PL233603B1 - Sposob wytwarzania jednowarstwowych filtrow optycznych z gradientem wspolczynnika zalamania swiatla - Google Patents
Sposob wytwarzania jednowarstwowych filtrow optycznych z gradientem wspolczynnika zalamania swiatla Download PDFInfo
- Publication number
- PL233603B1 PL233603B1 PL423097A PL42309717A PL233603B1 PL 233603 B1 PL233603 B1 PL 233603B1 PL 423097 A PL423097 A PL 423097A PL 42309717 A PL42309717 A PL 42309717A PL 233603 B1 PL233603 B1 PL 233603B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- refractive index
- coating
- precursor
- nitrogen
- range
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 31
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 16
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 2
- 150000008442 polyphenolic compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 claims description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000004438 eyesight Effects 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020187 CeF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUEPDNOBDJYBBK-UHFFFAOYSA-N [Si].[C-]#[O+] Chemical compound [Si].[C-]#[O+] AUEPDNOBDJYBBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229940110728 nitrogen / oxygen Drugs 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania jednowarstwowych filtrów optycznych z gradientem współczynnika załamania światła (n) w funkcji grubości powłoki.
Gradient współczynnika załamania światła jest związany z periodycznymi zmianami budowy chemicznej powłoki. Dotychczasowe technologie nakładania powłok optycznych przy wytwarzaniu filtrów interferencyjnych oparte są o wielokrotne nakładanie na siebie powłok o niskim i wysokim współczynniku załamania światła. Powoduje to, że układy takie są układami wielowarstwowymi, mogącymi łatwo ulec zniszczeniu poprzez niedostateczną adhezję pomiędzy poszczególnymi warstwami.
Gradientowe cienkowarstwowe interferencyjne filtry optyczne charakteryzują się litą budową, a także mniejszą wrażliwością na zmianę kąta padania światła oraz zdolnością do tłumienia wyższych częstotliwości harmonicznych. Filtry z gradientem współczynnika załamania światła w swojej grubości wygaszają wyższe harmoniczne, czyli całkowite wielokrotności połówek długości fali. Powłoki tego typu charakteryzują się również mniejszymi naprężeniami wewnętrznymi i większą stabilnością termiczną. Poprzez zastosowanie stopniowej zmiany współczynnika załamania światła między podłożem a powłoką, możliwa jest poprawa wyżej wymienionych parametrów otrzymywanych powłok.
Powłoki antyrefleksyjne na panelach słonecznych mają zmniejszyć współczynnik odbicia światła od powierzchni panelu oraz zapewnić zwiększenie wydajności ogniw fotowoltaicznych, a zastosowanie powłoki gradientowej poprawia trwałość oraz zmniejsza ryzyko delaminacji w wyniku np. depozycji wody między warstwy, jak przy osadzaniu powłok wielowarstwowych. Równocześnie zastosowanie powłok gradientowych pozwala na utworzenie powłok o zadanym współ czynniku złamania światła.
Oprócz opisanych filtrów antyrefleksyjnych opracowana technologia pozwala uzyskać filtry odbiciowe (refleksyjne), szeroko-pasmowe (typu zarówno hot mirror jak i cold mirror) oraz filtry pasmowe (przepuszczające jedną zadaną długość fali).
Tlenek krzemu (SiO2) i azotek krzemu (Si3N4) jako materiały o znacznie różnych współczynnikach załamania światła są powszechnie stosowane w produkcji filtrów optycznych. Przykładem ich zastosowania jest zgłoszenie patentowe U S2014055736 (A1), w którym opisana jest metoda „obniżenia reakcji na fotochemiczny smog uszkadzający wzrok” poprzez zastosowanie wielowarstwowej soczewki z gradientowym filtrem optycznym, osadzonym np. z tlenku i azotku krzemu. Zaproponowany wąskopasmowy filtr odbiciowy pozwal a na selektywne blokowanie widma, wycinając zakres 400-475nm, co przyczynia się do ochrony wzroku.
W zgłoszeniu TW200910426 przedstawiono metodę wytwarzania antyrefleksyjnych powłok azotku krzemu na ogniwach fotowoltaicznych o podłożu krzemowym z jednoczesną dyfuzją atomów wodoru do w/w ogniwa w celu jego pasywacji. Metoda ta opiera się na technice CVD, w której wyładowanie jarzeniowe wytwarzane jest za pomocą generatora o częstotliwości mikrofalowej (915 MHz-2450 MHz). W rozwiązaniu tym wykorzystano trzy materiały wyjściowe: pierwszy zawierający tylko krzem, wodór, azot i węgiel (korzystnie heksametylodisilazan), drugi zawierający tylko azot i wodór (korzystnie amoniak) oraz trzeci zawierający tylko wodór. Równocześnie wykorzystuje ona w głównej mierze związki jak np. silan, który jest prekursorem łatwo wybuchowym.
Wynalazek US5928713 opisuje metodę produkcji filtrów optycznych o gradientowym współczynniku załamania światła. Metoda ta składa się z następujących etapów: a) wyboru funkcji transmisyjnej, b) dostarczenia źródła materiału i narzędzi do depozycji tego materiału na podłożu za pomocą technik osadzania z fazy gazowej, c) określenia optymalnego profilu współczynnika załamania światła dla danego filtru optycznego, d) procesu osadzenia na podłożu powłoki o wymienionym profilu współczynnika załamania światła za pomocą technik osadzania z fazy gazowej. Według zgłoszenia źródło materiału wyjściowego powinno zawierać materiał z grupy zawierającej: AlxGaAs1-x, SiO2, CeF3 i ZnS. Podłoże powinno natomiast zawierać materiał z grupy: Si, SiO2, szafir i CaF2. Równocześnie patent ten zakłada bardzo szeroki współczynnik załamania światła z przedziału od 1 do 4.
W zgłoszeniu US5004308 opisane jest urządzenie w postaci reflektora optycznego selektywnie odbijającego światło w określonym zakresie długości fali. Reflektor ten składa się z podłoża, osadzonej na podłożu warstwy absorpcyjnej oraz gradientowej warstwy osadzonej na warstwie absorpcyjnej, mającej na celu odbijanie długości fali w określonym zakresie. Zgłoszenie to zakłada nałożenie międzywarstwy w celu poprawienia przyczepności warstwy gradientowej. Równocześnie patent ten zawiera założenia dotyczące rozkładu grubości między warstwą buforową a warstwą gradientową. Sama
PL 233 603 B1 warstwa gradientowa ma być wykonana z zmiany warstwy chromu i tlenku krzemu. Zatem mamy tutaj do czynienia z zastosowaniem minimum dwóch różnych związków umożliwiających nałożenie warstwy posiadającej gradient składu chemicznego i właściwości fizycznych.
Zgłoszenie US5475531 opisuje szerokopasmowy filtr gradientowy składający się z podłoża o dwóch powierzchniach i warstwy materiału optycznego osadzonej na jednej z tych powierzchni. Współczynnik załamania światła dla uzyskanego filtru zmienia się sinusoidalnie w funkcji grubości optycznej filtra, a częstotliwość zmian sinusoidalnych zmienia się stale w jednym kierunku. Zgłoszenie to dotyczy warstw o znacznej grubości, tj. ok. 55 μm. Równocześnie zgłoszenie to zakłada zmiany współczynnika załamania światła w bardzo wąskim zakresie od 1,9 do 2,1.
W wynalazku US4837044 zastrzeżono metodę wytwarzania filtru gradientowego obejmującą kroki zapewniające uzyskanie zaplanowanego profilu współczynnika załamania światła i grubości. W metodzie tej wykorzystuje się przynajmniej dwa różne źródła materiałów o różnych współczynnikach załamania światła, które można łączyć stechiometrycznie. Jako przykład takiego połączenia podane są np. związki azotku krzemu i tlenku krzemu. Wynalazek ten opiera się na odparowaniu materiałów wyjściowych za pomocą wiązki. Patent ten zakłada wykorzystanie dwóch różnych materiałów, co bezpośrednio wpływa na potrzebę rozbudowanej metody nakładania powłok, co wiąże się z większymi kosztami przygotowania aparatury.
Zgłoszenie TW201643478 dotyczy wielowarstwowego filtra interferencyjnego składającego się m.in. z warstwy a-Si:H,N oraz warstwy składającej się jednego lub dwóch materiałów dielektrycznych o niższym współczynniku załamania światła niż a-Si:H,N. Jednym z materiałów dielektrycznych może być np. SiO2.
W zgłoszeniu JP2014239104 zastrzeżono warstwę antyrefleksyjną i ochronną służące do pokrycia ogniw słonecznych. Warstwa antyrefleksyjna osadzona jest na podłożu z krzemu krystalicznego (korzystnie składa się ona głównie z azotku krzemu), na niej z kolei osadzona jest warstwa ochronna, której głównym składnikiem jest tlenek krzemu.
Wynalazek CN105824129 opisuje urządzenie stanowiące dolnoprzepustowy filtr laserowych wiązek dużej mocy. Urządzenie to składa się z czterech warstw gradientowych, zmieniających się wzdłuż kierunku padania wiązki światła. Warstwy te nakładane są na podłoża szklane metodą PVD lub CVD.
Celem wynalazku jest opracowanie sposobu wytwarzania jednowarstwowych filtrów optycznych z gradientem współczynnika załamania światła.
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania jednowarstwowych filtrów optycznych z gradientem współczynnika złamania światła, polegający na tym, że powłokę optyczną SiOxCy/SixNyCz nanosi się na podłoże metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej wspomaganego plazmą (RF PECVD) z wykorzystaniem krzemoorganicznego prekursora w stanie pary ze zmiennym w czasie stosunkiem przepływu gazów reakcyjnych oraz ciągłym odparowywaniem par prekursora, przy czym jako gaz reakcyjny stosuje się tlen i azot, a zmiana stosunku przepływu gazów nośnych ma zasadniczo kształt sinusoidy w przedziale od 100% azotu do 100% tlenu. Przepływ gazów reakcyjnych zmienia się korzystnie co 5 sekund o wartość 20% przy zachowaniu sumarycznej ilości gazów reakcyjnych na stałym poziomie. Korzystnie jako prekursor krzemoorganiczny stosuje się heksametylodisilazan - HMDS albo tetrametylosilazan - TMDS. Korzystnie stosuje się plazmę o częstotliwości 13,56 MHz. Pożądanym jest by prekursory krzemoorganiczne wprowadzane były do reaktora w stanie pary bez zastosowania gazu nośnego. Korzystnie w procesie stosuje się atmosferę roboczą ze stałym przepływem gazów reakcyjnych w przedziale od 10 sccm do 500 sccm. Korzystnym jest zastosowanie ujemnego napięcia autopolaryzacji z przedziału od -200 V do -1200 V. Powłoka korzystnie osadzana jest na podłożu stałym z grupy obejmującej kwarc, szkło albo krzem monokrystaliczny. Powłoka może być korzystnie osadzona na podłożu wykonanym z folii polimerowej z grupy obejmującej folie: poliestrowe, polyimidowe, polifenolowe, z polifluorku winylu, z difluorku poliwinylowego, z politetrafluoroetylenu, z polichlorku winylu, z polimetakrylanu metylu i jego homologów oraz z poliwęglanu.
Sposobem według wynalazku otrzymuje się jednowartwowe filtry optyczne, w których interferencje uzyskiwane są poprzez periodycznie (gradientowo) wielokrotnie zmieniający się skład od tlenku do węglikoazotku krzemu. Grubość powłoki na powierzchni materiału podłoża mieści się w zakresie od 0,1 μm do 5 μm i jest uzależniona od budowy filtru.
Płynna zmiana współczynnika załamania światła zabezpiecza filtr przed wnikaniem między warstwy wody i innych czynników środowiskowych, i zapobiega przed delaminacją.
PL 233 603 Β1
Sposób według wynalazku pozwala na wytwarzanie powłoki z jednego krzemoorganicznego związku wyjściowego zmieniając jedynie proporcje tlenu do azotu (O2/N2) w trakcie trwania procesu, bez konieczności jego przerywania.
Wprowadzanie prekursorów krzemoorganicznych w stan pary poprzez ich odparowanie w trybie ciągłym, bez zastosowania gazu nośnego, zwiększa szybkość osadzania. Z kolei zastosowanie ciągłego trybu odparowywania par prekursora zapewnia stałą prężność par, co pozwala na równomierne nakładanie powłoki na podłoża i dużą powtarzalność procesów o zadanych parametrach.
Sposób według wynalazku charakteryzuje się niską temperaturą podczas procesu nakładania. Pozwala on nakładać powłoki optyczne także na podłoża polimerowe.
Powłoki otrzymane sposobem według wynalazku znajdują zastosowanie jako cienkowarstwowy interferencyjny filtr optyczny na przyrządach optycznych, ekranach oraz jako antyrefleksyjny filtr do paneli słonecznych.
Przedmiot wynalazku przedstawiony jest na rysunku, na którym Fig. 1 przedstawia przykładową strukturę powłoki w funkcji grubości od zmiany współczynnika załamania światła.
Powłoka SiOx/SiyNz:C nakładana była metodą RF PECVD (chemiczne osadzanie z fazy gazowej wspomagane plazmą z częstotliwością radiową 13,56 MHz) przy użyciu ciekłego prekursora heksametylodisilazanu ze zmiennym w czasie przepływem gazów nośnych (azotu i tlenu).
Komora reakcyjna wykorzystana w procesie nakładania powłoki posiada jedną elektrodę wysokiej częstotliwości (WCZ) w dolnej części urządzenia. Drugą elektrodą jest cała powierzchnia komory odizolowana elektrycznie od dolnej elektrody. Nad elektrodą znajdują się dwa układy dystrybucji gazów reakcyjnych (reagentów). Jeden zapewnia równomierne rozprowadzanie gazów (mieszaniny tlenu i azotu), drugi jest elementem doprowadzającym pary prekursora. Obie dysze znajdują się na różnych poziomach w celu zwiększenia szybkości procesu i zapewnienia możliwości równomiernego rozprowadzenia prekursora po dolnej elektrodzie, na której umieszczone jest pokrywane filtrem podłoże.
Parametry procesu: ciśnienie początkowe - 0,5 Pa, wyładowanie przy napięciu autopolaryzacji -800 V, ciśnienie po wprowadzeniu 20 sccm gazu roboczego (azotu/tlen) 9,5-10,5 Pa, po wprowadzeniu par prekursora 14,0-16,0 Pa. Przepływ gazów zmieniał się co 5 s o 20% wartości w taki sposób, aby zachować sumaryczną ilość gazów na stałym poziomie. Założone zmiany przepływu są zbliżone do przebiegu sinusoidalnego.
Ilości gazów w czasie nakładania (dla jednego cyklu) są przedstawione w tabeli 1.
| Czas trwania procesu is] | 0 | 5 | 10 | 15 | 20 | 25 | 30 | 35 | 40 | 45 | 50 | 55 |
| Przepływ azotu [sccm] | 20 | 16 | 12 | 8 | 4 | 0 | 0 | 4 | 8 | 12 | 16 | 20 |
| Przepływ tlenu [sccm] | 0 | 4 | 8 | 12 | 16 | 20 | 20 | 16 | 12 | 8 | 4 | 0 |
Po zakończeniu cyklu (czas procesu ok. 55 s) proces zaczynał się od początku według zmian gazów roboczych zamieszczonych w tabeli.
Grubość powłoki otrzymanej tym sposobem wyniosła 257 nm.
Jeżeli jako gaz roboczy zastosowano tlen, na podłoże nakładano węglotlenek krzemu (SiOxCy) o współczynniku załamania światła 1,66. Jeśli jako gaz roboczy stosowano azot, na podłoże nakładano węgloazotek krzemu (SixNyCz) o współczynniku załamania światła 2.27-2.29. Jeśli jako gaz roboPL 233 603 Β1 czy zastosowano mieszaninę tlenu/azotu, nakładano powłokę SiOxCy/SixNyCz o współczynniku załamania światła z zakresu 1.66-2.27 w zależności od stosunku tlenu do azotu w mieszaninie gazów roboczych.
Claims (9)
- Zastrzeżenia patentowe1. Sposób wytwarzania jednowarstwowych filtrów optycznych z gradientem współczynnika złamania światła, znamienny tym, że powłokę optyczną SiOxCy/SixNyCz nanosi się na podłoże metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej wspomaganego plazmą (RF PECVD) z wykorzystaniem krzemoorganicznego prekursora w stanie pary ze zmiennym w czasie stosunkiem przepływu gazów reakcyjnych oraz ciągłym odparowywaniem par prekursora, przy czym jako gaz reakcyjny stosuje się tlen i azot, a zmiana stosunku przepływu gazów reakcyjnych ma zasadniczo kształt sinusoidy w przedziale od 100% azotu do 100% tlenu.
- 2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że przepływ gazów nośnych zmienia się co 5 sekund o wartość 20% przy zachowaniu sumarycznej ilości gazów reakcyjnych na stałym poziomie.
- 3. Sposób według zastrz. 1 albo 2, znamienny tym, że jako prekursor krzemoorganiczny stosuje się heksametylodisilazan - HMDS albo tetrametylosilazan -TMDS.
- 4. Sposób według zastrz. 1 albo 2 albo 3, znamienny tym, że stosuje się plazmę o częstotliwości 13,56 MHz.
- 5. Sposób według dowolnego z zastrz. od 1 do 4, znamienny tym, że prekursory krzemoorganiczne wprowadzane są do reaktora w stanie pary bez zastosowania gazu nośnego.
- 6. Sposób według dowolnego z zastrz. od 1 do 5, znamienny tym, że stosuje się atmosferę roboczą ze stałym przepływem gazów reakcyjnych w przedziale od 10 sccm do 500 sccm.
- 7. Sposób według dowolnego z zastrz. od 1 do 6, znamienny tym, że stosuje się ujemne napięcia autopolaryzacji z przedziału od -200 V do -1200 V.
- 8. Sposób według dowolnego z zastrz. od 1 do 7, znamienny tym, że powłoka osadzana jest na podłożu stałym z grupy obejmującej kwarc, szkło albo krzem monokrystaliczny.
- 9. Sposób według dowolnego z zastrz. od 1 do 7, znamienny tym, że powłoka osadzana jest na podłożu wykonanym z folii polimerowej z grupy obejmującej folie: poliestrowe, poliimidowe, polifenolowe, z polifluorku winylu, z difluorku poliwinylowego, z politetrafluoroetylenu, z polichlorku winylu, z polimetakrylanu metylu i jego homologów oraz z poliwęglanu.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL423097A PL233603B1 (pl) | 2017-10-09 | 2017-10-09 | Sposob wytwarzania jednowarstwowych filtrow optycznych z gradientem wspolczynnika zalamania swiatla |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL423097A PL233603B1 (pl) | 2017-10-09 | 2017-10-09 | Sposob wytwarzania jednowarstwowych filtrow optycznych z gradientem wspolczynnika zalamania swiatla |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL423097A1 PL423097A1 (pl) | 2019-04-23 |
| PL233603B1 true PL233603B1 (pl) | 2019-11-29 |
Family
ID=66167860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL423097A PL233603B1 (pl) | 2017-10-09 | 2017-10-09 | Sposob wytwarzania jednowarstwowych filtrow optycznych z gradientem wspolczynnika zalamania swiatla |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL233603B1 (pl) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09197113A (ja) * | 1996-01-17 | 1997-07-31 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタの製造方法 |
| JP2001288562A (ja) * | 2000-04-03 | 2001-10-19 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | シリコン化合物薄膜の被覆方法およびそれを用いて得られる物品 |
| DE102006035563A1 (de) * | 2006-07-27 | 2008-01-31 | Kimes, Karin | Silan freie plasmagestützte CVD-Abscheidung von Siliziumnitrid als anti-reflektierendem Film und zur Wasserstoffpassivierung von auf Siliziumwafern aufgebauten Photozellen |
| CN102703859A (zh) * | 2012-06-15 | 2012-10-03 | 上海大学 | 非晶碳基薄膜与金属基体间梯度过渡层的制备方法 |
| CN112285817A (zh) * | 2015-02-18 | 2021-01-29 | 美题隆公司 | 具有改进的透射率的近红外光学干涉滤波器 |
| CN104860550A (zh) * | 2015-06-17 | 2015-08-26 | 肥西县三星玻璃有限公司 | 彩色自清洁玻璃 |
-
2017
- 2017-10-09 PL PL423097A patent/PL233603B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL423097A1 (pl) | 2019-04-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Manfredotti et al. | Influence of hydrogen-bonding configurations on the physical properties of hydrogenated amorphous silicon | |
| JP4144909B2 (ja) | 傾斜層の製造方法 | |
| CA1329567C (en) | Coated article and method of manufacturing the article | |
| US20090208715A1 (en) | Index modified coating on polymer substrate | |
| Kim et al. | Room-temperature deposition of a-SiC: H thin films by ion-assisted plasma-enhanced CVD | |
| KR20110030381A (ko) | 가스 배리어 코팅 및 가스 배리어 필름 | |
| KR19990007365A (ko) | 고속 아크 플라즈마 증착에 의한 보호 코팅 방법 | |
| JPS63262474A (ja) | プラズマ堆積式コーティングを作成する低温プラズマ法 | |
| US20030039847A1 (en) | Optically coated article and method for its preparation | |
| US20130181331A1 (en) | Atmospheric-pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition | |
| Zhang et al. | Studies on diamondlike carbon films for antireflection coatings of infrared optical materials | |
| PL233603B1 (pl) | Sposob wytwarzania jednowarstwowych filtrow optycznych z gradientem wspolczynnika zalamania swiatla | |
| Lukianov et al. | Nonstoichiometric amorphous silicon carbide films as promising antireflection and protective coatings for germanium in IR spectral range | |
| Geng et al. | Ultraviolet laser damage properties of single-layer SiO2 film grown by atomic layer deposition | |
| US20040101636A1 (en) | Method for producing a coated synthetic body | |
| Hu et al. | Annealing effects on the bonding structures, optical and mechanical properties for radio frequency reactive sputtered germanium carbide films | |
| Zhang et al. | Optical transmittance of antireflective diamond-like coatings on ZnS substrates | |
| Amri et al. | Optical modeling and investigation of thin films based on plasma-polymerized HMDSO under oxygen flow deposited by PECVD | |
| Fuerst et al. | PECVD synthesis of flexible optical coatings for renewable energy applications | |
| US5547706A (en) | Optical thin films and method for their production | |
| Jaglarz et al. | Thermo-optical properties of high-refractive-index plasma-deposited hydrogenated amorphous silicon-rich nitride films on glass | |
| Anma et al. | Preparation of ZnO thin films deposited by plasma chemical vapor deposition for application to ultraviolet-cut coating | |
| US20220112597A1 (en) | Transparent nano layered water barriers and methods for manufacturing the same | |
| JPH0477281B2 (pl) | ||
| Iwao | 3-6 Optical Thin Film Technology Used in the Terahertz Frequency |