Wynalazek dotyczy ukladów polaczen do wzmacniania drgan wielkiej czestotli¬ wosci, w których stosuje sie lampy termo- jonowe o wiecej niz jednej siatce, np. lam¬ py z siatka oslonna.Jest rzecza wiadoma, ze przy stosowa¬ niu lamp termojonowych, zawierajacych wiecej niz jedna siatke, prócz dzialania wstecznego obwodu anodowego na obwód siatki sterujacej na obwód ten dzialaja wstecznie jeszcze pozostale obwody siat¬ kowe. Te dzialania wsteczne powstaja wskutek pojemnosci, jakie wykazuja wzgledem siebie rózne elektrody lampy termojonowej. Dzialania te wystepuja tern bardziej, im wieksza jest czestotliwosc wzmacnianych drgan wielkiej czestotliwo¬ sci, przyczem dzalania te moga byc wresz¬ cie tak duze, ze uklad zacznie drgac elek¬ trycznie. Jezeli pojemnosc anoda-siatka sterujaca jest bardzo mala, jak to ma miejsce np. w lampach ekranowych, wów¬ czas jest bardzo male oddzialywanie wsteczne obwodu anodowego na obwód siatki sterujacej. W lampach z siatka o- slonna, gdy czestotliwosc wzmacnianych napiec pradu zmienneigo jest bardzo duza, powstaje ponadto dzialanie wsteczne ano¬ dy na obwód siatki sterujacej, a mianowi¬ cie poprzez pojemnosc anoda-siatka oslon¬ na i pojemnosc siatka oslonna — siatka sterujaca. Dzialanie takie byloby unie¬ mozliwione, gdyby siatka oslonna byla zwarta z katoda ze wzgledu na prady wielkiej czestotliwosci. Druty lacznikowe, potrzebne do polaczenia siatki oslonnejz katoda i lezace czesciowo wewnatrz i czesciowo nazewnatrz oslony lampy, po¬ siadaja jednak same pewna samoindukcje, wskutek czego miedzy siatka oslonna a ka¬ toda powstaje zawsze szybkozmienne na¬ piecie pradu zmiennego, które poprzez po¬ jemnosc siatka oslonna — siatka sterujaca dziala tern silniej na obwód siatki steru¬ jacej, im wieksza jest czestotliwosc oraz im wieksza jest impedancja obwodu ano¬ dowego.Obwód siatki oslonnej i obwód siatki sterujacej, niezaleznie od wzajemnego ich sprzezenia poprzez pojemnosc siatka o- slonna — siatka sterujaca, sa ponadto sprzezone ze soba zapomoca wzajemnej samoindukcji siatki oslonnej i siatki steru¬ jacej, wskutek czego nastepuje równiez wsteczne oddzialywanie obwodu siatki o- slonnej na obwód siatki sterujacej.Nietylko w lampach ekranowych, lecz takze i w lampach wielosiatkowych zacho¬ dza zarówno elektrostatyczne, jak i induk¬ cyjne sprzezenia innych elektrod z siatka sterujaca. Wynalazek ma na celu wskaza¬ nie srodków, usuwajacych w lampach wie¬ losiatkowych dzialanie wsteczne, powodo¬ wane wspomnianemi przyczynami.Ze wzgledu na prady wielkiej czesto¬ tliwosci w obwodzie anodowym osiaga sie to wedlug wynalazku zapomoca takiego polaczenia konca opornosci pozornej (od¬ wróconego od anody) z siatka, nie bedaca siatka sterujaca, aby czesc tego polacze¬ nia, wspólna polaczeniu wspomnianej siat¬ ki z katoda, posiadala nieznaczna impe- dancje wzgledem pradów wielkiej czesto¬ tliwosci.Na rysunku przedstawiono tytulem przykladu postac wykonania przedmiotu wynalazku.Fig. 1 przedstawia uklad polaczen do wzmacniania drgan wielkiej czestotliwo¬ sci, w którym zastosowana jest lampa z siatka oslonna.Lampa ekranowa zawiera anode A, siatke oslonna S, siatke sterujaca G oraz katode K. Katoda moze byc nagrzewana zarówno bezposrednio, jak i posrednio. Ze wzgledu na uproszczenie na fig. 1 pomi¬ nieto wszystkie zródla napiecia pradu sta¬ lego, poniewaz omawiane sa wylacznie prady wielkiej czestotliwosci. W obwodzie anodowym lampy ekranowej umieszczony jest uklad opornosci pozornej Za, która moze stanowic obwód rezonansowy, skla¬ dajacy sie z cewki La i kondensatora Ca .W obwodzie siatki sterujacej lezy opor¬ nosc pozorna Zgi utworzona np. z cewki Lg% kondensatora C^.Na fig. 1 zaznaczono ponadto pojem¬ nosc Cas anoda-siatka oslonna oraz po¬ jemnosc Cse siatka oslonna-siatka steru¬ jaca. Drut, laczacy siatke oslonna z kato¬ da, który moze znajdowac sie czesciowo wewnatrz, a czesciowo nazewnatrz banki lampy, posiada pewna samoindukcje Ls, zalezna od dlugosci tego drutu. Ta samo- indukcja lezy szeregowo do pojemnosci Cas anoda-siatka oslonna i równolegle do opornosci pozornej Za obwodu anodowe¬ go. W przypadku, przedstawionym na fig. 1, w którym opornosc pozorna stanowi ob¬ wód rezonansowy, prad, plynacy poprzez pojemnosc Cas i samoindukcje Ls, moze byc duzy, a nawet wartosc jego moze byc wieksza od pradu anodowego. Jezeli cze¬ stotliwosc wzmacnianych napiec pradu zmiennego jest duza, a drut lacznikowy, np. w lampach ekranowych, jest dlugi, wówczas moze byc duzy równiez spadek napiecia, powodujacy przeplyw pradu po¬ przez samoindukcje Ls drutu lacznikowe¬ go. Skutkiem tego* napiecia, istniejacego miedzy siatka oslonna a katoda, jest wsteczne oddzialywanie siatki oslonnej na obwód siatki sterujacej poprzez pojem¬ nosc C siatka oslonna — siatka steruja¬ ca. Przy zwiekszaniu sie czestotliwosci wzmacnianych napiec pradu zmiennego to wsteczne oddzialywanie daje sie odczu¬ wac coraz bardziej, wskutek czego uklad 2 —polaczen wzmacniacza wykazuje wreszcie sklonnosc do samowzbudzania sie.Niebezpieczenstwu temu zapobiega u- klad polaczen wedlug wynalazku, przed¬ stawiony na fig. 2. W ukladzie tym od¬ wrócony od anody koniec opornosci po¬ zornej Za jest polaczony, ze wzgledu na prady wielkiej czestotliwosci, w obwodzie anodowym nie bezposredno z katoda K, lecz z zaciskiem P. Zacisk ten, lezacy na- .zewnatrz banki lampy, jest umieszczony tak, ze miedzy nim a siatka oslonna ist¬ nieje tylko bardzo krótkie polaczenie. Jest rzecza zrozumiala, ze w ukladzie polaczen, przedstawionym na fig. 2, prady zmienne, plynace po drucie lacznikowym od zaci¬ sku P, czyli od siatki oslonnej do katody K, sa o wiele mniejsze, poniewaz drut ten nie stanowi juz czesci obwodu rezonanso¬ wego Za, co ma miejsce w ukladzie pola¬ czen wedlug fig. 1. Prad przeplywajacy odpowiada sumie anodowego pradu zmien¬ nego i pradu zmiennego siatki oslonnej.Jezeli obwód rezonansowy Za jest nastro¬ jony na czestotliwosc wzmacnianych na¬ piec pradu zmiennego, wówczas prad ano¬ dowy znajduje sie w fazte z napieciami pradu zmiennego, nadawanemi siatce ste¬ rujacej. To samo odnosi sie równiez i do pradu zmiennego siatki oslonnej. Spadek napiecia na samoindukcji Ls drutu, lacza¬ cego zacisk P z katoda K, któfy, jak juz wspomniano, jest mniejszy anizeli w u- kladzie polaczen wedlug fig. 1, posiada ponadto taka faze, ze powodowane wsku¬ tek tego oddzialywanie wsteczne poprzez pojemnosc C (siatka oslonna-siatka ste¬ rujaca) na obwód siatki sterujacej nie mo¬ ze spowodowac samowzbudzenia sie u- kladu.Dotychczas nie zwracano uwagi na sprzezenie miedzy siatka sterujaca a o- slonna, powodowane wskutek wzajemnej samoindukcji obu tych siatek. To sprzeze¬ nie, które mozna bylo zauwazyc przy dosc duzych czestotliwosciach napiec pradu zfnfemtegor wzmacnianego"w lampfe, W9$c- szaló sklonnosc do samowzbtt^zinia sie wzmacniajacych ukladów peSaczfen.Zastoso^nie ukladu polaczen wedlug fig. 3 umozliwia prawie unieszkodliwienie tego oddzialywania wstecznego. W tifclat- dzie tym siatka oslonna S jest polaczona nietylko drutem a z zaciskiem P, lecz po¬ nadto takze i zapoiftbca drutu lacznikowe¬ go b — z zaciskiem Q: Zacisk Q jest pola¬ czony ze wzgledu na prady wielkiej cze¬ stotliwosci z odwróconym od anody kon¬ cem opornosci pozornej Za, lezacej w ob¬ wodzie anodowym. Drut lacznikowy 6 jest przylaczony do punktu R siatki oslon¬ nej, wskutek czego prady, plynace poprzez pojemnosc anoda-siatka oslonna, powodu¬ ja w czesciach siatki oslonnej, lezacych w prawo i w lewo od tego punktu R, prze¬ ciwdzialajace pole magnetyczne, usuwaja¬ ce prawie zupelnie dzialanie wzbudzajace siatki oslonnej na siatke sterujaca.Dzieki umieszczeniu punktu R nie sci¬ sle w srodku siatki oslonnej, lecz w pew¬ nej odleglosci od tego srodka, umozliwiono utrzymywanie sredniego napiecia siatki oslonnej na stalej wartosci w stosunku do siatki sterujacej, dzieki czemu zmniejszo¬ no takze elektrostatyczne oddzialywanie wsteczne poprzez pojemnosc Crs .Aczkolwiek w opisie i na rysunku po¬ dano zastosowanie wynalazku do lamp ekranowych, to jednak jest rzecza zrozu¬ miala, ze wynalazek moze byc stosowany z powodzeniem takze i w innych lampach wielosi atkowych, np. pentodach. PL