PL222391B1 - Sposób zwiększania oporności półizolujących płytek z (Cd,Mn)Te oraz urządzenie do wygrzewania płytek - Google Patents
Sposób zwiększania oporności półizolujących płytek z (Cd,Mn)Te oraz urządzenie do wygrzewania płytekInfo
- Publication number
- PL222391B1 PL222391B1 PL402154A PL40215412A PL222391B1 PL 222391 B1 PL222391 B1 PL 222391B1 PL 402154 A PL402154 A PL 402154A PL 40215412 A PL40215412 A PL 40215412A PL 222391 B1 PL222391 B1 PL 222391B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- plates
- temperature
- cadmium
- ampoule
- semi
- Prior art date
Links
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 title claims description 62
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 4
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 15
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000737 Duralumin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 3
- 229910000953 kanthal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 2
- 150000001661 cadmium Chemical class 0.000 abstract description 5
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 abstract description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 29
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 14
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 9
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N cadmium zinc Chemical compound [Zn].[Cd] CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest sposób zwiększania oporności półizolujacych płytek z (Cd,Mn)Te, przeznaczonych do stosowania jako elementy detekcyjne w detektorach promieniowania X i gamma. Najpierw powierzchnię monokrystalicznych płytek (Cd,Mn)Te poddaje się obróbce mechaniczno-chemicznej, a następnie płytki wygrzewa się w temperaturze 750 ± 10°C przez 7-10 dni, w zamkniętej i odpompowanej ampule kwarcowej. Płytki umieszczone są w ampule, prostopadle do osi ampuły a wygrzewanie prowadzi się w nasyconych parach kadmu oraz w obecności sproszkowanego (Cd,Mn)Te. Urządzenie posiada zamknięty korkami piec w postaci ceramicznej rury z umieszczoną na zewnątrz odpowiednio nawiniętą spiralą grzejną. Wewnątrz ceramicznej rury znajduje się ampuła szklana, która w środkowej części posiada kasetę w postaci grzebienia na płytki (Cd,Mn)Te.
Description
(12) OPIS PATENTOWY (19) PL (11) 222391 (13) B1 (21) Numer zgłoszenia: 402154 (51) Int.Cl.
H01L 31/00 (2006.01) (22) Data zgłoszenia: 20.12.2012
Sposób zwiększania oporności półizolujących płytek z (Cd,Mn)Te oraz urządzenie do wygrzewania płytek
| (43) Zgłoszenie ogłoszono: 23.06.2014 BUP 13/14 | (73) Uprawniony z patentu: INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII NAUK, Warszawa, PL |
| (45) O udzieleniu patentu ogłoszono: 29.07.2016 WUP 07/16 | (72) Twórca(y) wynalazku: ANDRZEJ MYCIELSKI, Warszawa, PL DOMINIKA KOCHANOWSKA, Warszawa, PL |
PL 222 391 B1
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób zwiększania oporności półizolujących płytek z (Cd,Mn)Te, przeznaczonych do stosowania jako elementy detekcyjne w detektorach promieniowania X i gamma oraz urządzenie do wygrzewania płytek. Podobnie jak kryształy CdTe, ZnTe czy (Cd,Zn)Te również (Cd,Mn)Te po otrzymaniu metodą z roztopu (metodą Bridgmana) posiadają dwie zasadnicze a jednoή C ή o -1 “7 3 cześnie negatywne cechy. Po pierwsze zawierają w ilości 10 -10 (czasem nawet 10 ) cm- wakansji kadmowych (lub cynkowych) czyli brakujących w sieci krystalicznej w/w atomów. Po drugie posiadają różnie usytuowane wydzielenia telluru w ilości 10-10 cm- . Wydzielenia te, ze względu na wymiary nazywane są precipitacjami (dla wymiarów mniejszych od 1 gm) i inkluzjami (dla wymiarów od 1 gm do około 50 gm).
Konsekwencją istnienia wakansji kadmowych (cynkowych) jest w otrzymywanym materiale przewodnictwo typu-p ponieważ wakansje odgrywają rolę akceptorów. Oporność takiego materiału (po krystalizacji) wynosi 10-10 Dcm i jest przynajmniej o cztery do pięciu rzędów za mała by spełniać warunki półizolacyjności. Obecność precypitacji/inkluzji telluru wpływa niekorzystnie na parametry transportu nośników prądu poprzez zwiększenie rozproszenia i pułapkowanie tych nośników.
Od wielu lat CdTe i (Cd,Zn)Te używany jest przez różne firmy jako materiał na detektory promieniowania X i gamma. Materiały te są atrakcyjne z uwagi na dużą średnią liczbę atomową (Z) dającą dużą absorpcję promieniowana X i gamma oraz relatywnie dużą przerwę energetyczną (Eg), która w pokojowej temperaturze pracy daje niskie szumy elektryczne. Do zastosowania w detektorach materiały CdTe i (Cd,Zn)Te są lepsze od krzemu, bo detektory krzemowe wymagają chłodzenia.
Materiał (Cd,Zn)Te uważany jest za materiał lepszy od CdTe ponieważ ma większą przerwę energetyczną ale ma też wadę związaną z segregacją cynku (Zn) w czasie krystalizacji z roztopu.
Z patentu PL nr 206 859 znany jest sposób otrzymywania półizolujących monokryształów (Cd,Mn)Te jako materiału na detektory promieniowania X i gamma. W sposobie tym, najpierw do m ateriału źródłowego (Cd1-xMnx)Te gdzie: 0,06 < x < 0,18 wprowadza się domieszkę kompensującą wa15 -3 -3 nadu o koncentracji 10 cm- < NV < 10 cm- , następnie w znany sposób prowadzi się proces krystalizacji, po czym otrzymany monokryształ wygrzewa się w parach kadmu, w wysokiej temperaturze ~700°C.
W przypadku (Cd,Mn)Te jedną z pozytywnych cech w stosunku do (Cd,Zn)Te jest brak segregacji manganu w czasie krystalizacji z roztopu. Wspólną jednak wadą wszystkich omawianych tutaj kryształów jest występowanie wyżej wspomnianych wakansji kadmowych (VCd) oraz precypitacji/inkluzji tellurowych.
Najczęściej stosowanymi metodami likwidacji wakansji kadmowych są metody, które opierają się na zastosowaniu odpowiedniego wygrzewania.
W przypadku (Cd,Mn)Te najczęściej wygrzewa się w parach kadmu (Cd) i nominalnie ''jednorodnej temperaturze” i w zakresie temperatur 500-900°C.
Znane są także sposoby, w których likwidację wakansji kadmowych przez wygrzewanie prowadzi się w parach kadmu i w sekwencji dwóch lub nawet trzech kolejnych temperatur. Pierwsze wygrzewanie prowadzi się np. w 600°C, drugie w temperaturze 500°C i ewentualne trzecie w temperaturze jeszcze niższej.
Znane są także sposoby, w których wygrzewanie prowadzi się w nienasyconych parach kadmu, trzymając płytki monokrystaliczne w temperaturze wyższej (np. 700°C), a kadm w temperaturze niższej (np. 500°C).
W celu likwidacji wakansji kadmowych a tym samym zwiększania oporności półizolujących płytek z (Cd,Mn)Te stosowane są różne systemy chłodzenia, a więc gwałtowne chłodzenie na przykład przez wrzucenie ampuły do wody, albo zupełnie przeciwnie wolne chłodzenie razem z piecem nawet przez kilka dni.
Jednak w żadnym ze znanych sposobów nie uzyskiwano powtarzalnych rezultatów. W szczególności w pierwszym sposobie w tak zwanej ''jednorodnej temperaturze”, gdzie ampuła z próbkami umieszczona bywa w piecu o jednakowej temperaturze ale tylko w środkowej części pieca. Chłodniejsze końce pieca nieznacznie ochładzają końce grzanej ampuły, czego skutkiem jest wygrzewanie płytek w nieco wyższej temperaturze niż końce ampuły, co powoduje że pary Cd są nienasycone.
Wygrzewanie płytek prowadzi się więc w nienasyconych parach kadmu a stopień nasycenia jest trudny do kontrolowania.
PL 222 391 B1
Drugim czynnikiem, który wpływa na oporność (Cd,Mn)Te jest minimalizacja wydzieleń tellurowych - precypitacji i inkluzji. Wydzielenia tellurowe minimalizuje się na ogół poprzez grzanie płytek w gradiencie temperatury. To znaczy zamkniętą i odpompowaną ampułę z płytkami i z dodatkiem kadmu umieszczano w piecu z gradientem temperatury takim, że jeden koniec ampuły był np. w 700°C, a drugi koniec w 600°C. Płytki znajdowały się wtedy w gradiencie temperatury np. 10°C/cm. Z punktu widzenia próbek pary kadmu mają ciśnienie nienasycone, więc nie likwiduje się wakansji kadmowych, ale zapewnia się wędrówkę (do wyższej temperatury) precypitacji/inkluzji Te. Proces ten bardzo wolny i przy średniej temperaturze bliskiej 700°C i gradiencie temperatury na próbkach około 10°C/cm wydzielenia tellurowe wędrują z szybkością ok. 10 ąm/h, czyli płytki o grubości ~3 mm (a takie używane są najczęściej na detektory) wymagają procesu, który musi trwać co najmniej 2 t ygodnie. Po tak długim czasie grzania w nienasyconych parach kadmu, krystaliczność otrzymanych płytek jest mocno zdegradowana. Jednocześnie otrzymane płytki mają dużą gęstość wakansji kadmowych i muszą być powtórnie wygrzewane, tym razem w nasyconych parach kadmu.
Celem wynalazku jest opracowanie prostszego i pewniejszego sposobu zwiększania oporności półizolujących płytek z (Cd,Mn)Te oraz urządzenia.
Sposób według wynalazku polega na tym, że najpierw powierzchnię monokrystalicznych płytek (Cd,Mn)Te poddaje się obróbce mechaniczno-chemicznej, podczas której powierzchnię płytek (Cd,Mn)Te poleruje się na szkle proszkiem SiC o granulacie 4-5 ąm, a następnie w roztworze bromu (Br) w metanolu (CH3OH). Następnie płytki wygrzewa się w temperaturze 750±10°C przez 7-10 dni, w zamkniętej i odpompowanej ampule kwarcowej. Płytki umieszczone są w ampule, prostopadle do osi ampuły a wygrzewanie prowadzi się w nasyconych parach kadmu oraz w obecności czystego kadmu i sproszkowanego (Cd,Mn)Te.
Urządzenie według wynalazku posiada zamknięty korkami piec w postaci ceramicznej rury, wewnątrz której umieszcza się kwarcową ampułę technologiczną, która w środkowej części ma kasetę w postaci grzebienia. Rura ceramiczna na zewnątrz ma spiralę grzejną znajdującą się w warstwowej otulinie wysokotemperaturowej. Spiralę tą tworzy drut, korzystnie Kanthal A1 o średnicy 1 mm, który nawinięty jest skokiem 5 na skrajnych częściach rury a, w część środkowej na długości ~ 1/3 nawinięty skokiem 7 mm. Rura ceramiczna może posiadać na otulinie wysokotemperaturowej płaszcz ochronny, korzystnie duralowy.
Sposób według wynalazku umożliwia uzyskanie, bez domieszki kompensującej, półizolujących płytek (Cd,Mn)Te o oporności właściwej « 109Qcm. W przypadku użycia domieszki kompensującej (wanadu) można uzyskać oporność właściwą nawet 10 : 10 Qcm- .
Wynalazek zostanie bliżej objaśniony na przykładzie zwiększania oporności właściwej płytek monokrystalicznych (Cd,Mn)Te, których oporność właściwa, przed procesem wygrzewania wynosiła ~10 Ocm. Na rysunku pokazano usytuowanie płytek (Cd,Mn)Te w urządzeniu grzejnym podczas tego procesu.
W przykładowym sposobie najpierw powierzchnię monokrystalicznych płytek (Cd,Mn)Te poddaje się obróbce mechaniczno-chemicznej. Podczas tej obróbki powierzchnię płytek (Cd,Mn)Te poleruje się na szkle proszkiem SiC o granulacie 4-5 ąm, a następnie poleruje się w roztworze bromu (Br) w metanolu (CH3OH).
Następnie wypolerowane płytki Cd1-xMnxTe gdzie 0,05 < x < 0,07 umieszcza się w ampule kwarcowej w pozycji pionowej (prostopadle do osi ampuły) i dodaje się 1-3 grama czystego kadmu (Cd), oraz 2-3 gramów sproszkowanego (zmielonego) tego samego (Cd,Mn)Te. Tak przygotowaną ampułę odpompowuje się do wysokiej próżni « 10- Tr («1,3-10- Pa), zatapia się i umieszcza w specjalnie skonstruowanym piecu, który zapewnia temperaturę 750°C. Później prowadzi się przez 7-10 dni proces wygrzewania, a po tym czasie wyłącza się piec i pozostawia do samodzielnego schłodzenia.
Urządzenie do wygrzewania według wynalazku składa się z ceramicznej rury grzejnej o średnicy wewnętrznej 60 mm i długości 800 mm. Wewnątrz tej rury umieszczona jest ampuła technologiczna z kasetą w kształcie grzebienia, w której umieszcza się prostopadle do osi ampuły monokrystaliczne płytki (Cd,Mn)Te. Na zewnątrz rura grzejna posiada wielowarstwową otulinę, w której znajduje się specjalnie nawinięta spirala grzejna. Spiralę tą tworzy drut, Kanthal A1 , o średnicy 1 mm, który nawinięty jest skokiem 5 na skrajnych częściach rury, natomiast w części środkowej, na długości ~ 1/3 nawinięty jest skokiem 7 mm. Ponadto rura ta z uzwojeniem izolowana jest 6-cioma warstwami koca izolacyjnego z Kaowool'u, a na otulinie wysokotemperaturowej ma duralowy płaszcz ochronny. Urządzenie zasilane jest odpowiednim zmiennym napięciem, tak by w środkowej części temperatura wynosiła 750°C. Temperatura na obu końcach ampuły mierzona jest termoparami platynowymi.
PL 222 391 B1
Specyficzne nawinięcie spirali zapewnia uzyskanie odpowiedniego profilu temperatury w piecu co pokazano na rysunku.
Ampuła umieszczona jest więc w środkowej części pieca, w miejscu siodełka temperatury, oba końce ampuły znajdują się w temperaturze kilka stopni wyższej niż środek ampuły zawierający kasetę z płytkami (750°C). Dodany kadm i proszek (Cd,Mn)Te umieszczany jest na dnie ampuły. Średnica ampuły kwarcowej zależy od wielkości i powierzchni płytek, w przykładzie średnica wynosi 40 mm, a długość 100 mm. Takie urządzenie zapewnia jednorodną temperaturę w obszarze umieszczenia próbek, zapewniając jednocześnie nasycone dla danej temperatury ciśnienie par kadmu. Ponieważ odpompowana ampuła kwarcowa zawiera nie tylko wygrzewane płytki ale i kawałek czystego kadmu (Cd) oraz kilka gramów zmielonego (Cd,Mn)Te, to proszek (Cd,Mn)Te mający rozwiniętą powierzchnię parowania zapewnia dla danej temperatury nasycone prężności par pozostałych składników (Cd,Mn)Te i przeciwdziała naruszeniu struktury krystalicznej i równowagi stechiometrycznej wygrzewanych płytek. Dla składu Cd1-xMnxTe x = 0,05-0,07, który jest materiałem przygotowanym na detektory promieniowania X i gamma optymalna okazała się po licznych próbach temperatura wygrzewania, która wynosi 750±10°C, a czas wygrzewania 7-10 dni.
W tych warunkach koncentracja wakansji kadmowych spadła o 10 razy, a gęstość wydzieleń tellurowych spadła z 106 cm-3 do 103 cm-3 (co jest ilością akceptowalną dla detektorów).
Obserwacje inkluzji tellurowych (tych >1 pm) przeprowadzono w mikroskopie optycznym pracującym w bliskiej podczerwieni (IR). Dla światła o długości « 0,9 pm i energii « 1,38 eV próbki (Cd,Mn)Te (podobnie jak CdTe i (Cd,Zn)Te) są przezroczyste bo przerwa energetyczna Eg jest > 1,5 eV, a wydzielenia tellurowe są nieprzezroczyste bo tellur jest półprzewodnikiem wąsko przerwowym (Eg « 0,3 eV). W ten sposób można zaobserwować znikanie inkluzji tellurowych istniejących w płytkach przed wygrzewaniem.
Mechanizm tych zjawisk polega na dyfuzji do wnętrza próbki kadmu z par kadmu poprzez poz ycje międzywęzłowe w sieci krystalicznej (Cd,Mn)Te. Dyfundujący kadm lokuje się w wakansjach kadmowych, a jednocześnie reaguje z wydzieleniami tellurowymi (które przy jednorodnej temperaturze wygrzewania nie wędrują) tworząc lokalne precipitacje/inkluzje CdTe. Tak więc, w jednym procesie wygrzewania (pod warunkiem właściwie dobranej temperatury) likwidujemy o wiele rzędów wielkości gęstość wakansji kadmowych, również o dwa do trzech rzędów wielkości zmniejszamy gęstość prec ypitacji/inkluzji tellurowych zmieniając je w większości na CdTe, co jest z punktu widzenia transportu nośników prądu mniej szkodliwe niż obecność wydzieleń tellurowych.
Claims (4)
- Zastrzeżenia patentowe1. Sposób zwiększania oporności półizolujących płytek z (Cd,Mn)Te za pomocą wygrzewania, znamienny tym, że najpierw powierzchnię monokrystalicznych płytek (Cd,Mn)Te poddaje się obróbce mechaniczno-chemicznej, następnie wygrzewa się w zamkniętej i odpompowanej ampule kwarcowej, w pozycji prostopadłej do osi ampuły, w nasyconych parach kadmu, oraz w obecności czystego kadmu, korzystnie w ilości od 1 - do 3 g i sproszkowanego (Cd,Mn)Te, korzystnie w ilości od 2 - do 3 g, w temperaturze 750±10°C przez 7-10 dni.
- 2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że mechaniczno-chemiczne polerowanie powierzchni płytek (Cd,Mn)Te prowadzi się najpierw polerując płytkę na szkle proszkiem SiC o granulacie 4:5 pm, a następnie w roztworze bromu (Br) w metanolu (CH3OH).
- 3. Urządzenie do wygrzewania płytek, znamienne tym, że posiada zamknięty korkami piec w postaci ceramicznej rury z umieszczoną na zewnątrz spiralą grzejną znajdującą się w warstwowej otulinie wysokotemperaturowej, przy czym spiralę grzejną tworzy drut, korzystnie Kanthal A1, o średnicy 1 mm, nawinięty jest skokiem 5 na skrajnych częściach rury a, w części środkowej na długości ~ 1/3 nawinięty skokiem 7 mm, natomiast wewnątrz rury znajduje się ampuła kwarcowa, która w środkowej części posiada kasetę na płytki w postaci grzebienia.
- 4. Urządzenie do wygrzewania płytek według zastrz. 3, znamienne tym, że rura ceramiczna na otulinie wysokotemperaturowej ma płaszcz ochronny, korzystnie duralowy.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL402154A PL222391B1 (pl) | 2012-12-20 | 2012-12-20 | Sposób zwiększania oporności półizolujących płytek z (Cd,Mn)Te oraz urządzenie do wygrzewania płytek |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL402154A PL222391B1 (pl) | 2012-12-20 | 2012-12-20 | Sposób zwiększania oporności półizolujących płytek z (Cd,Mn)Te oraz urządzenie do wygrzewania płytek |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL402154A1 PL402154A1 (pl) | 2014-06-23 |
| PL222391B1 true PL222391B1 (pl) | 2016-07-29 |
Family
ID=50943778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL402154A PL222391B1 (pl) | 2012-12-20 | 2012-12-20 | Sposób zwiększania oporności półizolujących płytek z (Cd,Mn)Te oraz urządzenie do wygrzewania płytek |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL222391B1 (pl) |
-
2012
- 2012-12-20 PL PL402154A patent/PL222391B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL402154A1 (pl) | 2014-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Bost et al. | Optical properties of semiconducting iron disilicide thin films | |
| Verma et al. | Lattice defect-formulated ferromagnetism and UV photo-response in pure and Nd, Sm substituted ZnO thin films | |
| Wang et al. | Hard radiation detection from the selenophosphate Pb2P2Se6 | |
| Pathak et al. | Structural and optical properties of In doped Se–Te phase-change thin films: a material for optical data storage | |
| Churilov et al. | Thallium bromide nuclear radiation detector development | |
| Ponpon et al. | Preliminary characterization of PbI2 polycrystalline layers deposited from solution for nuclear detector applications | |
| Hua et al. | Anisotropic X-ray detection performance of melt-grown CsPbBr 3 single crystals | |
| Olschner et al. | Thallium bromide semiconductor X-ray and γ-ray detectors | |
| PL222391B1 (pl) | Sposób zwiększania oporności półizolujących płytek z (Cd,Mn)Te oraz urządzenie do wygrzewania płytek | |
| Mino et al. | Oxygen doping tuning in superconducting oxides by thermal annealing and hard X-ray irradiation | |
| Al-Agel | Effects of annealing temperatures on optical and electrical properties of vacuum evaporated Ga15Se77In8 chalcogenide thin films | |
| US8969803B2 (en) | Room temperature aluminum antimonide radiation detector and methods thereof | |
| Arslan et al. | Effect of thermal annealing on the physical properties of Zn1− x Cu x Se thin films deposited by close spaced sublimation technique | |
| Nag | Growth, characterization and evaluation of CdZnTeSe single crystals for room temperature radiation detectors | |
| Xu et al. | Effects of CZT Substrate Surface Treatment on IR-Transmittance in the Annealing Process | |
| Yılmaz et al. | Investigations on structural, electrical and optical Properties of polycrystalline CdInTe thin films grown by thermal evaporation | |
| Alexiev et al. | Gamma-ray detectors from thermally annealed Bridgman-grown CdTe | |
| Herraiz | Growth and surface characterization of CdZnTeSe third-generation X-ray and gamma-ray detector at room temperature | |
| Petersen et al. | Analysis of X-ray and electron-beam diffraction patterns from poly (dipropyl siloxane) | |
| Gainotti et al. | Surface effects on positron annihilation in elementary semiconductors | |
| Parrett | Synthesis and Characterisation of Single Crystal Transparent Conducting Oxide-Gallium Doped Zinc Antimonate | |
| Arshak et al. | Thin films of In2O3/SiO as optical gamma radiation sensors | |
| Lošťák et al. | Electrical and optical properties of Tl-doped Bi2Te3 crystals | |
| Badr et al. | Crystal growth, electrical and photophysical properties of Tl2S layered single crystals | |
| Elshazly | Amorphous Semiconductors Characteristics and Their Modern Application |