PL227233B1 - Zespół kół nacinajacych - Google Patents
Zespół kół nacinajacychInfo
- Publication number
- PL227233B1 PL227233B1 PL411289A PL41128915A PL227233B1 PL 227233 B1 PL227233 B1 PL 227233B1 PL 411289 A PL411289 A PL 411289A PL 41128915 A PL41128915 A PL 41128915A PL 227233 B1 PL227233 B1 PL 227233B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- lead
- transmission line
- resistor
- capacitive
- capacitor
- Prior art date
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 62
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 abstract 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 abstract 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Moulding By Coating Moulds (AREA)
Abstract
Przedmiotem zgłoszenia jest zespół kół nacinających, stanowiący element roboczy urządzenia nacinającego przeznaczonego do pracy w linii technologiczno - produkcyjnej i służący, zwłaszcza do nacinania na równe odcinki profilu wytłoczonego z tworzyw termoplastycznych, w szczególności do wytwarzania linki pływającej zawierającej wewnątrz wzmocnienie w postaci co najmniej jednej nitki. Zespół kół nacinających zawiera co najmniej dwa koła nacinające (1) o uzębieniu zewnętrznym i o przeciwnie skierowanych względem siebie odpowiednio wyprofilowanych zębach (2), z których każdego kąt przyłożenia α ma wartość od 0 - 15°, zaś kąt natarcia β ma wartość od 0 - 15°, natomiast łysinka C korzystnie ma wielkość wynoszącą do 0,45 P, gdzie P jest podziałką zęba, nadto szerokość wrębu zęba u podstawy B korzystnie wynosi do 0,95 H, natomiast szerokość zęba u wierzchołka A może korzystnie wynosić do 1,5 H, gdzie H jest całkowitą wysokością zęba mierzoną od jego wierzchołka A do podstawy B, przy czym każdy z zębów kół na całym swoim obwodzie posiada co najmniej jeden rowek (3), korzystnie promieniowy.
Description
Przedmiotem wynalazku jest układ generatora mikrofalowego o szerokim zakresie przestrajania.
Znane sposoby realizacji przestrajanych elektrycznie generatorów na zakresy mikrofalowe wykorzystują rezonatory YIG przestrajane polem magnetycznym lub rezonatory o stałych rozłożonych przestrajane za pomocą diod pojemnościowych lub kondensatorów MEMS. Generatory te mają najczęściej strukturę odbiciową złożoną z przestrajanego rezonatora i układu aktywnego, który służy do jego odtłumienia. W przypadku generatorów sprzężeniowych układ przestrajania generatora składa się z przestrajanego filtru zbudowanego z rezonatora lub z układu rezonatorów sprzężonych wzajemnie poprzez pole elektromagnetyczne. W technice planarnej konstrukcja układów przestrajania w generatorach sprzężeniowych o szerokim zakresie przestrajania bazuje na zastosowaniu rezonatora lub rezonatorów sprzężonych wykonanych z linii mikropaskowych lub paskowych oraz diod pojemnościowych lub kondensatorów MEMS służących do ich przestrajania. Przestrajanie generatora sprzężeniowego polega na zmianie długości elektrycznej rezonatora lub rezonatorów tworzących filtr, co osiąga się za pomocą zmian reaktancji diod pojemnościowych lub kondensatorów MEMS. Uzyskanie dużego zakresu przestrajania związane jest, w przypadku wymienionych generatorów, z ostrymi wymaganiami dotyczącymi parametrów pasożytniczych zastosowanych elementów reaktancyjnych a zwłaszcza indukcyjności doprowadzeń i rezystancji strat diod pojemnościowych.
Układ generatora mikrofalowego według wynalazku składający się z tranzystora mikrofalowego o korzystnie dobranej charakterystyce fazowej współczynnika transmisji, pięciu rezystorów, czterech diod pojemnościowych, trzech kondensatorów i dziewięciu odcinków linii transmisyjnych o korzystnie dobranych parametrach zbudowany jest w taki sposób, że drugie doprowadzenie pierwszego kondensatora dołączone jest do drugiego doprowadzenia drugiego rezystora, pierwsze doprowadzenie drugiego rezystora i pierwsze doprowadzenie trzeciego rezystora są dołączone do bazy tranzystora, drugie doprowadzenie trzeciego rezystora, pierwsze doprowadzenie czwartego rezystora i pierwsze doprowadzenie drugiego kondensatora dołączone są do kolektora tranzystora, drugie doprowadzenie drugiego kondensatora dołączone jest do pierwszego doprowadzenia siódmej linii transmisyjnej, pierwszego doprowadzenia ósmej linii transmisyjnej i pierwszego doprowadzenia dziewiątej linii transmisyjnej, drugie doprowadzenie ósmej linii transmisyjnej dołączone jest do anody pierwszej diody pojemnościowej, katoda pierwszej diody pojemnościowej dołączona jest do pierwszego doprowadzenia pierwszego rezystora i katody drugiej diody pojemnościowej, anoda drugiej diody pojemnościowej dołączona jest do pierwszego doprowadzenia pierwszej linii transmisyjnej, drugie doprowadzenie pierwszej linii transmisyjnej dołączone jest do pierwszego doprowadzenia drugiej linii transmisyjnej i pierwszego doprowadzenia trzeciej linii transmisyjnej, drugie doprowadzenie trzeciej linii transmisyjnej dołączone jest do pierwszego doprowadzenia pierwszego kondensatora i pierwszego doprowadzenia czwartej linii transmisyjnej, drugie doprowadzenie czwartej linii transmisyjnej dołączone jest do anody trzeciej diody pojemnościowej, katoda trzeciej diody pojemnościowej dołączona jest do pierwszego doprowadzenia piątego rezystora i katody czwartej diody pojemnościowej, anoda czwartej diody pojemnościowej podłączona jest do pierwszego doprowadzenia piątej linii transmisyjnej, drugie doprowadzenie piątej linii transmisyjnej dołączone jest do pierwszego doprowadzenia szóstej linii transmisyjnej i drugiego doprowadzenia siódmej linii transmisyjnej, do masy układu dołączone są emiter tranzystora, drugie doprowadzenie drugiej linii transmisyjnej, drugie doprowadzenie szóstej linii transmisyjnej, ujemny biegun napięcia służącego do przestrajania generatora i ujemny biegun źródła zasilania, do dodatniego bieguna źródła zasilania dołączone jest drugie doprowadzenie czwartego rezystora, do dodatniego bieguna źródła napięcia służącego do przestrajania generatora dołączone jest drugie doprowadzenie pierwszego rezystora i drugie doprowadzenie piątego rezystora, drugi koniec dziewiątej linii transmisyjnej poprzez trzeci kondensator jest dołączony do wyjścia układu.
Układ generatora o szerokim zakresie przestrajania według wynalazku ma strukturę sprzężeniową. Zbudowany jest ze wzmacniacza tranzystorowego i filtru o specjalnej konstrukcji. Układ filtru zastosowany w generatorze według wynalazku składa się z dwóch galwanicznie sprzężonych rezonatorów szeregowych tworzących pierścień, wykonanych z diod pojemnościowych i odcinków linii transmisyjnych. Konstrukcja filtru pozwala na wchłonięcie przez rezonatory pasożytniczych indukcyjności doprowadzeń diod pojemnościowych, co umożliwia zastosowanie tanich diod pojemnościowych w oprawkach i pracę generatora do częstotliwości zbliżonej do częstotliwości rezonansu własnego diod pojemnościowych. Spełnienie warunków generacji w szerokim zakresie częstotliwości osiągane
PL 227 233 B1 jest, w układzie według wynalazku, poprzez korzystnie dobrane proporcje długości odpowiednich linii transmisyjnych.
Układ generatora mikrofalowego według wynalazku przedstawiono na rysunku, który przedstawia schemat układu.
Generator zbudowany jest ze wzmacniacza tranzystorowego wykonanego na tranzystorze (T1) zasilanego ze źródła (E) z układem polaryzacji na rezystorach (R3) i (R4) oraz z rezystorem (R2) linearyzującym charakterystyki wejściowej tranzystora. Sygnał z kolektora tranzystora podawany jest przez kondensator sprzęgający (C2) na wejście dwuobwodowego filtru pasmowego utworzonego z dwóch rezonatorów szeregowych składających się odpowiednio z elementów (D1), (D2), (LT1), (LT7), (LT8) oraz elementów (D3), (D4), (LT3), (LT4), (LT5) sprzężonych ze sobą na wejściu i wyjściu za pomocą linii transmisyjnych (LT2) i (LT6) zwartych do masy. Sygnał z wyjścia filtru podawany jest poprzez kondensator (C1) na wejście wzmacniacza. Generator przestrajany jest napięciem (Ep) podawanym na diody pojemnościowe przez rezystory (R1) i (R5). Sygnał z generatora doprowadzany jest do wyjścia poprzez linię transmisyjną (LT9) i kondensator (C3).
Drugie doprowadzenie pierwszego kondensatora (C1) dołączone jest do drugiego doprowadzenia drugiego rezystora (R2), pierwsze doprowadzenie drugiego rezystora (R2) i pierwsze doprowadzenie trzeciego rezystora (R3) są dołączone do bazy tranzystora (T1), drugie doprowadzenie trzeciego rezystora (R3), pierwsze doprowadzenie czwartego rezystora (R4) i pierwsze doprowadzenie drugiego kondensatora (C2) dołączone są do kolektora tranzystora (T1), drugie doprowadzenie drugiego kondensatora (C2) dołączone jest do pierwszego doprowadzenia siódmej linii transmisyjnej (LT7), pierwszego doprowadzenia ósmej linii transmisyjnej (LT8) i pierwszego doprowadzenia dziewiątej linii transmisyjnej (LT9), drugie doprowadzenie ósmej linii transmisyjnej (LT8) dołączone jest do anody pierwszej diody pojemnościowej (D1), katoda pierwszej diody pojemnościowej (D1) dołączona jest do pierwszego doprowadzenia pierwszego rezystora (R1) i katody drugiej diody pojemnościowej (D2), anoda drugiej diody pojemnościowej (D2) dołączona jest do pierwszego doprowadzenia pierwszej linii transmisyjnej (LT1), drugie doprowadzenie pierwszej linii transmisyjnej (LT1) dołączone jest do pierwszego doprowadzenia drugiej linii transmisyjnej (LT2) i pierwszego doprowadzenia trzeciej linii transmisyjnej (LT3), drugie doprowadzenie trzeciej linii transmisyjnej (LT3) dołączone jest do pierwszego doprowadzenia pierwszego kondensatora (C1) i pierwszego doprowadzenia czwartej linii transmisyjnej (LT4), drugie doprowadzenie czwartej linii transmisyjnej (LT4) dołączone jest do anody trzeciej diody pojemnościowej (D3), katoda trzeciej diody pojemnościowej (D3) dołączona jest do pierwszego doprowadzenia piątego rezystora (R5) i katody czwartej diody pojemnościowej (D4), anoda czwartej diody pojemnościowej (D4) podłączona jest do pierwszego doprowadzenia piątej linii transmisyjnej (LT5), drugie doprowadzenie piątej linii transmisyjnej (LT5) dołączone jest do pierwszego doprowadzenia szóstej linii transmisyjnej (LT6) i drugiego doprowadzenia siódmej linii transmisyjnej (LT7), do masy układu dołączone są emiter tranzystora (T1), drugie doprowadzenie drugiej linii transmisyjnej (LT2), drugie doprowadzenie szóstej linii transmisyjnej (LT6), ujemny biegun napięcia (Ep) służącego do przestrajania generatora i ujemny biegun źródła zasilania (E), do dodatniego bieguna źródła zasilania (E) dołączone jest drugie doprowadzenie czwartego rezystora (R4), do dodatniego bieguna źródła napięcia (Ep) służącego do przestrajania generatora dołączone jest drugie doprowadzenie pierwszego rezystora (R1) i drugie doprowadzenie piątego rezystora (R5), drugi koniec dziewiątej linii transmisyjnej (LT9) poprzez trzeci kondensator (C3) jest dołączony do wyjścia układu.
Claims (1)
1. Układ generatora mikrofalowego według wynalazku składający się z tranzystora mikrofalowego o korzystnie dobranej charakterystyce fazowej współczynnika transmisji, pięciu rezystorów, czterech diod pojemnościowych, trzech kondensatorów i dziewięciu odcinków linii transmisyjnych o korzystnie dobranych parametrach znamienny tym, że drugie doprowadzenie pierwszego kondensatora (C1) dołączone jest do drugiego doprowadzenia drugiego rezystora (R2), pierwsze doprowadzenie drugiego rezystora (R2) i pierwsze doprowadzenie trzeciego rezystora (R3) są dołączone do bazy tranzystora (T1), drugie doprowadzenie trzeciego rezystora (R3), pierwsze doprowadzenie czwartego rezystora (R4) i pierwsze doprowadzenie drugiego kondensatora (C2) dołączone są do kolektora tranzystora (T1), drugie doprowadzenie drugiego kondensatora (C2) dołączone jest do pierwszego doprowadzenia
PL 227 233 B1 siódmej linii transmisyjnej (LT7), pierwszego doprowadzenia ósmej linii transmisyjnej (LT8) i pierwszego doprowadzenia dziewiątej linii transmisyjnej (LT9), drugie doprowadzenie ósmej linii transmisyjnej (LT8) dołączone jest do anody pierwszej diody pojemnościowej (D1), katoda pierwszej diody pojemnościowej (D1) dołączona jest do pierwszego doprowadzenia pierwszego rezystora (R1) i katody drugiej diody pojemnościowej (D2), anoda drugiej diody pojemnościowej (D2) dołączona jest do pierwszego doprowadzenia pierwszej linii transmisyjnej (LT1), drugie doprowadzenie pierwszej linii transmisyjnej (LT1) dołączone jest do pierwszego doprowadzenia drugiej linii transmisyjnej (LT2) i pierwszego doprowadzenia trzeciej linii transmisyjnej (LT3), drugie doprowadzenie trzeciej linii transmisyjnej (LT3) dołączone jest do pierwszego doprowadzenia pierwszego kondensatora (C1) i pierwszego doprowadzenia czwartej linii transmisyjnej (LT4), drugie doprowadzenie czwartej linii transmisyjnej (LT4) dołączone jest do anody trzeciej diody pojemnościowej (D3), katoda trzeciej diody pojemnościowej (D3) dołączona jest do pierwszego doprowadzenia piątego rezystora (R5) i katody czwartej diody pojemnościowej (D4), anoda czwartej diody pojemnościowej (D4) podłączona jest do pierwszego doprowadzenia piątej linii transmisyjnej (LT5), drugie doprowadzenie piątej linii transmisyjnej (LT5) dołączone jest do pierwszego doprowadzenia szóstej linii transmisyjnej (LT6) i drugiego doprowadzenia siódmej linii transmisyjnej (LT7), do masy układu dołączone są emiter tranzystora (T1), drugie doprowadzenie drugiej linii transmisyjnej (LT2), drugie doprowadzenie szóstej linii transmisyjnej (LT6), ujemny biegun napięcia (Ep) służącego do przestrajania generatora i ujemny biegun źródła zasilania (E), do dodatniego bieguna źródła zasilania (E) dołączone jest drugie doprowadzenie czwartego rezystora (R4), do dodatniego bieguna źródła napięcia (Ep) służącego do przestrajania generatora dołączone jest drugie doprowadzenie pierwszego rezystora (R1) i drugie doprowadzenie piątego rezystora (R5), drugi koniec dziewiątej linii transmisyjnej (LT9) poprzez trzeci kondensator (C3) jest dołączony do wyjścia układu.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL411289A PL227233B1 (pl) | 2015-02-16 | 2015-02-16 | Zespół kół nacinajacych |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL411289A PL227233B1 (pl) | 2015-02-16 | 2015-02-16 | Zespół kół nacinajacych |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL411289A1 PL411289A1 (pl) | 2016-08-29 |
| PL227233B1 true PL227233B1 (pl) | 2017-11-30 |
Family
ID=56760180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL411289A PL227233B1 (pl) | 2015-02-16 | 2015-02-16 | Zespół kół nacinajacych |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL227233B1 (pl) |
-
2015
- 2015-02-16 PL PL411289A patent/PL227233B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL411289A1 (pl) | 2016-08-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9172326B2 (en) | Speed of light based oscillator frequency | |
| JP5836691B2 (ja) | 発振器 | |
| CN102098003A (zh) | 振荡电路及半导体装置 | |
| EP3700085A1 (en) | Oscillator and imaging device | |
| Martin et al. | Theoretical and experimental investigation of novel varactor-tuned switchable microstrip ring resonator circuits | |
| JP2010278658A5 (pl) | ||
| PL227233B1 (pl) | Zespół kół nacinajacych | |
| CN109936336B (zh) | 一种用于零中频数字对讲机的压控振荡器 | |
| PL227333B1 (pl) | Układ przestrajanego napieciem generatora mikrofalowego o szerokim zakresie przestrajania | |
| RU104798U1 (ru) | Генератор пав | |
| KR20210068897A (ko) | 공명 터널링 다이오드 쌍구조를 이용한 테라헤르츠 신호원 회로 | |
| CN102332891A (zh) | 具有可调频功能的晶振电路 | |
| Bansleben et al. | Electronic frequency tuning of a high-power 2.45 GHz GaN oscillator | |
| Nimo et al. | Investigating the effects of parasitic components on wireless RF energy harvesting | |
| JP5349266B2 (ja) | 周波数可変共振器 | |
| Ofiare et al. | Novel tunnel diode oscillator power combining circuit topology based on synchronisation | |
| CN106129127A (zh) | 一种正偏be结晶体管变容电路 | |
| McNeill | VCO fundamentals | |
| RU2298279C1 (ru) | Генератор, управляемый напряжением | |
| KR102287916B1 (ko) | 백투백 커플링 기반의 저주파수 발진기 | |
| RU2774408C1 (ru) | Перестраиваемый каскодный автогенератор гармоник | |
| JPH0332242B2 (pl) | ||
| CN117614412B (zh) | 一种具有优化电性能功能的混合声学滤波器及其制备方法 | |
| ES2374936B2 (es) | Oscilador de forma de onda pulsada. | |
| CN202713232U (zh) | 超低相位噪声恒温晶体振荡电路 |