Scanning Probe Microscopy - SPM), przede wszystkim mikroskopii sił atomowych (Atomic Force Microscopy - AFM), skaningowej mikroskopii termicznej (Scanning Thermal Microscopy - SThM) lub innych pokrewnych, polegających na skanowaniu w mikro- i nanoskali powierzchni próbki.Such probes are designed for precise measurements using methods from the Scanning Probe Microscopy (SPM) family, mainly atomic force microscopy (AFM), scanning thermal microscopy (SThM) or other related methods, consisting of on micro- and nano-scale scanning of the sample surface.
Stan technikiState of the art
Obecnie istnieją już opublikowane w pismach naukowych [1-4] rozwiązania heterogenicznych sond pomiarowych służące do skanowania powierzchni materiału w mikro i nanoskali.Currently, there are already published in scientific journals [1-4] solutions of heterogeneous measuring probes for scanning the surface of the material in the micro and nanoscale.
[1] H. J. Kim i inni, Ultrananocrystalline diamond tip integrated onto a heated atomic force microscope cantilever, Nanotechnology 23 (2012) 495302 (9pp) [2] R. Araneo i inni, Design concepts, fabrication and advanced characterization methods of innovative piezoelectric sensors based on ZnO nanowires, Sensors 14 (2014) 23539-62.[1] HJ Kim et al., Ultrananocrystalline diamond tip integrated onto a heated atomic force microscope cantilever, Nanotechnology 23 (2012) 495302 (9pp) [2] R. Araneo et al., Design concepts, fabrication and advanced characterization methods of innovative piezoelectric sensors based on ZnO nanowires, Sensors 14 (2014) 23539-62.
[3] P.Knittel, MJ. Higgins, C. Kranz, Nanoscopic polypyrrole AFM- SECM probes enabling force measurements under potential control, Nanoscale 6(4) (2014) 2255-60 [4] A.D Slattery i inni, Carbon nanotube modified probes for stable and high sensitivity conductive atomic force microscopy, Nanotechnology 27 (2016) 475708 (8pp)[3] P. Knittel, MJ. Higgins, C. Kranz, Nanoscopic polypyrrole AFM- SECM probes enabling force measurements under potential control, Nanoscale 6 (4) (2014) 2255-60 [4] AD Slattery et al., Carbon nanotube modified probes for stable and high sensitivity conductive atomic force microscopy, Nanotechnology 27 (2016) 475708 (8pp)
Znane są także inne rozwiązania wykonywania heterogenicznych sond pomiarowych, gdzie ostrze jest wykonane z innego materiału niż belka (US 2008/0098805 A1, EP 1278055 A1, EP 1653476 A2, EP 1742034 A1, US 7735357 B2, US 2008/0121029 A1, US 2009/0313730 A1, EP 2133883 A2, US 8197701 B2).There are also other solutions for making heterogeneous measuring probes, where the blade is made of a material other than the beam (US 2008/0098805 A1, EP 1278055 A1, EP 1653476 A2, EP 1742034 A1, US 7735357 B2, US 2008/0121029 A1, US 2009 (0313730 A1, EP 2133883 A2, US 8197701 B2).
Znane są też sposoby wykonania wieloczęściowych sond pomiarowych umożliwiających skanowanie powierzchni próbki w mikro i nanoskali (US 6328902 B1, US 6504152 B2, EP 1672648 A1, US 7536901 B2). Części te mogą być wykonane tymi sposobami z różnych materiałów.There are also known methods of making multi-part measuring probes that enable scanning of the sample surface in the micro and nanoscale (US 6328902 B1, US 6504152 B2, EP 1672648 A1, US 7536901 B2). These parts can be made of various materials in these ways.
W tych rozwiązaniach przedstawionych w publikacjach oraz zgłoszeniach patentowych i patentach sposób wytwarzania takich sond jest skomplikowany i wymaga wielu złożonych procesów technologicznych (m. in. stosowania warstw maskujących i procesów litografii, domieszkowania, implantacji i wielokrotnych trawień).In these solutions presented in publications as well as patent applications and patents, the method of producing such probes is complicated and requires many complex technological processes (e.g. the use of masking layers and lithography, doping, implantation and multiple etching processes).
Istota wynalazkuThe essence of the invention
Sposób wytwarzania heterogenicznej sondy pomiarowej do precyzyjnych pomiarów, w którym wykonuje się płaską belkę z półprzewodnika pierwszego rodzaju lub metalu pierwszego rodzaju, oraz matrycę ostrzy w postaci ostrosłupów lub stożków na podłożu półprzewodnikowym drugiego rodzaju lub na podłożu z metalu drugiego rodzaju charakteryzuje się tym, że zawiera następujące etapy:A method for producing a heterogeneous precision measurement probe in which a flat beam of a first type semiconductor or a first type metal is made and a pyramid or cone blade array on a second type semiconductor substrate or a second type metal substrate is characterized by the following steps:
a) umieszczenia płaskiej belki oraz matrycy ostrzy w komorze urządzenia FIB,a) place a flat bar and a blade matrix in the chamber of the FIB device,
b) przymocowania igły manipulatora w komorze urządzenia FIB do ostrza za pomocą metalicznej spoiny,b) attaching the manipulator needle in the FIB chamber to the blade with a metallic weld,
c) odcięcia wybranego ostrza od podłoża przy podstawie ostrza równolegle do podłoża przy użyciu zogniskowanej wiązki jonów,c) cutting off the selected blade from the ground at the base of the blade parallel to the ground using a focused ion beam,
d) przetransportowania ostrza do krawędzi płaskiej belki przy użyciu manipulatora w komorze urządzenia FIB,d) transporting the blade to the edge of a flat beam using a manipulator in the FIB chamber,
e) połączenia ostrza z belką poprzez nałożenie metalicznej spoiny w miejscu styku belki i podstawy ostrza w komorze urządzenia FIB i dołączenie ostrza do belki w ten sposób, aby wierzchołek ostrza był umieszczony pod powierzchnią belki przy jednej z jej krawędzi na swobodnym końcu belki,e) connecting the blade to the beam by placing a metallic weld at the contact point of the beam and the blade base in the FIB chamber and attaching the blade to the beam in such a way that the tip of the blade is placed under the surface of the beam at one of its edges at the free end of the beam,
f) odcięcia igły manipulatora od ostrza przy użyciu zogniskowanej wiązki jonów.f) cutting the manipulator needle from the blade using a focused ion beam.
Korzystnie, po etapie f) przeprowadza się etap g), w którym precyzyjnie ostrzy się wierzchołek (8) ostrza (1) do rozmiarów nanometrowych przy użyciu zogniskowanej wiązki jonów.Preferably, step f) is followed by step g) in which the tip (8) of the blade (1) is precisely sharpened to a nanometer size using a focused ion beam.
Ewentualne korzystne skutki wynalazku w odniesieniu do stanu technikiPossible beneficial effects of the invention with respect to the prior art
Rozwiązanie według wynalazku jest mniej złożone w porównaniu z rozwiązaniami znanymi ze stanu techniki, jest tańsze dla produktów na indywidualne zamówienie klienta (ang. customized), pozwala na bardzo szeroki zestaw możliwych materiałów.The solution according to the invention is less complex compared to the solutions known from the state of the art, it is cheaper for customized products, it allows a very wide range of possible materials.
PL 234 015 B1PL 234 015 B1
Sposób wytwarzania sondy według wynalazku pozwala na integrację ostrza z belką dla bardzo różnorodnych półprzewodników i metali. Jest przy tym stosunkowo prosty. Zaproponowane rozwiązanie według wynalazku znacznie upraszcza wykonanie takiego typu sond pomiarowych w stosunku do wytwarzania takich struktur za pomocą innych dotychczasowych sposobów, m.in. przy użyciu klasycznej fotolitografii optycznej, rentgenolitografii lub elektronolitografii. Wytworzenie płaskich belek oraz zestawu wielu ostrzy i połączenie ich techniką FIB jest prostsze i tańsze, niż wykonanie innymi metodami skomplikowanych struktur heterogenicznych sond pomiarowych.The method of manufacturing the probe of the invention allows the blade to be integrated with the beam for a wide variety of semiconductors and metals. It is also relatively simple. The proposed solution according to the invention significantly simplifies the production of this type of measuring probes in relation to the production of such structures by means of other prior methods, e.g. using classical optical photolithography, X-ray or electron lithography. The production of flat beams and a set of multiple blades and connecting them with the FIB technique is simpler and cheaper than making complicated structures of heterogeneous measuring probes with other methods.
Urządzenie FIB wykorzystuje zogniskowaną wiązkę jonów (ang. Focused Ion Beam) i pozwala na prowadzenie z dużą dokładnością operacji technologicznych w skali mikro- i nanometrowej, a więc umożliwia wykonywanie zminiaturyzowanych przyrządów.The FIB device uses a focused ion beam and allows for carrying out with high accuracy technological operations on a micro- and nanometer scale, and thus enables the performance of miniaturized devices.
Ponadto sposób według wynalazku pozwala nie tylko na wytwarzanie nowych sond pomiarowych, a umożliwia także regenerację zużytej sondy poprzez wymianę zużytego ostrza na nowe ostrze przy pozostawieniu dotychczasowej belki pomiarowej, co ogranicza w tym przypadku koszty otrzymania sprawnie działającej sondy pomiarowej (belki z ostrzem).Moreover, the method according to the invention allows not only the production of new measuring probes, but also allows the regeneration of the used probe by replacing the worn blade with a new blade while retaining the existing measuring beam, which in this case reduces the costs of obtaining an efficient measuring probe (beam with a blade).
Figury rysunkówFigures of drawings
Przedmiot wynalazku w przykładzie wykonania jest uwidoczniony na rysunku, na którym: Fig. 1a przedstawia schematyczny widok odciętego ostrza pomiarowego,The subject of the invention in an exemplary embodiment is shown in the drawing, in which: Fig. 1a shows a schematic view of a cut-off measuring tip,
Fig. 1 b przedstawia schematyczny widok sondy wytworzonej zgodnie ze sposobem według wynalazku,Fig. 1b shows a schematic view of a probe produced according to the method of the invention,
Fig. 2 przedstawia odcięte wybrane ostrze połączone spoiną z igłą manipulatora,Fig. 2 shows a cut away selected blade welded to a manipulator needle,
Fig. 3 przedstawia ostrze przetransportowane do krawędzi belki i tam przytwierdzone (za pomocą metalicznej spoiny) do płaskiej belki, a obok igłę manipulatora już odciętą od tego ostrza.Fig. 3 shows the blade transported to the edge of the beam and secured there (by means of a metallic weld) to a flat beam, next to it the manipulator needle already cut from this blade.
Przykład realizacji wynalazkuAn embodiment of the invention
Wytwarzanie sondy pomiarowej do precyzyjnych pomiarów przeprowadza się według wynalazku w komorze urządzenia FIB.According to the invention, the manufacture of a measuring probe for precise measurements is carried out in a chamber of the FIB apparatus.
Wytworzenie heterogenicznej sondy pomiarowej do precyzyjnych pomiarów, poprzez integrację ostrza z belką, wykonuje się według wynalazku w trakcie jednego cyklu technologicznego w komorze urządzenia FIB (ang. focused ion beam - FIB), wyposażonego w układ manipulacyjny umożliwiający zastosowanie znanej techniki lift-out. Technika ta nie była dotychczas stosowana do integracji ostrzy z półprzewodników lub metali oraz belek z innego materiału niż ostrze, w celu wytworzenia heterogenicznych sond pomiarowych.The production of a heterogeneous measuring probe for precise measurements, by integrating the blade with the beam, is performed according to the invention during one technological cycle in the chamber of the focused ion beam (FIB) device, equipped with a manipulation system enabling the use of the known lift-out technique. This technique has hitherto not been used to integrate semiconductor or metal blades and non-blade material beams to produce heterogeneous probe probes.
Zasada działania techniki lift-out polega na użyciu manipulatora zintegrowanego z systemem FIB i wyposażonego w igłę, do której mocuje się wybrany element i transportuje się go w miejsce docelowe, a następnie łączy się go ze strukturą docelową.The principle of the lift-out technique is based on the use of a manipulator integrated with the FIB system and equipped with a needle, to which the selected element is attached and transported to the destination, and then connected to the target structure.
Najpierw za pomocą małej liczby prostszych procesów fotolitografii i procesów trawienia (mokrego lub suchego) wykonuje się niezależnie wiele osobnych płaskich belek (bez ostrza). Belki te wykonuje się z półprzewodnika pierwszego rodzaju lub z metalu pierwszego rodzaju.First, with a small number of simpler photolithography and etching processes (wet or dry), multiple separate flat bars (no blade) are independently produced. These beams are made of a first type semiconductor or a first type metal.
Niezależnie od powyższego procesu wytwarzania belki, za pomocą procesów fotolitografii i procesów trawienia, osobno wykonuje się matrycę wielu takich samych ostrzy z innego materiału niż belka. Każde ostrze w tej matrycy(1) ma kształt ostrosłupa lub stożka i jest wykonane z półprzewodnika drugiego rodzaju lub metalu drugiego rodzaju.Notwithstanding the above beam making process, a matrix of many of the same blades from a material other than the beam is separately fabricated by photolithography and etching processes. Each blade in this die (1) has the shape of a pyramid or a cone and is made of a second type semiconductor or a second type metal.
Określenie „półprzewodnika pierwszego rodzaju lub z metalu pierwszego rodzaju” i „półprzewodnika drugiego rodzaju lub z metalu drugiego rodzaju” oznacza tutaj rozmaite przypadki, jak wykonanie ostrza z półprzewodnika, a belki z innego materiału, jak wykonanie ostrza z metalu, a belki z innego materiału, wytworzenie ostrza i belki z różnych półprzewodników, lub ostrza i belki z różnych metali, jak również wykonanie ostrza z półprzewodnika o szczególnych właściwościach (np. wysokim domieszkowaniu), podczas gdy wykonanie belki z tego samego półprzewodnika, ale o innych właściwościach (np. o niskim domieszkowaniu).The terms "first type or first type metal semiconductor" and "second type or second type metal semiconductor" here mean various cases such as making the blade from a semiconductor and the beam from a different material, such as making the blade from a metal and the beam from a different material. , making the blade and beam from different semiconductors, or the blade and beam from different metals, as well as making the blade from a semiconductor with special properties (e.g. high doping), while making the beam from the same semiconductor but with different properties (e.g. low doping).
Zgodnie ze sposobem według wynalazku, w etapie (a) wytworzone wcześniej zestawy: osobnych belek oraz matrycę ostrzy umieszcza się w komorze urządzenia FIB.According to the method of the invention, in step (a), the previously produced sets of: separate beams and a blade array are placed in the chamber of the FIB device.
W etapie (b) przymocowano igłę (2) manipulatora w komorze urządzenia FIB do wybranego ostrza (1) za pomocą metalicznej spoiny (3). Stosowano spoiny z Au, W, a najlepiej sprawdzają się spoiny z Pt.In step (b), the manipulator needle (2) in the chamber of the FIB device was attached to the selected blade (1) by means of a metallic weld (3). Au and W welds were used, and Pt welds are the best.
W etapie (c) odcina się ostrze (1) przy jego podstawie równolegle do podłoża przy użyciu trawienia zogniskowaną wiązką jonów.In step (c), the blade (1) is cut at its base parallel to the substrate by focused ion beam etching.
PL 234 015 B1PL 234 015 B1
Po zakończeniu etapu (c), w tym samym urządzeniu w etapie (d) ostrze (1) transportuje się do krawędzi płaskiej belki (5) przy użyciu manipulatora w komorze urządzenia FIB.After completion of step (c), in the same device in step (d) the blade (1) is transported to the edge of the flat beam (5) using a manipulator in the chamber of the FIB device.
W etapie (e) ostrze (1) łączy się w komorze urządzenia FIB z belką (5) poprzez nałożenie metalicznej spoiny (6) w miejscu styku belki i podstawy ostrza (1) w ten sposób, aby wierzchołek ostrza (1) był umieszczony pod powierzchnią belki (5), w pobliżu jej wystającej krawędzi.In step (e), the blade (1) connects to the beam (5) in the FIB chamber by applying a metallic weld (6) at the contact point of the beam and the blade base (1), so that the tip of the blade (1) is placed under the surface of the beam (5), near its projecting edge.
W etapie (f) odcina się igłę (2) manipulatora od ostrza (1) przy użyciu trawienia zogniskowaną wiązką jonów (7).In step (f), the manipulator needle (2) is cut from the blade (1) by focusing ion beam etching (7).
Korzystnie jest w etapie (g) precyzyjnie zaostrzyć wierzchołek (8) ostrza (1) do założonej wartości jego promienia, typowo pomiędzy 50 nm a 100 nm, przy użyciu trawienia zogniskowaną wiązki jonów.It is preferable in step (g) to precisely sharpen the tip (8) of the blade (1) to a predetermined value of its radius, typically between 50 nm and 100 nm, by means of focused ion beam etching.
Dla procesów trawienia zogniskowaną wiązką jonów i nakładania materiałów w FIB stosuje się energię skupionej wiązki jonowej w zakresie od 1 kV do 30 kV i prądy wiązki jonowej od 1 pA do 65 nA.Focused ion beam energies ranging from 1 kV to 30 kV and ion beam currents ranging from 1 pA to 65 nA are used for focused ion beam etching and material deposition in FIBs.
W sposobie według wynalazku określa się niezależne parametry wykonania tj. energię i prąd wiązki, które pozwalają na prawidłowe wykonanie poszczególnych etapów procesu w odpowiednim czasie trwania etapów procesu (odcinania, łączenia), zależnie od rodzaju materiału ostrza.In the method according to the invention, independent performance parameters, i.e. beam energy and current, are defined, which allow the correct execution of the individual process steps in the appropriate duration of the process steps (cutting off, joining), depending on the type of blade material.
Otrzymany produktReceived product
Heterogeniczna sonda pomiarowa, wytworzona sposobem według wynalazku, posiada ostrze (1) przymocowane do belki (5) za pomocą spoiny (6) i umiejscowione na końcu płaskiej struktury belki w miejscu, gdzie podstawa ostrza bezpośrednio styka się z belką.The heterogeneous test probe made by the method of the invention has a spike (1) attached to the beam (5) by a weld (6) and positioned at the end of the flat beam structure where the base of the blade directly contacts the beam.
Ostrze sondy pomiarowej wykonane jest z półprzewodnika lub metalu będącego innym materiałem niż materiał belki. Wierzchołek ostrza pomiarowego (1) jest umieszczony pod powierzchnią belki (5) przy jednej z jej krawędzi na swobodnym końcu belki (5).The probe tip is made of a semiconductor or a metal other than that of the beam. The tip of the measuring tip (1) is located under the surface of the beam (5) at one of its edges at the free end of the beam (5).
Sonda wytworzona sposobem według wynalazku jest przeznaczona do precyzyjnych pomiarów metodami mikroskopii ze skanującą sondą SPM (czyli AFM, SThM lub innych pokrewnych).The probe according to the invention is intended for precise measurements by means of microscopy with a scanning SPM probe (i.e. AFM, SThM or other similar).
Testy wytrzymałościowe ostrza przytwierdzonego tym sposobem do belki w komorze urządzenia FIB, polegające na wywieraniu silnego nacisku igłą manipulatora FIB na ściany boczne ora z na wierzchołek ostrza, wykazały, że ostrze nie zostało oderwane od belki.Strength tests of the blade attached to the beam in the FIB chamber in this way, by applying a strong pressure of the FIB manipulator needle to the side walls and to the tip of the blade, showed that the blade was not detached from the beam.
Zastosowanie wynalazkuUse of the invention
Możliwymi przemysłowymi zastosowaniami wynalazku są takie dziedziny jak nanofotonika, nanoelektronika i nanobioelektronika, nanotermika, inżynieria materiałowa, czy inne pokrewne. Sposób według wynalazku w szczególności może być wykorzystany do wytwarzania specjalizowanych sond na zindywidualizowane zamówienie klienta (ang. customized), czyli do wytwarzania małoseryjnego, np. 5 do zastosowań naukowo-badawczych.Possible industrial applications of the invention are such fields as nanophotonics, nanoelectronics and nanobioelectronics, nanothermics, materials engineering, and other related fields. The method according to the invention may in particular be used for the production of customized probes, i.e. for small-lot production, e.g. for scientific research applications.
Wynalazek w postaci sondy pomiarowej przeznaczony jest do precyzyjnych pomiarów metodami z rodziny mikroskopii ze skanującą sondą (SPM), polegających na skanowaniu w mikro- i nanoskali powierzchni próbki, np. w celu określenia chropowatości powierzchni lub lokalnego rozkładu temperatury w mikro i nanobszarach.The invention in the form of a measuring probe is intended for precise measurements using methods from the microscopy family with a scanning probe (SPM), consisting in scanning the surface of a sample in the micro- and nano-scale, e.g. to determine the surface roughness or local temperature distribution in micro and nano-areas.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL423541A PL234015B1 (en) | 2017-11-22 | 2017-11-22 | Method for producing heterogeneous measuring probe for precision measurement of the material surface in the micro- and nano scale with the vertical pointer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL423541A PL234015B1 (en) | 2017-11-22 | 2017-11-22 | Method for producing heterogeneous measuring probe for precision measurement of the material surface in the micro- and nano scale with the vertical pointer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL423541A1 PL423541A1 (en) | 2019-06-03 |
| PL234015B1 true PL234015B1 (en) | 2019-12-31 |
Family
ID=66649204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL423541A PL234015B1 (en) | 2017-11-22 | 2017-11-22 | Method for producing heterogeneous measuring probe for precision measurement of the material surface in the micro- and nano scale with the vertical pointer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL234015B1 (en) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7009188B2 (en) * | 2004-05-04 | 2006-03-07 | Micron Technology, Inc. | Lift-out probe having an extension tip, methods of making and using, and analytical instruments employing same |
| US8595860B2 (en) * | 2007-12-28 | 2013-11-26 | Bruker Nano, Inc. | Method of fabricating a probe device for a metrology instrument and a probe device produced thereby |
| US8214918B2 (en) * | 2008-11-26 | 2012-07-03 | The Regents Of The University Of California | Probes for enhanced magnetic force microscopy resolution |
| JP5044003B2 (en) * | 2010-08-31 | 2012-10-10 | 日本電信電話株式会社 | Probe production method and probe, and scanning probe microscope |
-
2017
- 2017-11-22 PL PL423541A patent/PL234015B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL423541A1 (en) | 2019-06-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7442926B2 (en) | Nano tip and fabrication method of the same | |
| Dong et al. | Carbon nanotubes for nanorobotics | |
| EP1243915B1 (en) | Apparatus for evaluating electrical characteristics | |
| US7337656B2 (en) | Surface characteristic analysis apparatus | |
| Dubois et al. | Crack-defined electronic nanogaps | |
| TWI596341B (en) | Apparatus and method for analyzing and modifying a specimen surface | |
| US7628972B2 (en) | Nanostructure devices and fabrication method | |
| Hamdana et al. | Nanoindentation of crystalline silicon pillars fabricated by soft UV nanoimprint lithography and cryogenic deep reactive ion etching | |
| Zhang et al. | In situ tensile testing of individual Co nanowires inside a scanning electron microscope | |
| Yu et al. | Characterization of the resistance and force of a carbon nanotube/metal side contact by nanomanipulation | |
| Fukuda et al. | Nanofabrication, nanoinstrumentation and nanoassembly by nanorobotic manipulation | |
| us Sarwar et al. | Batch-mode micropatterning of carbon nanotube forests using UV-LIGA assisted micro-electro-discharge machining | |
| PL234015B1 (en) | Method for producing heterogeneous measuring probe for precision measurement of the material surface in the micro- and nano scale with the vertical pointer | |
| US7181958B2 (en) | High aspect ratio tip atomic force microscopy cantilevers and method of manufacture | |
| Motoyama et al. | Electrodeposition and behavior of single metal nanowire probes | |
| KR20190072614A (en) | Method and apparatus for extending the time period for replacing a measurement tip of a scanning probe microscope | |
| EP2535725A1 (en) | A probe for scanning probe microscopy | |
| PL234013B1 (en) | Method for producing a measuring probe for precision measurement of the material surface in the micro- and nano scale, with the diamond pointer | |
| Xiao et al. | Cone-shaped forest of aligned carbon nanotubes: An alternative probe for scanning microscopy | |
| Guo et al. | Nanostenciling for fabrication and interconnection of nanopatterns and microelectrodes | |
| KR20110070031A (en) | Nanoneedle tip for atomic force microscope and method for fabricating the same | |
| PL234014B1 (en) | Method for producing a measuring probe that enables direct preview of a measuring place by means of the microscopy methods with the scanning probe | |
| Li et al. | Three-dimensional nanostructures by focused ion beam techniques: Fabrication and characterization | |
| Moloni et al. | Sharpened carbon nanotube probes | |
| KR20140141628A (en) | Method for removing a high definition nanostructure, a partly freestanding layer, a sensor comprising said layer and a method using said sensor |