PL222013B1 - Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu - Google Patents

Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu

Info

Publication number
PL222013B1
PL222013B1 PL400284A PL40028412A PL222013B1 PL 222013 B1 PL222013 B1 PL 222013B1 PL 400284 A PL400284 A PL 400284A PL 40028412 A PL40028412 A PL 40028412A PL 222013 B1 PL222013 B1 PL 222013B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
substrate
growth
zno
precursor
zinc
Prior art date
Application number
PL400284A
Other languages
English (en)
Other versions
PL400284A1 (pl
Inventor
Bartłomiej Witkowski
Łukasz Wachnicki
Marek Godlewski
Original Assignee
Inst Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Fizyki Polskiej Akademii Nauk filed Critical Inst Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Priority to PL400284A priority Critical patent/PL222013B1/pl
Publication of PL400284A1 publication Critical patent/PL400284A1/pl
Publication of PL222013B1 publication Critical patent/PL222013B1/pl

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)

Abstract

Przedmiotem wynalazku jest hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu. Najpierw podłoże zawierające eutektyczne kulki metalowo - krzemowe lub metaliczną warstwę zarodkującą wzrost umieszcza w mieszaninie reakcyjnej o pH wynoszącym 6,5-12. Przy czym mieszanina ta zawiera co najmniej jeden prekursor tlenu, i co najmniej jeden prekursor cynku. Następnie temperaturę mieszaniny podnosi się do temperatury 50-95°C, i przez co najmniej 1 minutę prowadzi się wzrost nanosłupków ZnO.

Description

Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków tlenku cynku na podłożu, a zwłaszcza na podłożu krzemowym. Podłoża zawierające takie nanosłupki przeznaczone są do zastosowania w czujnikach pomiaru stężeń gazów i cieczy, w ogniwach fotowoltaicznych a także w przyrządach emisyjnych.
W literaturze opisane są różne sposoby wytwarzania nanosłupków ZnO.
Na przykład w publikacji: E. Wolska, B.S. Witkowski, M. Godlewski, ZnO Nanopowders by a Microwave Hydrothermal Method - Influence of the Precursor Type on Grain Sizes, Acta Physica Polonica A, Vol. 119, No.5, 2011, opisany jest wzrost nanostruktur ZnO w postaci nanoproszków metodą hydrotermalną wspomaganą mikrofalowo. W opisanym sposobie, nanoproszki takie otrzymuje się z mieszaniny reakcyjnej zawierającej rozpuszczalnik oraz prekursory tlenu i cynku. Mieszaninę taką umieszcza się w reaktorze a następnie w warunkach podwyższonego ciśnienia i przy podwyższonej temperaturze prowadzi się wzrost. Wzrost zachodzi w całej objętości, a wytworzone struktury (nanoproszki) nie są przymocowane do żadnego podłoża, co utrudnia ich praktyczne wykorzystanie.
Z publikacji: Sang-Woo Kim, Shizuo Fujita, Shigeo Fujita, ZnO nanowires with high aspect ratios grown by metalorganic chemical vapor deposition using gold nanoparticles, Applied Physics Letters 86, 153119, 2005, znany jest sposób wytwarzania nanosłupków, w którym wzrost prowadzony jest metodą MOCVD (ang. Metal Organic Chemical Vapor Deposition). W sposobie tym, najpierw na krzemowe podłoże, metodą powlekania wirowego nanosi się z roztworu, nanocząstki złota. Nanocząsteczki złota stanowią katalizator dla wzrostu słupków ZnO zgodnie z mechanizm wzrostu para - ciecz - ciało stałe (VLS) (ang. Vapour - Liquid - Solid). Następnie przy określonej szybkości przepływu gazów w komorze reakcyjnej, obniżonym ciśnieniu, w temperaturze ok. 550°C prowadzi się wzrost nanosłupków (nanocząstki złota płyną na froncie wzrostu). Wytwarzanie nanosłupków metodą MOCVD wymaga dosyć złożonego układu, który zapewniałby precyzyjną kontrolę parametrów procesu.
Z publikacji: Zhengrong R. Tian, James A. Voigt, Jun Liu, Bonnie Mckenzie, Matthew J. Mcdermott, Mark A. Rodriguez, Hiromi Konishi, Huifang Xu, Complex and oriented ZnO nanostructures, Nature Materials 2, 821-826, 2003, znany jest sposób, w którym z roztworu, metodą wzrostu z zarodka, wytwarzano na odpowiednim podłożu nanostruktury ZnO w postaci nanodrutów. Zastosowane w sposobie tym podłoża zawierały nanocząstki tlenku cynku stanowiące zarodki do dalszego wzrostu nanodrutów.
Wadą tego sposobu są trudności w przygotowaniu podłoża zawierającego odpowiednie zarodki a ponadto bardzo wolny wzrost. Wytworzenie nanodrutu ZnO o długości od 1 do 5 μm trwało zwykle 1-2 dni.
Celem wynalazku jest opracowanie taniego, prostego i szybkiego sposobu wytwarzania nanosłupków ZnO na różnych podłożach. Sposobu, który gwarantowałby równomierne rozmieszczenie nanosłupków na podłożach i charakteryzowałby się dużą powtarzalnością.
W sposobie według wynalazku nanosłupki ZnO wytwarza się na podłożu. W sposobie tym, najpierw na podłoże, korzystnie z krzemu zawierające na powierzchni metaliczne kulki eutektyczne lub metaliczną warstwę zarodkującą wzrost umieszcza się w mieszaninie reakcyjnej o pH 6,5-12. Przy czym mieszanina ta zawiera rozpuszczalnik, co najmniej jeden prekursor tlenu, i co najmniej jeden prekursor cynku. Następnie temperaturę mieszaniny reakcyjnej podnosi się do temperatury 50-95°C i przez co najmniej 1 minutę, prowadzi się wzrost nanosłupków ZnO. Korzystnie jest jeżeli prekursorem tlenu w mieszaninie reakcyjnej jest woda, a prekursorem cynku jest azotan cynku lub octan cynku.
Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożach jest bardzo prosty, nie wymaga stosowania skomplikowanej aparatury do kontroli przepływu gazów lub cieczy czy utrzymania wysokiej próżni. Jest procesem bezpiecznym, bo wzrost odbywa się przy stosunkowo niskiej temperaturze (ok. 50-95°C) i może odbywać się przy ciśnieniu atmosferycznym. Przygotowanie mieszaniny reakcyjnej wymaga jedynie wymieszania prekursorów w wodzie lub w innym rozpuszczalniku. Proponowany sposób wykorzystuje mechanizm zarodkowania wzrostu nanosłupków w roztworze poprzez warstwę metaliczną osadzoną na podłożu. O ile znane jest wykorzystanie metalicznych kulek jako katalizatora w mechanizmie wzrostu VLS, to metal (kulki lub warstwa) nie były stosowane jako element zarodkujący wzrost, w metodzie wzrostu z roztworu.
Wynalazek zostanie bliżej objaśniony na przykładzie wykonania nanosłupków ZnO na podłożu z krzemu.
PL 222 013 B1
Przykładowy sposób składa się z dwóch etapów. Pierwszy etap polega na odpowiednim przygotowaniu podłoża. W przykładowym sposobie jako podłoża użyto płytki z krzemu o grubości 0,5 mm. Na powierzchnię tego podłoża, metodą rozpylania katodowego, napylono cienką, 3 nm warstwę złota. W drugim etapie przygotowuje się mieszaninę reakcyjną o pH równym 8. W tym celu do naczynia wlewa się wodę dejonizowaną, która spełnia rolę rozpuszczalnika i prekursora tlenu, (ale może to być także rozpuszczalnik alkoholowy) i rozpuszcza się w niej prekursor cynku, w postaci bezwodnego octanu cynku. Odpowiednie pH mieszaniny uzyskuje się po dokładnym wymieszaniu, poprzez strącanie wodorotlenku metalu jakim jest wodorotlenek sodu (lub potasu). W tak przygotowanej mieszaninie umieszcza się wcześniej przygotowane podłoża z warstwą złota na powierzchni. Proces wzrostu nanostruktur prowadzi się przy ciśnieniu atmosferycznym, w temperaturze ~80°C.
W wyniku tak prowadzonego procesu, warstwa złota na powierzchni zarodkuje wzrost nanosłupków ZnO tak, że struktury wyrastają bezpośrednio na tej warstwie. Proces wzrostu prowadzi się przez 12 minut.
Rezultatem procesu jest wytworzenie na powierzchni podłoża z krzemu nanosłupków ZnO o wysokości ok. 1 ąm w kształcie graniastosłupów prawidłowych sześciokątnych. Otrzymane nanosłupki związane są z podłożem, w związku z czym mogą być wykorzystywane do praktycznych zastosowań typu sensorowego, fotowoltaicznego czy emisyjnego. Sposób według wynalazku nie wymaga stosowania wysokiej próżni, może być prowadzony na podłożach o dużych rozmiarach, jest szybki i prosty, przez co jest sposobem tanim, wydajnym i doskonale nadaje się do zastosowań na skalę przemysłową.

Claims (4)

  1. Zastrzeżenia patentowe
    1. Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu, zawierającym kulki eutektyczne lub metaliczną warstwę zarodkującą wzrost, znamienny tym, że podłoże, korzystnie krzemowe, pokryte warstwą metalu lub eutektycznymi kulkami zarodkującymi wzrost, umieszcza się w mieszaninie reakcyjnej o wartości pH 6,5-12, przy czym mieszanina ta zawiera rozpuszczalnik, co najmniej jeden prekursor tlenu, i co najmniej jeden prekursor cynku, później podłoże to zanurza się w mieszaninie reakcyjnej, podgrzewa się do temperatury 50-95°C i przez co najmniej 1 minutę prowadzi się w tych warunkach wzrost nanosłupków ZnO.
  2. 2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że prekursorem tlenu jest woda.
  3. 3. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że prekursorem cynku jest azotan cynku.
  4. 4. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że prekursorem cynku jest octan cynku.
PL400284A 2012-08-07 2012-08-07 Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu PL222013B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL400284A PL222013B1 (pl) 2012-08-07 2012-08-07 Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL400284A PL222013B1 (pl) 2012-08-07 2012-08-07 Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL400284A1 PL400284A1 (pl) 2014-02-17
PL222013B1 true PL222013B1 (pl) 2016-06-30

Family

ID=50097275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL400284A PL222013B1 (pl) 2012-08-07 2012-08-07 Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL222013B1 (pl)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL3553829T3 (pl) 2018-04-13 2022-11-21 Centrum Badań I Rozwoju Technologii Dla Przemysłu Spółka Akcyjna Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób wytwarzania krzemowych ogniw fotowoltaicznych

Also Published As

Publication number Publication date
PL400284A1 (pl) 2014-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Tao et al. The effect of seed layer on morphology of ZnO nanorod arrays grown by hydrothermal method
Amin et al. Influence of pH, precursor concentration, growth time, and temperature on the morphology of ZnO nanostructures grown by the hydrothermal method
Li et al. Controllable growth of well-aligned ZnO nanorod arrays by low-temperature wet chemical bath deposition method
Guo et al. Hydrothermal growth of well-aligned ZnO nanorod arrays: Dependence of morphology and alignment ordering upon preparing conditions
Jean et al. Growth mechanism and photoluminescence properties of In2O3 nanotowers
Dong et al. Shape-controlled growth of SrTiO 3 polyhedral submicro/nanocrystals
US20080295886A1 (en) Zno whisker films and method of manufacturing same
Gautam et al. The effect of growth temperature of seed layer on the structural and optical properties of ZnO nanorods
Fragalà et al. Effects of Metal-Organic Chemical Vapour Deposition grown seed layer on the fabrication of well aligned ZnO nanorods by Chemical Bath Deposition
Singh et al. Effect of heat and time-period on the growth of ZnO nanorods by sol–gel technique
Wang et al. Control growth of catalyst-free high-quality ZnO nanowire arrays on transparent quartz glass substrate by chemical vapor deposition
Guo et al. Preparation and optical properties of Mg-doped ZnO nanorods
Prabakar et al. Growth control of ZnO nanorod density by sol–gel method
Zeng et al. Controlled growth of ZnO nanomaterials via doping Sb
JP2008169053A (ja) 高c軸配向高比表面積ZnO結晶自立膜及びその作製方法
Sun et al. Controllable hydrothermal synthesis, growth mechanism, and properties of ZnO three-dimensional structures
Abbas et al. Structures and emission features of high-density ZnO micro/nanostructure grown by an easy hydrothermal method
Zhang et al. Hydrothermal synthesis of ZnO Crystals: Diverse morphologies and characterization of the photocatalytic properties
Nouneh et al. Structural and spectral properties of ZnO nanorods by wet chemical method for hybrid solar cells applications
PL222013B1 (pl) Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu
Medina et al. Characterization of ZnO nanoparticles with short-bar shape produced by chemical precipitation
PL225326B1 (pl) Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożach półprzewodnikowych
Park et al. The growth behavior of GaN NWs on Si (1 1 1) by the dispersion of Au colloid catalyst using pulsed MOCVD
Kim et al. Growth and formation mechanism of sea urchin-like ZnO nanostructures on Si
Chen et al. Correlation between seed layer characteristics and structures/properties of chemical bath synthesized ZnO nanowires