PL229083B1 - Sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gęstości przeznaczonej do nanoszenia powłok w procesach rozpylania magnetronowego - Google Patents
Sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gęstości przeznaczonej do nanoszenia powłok w procesach rozpylania magnetronowegoInfo
- Publication number
- PL229083B1 PL229083B1 PL399606A PL39960612A PL229083B1 PL 229083 B1 PL229083 B1 PL 229083B1 PL 399606 A PL399606 A PL 399606A PL 39960612 A PL39960612 A PL 39960612A PL 229083 B1 PL229083 B1 PL 229083B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- chamber
- atmosphere
- time
- plasma
- pulse
- Prior art date
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 claims description 11
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 21
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 19
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 8
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052961 molybdenite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N B#[Ti]#B Chemical compound B#[Ti]#B QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910033181 TiB2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 229910000851 Alloy steel Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000035611 feeding Effects 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 3
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006281 γ-TiAl Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000001674 Agaricus brunnescens Nutrition 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000746 Structural steel Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017875 a-SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Chemical group 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gęstości przeznaczonej do nanoszenia powłok w procesach rozpylania magnetronowego w komorze próżniowej, polegający na wywołaniu w gazowej atmosferze obróbczej wprowadzonej do komory wyładowań magnetronowych o gęstości prądu 50-700 A/m2 przy użyciu źródła prądowego generującego jednokierunkowe przebiegi prądowe o polarności ujemnej, charakteryzuje się tym, że gazową atmosferę obróbczą podaje się do komory impulsowo, w czasie 3-120 ms, każdorazowo w ilości (0,1-1,2)x10-6 mol/dm3 komory próżniowej do zapłonu plazmy, przy częstotliwości impulsów podawania gazowej atmosfery obróbczej 1,3-2,4 Hz, przy ciągłym i równoczesnym jej usuwaniu dla obniżania ciśnienia i jednocześnie wywoływania zaniku plazmy.
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gęstości przeznaczonej do nanoszenia powłok w procesach rozpylania magnetronowego.
Znane jest wytwarzanie plazmy w zespole katody, posiadającej sekcję wewnętrzną i zewnętrzną, przy anodzie usytuowanej szczelinowo w sąsiedztwie zewnętrznej sekcji katody. Pierwszy ładunek mocy generuje w szczelinie między anodą i sekcją zewnętrzną katody pierwsze pole elektryczne jonizujące gaz znajdujący się w przerwie, wytwarzając plazmę początkową, którą w drugim polu elektrycznym generowanym drugim ładunkiem mocy w pobliżu wewnętrznej sekcji katody przetwarza się na plazmę o większej gęstości jonów.
Znane jest wykorzystywanie plazmy o wysokiej gęstości do wytwarzania powłok o określonej strukturze, ze zwiększoną szybkością osadzania powłoki oraz z wysokim odwzorowaniem powierzchni podłoża przez powłokę, przy czym zależnie od warunków wzbudzenia i potem utrzymywania stanu plazmy jest możliwe dobieranie rodzaju powłok tak w zależności od podłoża, jak i końcowego przeznaczenia elementu pokrywanego powłoką. Rozpylanie magnetronowe umożliwia syntezę związków chemicznych w warunkach odmiennych od równowagi termodynamicznej, a tym samym umożliwia osadzanie faz metastabilnych.
Zgodnie z publikacją Mattox D. M.: Handbook of Physical Vapour Deposition (PVD) Processing. Noyes Publications, Westwood N. J., USA, 1998 rozpylanie powierzchni podłoży przy pomocy rozpędzonych jonów bądź atomów gazów szlachetnych można realizować przez spolaryzowanie przewodzących podłoży ujemnym potencjałem w tak zwanym układzie stałoprądowego rozpylania diodowego DC zwanego unipolarnym bądź przez włączenie między przewodzące podłoża i ścianki komory bipolarnego źródła prądu AC o biegunowości zmieniającej się okresowo na przeciwną; można także stosować w tym celu nieciągłą ujemną polaryzację podłoży przez podłączenie do nich źródła prądowego unipolarnego o charakterystyce impulsowej, a także przez podłączenie między podłoże i ścianki metalowej komory próżniowej źródła prądowego RF częstotliwości radiowej bądź też jednocześnie źródła prądowego typu DC z dodatkowym źródłem prądu RF o częstotliwości radiowej.
Wytwarzanie plazmy stosowanej w wyżej wymienionych sposobach, ze względu na nieliniowy charakter zmian oporu plazmy pod wpływem przyłożonej różnicy potencjałów, wymaga użycia prądowych źródeł zasilania czyli podtrzymujących stałe, zadane wartości prądu a nie napięcia, ponieważ w tym ostatnim przypadku plazma wyładowania jarzeniowego przechodzi w plazmę wyładowania wysokoprądowego o bardzo małym oporze, co grozi zniszczeniem każdego źródła napięciowego w wyniku powstawania łuku elektrycznego.
W najprostszej metodzie rozpylania magnetronowego, czyli po podłączeniu stałego potencjału do katody magnetronu jedynie niewielka część rozpylonych atomów tj. 0-5% ulega jonizacji. W nowszych i bardziej efektywnych metodach wykorzystuje się zwykle źródła napięciowe załączane pulsacyjnie do katody magnetronu, przy czym w metodach tych celem zwięk szeni a jonizacji plazmy stosuje się wysokie napięcia, co z kolei wywołuje wysokie natężenia, a to w efekcie może powodować uszkodzenie, a nawet zniszczenie katody bądź zniszczenie źródła napięcia.
Znane jest z opisu patentowego US 629 67 42 stosowanie, we wzmocnionym magnetycznie rozpylaniu, impulsów o bardzo wysokiej mocy chwilowej rzędu od 10 kW do 1 MW, przy czym występują wtedy obszary pułapkowania elektronów przez pole magnetyczne, współpracujące z polem elektrycznym między anodą, tworzoną przez część ścianki komory i katodą stanowiącą wówczas jednocześnie target, z którego jest rozpylany materiał. Przy bardzo wysokich mocach impulsów bądź wysokiej gęstości mocy w impulsach, gaz w takich obszarach oraz w bezpośrednio sąsiadujących jest zdolny przejść w stan pełnej jonizacji, usytuowany powyżej niepożądanego stanu łuku elektrycznego, występującego przy niższych mocach.
Znane jest także z opisu patentowego SE 525231 wytwarzanie strumieni plazmy metalicznej i/lub gazowej przez dwustopniowe wyładowania elektryczne, wytwarzane okresowo między anodą i metaliczną katodą magnetronu w skrzyżowanych polach elektrycznym i magnetycznym, w metalowej komorze zawierającej gaz pod niskim ciśnieniem. W odmianie tej metody zamiast pierwszego krótkiego okresu o niskim prądzie elektrycznym przebiegającym między anodą i katodą stosuje się stałe wyładowanie prądowe.
Z artykułu opublikowanego 5 czerwca 2012 r. w czasopiśmie Surface and Coatings Technology znany jest sposób dozowania gazu roboczego do komory próżniowej pod czas osadzania powłok metodą magnetronową, polegający na wstrzykiwaniu gazu roboczego do komory próżniowej.
PL 229 083 B1
Sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gęstości przeznaczonej do nanos zenia powłok w procesach rozpylania magnetronowego w komorze próżniowej, polegający na wywołaniu w gazowej atmosferze obróbczej wprowadzonej do komory wyładowań magnetronowych o gęstości prądu 50-700 A/m2, przy użyciu źródła prądowego generującego jednokie runkowe przebiegi prądowe o polarności ujemnej, przy ciągłym i równoczesnym usuwaniu gazowej atmosfery obróbczej dla obniżania ciśnienia i jednocześnie wywoływania zaniku plazmy, według wynalazku charakteryzuje się tym, że gazową atmosferę obróbczą podaje się do komory impulsowo przy czasie trwania pojedynczego impulsu 3-120 ms, podając w każdym impulsie (0,1-1,2) x 10-6 mol atmosfery gazowej /dm3 komory wyładowań magnetronowych, przy częstotliwości impulsów podawania gazowej atmosfery obróbczej 1,3-2,4 Hz. Stosuje się czas podawania gazowej atmosfery obróbczej i czas między kolejnymi jej podaniami takie, aby stosunek czasu podawania atmosfery do czasu zanikania plazmy do czasu między kolejnymi podaniami atmosfery był równy 0,03-1,2 do 4-6 do 4,1-7,3, oraz aby łączny czas podawania atmosfery obróbczej i czas zanikania plazmy był krótszy od czasu między kolejnymi podaniami atmosfery obróbczej.
Wytwarzanie impulsowej plazmy sposobem według wynalazku pozwala, w takim samym procesie oraz w tym samym urządzeniu, na oczyszczanie tak targetów magnetronów jak i oczyszczanie powierzchni przeznaczonych do nanoszenia powłok i umożliwia przejście bezpośrednio od procesu czyszczenia do procesu nanoszenia powłok, przy czym wytwarzanie plazmy następuje przez impulsowe wprowadzanie gazowej atmosfery obróbczej, tak w przypadku procesu czyszczenia, jak i nanoszenia powłok, przy równoczesnym stosowaniu niskich średnich obciążeń termicznych targetów magnetronów. Ponadto impulsowe podawanie gazu, w wyniku którego również gęstość plazmy zmienia się impulsowo wewnątrz komory, zapewnia wytwarzanie powłok bardzo jednorodnych, o wysokiej adhezji do podłoża, nanokrystalicznych bądź amorficznych, jak również niejednokrotnie o twardości powyżej 40 GPa.
Przedmiot wynalazku ilustrują poniższe przykłady.
P r z y k ł a d I
Łopatkę wirnika końcowego stopnia sprężarki silnika turboodrzutowego ze stopu γ-TiAI o strukturze ziarnistej i składzie 50% atomowych Ti + 50% atomowych Al, umieszczono w komorze próżniowej wyposażonej w cztery prostokątne magnetrony z ruchomymi przesłonami, przy czym trzy magnetrony posiadają targety ze spieku Ti i 4,5% masowych Si, a jeden target z litego Ti. Po oczyszczeniu znanym sposobem łopatki i targetów magnetronów, łopatkę podgrzano do temperatury 500°C, usunięto przesłonę sprzed target tytanowego i połączono go ze źródłem prądowym generującym jednokierunkowe przebiegi prądowe o polarności ujemnej, uruchomiono spolaryzowany potencjałem -50 V obrotowy stolik z podwieszoną łopatką i w pierwszym etapie w czasie 5 min, rozpoczęto impulsowo wprowadzanie w pobliże środka targetu tytanowego mieszaniny składającej się z 30% objętościowych argonu i 70% objętościowych azotu, podając w jednym impulsie mieszaninę w ilości 0,1 x 10-6 mol/dm3 komory, przy częstotliwości impulsów 1,6 Hz i czasie trwania impulsu 15 ms, przy ciągłym i równoczesnym usuwaniu gazu, tak iż każdorazowo chwilowe ciśnienie wzrastało do 0,3 Pa wywołując zapłon wyładowania magnetronowego o gęstości prądu 50 A/m2 i zanikanie wyładowania po około 0,6 s. Następnie po odłączeniu od źródła prądowego i osłonięciu przesłoną targetu tytanowego, w drugim etapie odsłonięto pozostałe targety ze spieku Ti + 4,5% masowych Si i podłączono je do źródeł prądowych generujących jednokierunkowe przebiegi prądowe o polarności ujemnej, po czym w pobliże środków odsłoniętych targetów ze spieku Ti + 4,5% masowych Si wprowadzano impulsowo w czasie 3 godz., mieszaninę argonu i azotu, odpowiednio o składzie 30% objętościowych i 70% objętościowych, podając ją w jednym impulsie w ilości 0,7 x 10-6 mol/dm3 komory, przy częstotliwości impulsów 1,7 Hz i czasie trwania impulsu 70 ms, przy ciągłym, równoczesnym usuwaniu gazu, tak iż każdorazowo chwilowe ciśnienie wzrastało do 1,2 Pa wywołując zapłon wyładowania magnetronowego o gęstości 200 A/m2 i zanikanie wyładowania po około 0,5 s. Po odłączeniu targetów od źródeł prądowych i schłodzeniu komory stwierdzono, iż na powierzchni łopatki powstała nanokompozytowa powłoka grubości 2 μm, z metalicznym połyskiem i żółto-brązowej barwie, złożona z nanokrystalitów azotku tytanu w amorficznej osnowie azotku krzemu, o twardości 45 GPa, wysokim module sprężystości ca 600 GPa i chropowatości zbliżonej do wyjściowej chropowatości łopatki ze stopu γ-TiAl. Ponadto stwierdzono, że między tą powłoką i podłożem ze stopu γ-TiAl występuje cienka, drobnokrystaliczna międzywarstwa z czystego azotku tytanu o grubości około 60 nm, a powłoka nc-TiN/a-SiN charakteryzuje się adhezją około 80 N mierzoną metodą rysy przy pomocy wgłębnika Rockwella o promieniu krzywizny przy wierzchołku stożka 0,2 mm oraz bardzo wysoką odpornością na utlenianie w powietrzu pod normalnym ciśnieniem w warunkach statycznych - paraboliczna stała szybkości utleniania powłoki przy 1100°C wynosiła poniżej 10-15 g2/cm4s.
PL 229 083 B1
P r z y k ł a d II
Postępując jak w przykładzie I, jako atmosferę obróbczą w drugim etapie zastosowano mieszaninę składającą się z 40% objętościowych argonu, 30% objętościowych azotu i 30% objętościowych acetylenu, wprowadzaną impulsowo w czasie 2,8 godz., podając ją w jednym impulsie w ilości 0,6 x 10-6 mol/dm3 komory, przy częstotliwości impulsów 1,7 Hz i czasie trwania impulsu 60 ms, przy ciągłym i równoczesnym usuwaniu gazu, tak iż każdorazowo chwilowe ciśnienie wzrastało do 1,2 Pa wywołując zapłon wyładowania magnetronowego o gęstości prądu 250 A/m2 i zanikanie wyładowania po około 0,5 s. Po odłączeniu targetów od źródeł prądowych i schłodzeniu komory stwierdzono, iż na powierzchni łopatki powstała nanokompozytowa powłoka o grubości 3 μm, z metalicznym połyskiem i żółto-brązowej barwie, złożona z nanokrystalitów węglikoazotku tytanu w amorficznej osnowie azotku krzemu, o twardości 50 GPa, wysokim module sprężystości około 620 GPa.
P r z y k ł a d III
Płytkę czworokątną z węglika spiekanego typu CNMA120412 osadzoną na obrotowym stoliku, usytuowanym na osi symetrii cylindrycznej metalowej komory próżniowej, wyposażonej w rozmieszczone symetrycznie dwa magnetrony z targetami ze spieku 80% molowych TiB2 i 20% molowych TiC, przy osłoniętych przesłonami targetach, po odpompowaniu powietrza w komorze do ciśnienia resztkowego 5 x 10-4 Pa, poddano czyszczeniu znanym sposobem. Następnie targety połączono ze źródłami prądowymi generującymi przebiegi jednokierunkowe o polarności ujemnej i oczyszczono znanym sposobem, po czym odsłonięto targety, stolik wraz z podwieszoną płytką, podgrzaną do temperatury 550°C, wprowadzono w ruch obrotowy i przez 1 godz. prowadzono proces nanoszenia powłoki wprowadzając impulsowo krypton, podając go w jednym impulsie w ilości 1,2 x 10-6 mol/dm3 komory, przy częstotliwości impulsów 1,3 Hz i czasie trwania impulsu 120 ms, przy ciągłym, równoczesnym usuwaniu gazu, tak iż każdorazowo chwilowe ciśnienie w komorze wzrastało do 1,7 Pa, wywołując zapłon wyładowania magnetronowego o gęstości 700 A/m2 i zanikanie wyładowania po około 0,6 s. Po otwarciu komory stwierdzono, że na powierzchni płytki została osadzona supertwarda, nanokompozytowa powłoka o grubości 3,5 μm i twardości 40 GPa, złożona z nanokrystalicznych ziaren TiB2 w osnowie z quasi-amorficznego węglika tytanu TiC o dużej gładkości i adhezji do płytki z węglika spiekanego.
P r z y k ł a d IV
Grzybek zaworu wylotowego silnika Diesla ze stali zaworowej DIN 1,4871, po odpompowaniu powietrza w metalowej komorze próżniowej do ciśnienia resztkowego 8 x 10-4 Pa, osadzony jak w przykładzie III w komorze, wyposażonej w rozmieszczone symetrycznie dwa magnetrony z targetami ze spieku 74% masowych TiB2 i 26% masowych B, przy osłoniętych przesłonami targetach, poddano czyszczeniu dowolnym, znanym sposobem. Następnie targety jak w przykładzie III połączono ze źródłami prądowymi i oczyszczono także dowolnym, znanym sposobem, po czym odsłonięto targety, stolik wraz z podwieszonym grzybkiem, podgrzanym do temperatury 450°C, wprowadzono w ruch obrotowy i przez 80 min prowadzono proces nanoszenia powłoki impulsowo wprowadzając argon, podawany w jednym impulsie w ilości 0,4 x 10-6 mol/dm3 komory, przy częstotliwości impulsów 1,8 Hz i czasie trwania impulsu 50 ms, przy ciągłym równoczesnym usuwaniu gazu, tak iż chwilowe ciśnienie w komorze każdorazowo wzrastało do 0,7 Pa, wywołując zapłon wyładowania magnetronowego o gęstości prądu 300 A/m2 i zanikanie wyładowania po około 0,5 s. Po otwarciu komory stwierdzono, że na powierzchni grzybka została osadzona supertwarda, nanokompozytowa powłoka o grubości 2,1 μm i twardości 50 GPa, złożona z nanokrystalicznych ziaren TiB2 w osnowie z amorficznego boru o dużej gładkości i dużej adhezji do grzybka zaworu wylotowego silnika Diesla.
P r z y k ł a d V
Trzon zaworu dolotowego silnika o zapłonie iskrowym na paliwo LPG ze stali niskostopowej 40 HM, oczyszczony jak w przykładzie I, podwieszono pod obrotowy izolowany stolik o osi obrotu równoległej do pionowej osi metalowej, cylindrycznej komory wyposażonej w trzy symetrycznie usytuowane magnetrony, z których jeden posiada target z czystego tytanu, zaś dwa pozostałe - z czystego grafitu i oczyszczono dowolnym sposobem. Następnie targety połączono z trzema zsynchronizowanymi źródłami prądowymi generującymi przebiegi o polarności ujemnej i oczyszczono znanym sposobem. Następnie odsłonięto target z tytanu, wprawiono stolik wraz z podwieszonym do niego trzonem w ruch obrotowy i przez 6 min prowadzono proces osadzania tytanu, wprowadzając impulsowo w pobliże środka targetu argon, podawany w jednym impulsie w ilości 0,2 x 10-6 mol/dm3 komory, z częstotliwością impulsów 2,1 Hz i czasie trwania impulsu 60 ms, przy ciągłym, równoczesnym usuwaniu gazu, tak iż chwilowe ciśnienie w komorze każdorazowo wzrastało do 0,3 Pa, wywołując zapłon wyładowania magnetronowego o gęstości prądu 100 A/m2 i zanikanie wyładowania po około 0,4 s, po czym zasłonięto
PL 229 083 B1 target tytanowy, odsłonięto targety grafitowe i prowadzono rozpylanie przez 3 godz. przy impulsowym wprowadzaniu w pobliże środka targetów argonu, podawanego w jednym impulsie w ilości 0,8 x 10-6 mol/dm3 komory z częstotliwością impulsów 1,4 Hz i czasie trwania impulsu 110 ms, przy ciągłym równoczesnym usuwaniu gazu, tak iż każdorazowo chwilowe ciśnienie w komorze wzrastało do 0,8 Pa, wywołując zapłon wyładowania magnetronowego o gęstości prądu 250 A/m2 i zanikanie wyładowania po około 0,6 s. Po 30 min otwarto komorę i stwierdzono, że na powierzchni trzonu powstała gładka powłoka o ciemnografitowym zabarwieniu, wyraźnym połysku, o grubości 2 pm, złożona z nanokrystalitów węglika tytanu w amorficznej osnowie z amorficznego węgla, o nanotwardości 20 GPa i module sprężystości 210 GPa, o chropowatości zbliżonej do wyjściowej chropowatości wierzchniej warstwy trzonu zaworu. Ponadto stwierdzono, że między tą powłoką a podłożem ze stali niskostopowej 40 HM występuje cienka, drobnokrystaliczna międzywarstwa z czystego tytanu o grubości około 50 nm, a wytworzona nanokompozytowa powłoka nc-TiC/a-C charakteryzuje się niskim współczynnikiem tarcia o wartości 0,09 oraz dużą odpornością na zużycie adhezyjne podczas tarcia ślizgowego suchego względem tulei zaworowej z niskostopowej stali konstrukcyjnej - stała szybkości zużycia objętościowego podczas tarcia ślizgowego suchego względem tulei przy temperaturze 150°C i nacisku 1 GPa była mniejsza niż 10-17 m3/Nm.
P r z y k ł a d VI
Hartowany i azotowany krótkookresowo sworzeń ze stali 38HMJ osadzono jak w przykładzie V w cylindrycznej metalowej komorze próżniowej, wyposażonej w usytuowane symetrycznie, z zamontowanymi przesłonami, trzy magnetrony, z których dwa mają targety ze spieku 90% molowych MoS2 + 10% molowych Ti, a jeden posiada target z czystego tytanu i oczyszczono znanym sposobem. Targety podłączono do trzech zsynchronizowanych źródeł prądowych generujących jednokierunkowe przebiegi prądowe o polarności ujemnej i poddano czyszczeniu znanym sposobem. Następnie odsłonięto target z tytanu, stolik wraz z podwieszonym do niego sworzniem wprawiono w ruch obrotowy i przez 7 min wprowadzano impulsowo w pobliże środka targetu argon, podawany w jednym impulsie w ilości 0,2 x 10-6 mol/dm3 komory, z częstotliwością impulsów 2,4 Hz i czasie trwania impulsu 6 ms, przy ciągłym równoczesnym usuwaniu gazu, tak iż chwilowe ciśnienie w komorze każdorazowo wzrastało do 0,2 Pa, wywołując zapłon wyładowania magnetronowego o gęstości prądu 70 A/m2 i zanikanie wyładowania po ca 0,4 s. Następnie zasłonięto target tytanowy i odsłonięto targety ze spieku MoS2 + Ti, po czym rozpoczęto rozpylanie przez 3 godz., przy impulsowym wprowadzaniu w pobliże środka katod argonu, podawanego w jednym impulsie w ilości 0,5 x 10-6 mol/dm3 komory, z częstotliwością impulsów 1,6 Hz i czasie trwania impulsu 9 ms, przy ciągłym równoczesnym usuwaniu gazu, tak iż każdorazowo chwilowe ciśnienie w komorze wzrastało do 0,8 Pa, wywołując zapłon wyładowania magnetronowe o gęstości prądu 150 A/m2 i zanikanie wyładowania po około 0,6 s. Po otwarciu komory i wyjęciu sworznia stwierdzono, że na jego powierzchni została wytworzona gładka powłoka o niebiesko-szarym zabarwieniu, wyraźnym połysku, o grubości 2 pm. Ponadto stwierdzono, że powłoka stanowi nanokompozyt o strukturze nanokrystaliczno-amorficznej, złożonej z mieszaniny nanokrystalicznego i quasiamorficznego dwusiarczku molibdenu MoS2 oraz atomów tytanu rozmieszczonych głównie w amorficznym MoS2, o nanotwardości 9 GPa i module sprężystości 100 GPa, o chropowatości zbliżonej do wyjściowej chropowatości szlifowanej powierzchni sworznia. Między tą nanokompozytową powłoką a podłożem z nisko stopowej stali powstała cienka, drobnokrystaliczna międzywarstwa z czystego tytanu o grubości około 30 nm, a wytworzona nanokompozytowa powłoka nc-MoS2/a-MoS2(Ti) charakteryzuje się bardzo niskim współczynnikiem tarcia o wartości 0,05 oraz dużą odpornością na zużycie adhezyjne podczas tarcia ślizgowego suchego względem kulki ze stali łożyskowej ŁH15 - stała szybkości zużycia objętościowego powłoki podczas tarcia ślizgowego suchego względem kulki przy temperaturze otoczenia i nacisku 0,3 GPa wynosiła około 10-20 m3/Nm.
P r z y k ł a d VII
Płytkę wieloostrzową z ceramiki AI2O3 + ZrO2 + TiN typu TACN120408 umieszczono w cylindrycznej metalowej komorze próżniowej, wyposażonej w cztery magnetrony z przesłonami, symetrycznie usytuowane, z których trzy mają targety ze spieku 90% masowych Ti + 10% masowych B, a jeden target z tytanu i oczyszczono znanym sposobem. Targety połączono z czterema zsynchronizowanymi źródłami prądowymi, generującymi jednokierunkowe prądowe o polarności ujemnej, zasłonięto przesłonami i poddano czyszczeniu znanym sposobem. Następnie odsłonięto target z tytanu, wprawiono stolik wraz z podwieszoną do niego płytką w ruch obrotowy i przez 7 min wprowadzano impulsowo mieszaninę kryptonu i azotu odpowiednio o składzie 50% objętościowych i 50% objętościowych, podawaną w jednym impulsie w ilości 0,2 x 10-6 mol/dm3 komory w pobliże środka targetu z tytanu z częstotliwością
PL 229 083 B1 impulsów 1,9 Hz i czasie trwania impulsu 8 ms, przy ciągłym równoczesnym usuwaniu gazu, tak iż chwilowe ciśnienie w komorze wzrastało do 0,2 Pa, wywołując zapłon wyładowania magnetronowego o gęstości prądu 100 A/m2 i zanikanie wyładowania po około 0,5 s, po czym zasłonięto target tytanowy, a odsłonięto targety ze spieku 90% masowych Ti + 10% masowych B i prowadzono rozpylanie przez 100 min przy impulsowym wprowadzaniu w pobliże środka katod mieszaniny kryptonu i azotu o składzie odpowiednio 60% objętościowych i 40% objętościowych, podając ją w jednym impulsie w ilości 0,7 x 10-6 mol/dm3 komory, z częstotliwością impulsów 1,9 Hz i czasie trwania impulsu 3 ms, przy ciągłym, równoczesnym usuwaniu gazu, tak iż chwilowe ciśnienie w komorze każdorazowo wzrastało do 0,9 Pa, powodując zapłon wyładowania magnetronowego o gęstości prądu 400 A/m2 i zanikanie wyładowania po około 0,5 s.
Po otwarciu komory na powierzchni płytki stwierdzono powierzchni powłokę o szarym zabarwieniu, wyraźnym połysku, grubości 2,5 μm. Powłoka stanowi supertwardą, quasi-amorficzną fazę Ti(B,N) o nanotwardości 43 GPa, module sprężystości 480 GPa, zaś między powłoką a płytką występuje drobnokrystaliczna międzywarstwa azotku tytanu o grubości około 70 nm i o wysokiej adhezji.
Claims (1)
1. Sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gęstości przeznaczonej do nanoszenia powłok w procesach rozpylania magnetronowego w komorze próżniowej, polegający na wywołaniu w gazowej atmosferze obróbczej wprowadzonej do komory wyładowań magnetronowych o gęstości prądu 50-700 A/m2, przy użyciu źródła prądowego generującego jednokierunkowe przebiegi prądowe o polarności ujemnej, przy ciągłym i równoczesnym usuwaniu gazowej atmosfery obróbczej dla obniżania ciśnienia i jednocześnie wywoływania zaniku plazmy, znamienny tym, że gazową atmosferę obróbczą podaje się do komory impulsowo przy czasie trwania pojedynczego impulsu 3-120 ms, podając w każdym impulsie (0,1-1,2) x 10-6 mol atmosfery gazowej/dm3 komory wyładowań magnetronowych, przy częstotliwości impulsów podawania gazowej atmosfery obróbczej 1,3-2,4 Hz, przy czym stosuje się czas podawania atmosfery obróbczej i czas między kolejnymi jej podaniami takie, aby stosunek czasu podawania atmosfery do czasu zanikania plazmy do czasu między kolejnymi podaniami atmosfery był równy 0,03-1,2 do 4-6 do 4,1-7,3, oraz aby łączny czas podawania atmosfery obróbczej i czas zanikania plazmy był krótszy od czasu między kolejnymi podaniami atmosfery obróbczej.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL399606A PL229083B1 (pl) | 2012-06-21 | 2012-06-21 | Sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gęstości przeznaczonej do nanoszenia powłok w procesach rozpylania magnetronowego |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL399606A PL229083B1 (pl) | 2012-06-21 | 2012-06-21 | Sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gęstości przeznaczonej do nanoszenia powłok w procesach rozpylania magnetronowego |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL399606A1 PL399606A1 (pl) | 2013-12-23 |
| PL229083B1 true PL229083B1 (pl) | 2018-06-29 |
Family
ID=49767870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL399606A PL229083B1 (pl) | 2012-06-21 | 2012-06-21 | Sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gęstości przeznaczonej do nanoszenia powłok w procesach rozpylania magnetronowego |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL229083B1 (pl) |
-
2012
- 2012-06-21 PL PL399606A patent/PL229083B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL399606A1 (pl) | 2013-12-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7943017B2 (en) | Method for operating a pulsed arc evaporation source and vacuum process system comprising said pulsed arc evaporation source | |
| CN109267007B (zh) | 用于在工件上沉积无氢四面体非晶碳层的装置和方法 | |
| CA2601729C (en) | Method for operating a pulsed arc vaporizer source as well as a vacuum process installation with pulsed arc vaporization source | |
| Batková et al. | Effect of positive pulse voltage in bipolar reactive HiPIMS on crystal structure, microstructure and mechanical properties of CrN films | |
| Jing et al. | Titanium film deposition by high-power impulse magnetron sputtering: Influence of pulse duration | |
| Koval et al. | Generation of low-temperature gas discharge plasma in large vacuum volumes for plasma chemical processes | |
| BRPI0811241B1 (pt) | Instalação e método de tratamento a vácuo | |
| Vyskočil et al. | Arc evaporation of hard coatings: process and film properties | |
| de Monteynard et al. | Properties of chromium thin films deposited in a hollow cathode magnetron powered by pulsed DC or HiPIMS | |
| JP2005248322A (ja) | 表面上への複合コーティングの蒸着プロセス | |
| US5192578A (en) | Method of producing coating using negative dc pulses with specified duty factor | |
| Sidelev et al. | Aluminum films deposition by magnetron sputtering systems: Influence of target state and pulsing unit | |
| Yuan et al. | High power impulse magnetron sputtering and its applications | |
| Semenov et al. | An apparatus for vacuum deposition of composite TiN− Cu coatings using coupled vacuum-arc and ion-plasma processes | |
| US11274360B2 (en) | Thin film coating and method of fabrication thereof | |
| CN102943240A (zh) | 一种多功能等离子体增强涂层系统 | |
| PL229083B1 (pl) | Sposób wytwarzania impulsowej plazmy o wysokiej gęstości przeznaczonej do nanoszenia powłok w procesach rozpylania magnetronowego | |
| US20210050192A1 (en) | Magnetron sputtering device | |
| ITRM20010060A1 (it) | Perfezionamento di un metodo e apparato per la deposizione di film sottili, soprattutto in condizioni reattive. | |
| Zuo et al. | Gas breakdown and discharge formation in high-power impulse magnetron sputtering | |
| RU2631553C2 (ru) | Магнетронная распылительная система с инжекцией электронов | |
| Kuo et al. | Deposition of TiZr alloy films using Ti and Zr dual-cathode high-power impulse magnetron co-sputtering | |
| Vetter et al. | Domino platform: PVD coaters for arc evaporation and high current pulsed magnetron sputtering | |
| Werner et al. | New types of multi-component hard coatings deposited by ARC PVD on steel pre-treated by pulsed plasma beams | |
| US20140255286A1 (en) | Method for manufacturing cubic boron nitride thin film with reduced compressive residual stress and cubic boron nitride thin film manufactured using the same |