PL222013B1 - Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu - Google Patents
Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożuInfo
- Publication number
- PL222013B1 PL222013B1 PL400284A PL40028412A PL222013B1 PL 222013 B1 PL222013 B1 PL 222013B1 PL 400284 A PL400284 A PL 400284A PL 40028412 A PL40028412 A PL 40028412A PL 222013 B1 PL222013 B1 PL 222013B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- substrate
- growth
- zno
- precursor
- zinc
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000002061 nanopillar Substances 0.000 title abstract description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims abstract description 9
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical group [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical group [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 claims description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 17
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 5
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 description 4
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 229940057499 anhydrous zinc acetate Drugs 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 210000001161 mammalian embryo Anatomy 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- DJWUNCQRNNEAKC-UHFFFAOYSA-L zinc acetate Chemical compound [Zn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O DJWUNCQRNNEAKC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229960000314 zinc acetate Drugs 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu. Najpierw podłoże zawierające eutektyczne kulki metalowo - krzemowe lub metaliczną warstwę zarodkującą wzrost umieszcza w mieszaninie reakcyjnej o pH wynoszącym 6,5-12. Przy czym mieszanina ta zawiera co najmniej jeden prekursor tlenu, i co najmniej jeden prekursor cynku. Następnie temperaturę mieszaniny podnosi się do temperatury 50-95°C, i przez co najmniej 1 minutę prowadzi się wzrost nanosłupków ZnO.
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków tlenku cynku na podłożu, a zwłaszcza na podłożu krzemowym. Podłoża zawierające takie nanosłupki przeznaczone są do zastosowania w czujnikach pomiaru stężeń gazów i cieczy, w ogniwach fotowoltaicznych a także w przyrządach emisyjnych.
W literaturze opisane są różne sposoby wytwarzania nanosłupków ZnO.
Na przykład w publikacji: E. Wolska, B.S. Witkowski, M. Godlewski, ZnO Nanopowders by a Microwave Hydrothermal Method - Influence of the Precursor Type on Grain Sizes, Acta Physica Polonica A, Vol. 119, No.5, 2011, opisany jest wzrost nanostruktur ZnO w postaci nanoproszków metodą hydrotermalną wspomaganą mikrofalowo. W opisanym sposobie, nanoproszki takie otrzymuje się z mieszaniny reakcyjnej zawierającej rozpuszczalnik oraz prekursory tlenu i cynku. Mieszaninę taką umieszcza się w reaktorze a następnie w warunkach podwyższonego ciśnienia i przy podwyższonej temperaturze prowadzi się wzrost. Wzrost zachodzi w całej objętości, a wytworzone struktury (nanoproszki) nie są przymocowane do żadnego podłoża, co utrudnia ich praktyczne wykorzystanie.
Z publikacji: Sang-Woo Kim, Shizuo Fujita, Shigeo Fujita, ZnO nanowires with high aspect ratios grown by metalorganic chemical vapor deposition using gold nanoparticles, Applied Physics Letters 86, 153119, 2005, znany jest sposób wytwarzania nanosłupków, w którym wzrost prowadzony jest metodą MOCVD (ang. Metal Organic Chemical Vapor Deposition). W sposobie tym, najpierw na krzemowe podłoże, metodą powlekania wirowego nanosi się z roztworu, nanocząstki złota. Nanocząsteczki złota stanowią katalizator dla wzrostu słupków ZnO zgodnie z mechanizm wzrostu para - ciecz - ciało stałe (VLS) (ang. Vapour - Liquid - Solid). Następnie przy określonej szybkości przepływu gazów w komorze reakcyjnej, obniżonym ciśnieniu, w temperaturze ok. 550°C prowadzi się wzrost nanosłupków (nanocząstki złota płyną na froncie wzrostu). Wytwarzanie nanosłupków metodą MOCVD wymaga dosyć złożonego układu, który zapewniałby precyzyjną kontrolę parametrów procesu.
Z publikacji: Zhengrong R. Tian, James A. Voigt, Jun Liu, Bonnie Mckenzie, Matthew J. Mcdermott, Mark A. Rodriguez, Hiromi Konishi, Huifang Xu, Complex and oriented ZnO nanostructures, Nature Materials 2, 821-826, 2003, znany jest sposób, w którym z roztworu, metodą wzrostu z zarodka, wytwarzano na odpowiednim podłożu nanostruktury ZnO w postaci nanodrutów. Zastosowane w sposobie tym podłoża zawierały nanocząstki tlenku cynku stanowiące zarodki do dalszego wzrostu nanodrutów.
Wadą tego sposobu są trudności w przygotowaniu podłoża zawierającego odpowiednie zarodki a ponadto bardzo wolny wzrost. Wytworzenie nanodrutu ZnO o długości od 1 do 5 μm trwało zwykle 1-2 dni.
Celem wynalazku jest opracowanie taniego, prostego i szybkiego sposobu wytwarzania nanosłupków ZnO na różnych podłożach. Sposobu, który gwarantowałby równomierne rozmieszczenie nanosłupków na podłożach i charakteryzowałby się dużą powtarzalnością.
W sposobie według wynalazku nanosłupki ZnO wytwarza się na podłożu. W sposobie tym, najpierw na podłoże, korzystnie z krzemu zawierające na powierzchni metaliczne kulki eutektyczne lub metaliczną warstwę zarodkującą wzrost umieszcza się w mieszaninie reakcyjnej o pH 6,5-12. Przy czym mieszanina ta zawiera rozpuszczalnik, co najmniej jeden prekursor tlenu, i co najmniej jeden prekursor cynku. Następnie temperaturę mieszaniny reakcyjnej podnosi się do temperatury 50-95°C i przez co najmniej 1 minutę, prowadzi się wzrost nanosłupków ZnO. Korzystnie jest jeżeli prekursorem tlenu w mieszaninie reakcyjnej jest woda, a prekursorem cynku jest azotan cynku lub octan cynku.
Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożach jest bardzo prosty, nie wymaga stosowania skomplikowanej aparatury do kontroli przepływu gazów lub cieczy czy utrzymania wysokiej próżni. Jest procesem bezpiecznym, bo wzrost odbywa się przy stosunkowo niskiej temperaturze (ok. 50-95°C) i może odbywać się przy ciśnieniu atmosferycznym. Przygotowanie mieszaniny reakcyjnej wymaga jedynie wymieszania prekursorów w wodzie lub w innym rozpuszczalniku. Proponowany sposób wykorzystuje mechanizm zarodkowania wzrostu nanosłupków w roztworze poprzez warstwę metaliczną osadzoną na podłożu. O ile znane jest wykorzystanie metalicznych kulek jako katalizatora w mechanizmie wzrostu VLS, to metal (kulki lub warstwa) nie były stosowane jako element zarodkujący wzrost, w metodzie wzrostu z roztworu.
Wynalazek zostanie bliżej objaśniony na przykładzie wykonania nanosłupków ZnO na podłożu z krzemu.
PL 222 013 B1
Przykładowy sposób składa się z dwóch etapów. Pierwszy etap polega na odpowiednim przygotowaniu podłoża. W przykładowym sposobie jako podłoża użyto płytki z krzemu o grubości 0,5 mm. Na powierzchnię tego podłoża, metodą rozpylania katodowego, napylono cienką, 3 nm warstwę złota. W drugim etapie przygotowuje się mieszaninę reakcyjną o pH równym 8. W tym celu do naczynia wlewa się wodę dejonizowaną, która spełnia rolę rozpuszczalnika i prekursora tlenu, (ale może to być także rozpuszczalnik alkoholowy) i rozpuszcza się w niej prekursor cynku, w postaci bezwodnego octanu cynku. Odpowiednie pH mieszaniny uzyskuje się po dokładnym wymieszaniu, poprzez strącanie wodorotlenku metalu jakim jest wodorotlenek sodu (lub potasu). W tak przygotowanej mieszaninie umieszcza się wcześniej przygotowane podłoża z warstwą złota na powierzchni. Proces wzrostu nanostruktur prowadzi się przy ciśnieniu atmosferycznym, w temperaturze ~80°C.
W wyniku tak prowadzonego procesu, warstwa złota na powierzchni zarodkuje wzrost nanosłupków ZnO tak, że struktury wyrastają bezpośrednio na tej warstwie. Proces wzrostu prowadzi się przez 12 minut.
Rezultatem procesu jest wytworzenie na powierzchni podłoża z krzemu nanosłupków ZnO o wysokości ok. 1 ąm w kształcie graniastosłupów prawidłowych sześciokątnych. Otrzymane nanosłupki związane są z podłożem, w związku z czym mogą być wykorzystywane do praktycznych zastosowań typu sensorowego, fotowoltaicznego czy emisyjnego. Sposób według wynalazku nie wymaga stosowania wysokiej próżni, może być prowadzony na podłożach o dużych rozmiarach, jest szybki i prosty, przez co jest sposobem tanim, wydajnym i doskonale nadaje się do zastosowań na skalę przemysłową.
Claims (4)
- Zastrzeżenia patentowe1. Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu, zawierającym kulki eutektyczne lub metaliczną warstwę zarodkującą wzrost, znamienny tym, że podłoże, korzystnie krzemowe, pokryte warstwą metalu lub eutektycznymi kulkami zarodkującymi wzrost, umieszcza się w mieszaninie reakcyjnej o wartości pH 6,5-12, przy czym mieszanina ta zawiera rozpuszczalnik, co najmniej jeden prekursor tlenu, i co najmniej jeden prekursor cynku, później podłoże to zanurza się w mieszaninie reakcyjnej, podgrzewa się do temperatury 50-95°C i przez co najmniej 1 minutę prowadzi się w tych warunkach wzrost nanosłupków ZnO.
- 2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że prekursorem tlenu jest woda.
- 3. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że prekursorem cynku jest azotan cynku.
- 4. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że prekursorem cynku jest octan cynku.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PL400284A PL222013B1 (pl) | 2012-08-07 | 2012-08-07 | Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PL400284A PL222013B1 (pl) | 2012-08-07 | 2012-08-07 | Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
PL400284A1 PL400284A1 (pl) | 2014-02-17 |
PL222013B1 true PL222013B1 (pl) | 2016-06-30 |
Family
ID=50097275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PL400284A PL222013B1 (pl) | 2012-08-07 | 2012-08-07 | Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
PL (1) | PL222013B1 (pl) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
PL3553829T3 (pl) | 2018-04-13 | 2022-11-21 | Centrum Badań I Rozwoju Technologii Dla Przemysłu Spółka Akcyjna | Krzemowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób wytwarzania krzemowych ogniw fotowoltaicznych |
-
2012
- 2012-08-07 PL PL400284A patent/PL222013B1/pl unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
PL400284A1 (pl) | 2014-02-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Tao et al. | The effect of seed layer on morphology of ZnO nanorod arrays grown by hydrothermal method | |
Amin et al. | Influence of pH, precursor concentration, growth time, and temperature on the morphology of ZnO nanostructures grown by the hydrothermal method | |
Li et al. | Controllable growth of well-aligned ZnO nanorod arrays by low-temperature wet chemical bath deposition method | |
Guo et al. | Hydrothermal growth of well-aligned ZnO nanorod arrays: Dependence of morphology and alignment ordering upon preparing conditions | |
Jean et al. | Growth mechanism and photoluminescence properties of In2O3 nanotowers | |
Dong et al. | Shape-controlled growth of SrTiO 3 polyhedral submicro/nanocrystals | |
US20080295886A1 (en) | Zno whisker films and method of manufacturing same | |
Gautam et al. | The effect of growth temperature of seed layer on the structural and optical properties of ZnO nanorods | |
Fragalà et al. | Effects of Metal-Organic Chemical Vapour Deposition grown seed layer on the fabrication of well aligned ZnO nanorods by Chemical Bath Deposition | |
Singh et al. | Effect of heat and time-period on the growth of ZnO nanorods by sol–gel technique | |
Wang et al. | Control growth of catalyst-free high-quality ZnO nanowire arrays on transparent quartz glass substrate by chemical vapor deposition | |
Guo et al. | Preparation and optical properties of Mg-doped ZnO nanorods | |
Prabakar et al. | Growth control of ZnO nanorod density by sol–gel method | |
Zeng et al. | Controlled growth of ZnO nanomaterials via doping Sb | |
JP2008169053A (ja) | 高c軸配向高比表面積ZnO結晶自立膜及びその作製方法 | |
Sun et al. | Controllable hydrothermal synthesis, growth mechanism, and properties of ZnO three-dimensional structures | |
Abbas et al. | Structures and emission features of high-density ZnO micro/nanostructure grown by an easy hydrothermal method | |
Zhang et al. | Hydrothermal synthesis of ZnO Crystals: Diverse morphologies and characterization of the photocatalytic properties | |
Nouneh et al. | Structural and spectral properties of ZnO nanorods by wet chemical method for hybrid solar cells applications | |
PL222013B1 (pl) | Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożu | |
Medina et al. | Characterization of ZnO nanoparticles with short-bar shape produced by chemical precipitation | |
PL225326B1 (pl) | Hydrotermalny sposób wytwarzania nanosłupków ZnO na podłożach półprzewodnikowych | |
Park et al. | The growth behavior of GaN NWs on Si (1 1 1) by the dispersion of Au colloid catalyst using pulsed MOCVD | |
Kim et al. | Growth and formation mechanism of sea urchin-like ZnO nanostructures on Si | |
Chen et al. | Correlation between seed layer characteristics and structures/properties of chemical bath synthesized ZnO nanowires |