PL217816B1 - Method for coating the surface with nanoparticles - Google Patents
Method for coating the surface with nanoparticlesInfo
- Publication number
- PL217816B1 PL217816B1 PL391217A PL39121710A PL217816B1 PL 217816 B1 PL217816 B1 PL 217816B1 PL 391217 A PL391217 A PL 391217A PL 39121710 A PL39121710 A PL 39121710A PL 217816 B1 PL217816 B1 PL 217816B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- nanoparticles
- solution
- salt
- cdse
- concentration
- Prior art date
Links
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title claims abstract description 100
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 73
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 14
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 39
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 25
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- -1 cadmium chalcogenide Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 claims abstract description 4
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 54
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 6
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001734 carboxylic acid salts Chemical group 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 7
- 238000007654 immersion Methods 0.000 abstract description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 abstract 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 abstract 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [Cd]=S CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N lead(ii) sulfide Chemical compound [Pb]=S XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 51
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 38
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 4
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- ZNNZYHKDIALBAK-UHFFFAOYSA-M potassium thiocyanate Chemical compound [K+].[S-]C#N ZNNZYHKDIALBAK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- GWOLZNVIRIHJHB-UHFFFAOYSA-N 11-mercaptoundecanoic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCCCS GWOLZNVIRIHJHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 240000001973 Ficus microcarpa Species 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 2
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 2
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 2
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 2
- DIXRLQJYISYSEL-UHFFFAOYSA-N 11-aminoundecane-1-thiol Chemical compound NCCCCCCCCCCCS DIXRLQJYISYSEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001074 Langmuir--Blodgett assembly Methods 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000004071 biological effect Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 230000021164 cell adhesion Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007210 heterogeneous catalysis Methods 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000013580 millipore water Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229940074439 potassium sodium tartrate Drugs 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical compound C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000001476 sodium potassium tartrate Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004416 surface enhanced Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- SLCWLLVFKQHEIN-UHFFFAOYSA-N trimethyl(11-sulfanylundecyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)CCCCCCCCCCCS SLCWLLVFKQHEIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002371 ultraviolet--visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/38—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals
- B01J23/40—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals of the platinum group metals
- B01J23/42—Platinum
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/06—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of zinc, cadmium or mercury
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/38—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals
- B01J23/40—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals of the platinum group metals
- B01J23/44—Palladium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/38—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals
- B01J23/48—Silver or gold
- B01J23/50—Silver
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/38—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals
- B01J23/48—Silver or gold
- B01J23/52—Gold
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/38—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals
- B01J23/54—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals combined with metals, oxides or hydroxides provided for in groups B01J23/02 - B01J23/36
- B01J23/66—Silver or gold
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J27/00—Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
- B01J27/02—Sulfur, selenium or tellurium; Compounds thereof
- B01J27/04—Sulfides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J27/00—Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
- B01J27/02—Sulfur, selenium or tellurium; Compounds thereof
- B01J27/057—Selenium or tellurium; Compounds thereof
- B01J27/0573—Selenium; Compounds thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J27/00—Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
- B01J27/02—Sulfur, selenium or tellurium; Compounds thereof
- B01J27/057—Selenium or tellurium; Compounds thereof
- B01J27/0576—Tellurium; Compounds thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J31/00—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds
- B01J31/02—Catalysts comprising hydrides, coordination complexes or organic compounds containing organic compounds or metal hydrides
- B01J31/0234—Nitrogen-, phosphorus-, arsenic- or antimony-containing compounds
- B01J31/0235—Nitrogen containing compounds
- B01J31/0239—Quaternary ammonium compounds
-
- B01J35/60—
-
- B01J35/643—
-
- B01J35/647—
-
- B01J35/651—
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/02—Impregnation, coating or precipitation
- B01J37/0215—Coating
- B01J37/0219—Coating the coating containing organic compounds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
- B05D1/185—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping applying monomolecular layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D2203/00—Other substrates
- B05D2203/30—Other inorganic substrates, e.g. ceramics, silicon
Abstract
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób pokrywania powierzchni materiału nanocząstkami. Sposób stosuje się m.in. do pokrywania takich materiałów jak szkło, tlenek indu domieszkowany tlenkiem cyny (ITO), krzem oraz inne półprzewodniki.The subject of the invention is a method of coating the surface of a material with nanoparticles. The method is used, among others for coating materials such as glass, indium oxide doped with tin oxide (ITO), silicon and other semiconductors.
Nanocząstki - cząstki pierwiastków i związków chemicznych, których, umownie, minimum jeden z wymiarów nie przekracza 100 nm - charakteryzują się właściwościami chemicznymi i fizycznymi różniącymi się od właściwości tych substancji w formie mniej rozdrobnionej. Ze względu na dużą energię powierzchniową, nanocząstki muszą być zabezpieczone przed agregacją za pomocą monowarstwy cząsteczek organicznych lub polimerów. Cząsteczki tworzące takie warstwy ochronne mogą zawierać w swej strukturze grupy funkcyjne wprowadzone w celu nadania pokrywanych przez nie nanocząstkom odpowiednich właściwości fizycznych, biologicznych lub umożliwiających prowadzenie na ich powierzchni reakcji chemicznych.Nanoparticles - particles of elements and chemical compounds whose, by convention, at least one of the dimensions does not exceed 100 nm - are characterized by chemical and physical properties that differ from those of these substances in a less comminuted form. Due to the high surface energy, nanoparticles must be secured against aggregation by means of a monolayer of organic molecules or polymers. The particles forming such protective layers may contain in their structure functional groups introduced in order to provide the nanoparticles covered by them with appropriate physical, biological properties or allowing chemical reactions to be carried out on their surface.
Wraz z rozwojem metod otrzymywania nanocząstek oraz lepszym poznaniem ich właściwości próbuje się wykorzystywać ich cechy w celach praktycznych, m.in. w takich obszarach życia jak medycyna, kataliza, budowa detektorów czy pozyskiwane energii ze źródeł odnawialnych. Aby to było możliwe, w niektórych przypadkach koniecznym jest porządkowanie nanocząstek w struktury dwu i trójwymiarowe.Along with the development of methods for obtaining nanoparticles and a better understanding of their properties, attempts are made to use their properties for practical purposes, including in such areas of life as medicine, catalysis, construction of detectors or obtaining energy from renewable sources. To make this possible, in some cases it is necessary to arrange the nanoparticles into two- and three-dimensional structures.
Struktury płaskie - dwuwymiarowe - składające się z lub zawierające nanocząstki metaliczne (Au, Ag, Pd, Pt, Cu) lub półprzewodnikowe (CdS, CdSe) wzbudzają zainteresowanie z powodu ich potencjalnego praktycznego znaczenia w budowie ogniw słonecznych, detektorów opartych na zjawiskach LSPR lub SERS, elektronice, ochronie przed korozją, katalizie heterogenicznej, powłokach antyrefleksyjnych, wyświetlaczach i podłożach do adhezji komórek.Plane structures - two-dimensional - consisting of or containing nanoparticles of metal (Au, Ag, Pd, Pt, Cu) or semiconductor (CdS, CdSe) arouse interest because of their potential practical importance in the construction of solar cells, LSPR or SERS detectors , electronics, corrosion protection, heterogeneous catalysis, anti-reflective coatings, displays and cell adhesion substrates.
Obecnie znanych jest kilka metod otrzymywania takich pokryć. Są to elektroosadzanie, technika Langmuir-Blodgett, metoda powlekania wirującego podłoża cienką warstwą (ang. spin-coating lub casting) oraz technika zol-żel.Currently, several methods of obtaining such coatings are known. These are electrodeposition, the Langmuir-Blodgett technique, the spin-coating or casting technique, and the sol-gel technique.
Wszystkie te metody mają jedną lub kilka wad takich jak to, że wymagają drogiego sprzętu, stosuje się je do wąskiego zbioru powierzchni lub można za ich pomocą pokrywać jedynie płaskie powierzchnie lub powierzchnie o niewielkim rozmiarze. Zatem poszukiwanie metod pozwalających szybko i tanio pokrywać duże powierzchnie i/lub o rozwiniętej topografii jest ważne.All of these methods have one or several disadvantages such as requiring expensive equipment, being used for a narrow set of surfaces or only covering flat surfaces or small size surfaces. Therefore, it is important to search for methods that allow to cover large areas quickly and cheaply and / or with developed topography.
Przedmiotem obecnego wynalazku jest metoda pokrywania powierzchni materiałów nanocząstkami. Pokrywanie to odbywa się poprzez zanurzenie pokrywanej powierzchni w mieszaninie nanocząstek pokrytych dodatnio naładowaną warstwą organiczną, na przykład chlorkiem 11-merkaptoundecylotrimetyloamoniowym (TMA), oraz soli. Następnie powierzchnię płucze się w wodzie, opcjonalnie w rozpuszczalnikach organicznych, np. w metanolu i suszy.The present invention relates to a method of coating the surface of materials with nanoparticles. This coating takes place by dipping the surface to be coated in a mixture of nanoparticles coated with a positively charged organic layer, for example 11-mercaptoundecyltrimethylammonium chloride (TMA), and salt. The surface is then rinsed with water, optionally in organic solvents, e.g. methanol, and dried.
W niedawno opublikowanym zgłoszeniu wynalazku nr US 2009/0098366 A1 oraz publikacji [Smoukov S.K., Bishop K.J.M., Kowalczyk B., Kalsin A.M., Grzybowski B.A.; Journal of the American Chemical Society, 50 (129), 15623-15630] opisano podobną metodę pokrywania powierzchni nanocząstkami. Jednak w metodzie tej konieczne jest użycie odpowiednio przygotowanej mieszaniny składającej się z dwóch rodzajów nanocząstek; pokrytych TMA, który nadaje im ładunek dodatni oraz pokrytych kwasem 11-merkaptoundekanowym (MUA), który w wysokim pH nadaje im ładunek ujemy. Metoda według wynalazku różni się tym, że wykorzystuje się roztwory wyłącznie dodatnio naładowanych nanocząstek.In the recently published invention application No. US 2009/0098366 A1 and the publication [Smoukov S.K., Bishop K.J.M., Kowalczyk B., Kalsin A.M., Grzybowski B.A .; Journal of the American Chemical Society, 50 (129), 15623-15630] describes a similar method for surface coating with nanoparticles. However, in this method it is necessary to use a properly prepared mixture consisting of two types of nanoparticles; coated with TMA, which gives them a positive charge, and coated with 11-mercaptoundecanoic acid (MUA), which gives them a negative charge at high pH. The method according to the invention differs in that only solutions of positively charged nanoparticles are used.
Zgodnie z wynalazkiem, sposób pokrywania powierzchni materiału nanocząstkami, obejmujący etap zanurzania wspomnianej powierzchni w roztworze zawierającym mieszaninę nanocząstek pokrytych naładowaną warstwą organiczną bądź polimerową oraz soli, charakteryzuje się tym, że wspomniany roztwór zawiera wyłącznie cząstki naładowane jednoimiennie a stężenie wspomnianej soli we wspomnianym roztworze wynosi od 0,01 mol/l do 2,0 mol/l.According to the invention, a method of coating a surface of a material with nanoparticles, comprising the step of immersing said surface in a solution comprising a mixture of nanoparticles coated with a charged organic or polymer layer and a salt, characterized in that said solution comprises only uniformly charged particles and the concentration of said salt in said solution is from 0.01 mol / l to 2.0 mol / l.
W jednym z przykładów realizacji wynalazku wspomniana powierzchnia naładowana jest dodatnio, zaś wspomniany roztwór zawiera wyłącznie cząstki naładowane ujemnie.In one embodiment of the invention, said surface is positively charged and said solution contains only negatively charged particles.
Zgodnie z wynalazkiem, wspomniany roztwór jest roztworem wodnym.According to the invention, said solution is an aqueous solution.
W innym przykładzie realizacji wynalazku, wspomniany roztwór jest roztworem niewodnym, korzystnie roztworem metanolowym.In another embodiment of the invention, said solution is a non-aqueous solution, preferably a methanol solution.
Zgodnie z wynalazkiem, wspomniana sól jest solą nieorganiczną.According to the invention, said salt is an inorganic salt.
Alternatywnie, wspomniana sól jest solą organiczną, korzystnie sól jest solą kwasu karboksylowego.Alternatively, said salt is an organic salt, preferably the salt is a salt of a carboxylic acid.
PL 217 816 B1PL 217 816 B1
Korzystnie wspomniane nanocząstki mają rozmiar od 1 nm do 100 nm.Preferably, said nanoparticles have a size from 1 nm to 100 nm.
W innym przykładzie realizacji wynalazku wspomniana powierzchnia naładowana jest ujemnie, zaś wspomniany roztwór zawiera wyłącznie cząstki naładowane dodatnio.In another embodiment of the invention, said surface is negatively charged and said solution contains only positively charged particles.
Zgodnie z wynalazkiem, wspomniane nanocząstki są nanocząstkami metalicznymi, korzystnie wybranymi z grupy obejmującej Au, Ag, Pt, Pd.According to the invention, said nanoparticles are metallic nanoparticles, preferably selected from the group consisting of Au, Ag, Pt, Pd.
Alternatywnie, wspomniane nanocząstki są nanocząstkami półprzewodnikowymi, korzystnie wybranymi z grupy obejmującej CdS, CdSe, CdTe, InP, PbS, InAs, ZnO.Alternatively, said nanoparticles are semiconductor nanoparticles, preferably selected from the group consisting of CdS, CdSe, CdTe, InP, PbS, InAs, ZnO.
W jeszcze innym korzystnym przykładzie realizacji wynalazku, wspomniane nanocząstki są nanocząstkami dwu- lub wieloskładnikowymi typu jądro-skorupka, ang. core-shell, z wierzchnią warstwą korzystnie obejmującą CdSe, ZnS, ZnSe.In yet another preferred embodiment of the invention, said nanoparticles are core-shell bi- or multicomponent nanoparticles with a top layer preferably consisting of CdSe, ZnS, ZnSe.
W szczególności, zgodnie z wynalazkiem, wspomniane nanocząstki mogą być nanocząstkami CdTe/CdSe, CdSe/ZnS lub CdSe/ZnSe.In particular, according to the invention, said nanoparticles may be CdTe / CdSe, CdSe / ZnS or CdSe / ZnSe nanoparticles.
Korzystnie wspomniane nanocząstki pokryte są dodatnio naładowaną warstwą chlorku 11-merkaptoundecylotrimetyloaminowego, TMA.Preferably, said nanoparticles are coated with a positively charged layer of 11-mercaptoundecyltrimethylamine chloride, TMA.
Korzystnie pokrywana powierzchnia jest powierzchnią wybraną spośród szkła, tlenku indu domieszkowanego cyną, ITO, krzemu, arsenku galu lub innych półprzewodników.Preferably, the surface to be coated is a surface selected from glass, tin-doped indium oxide, ITO, silicon, gallium arsenide, or other semiconductors.
Korzystnie czas pojedynczego zanurzenia wynosi od 10 sekund do 60 minut, korzystnie od 15 sekund do 10 minut.Preferably the duration of a single dip is from 10 seconds to 60 minutes, preferably from 15 seconds to 10 minutes.
Zgodnie z wynalazkiem, wspomniany etap zanurzania powtarza się.According to the invention, said dipping step is repeated.
Korzystnie liczba powtórzeń wynosi od 2 do 10.Preferably, the number of repetitions is from 2 to 10.
Wynalazek zostanie teraz bliżej przedstawiony w korzystnych przykładach wykonania, z odniesieniem do załączonych rysunków, na których:The invention will now be illustrated in more detail in the preferred embodiments with reference to the accompanying drawings in which:
Fig. 1 przedstawia zdjęcie płytek szklanych zanurzonych jednokrotnie (1), dwukrotnie (2), trzykrotnie (3) i pięciokrotnie (4) na okres jednej minuty w roztworze o stężeniu nanocząstek 0,15 mgAu/ml i NaCI 2 mol/l,Fig. 1 shows a photo of glass plates immersed once (1), twice (2), three times (3) and five times (4) for one minute in a solution with a nanoparticle concentration of 0.15 mgAu / ml and NaCl 2 mol / l,
Fig. 2 przedstawia zmierzone absorbancje płytek szklanych zanurzanych w roztworach o stężeniu nanocząstek 0,15 mgAu/ml i stężeniu NaCI wynoszącym 0, 0,001, 0,01, 0,1, 0,5, 2, 4 lub 6 mol/l, w zależności od liczby zanurzeń. Czas każdego zanurzenia wynosił 1 minutę. Po każdym zanurzeniu płytki były płukane w wodzie, metanolu, suszona po czym mierzono jej absorbancję,Fig. 2 shows the measured absorbances of glass plates immersed in solutions with a nanoparticle concentration of 0.15 mgAu / ml and a NaCl concentration of 0, 0.001, 0.01, 0.1, 0.5, 2, 4 or 6 mol / l, in depending on the number of dives. The duration of each dive was 1 minute. After each immersion, the plates were rinsed in water, methanol, dried and its absorbance was measured,
Fig. 3 przedstawia zmierzone absorbancje płytek szklanych zanurzanych w roztworach o stężeniu nanocząstek 0,15 mgAu/ml w zależności od stężenia soli. Płytki były zanurzane pięciokrotnie na 1 minutę (a) lub ośmiokrotnie na 1 minutę (b). Po każdym zanurzeniu płytki były płukane w wodzie, metanolu i suszone. Przy stężeniu soli zbliżonym do 1 mol/l następuje wypadanie nanocząstek z roztworu, co uniemożliwia pomiar,Fig. 3 shows the measured absorbances of glass plates immersed in solutions with a nanoparticle concentration of 0.15 mgAu / ml depending on the salt concentration. The plates were immersed five times for 1 minute (a) or eight times for 1 minute (b). After each dipping, the plates were rinsed in water, methanol and dried. At a salt concentration close to 1 mol / l, nanoparticles fall out of the solution, which prevents the measurement,
Fig. 4 przedstawia zmierzone absorbancje płytek szklanych zanurzanych w roztworach o stężeniu nanocząstek 0,15 mgAu/ml i soli: (a) KSCN, (b) Na2CO3, (c) NaCI, (d) octan sodu, (e) NaNO3 lub (f) winian sodowo-potasowy o stężeniu 2 mol/l. Czas pojedynczego zanurzenia wynosił 1 minutę. Po każdym zanurzeniu płytki były płukane w wodzie, metanolu i suszone,Fig. 4 shows the measured absorbances of glass plates immersed in solutions with a nanoparticle concentration of 0.15 mgAu / ml and salt: (a) KSCN, (b) Na2CO3, (c) NaCl, (d) sodium acetate, (e) NaNO3 or ( (f) 2 mol / l sodium potassium tartrate. The single dip time was 1 minute. After each immersion, the plates were rinsed in water, methanol and dried,
Fig. 5 przedstawia wykresy zależności stopnia pokrycia powierzchni od całkowitego czasu zanurzenia w roztworze nanocząstek dla trzech różnych stężeń nanocząstek wynoszących 0,15 (a), 0,075 (b), 0,015 mgAu/ml (c) i stężenia NaCI 2 mol/l,Fig. 5 shows graphs of the dependence of the degree of surface coverage on the total immersion time in the nanoparticle solution for three different nanoparticle concentrations: 0.15 (a), 0.075 (b), 0.015 mgAu / ml (c) and NaCl concentration 2 mol / l
Fig. 6 przedstawia zdjęcie płytki ITO zanurzonej jednokrotnie na 5 minut w roztworze o stężeniu nanocząstek 0,15 mgAu/ml i NaCI 2 mol/l,Fig. 6 shows a photo of an ITO plate immersed once for 5 minutes in a solution with a nanoparticle concentration of 0.15 mgAu / ml and NaCl 2 mol / l,
Fig. 7 przedstawia zdjęcie wafla krzemowego zanurzonego pięć razy na okres 5 minut w roztworze o stężeniu nanocząstek 0,15 mgAu/ml i NaCI 2 mol/l,Fig. 7 shows a photo of a silicon wafer immersed five times for a period of 5 minutes in a solution with a nanoparticle concentration of 0.15 mgAu / ml and NaCl 2 mol / l,
Fig. 8 przedstawia zdjęcie wafla krzemowego zanurzonego pięć razy na 5 minut w roztworze o stężeniu nanocząstek 0,15 mgAu/ml i NaCI 2 mol/l a następnie trzymanego w plazmie tlenowej przez 4 minuty.Fig. 8 shows a picture of a silicon wafer immersed five times for 5 minutes in a solution with a nanoparticle concentration of 0.15 mgAu / ml and 2 mol / l NaCl, and then kept in oxygen plasma for 4 minutes.
Metoda służy do pokrywania materiałów o ujemnie naładowanych powierzchniach, w szczególności szkła, ITO, krzemu, arsenku galu i innych półprzewodników. ITO jest powszechnie używanym skrótem od angielskiej nazwy tlenku indu domieszkowanego cyną.The method is used to coat materials with negatively charged surfaces, in particular glass, ITO, silicon, gallium arsenide and other semiconductors. ITO is the abbreviation commonly used for tin-doped indium oxide.
W metodzie według wynalazku stosuje się nanocząstki metaliczne, w tym Au, Ag, Pt, Pd i lub nanocząstki półprzewodnikowe, w tym CdS, CdSe, CdTe, InP, PbS, InAs, ZnO, dwu i wieloskładniko4The method of the invention uses metallic nanoparticles, including Au, Ag, Pt, Pd, and or semiconductor nanoparticles, including CdS, CdSe, CdTe, InP, PbS, InAs, ZnO, bi and multicomponent.
PL 217 816 B1 we typu jądro-skorupka (ang. core-shell) z wierzchnią warstwą np. z CdSe, ZnS, ZnSe takie jak np. CdTe/CdSe, CdSe/ZnS, CdSe/ZnSe pokryte dodatnio naładowaną warstwą organiczną bądź polimerową lub mieszaniny tego rodzaju nanocząstek.PL 217 816 B1 core-shell with a top layer, e.g. of CdSe, ZnS, ZnSe, such as e.g. CdTe / CdSe, CdSe / ZnS, CdSe / ZnSe covered with a positively charged organic or polymer layer or mixtures of such nanoparticles.
W metodzie stosuje się nanocząstki o rozmiarach od 1 nm do 100 nm.The method uses nanoparticles with a size from 1 nm to 100 nm.
W metodzie według wynalazku korzystne jest, dla osiągnięcia większego stopnia pokrycia, oczyszczać pokrywaną powierzchnię poprzez płukanie. Wariant ten zilustrowany jest przez przykład 2.In the method according to the invention, it is advantageous to clean the surface to be covered by rinsing in order to achieve a greater degree of coverage. This variant is illustrated by example 2.
W metodzie według wynalazku stosuje się roztwory soli organicznych i nieorganicznych w dowolnych stężeniach, przy czym dla osiągnięcia maksymalnego pokrycia korzystne jest używanie stężeń w zakresie 0,01 do 2 mol/l. Jak wynika z fig. 2 i 3 maksymalną absorbancję, odpowiadającą maksymalnemu stopniowi pokrycia, uzyskano dla stężenia soli 0,1 mol/l po ośmiu jednominutowych zanurzeniach. W tych warunkach dalsze zanurzenia nie prowadzą do wzrostu pokrycia. Zależnie od rodzaju soli i stężenia nanocząstek, w pewnych warunkach, może nastąpić agregacja i/lub wytrącanie nanocząstek z mieszaniny. Takie zjawisko miało miejsce w przykładzie 4 dla stężenia NaCI około 1 mol/l, przez co absorbancja odpowiadająca temu stężeniu nie została zmierzona, fig. 3. W takim przypadku pokrywanie powierzchni jest niemożliwe. Jak wynika z przykładu 4 należy wówczas obniżyć lub podwyższyć stężenie soli.In the method of the invention, solutions of organic and inorganic salts are used in any concentration, it being preferred to use concentrations in the range of 0.01 to 2 mol / l to achieve maximum coverage. As can be seen from Figures 2 and 3, the maximum absorbance corresponding to the maximum degree of coverage was obtained for a salt concentration of 0.1 mol / l after eight one-minute dips. Under these conditions, further dips do not lead to an increase in coverage. Depending on the nature of the salt and the concentration of the nanoparticles, under certain conditions, aggregation and / or precipitation of the nanoparticles from the mixture may occur. Such a phenomenon took place in Example 4 at a NaCl concentration of about 1 mol / L, so that the corresponding absorbance was not measured, Fig. 3. In this case, surface coating is impossible. As can be seen from example 4, the salt concentration should then be lowered or increased.
Rodzaj użytej soli wykazuje wpływ na osiągany stopień pokrycia. Wśród przebadanych soli najgęstsze pokrycie uzyskiwano stosując sole kwasów karboksylowych - fig. 4.The type of salt used has an influence on the degree of coverage achieved. Among the tested salts, the densest coverage was obtained using salts of carboxylic acids - Fig. 4.
W metodzie według wynalazku szybkość pokrywania powierzchni nanocząstkami rośnie wraz ze wzrostem stężenia nanocząstek, co zostało pokazane na fig. 5.In the method according to the invention, the rate of surface coating with nanoparticles increases with increasing concentration of nanoparticles, as shown in Fig. 5.
W metodzie według wynalazku można osiągać stężenia powierzchniowe dowolnie niższe od maksymalnego zmniejszając stężenia nanocząstek, zmniejszając stężenie soli oraz zmniejszając liczbę zanurzeń pokrywanej powierzchni w roztworze nanocząstek.In the method according to the invention, it is possible to achieve surface concentrations arbitrarily lower than the maximum by reducing the concentration of nanoparticles, reducing the salt concentration and reducing the number of dips of the surface to be coated in the nanoparticle solution.
Zmiana stopnia pokrycia w czasie, w trakcie zanurzania, opisana jest w zadawalającym stopniu równaniem:The change in the degree of coverage with time, during the dive, is satisfactorily described by the equation:
d<I>(t)/dt = (0>max - <I>)Kc, gdzie <I>(t) jest stopniem pokrycia powierzchni, 0>max jest maksymalnym stopniem pokrycia,d <I> (t) / dt = (0> max - <I>) Kc, where <I> (t) is the degree of coverage, 0> max is the maximum degree of coverage,
K - współczynnik proporcjonalności, c - stężeniem nanocząstek. W powyższym równaniu proces adsorpcji nanocząstek na powierzchnię substratu jest nieodwracalny. Nieodwracalność procesu adsorpcji jest wnioskiem z obserwacji, że po przemyciu płytki jej stopień pokrycia - mierzony na postawie absorbancji - nie ulega zmianie.K - proportionality coefficient, c - concentration of nanoparticles. In the above equation, the process of adsorption of nanoparticles to the substrate surface is irreversible. The irreversibility of the adsorption process is the conclusion that after washing the plate its degree of coverage - measured on the basis of absorbance - does not change.
Warstwę organiczną na powierzchni nanocząstek, po zakończeniu procesu pokrywania powierzchni, można usuwać metodami chemicznymi lub plazmą tlenową, co może prowadzić do lokalnej agregacji nanocząstek - przykład 8.The organic layer on the surface of nanoparticles, after completing the surface coating process, can be removed by chemical methods or with oxygen plasma, which may lead to local aggregation of nanoparticles - example 8.
Otrzymane pokrycia są dostatecznie trwałe mechanicznie, aby możliwy był ich transport, przechowywanie, pokrywanie cieczami i ogrzewanie powyżej temperatury pokojowej. Metodą według wynalazku zawsze uzyskuje się pokrycie pojedynczą warstwą nanocząstek. Nie stwierdzono tworzenia się struktur dwu i wielowarstwowych na pokrywanych materiałach.The coatings obtained are sufficiently mechanically stable to be transported, stored, covered with liquids and heated above room temperature. The method according to the invention always achieves a single layer of nanoparticles. The formation of two and multilayer structures on the coated materials was not found.
Dodatkowo, zgodnie z twierdzeniem autorów [Tretiakov K.V., Bishop K.J.M., Kowalczyk B., Jaiswal A., Poggi M.A., Grzybowski B.A.; Journal of Physical Chemistry A, 16 (113), 3799-3803] kooperatywny udział dodatni i ujemnie naładowanych cząstek prowadzi do niejednorodności pokrycia na poziomie nano - tworzenia na powierzchni struktur zawierających po kilka nanocząstek, ponieważ cząstki naładowane ujemnie i dodatnio przyciągają się elektrostatycznie. W opisywanej metodzie brak takiego kooperatywnego efektu pozwala otrzymywać powierzchnie pokryte pojedynczymi nanocząstkami.Additionally, as stated by the authors [Tretiakov K.V., Bishop K.J.M., Kowalczyk B., Jaiswal A., Poggi M.A., Grzybowski B.A .; Journal of Physical Chemistry A, 16 (113), 3799-3803] the cooperative proportion of positive and negatively charged particles leads to heterogeneity in the nano-level coverage - formation on the surface of structures containing several nanoparticles, because the negatively and positively charged particles attract electrostatically. In the described method, the lack of such a cooperative effect allows to obtain surfaces covered with single nanoparticles.
Materiały i sprzętMaterials and equipment
Płytki szklane kupiono z firmy Roth, wafle krzemowe z Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych w Warszawie. Powierzchnie były cięte do zaplanowanych rozmiarów ręcznie, na miejscu. W badaniach używano szkła pociętego na paski o szerokości 10.5 mm, co daje możliwość ich pionowego umieszczenia w celce spektrofotometru. Odczynniki chemiczne kupiono w firmie Sigma-Aldrich rozpuszczalniki z firmy Chempur. We wszystkich eksperymentach używano wody miliporowej 15 ΜΩ. Widma UV-Vis rejestrowano na spektrofotometrze Shimadzu. Nanoszenie wykonywano w probówkach polipropylenowych (Sarstedt) o pojemności 15 ml. Zdjęcia pokrytych nanocząstkami powierzchni półprzewodników wykonano przy użyciu skaningowego mikroskopu elektronowego (SEM) Zeiss w Instytucie Fizyki Polskiej Akademii Nauk oraz Instytucie Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk.Glass plates were bought from Roth, silicon wafers from the Institute of Electronic Materials Technology in Warsaw. The surfaces were cut to size by hand, on site. The tests used glass cut into 10.5 mm wide strips, which makes it possible to place them vertically in the spectrophotometer cell. Chemical reagents were purchased from Sigma-Aldrich and solvents from Chempur. All experiments used 15 milli-pore water. UV-Vis spectra were recorded on a Shimadzu spectrophotometer. The application was made in polypropylene tubes (Sarstedt) with a capacity of 15 ml. Photos of semiconductor surfaces covered with nanoparticles were taken with the Zeiss scanning electron microscope (SEM) at the Institute of Physics of the Polish Academy of Sciences and the Institute of High Pressure Physics of the Polish Academy of Sciences.
PL 217 816 B1PL 217 816 B1
Część eksperymentalnaExperimental part
Krzem, arsenek galu, azotek galu i ITO były myte 20% kwasem azotowym, wodą acetonem i metanolem bezpośrednio przed użyciem. Szkło było myte piranią (mieszaninie stężonego kwasu siarkowego i 30% nadtlenku wodoru w proporcjach 3:1), acetonem i metanolem.Silicon, gallium arsenide, gallium nitride and ITO were washed with 20% nitric acid, water, acetone, and methanol immediately before use. The glass was washed with pyranium (a mixture of concentrated sulfuric acid and 30% hydrogen peroxide in a ratio of 3: 1), acetone and methanol.
Roztwór nanocząstki złota o promieniach 3.06 ± 0.55 nm otrzymano zgodnie z procedurą literaturową [Jana N.R., Peng G.X., Journal of the American Chemical Society, 47 (125), 14280-14281] Nanocząstki zawarte w 10 g tego roztworu pokryto chlorkiem N,N,N-trimetylo(11-merkaptoundecylo)amoniowym (TMA) [Kalsin A.M., Fialkowski M., Paszewski M., Smoukov S.K., Bishop K.J.M., Grzybowski B.A., Science, 5772 (312), 420-424], nadającym nanocząsteczce ładunek dodatni i rozpuszczono w 50 ml wody otrzymując roztwór o stężeniu złota 0.6 mg/g roztworu, nazywany dalej roztworem podstawowym.Gold nanoparticle solution with radii of 3.06 ± 0.55 nm was obtained according to the literature procedure [Jana NR, Peng GX, Journal of the American Chemical Society, 47 (125), 14280-14281]. The nanoparticles contained in 10 g of this solution were covered with N, N chloride, N-trimethyl (11-mercaptoundecyl) ammonium (TMA) [Kalsin AM, Fialkowski M., Paszewski M., Smoukov SK, Bishop KJM, Grzybowski BA, Science, 5772 (312), 420-424], giving the nanoparticle a positive charge and dissolved in 50 ml of water to obtain a solution with a gold concentration of 0.6 mg / g solution, hereinafter referred to as stock solution.
Mieszaniny nanocząstek i soli o odpowiednich stężeniach składników były przygotowane z roztworów podstawowych nanocząstek, soli lub ich mianowanych, stężonych roztworów i wody, przy czym roztwór nanocząstek był zawsze dodawany jako ostatni.Mixtures of nanoparticles and salts with appropriate concentrations of components were prepared from nanoparticle stock solutions, salts or their standard concentrated solutions and water, with the nanoparticle solution always being added last.
Do 4 ml mieszaniny nanocząstek i soli w 15 ml probówce zanurzano płytkę pokrywanego materiału, w pozycji pionowej, na określony czas. Następnie płytkę płukano w zlewce zawierającej 300 ml wody i suszono stawiając na bibule w pozycji pionowej tak, aby badana powierzchnia stykała się z podłożem jedynie dolną krawędzią. Dodatkowe płukanie w rozpuszczalniku organicznym takim jak metanol, aceton lub tetrahydrofuran przyspiesza suszenie pozostając bez wpływu na gęstość pokrycia. Technika suszenia ma wpływ na wzór, jaki czasami tworzą nanocząstki na powierzchni jednak nie zostało to systematycznie zbadane. Pokryte powierzchnie badano metodą spektrofotometryczną (szkło) lub skaningowym mikroskopem elektronowym SEM (ITO, arsenek galu i krzem).The plate of coated material was immersed vertically into 4 ml of the mixture of nanoparticles and salts in a 15 ml test tube for a specified time. Then, the plate was rinsed in a beaker containing 300 ml of water and dried by placing it vertically on blotting paper so that the surface of the test was in contact with the substrate only with its lower edge. An additional rinse in an organic solvent such as methanol, acetone or tetrahydrofuran speeds up drying without affecting the coverage density. Drying technique influences the pattern that nanoparticles sometimes form on a surface, but this has not been systematically studied. The coated surfaces were examined by spectrophotometric (glass) or SEM scanning electron microscopy (ITO, gallium arsenide and silicon).
Badania wpływu warunków na pokrycie materiałów wykonano na szkle. Założono, że stężenie powierzchniowe nanocząstek jest wprost proporcjonalne do mierzonej absorbancji płytek. Założono również, że obserwowane przesunięcie położenia maksimum absorpcji w kierunku fal dłuższych (od 525 nm do 550 nm) nie wpływa na wartość współczynnika ekstynkcji.The influence of conditions on the coverage of materials was tested on glass. It was assumed that the surface concentration of nanoparticles is directly proportional to the measured absorbance of the platelets. It was also assumed that the observed shift of the absorption maximum position towards longer wavelengths (from 525 nm to 550 nm) did not affect the value of the extinction coefficient.
Przykłady realizacji wynalazkuEmbodiments of the Invention
P r z y k ł a d 1. Wizualna prezentacja wynalazku.Example 1. Visual presentation of the invention.
Metodą według wynalazku płytki szklane zanurzano w roztworze o stężeniu nanocząstekBy the method according to the invention, glass plates were immersed in a solution with a concentration of nanoparticles
0,15 mgAu/ml i NaCI 2 mol/l. Fig. 1 przedstawia zdjęcie powierzchni tych płytek zanurzonych jednokrotnie (1), dwukrotnie (2), trzykrotnie (3) i pięciokrotnie (4) na okres jednej minuty. Na zdjęciu widoczny jest wzrost intensywności, pochodzącego od nanocząstek, czerwonego zabarwienia, wynikający ze wzrastającego, wraz z liczbą zanurzeń, stopnia pokrycia powierzchni szkła.0.15 mgAu / ml and NaCl 2 mol / l. Fig. 1 shows a photograph of the surface of these plates immersed once (1), twice (2), three times (3) and five times (4) for a period of one minute. The picture shows an increase in the intensity of the red color originating from nanoparticles, resulting from the increasing degree of coverage of the glass surface with the number of dips.
P r z y k ł a d 2. Wpływ oczyszczania powierzchni na stopień pokrycia.Example 2. Effect of surface cleaning on the degree of coverage.
Metodą według wynalazku cztery płytki szklane zanurzano odpowiednio w czterech roztworach o stężeniu nanocząstek 0,15 mgAu/ml i NaCI 2 mol/l. Pierwszą płytkę zanurzano czterokrotnie na czas 60 minut, pozostałe dziesięciokrotnie na czas 15, 5 i 1 minutę. Absorbancje pokrytych płytek wyniosły odpowiednio 0,12, 0,26, 0,2 i 0,19. Przykład ten pokazuje, że w celu osiągnięcia wysokiego stopnia pokrycia korzystnie jest zanurzać powierzchnie na odpowiedni czas, wynoszący od 1 do 15 minut, ale i oczyszczać powierzchnię poprzez płukanie pomiędzy kolejnymi zanurzeniami. Przy braku płukania nawet wydłużenie czasu zanurzenia nie prowadzi do maksymalnego możliwego stopnia pokrycia.According to the method of the invention, four glass plates were immersed in four solutions, respectively, with a nanoparticle concentration of 0.15 mgAu / ml and NaCl 2 mol / l. The first plate was submerged four times for 60 minutes, the others ten times for 15, 5 and 1 minutes. The absorbances of the coated plates were 0.12, 0.26, 0.2 and 0.19, respectively. This example shows that, in order to achieve a high degree of coverage, it is preferable to dip the surfaces for a suitable time, ranging from 1 to 15 minutes, but also to clean the surface by rinsing between successive dips. In the absence of rinsing, even extending the dipping time does not lead to the maximum possible coverage.
P r z y k ł a d 3. Wpływ stężenia soli na stopień pokrycia.Example 3. Effect of salt concentration on the degree of coverage.
Metodą według wynalazku płytki szklane zanurzano w roztworach o stężeniu nanocząstek 0,15 mgAu/ml i różnym stężeniu NaCI. Czas pojedynczego zanurzenia wynosił 1 minutę. Fig. 2 przedstawia zmiany absorbancji płytek szklanych wraz ze wzrostem liczby zanurzeń w roztworach o stężeniu soli zmieniającym się od zera do 6 mol/l. Z danych wynika, że istnieje optymalne stężenie soli wynoszące około 0,1 mol/l, przy którym najszybciej osiągany jest wysoki stopień pokrycia. Przy niższych i wyższych stężeniach soli proces ten następuje wolniej, lub nie zachodzi wcale, co zostało pokazane na kolejnym przykładzie.In the method according to the invention, glass plates were immersed in solutions with a concentration of nanoparticles of 0.15 mgAu / ml and various concentrations of NaCl. The single dip time was 1 minute. Fig. 2 shows the change in absorbance of glass plates with increasing number of dips in solutions with salt concentration ranging from zero to 6 mol / l. The data shows that there is an optimal salt concentration of about 0.1 mol / L, which is the fastest where the degree of coverage is achieved. At lower and higher salt concentrations, this process is slower or absent, as shown in the next example.
P r z y k ł a d 4. Wpływ stężenia soli na stopień pokrycia.Example 4. Effect of salt concentration on the degree of coverage.
Metodą według wynalazku płytki szklane zanurzano w roztworach o stężeniu nanocząstek 0,15 mgAu/ml i różnym stężeniu NaCI. Czas pojedynczego zanurzenia wynosił 1 minutę. Fig. 3 przedstawia zmiany absorbancji płytek szklanych zanurzanych 5 razy (a) lub 8 razy (b) w zależności od stężenia NaCI w roztworze. Z danych wynika, że stężenie soli w roztworze ma decydujący wpływ na proces pokrywania. Przebiega on najszybciej przy stężeniu wynoszącym około 0,1 mol/l. W tych wa6In the method according to the invention, glass plates were immersed in solutions with a concentration of nanoparticles of 0.15 mgAu / ml and various concentrations of NaCl. The single dip time was 1 minute. Fig. 3 shows the change in absorbance of glass plates dipped 5 times (a) or 8 times (b) depending on the concentration of NaCl in the solution. The data show that the salt concentration in the solution has a decisive influence on the coating process. It is fastest at a concentration of about 0.1 mol / l. In these wa6
PL 217 816 B1 runkach, przy stężeniu NaCI zbliżonym do 1 mol/l następuje agregacja i wypadanie nanocząstek z roztworu, co uniemożliwia pokrywanie powierzchni.In these circumstances, at a concentration of NaCl close to 1 mol / l, the aggregation and loss of nanoparticles from the solution occurs, which makes it impossible to cover the surface.
P r z y k ł a d 5. Wpływ rodzaju soli na stopień pokrycia.Example 5. Effect of salt type on the degree of coverage.
Metodą według wynalazku płytki szklane zanurzano w roztworach o stężeniu nanocząstek 0,15 mgAu/ml i badanych soli 2 mol/l. Czas pojedynczego zanurzenia wynosił 1 minutę. Fig. 4 przedstawia zmiany absorbancji płytek szklanych wraz ze wzrostem liczby zanurzeń w roztworach zawierających nanocząstki w stężeniu 0,15 mgAu/ml oraz sole: KSCN, Na2CO3, NaCI, octan sodu, NaNO3, KNaC4H4O6 (winian sodowo potasowy) w stężeniu 2 mol/l. Z danych wynika, że rodzaj soli może mieć wpływ na stopień pokrycia. Używanie KSCN lub Na2CO3 jest niekorzystne.Using the method according to the invention, glass plates were immersed in solutions with a concentration of nanoparticles of 0.15 mgAu / ml and of the tested salts 2 mol / l. The single dip time was 1 minute. Fig. 4 shows the changes in absorbance of glass plates with an increase in the number of dips in solutions containing nanoparticles at a concentration of 0.15 mgAu / ml and salts: KSCN, Na2CO3, NaCl, sodium acetate, NaNO3, KNaC4H4O6 (potassium sodium tartrate) at a concentration of 2 mol / l. The data show that the type of salt can affect the degree of coverage. The use of KSCN or Na2CO3 is disadvantageous.
P r z y k ł a d 6. Wpływ stężenia nanocząstek na stopień pokrycia.Example 6. Effect of nanoparticle concentration on the degree of coverage.
Metodą według wynalazku płytki szklane zanurzano w roztworach o stężeniu nanocząstek 0,15 (a), 0,075 (b) i 0,015 mgAu/ml (c) i NaCl 2 mol/l. Wyniki pokazano na fig. 5. Przykład pokazuje, że szybkość pokrywania powierzchni, a, jest proporcjonalna do stężenia nanocząstek w roztworze. Eksperyment wykonano w ten sposób, że dla każdego stężenia nanocząstek przygotowano odpowiednią ilość próbek roztworu. Płytkę szklaną zanurzano na czas od 1 do 5 minut, płukano, suszono, mierzono absorbancję, następnie zanurzano w nowej próbce odpowiedniego roztworu. Dla każdego stężenia nanocząstek pomiary powtórzono trzykrotnie. Na wykresie umieszczono dane uśrednione. Do danych eksperymentalnych dofitowano funkcje o wzorze <I>(t) = 0>max - exp[-at], gdzie <I>(t) jest stopniem pokrycia powierzchni po czasie zanurzenia t, Φ^ - maksymalny stopień pokrycia, a - jest stałą wyrażającą szybkość adsorpcji nanocząstek na powierzchni. Na osi poziomej zaznaczono całkowity czas przebywania, t, próbek w roztworach. Okazało się, że stała a jest proporcjonalna do stężenia nanocząstek w roztworze, a = Kc, gdzie K jest stałą, a c oznacza stężenie nanocząstek.By the method according to the invention, glass plates were immersed in solutions with a nanoparticle concentration of 0.15 (a), 0.075 (b) and 0.015 mgAu / ml (c) and NaCl 2 mol / l. The results are shown in Fig. 5. The example shows that the surface coverage rate, a, is proportional to the concentration of nanoparticles in the solution. The experiment was performed in such a way that the appropriate number of solution samples was prepared for each concentration of nanoparticles. The glass plate was immersed for 1 to 5 minutes, rinsed, dried, the absorbance was measured, then immersed in a new sample of the appropriate solution. For each concentration of nanoparticles, the measurements were repeated three times. The chart shows averaged data. Functions of the formula <I> (t) = 0> max - exp [-at] were added to the experimental data, where <I> (t) is the degree of surface coverage after the immersion time t, Φ ^ - the maximum degree of coverage, and - is a constant expressing the rate of adsorption of nanoparticles on the surface. The total residence time, t, of the samples in the solutions is marked on the horizontal axis. It turned out that the constant a is proportional to the concentration of nanoparticles in the solution, a = Kc, where K is a constant and c is the concentration of nanoparticles.
P r z y k ł a d 7. Pokrywanie ITO.P r z k ł a d 7. ITO coating.
Metodą według wynalazku płytkę ITO zanurzano na 5 minut w roztworze o stężeniu nanocząstek 0,15 mgAu/ml i NaCl 2 mol/l. Fig. 6 przedstawia zdjęcie otrzymanej powierzchni wykonane skaningowym mikroskopem elektronowym. Przykład pokazuje, że ITO może być pokrywane nanocząstkami metodą według wynalazku. Mniejsza gęstość pokrycia w porównaniu z przykładem 8 związana jest z przede wszystkim z mniejszą liczbą zanurzeń.Using the method according to the invention, the ITO plate was immersed for 5 minutes in a solution with a nanoparticle concentration of 0.15 mgAu / ml and NaCl 2 mol / l. Fig. 6 shows a scanning electron microscope photo of the obtained surface. The example shows that ITO can be coated with nanoparticles by the method of the invention. The lower coverage density compared to Example 8 is mainly due to the lower number of dips.
P r z y k ł a d 8. Pokrywanie krzemu.Example 8. Coating of silicon.
Metodą według wynalazku wafel krzemowy zanurzano pięć razy w roztworze o stężeniu nanocząstek 0,15 mgAu/ml i NaCI 2 mol/l. Czas pojedynczego zanurzenia wynosił 5 minutę. Fig. 7 przedstawia zdjęcie otrzymanej powierzchni wykonane skaningowym mikroskopem elektronowym. Przykład pokazuje, że krzem może być pokrywana nanocząstkami metodą według wynalazku.In the method according to the invention, the silicon wafer was immersed five times in a solution with a nanoparticle concentration of 0.15 mgAu / ml and NaCl 2 mol / l. The single immersion time was 5 minutes. Fig. 7 shows a scanning electron microscope photo of the obtained surface. The example shows that silicon can be coated with nanoparticles by the method according to the invention.
P r z y k ł a d 9. Pokrywanie krzemu. Wpływ plazmy tlenowej na pokryte powierzchnie.Example 9. Coating of silicon. The influence of oxygen plasma on the covered surfaces.
Metodą według wynalazku wafel krzemowy zanurzano pięć razy w roztworze o stężeniu nanocząstek 0,15 mgAu/ml i NaCI 2 mol/l. Czas pojedynczego zanurzenia wynosił 5 minut. Po pokryciu nanocząstkami powierzchnie oczyszczano w plazmie tlenowej przez 4 minuty a następnie płukano w wodzie i metanolu. Fig. 8 przedstawia zdjęcie otrzymanej powierzchni wykonane skaningowym mikroskopem elektronowym. Lepszy kontrast zdjęcia w porównaniu z przykładem 8 wskazuje na to, że nieprzewodząca warstwa organiczna została usunięta z nanocząstek. Z powodu jej usunięcia doszło do częściowej, lokalnej agregacji nanocząstek.In the method according to the invention, the silicon wafer was immersed five times in a solution with a nanoparticle concentration of 0.15 mgAu / ml and NaCl 2 mol / l. Single immersion time was 5 minutes. After coating with nanoparticles, the surfaces were cleaned in oxygen plasma for 4 minutes and then rinsed in water and methanol. Fig. 8 shows a scanning electron microscope photograph of the obtained surface. The better contrast of the photo compared to Example 8 indicates that the non-conductive organic layer has been removed from the nanoparticles. Due to its removal, the nanoparticles were partially aggregated locally.
Claims (19)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PL391217A PL217816B1 (en) | 2010-05-14 | 2010-05-14 | Method for coating the surface with nanoparticles |
GB1102589A GB2480347A (en) | 2010-05-14 | 2011-02-15 | Coating surfaces with nanoparticles by dipping |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PL391217A PL217816B1 (en) | 2010-05-14 | 2010-05-14 | Method for coating the surface with nanoparticles |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
PL217816B1 true PL217816B1 (en) | 2014-08-29 |
Family
ID=43859417
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PL391217A PL217816B1 (en) | 2010-05-14 | 2010-05-14 | Method for coating the surface with nanoparticles |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
GB (1) | GB2480347A (en) |
PL (1) | PL217816B1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111974449A (en) * | 2020-08-07 | 2020-11-24 | 山东师范大学 | Inorganic-organic composite nano particle and preparation method and application thereof |
US20230258567A1 (en) * | 2022-02-16 | 2023-08-17 | Botanisol Analytics, Inc. | Painted substrate for spectroscopy |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000013806A1 (en) * | 1998-09-04 | 2000-03-16 | Seimei Shiratori | Method and apparatus for forming film by alternate deposition, and film-coated structure |
WO2001072878A1 (en) * | 2000-03-28 | 2001-10-04 | The Board Of Regents For Oklahoma State University | Assembly of free-standing films using a layer-by-layer process |
US20050137540A1 (en) * | 2003-12-23 | 2005-06-23 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Bacteria removing wipe |
US7212284B2 (en) * | 2004-05-12 | 2007-05-01 | General Electric Company | Method for forming nanoparticle films and application thereof |
FR2916660B1 (en) * | 2007-05-28 | 2010-10-15 | Commissariat Energie Atomique | THIN LAYERS OF CONJUGATED POLYMERS CONTAINING INORGANIC NANOPARTICLES AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
JP5264626B2 (en) * | 2009-06-12 | 2013-08-14 | 国立大学法人九州大学 | A multilayer film substrate in which metal fine particles are formed in multiple layers and a method for producing the same. |
-
2010
- 2010-05-14 PL PL391217A patent/PL217816B1/en not_active IP Right Cessation
-
2011
- 2011-02-15 GB GB1102589A patent/GB2480347A/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB201102589D0 (en) | 2011-03-30 |
GB2480347A (en) | 2011-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101074486B (en) | Method for producing nanostructure | |
Dutta et al. | Nucleation and growth of lead sulfide nano-and microcrystallites in supramolecular polymer assemblies | |
Harraz et al. | Metal deposition onto a porous silicon layer by immersion plating from aqueous and nonaqueous solutions | |
Kang et al. | Green synthesis of nanobelt-membrane hybrid structured vanadium oxide with high electrochromic contrast | |
Zhao et al. | Plasmonic nanopillar array embedded microfluidic chips: an in situ SERS monitoring platform | |
Sankapal et al. | A new chemical method for the preparation of Ag2S thin films | |
Takahashi et al. | Electrodeposition of thermally stable gold and silver nanoparticle ensembles through a thin alumina nanomask | |
Gonchar et al. | Optical properties of silicon nanowires fabricated by environment-friendly chemistry | |
CN103116019A (en) | Preparation method of immune base and antigen or antibody immunoassay method | |
JP4130655B2 (en) | Field-assisted deposition method of nanoparticle films | |
Gonchar et al. | Structural and optical properties of silicon nanowire arrays fabricated by metal assisted chemical etching with ammonium fluoride | |
US20150194242A1 (en) | Electrostatic Coating with Metallic Nanoparticles by Intrinsic Particle to Surface Interaction | |
Tezel et al. | Surface and electro-optical properties of amorphous Sb 2 S 3 thin films | |
PL217816B1 (en) | Method for coating the surface with nanoparticles | |
Bhat et al. | Hydrothermal synthesis of nanoporous lead selenide thin films: photoelectrochemical and resistive switching memory applications | |
Kato et al. | Fabrication and optical characterization of Si nanowires formed by catalytic chemical etching in Ag2O/HF solution | |
Kumarage et al. | A comparative assessment: chemical bath deposited and electrodeposited CdS films | |
Mermut et al. | Stable sensor layers self-assembled onto surfaces using azobenzene-containing polyelectrolytes | |
Kiene et al. | Evidence of Aggregation‐Induced Copper Immobilization During Polyimide Metallization | |
Sangamesha et al. | Effect of concentration on structural and optical properties of CuS thin films | |
US11085114B2 (en) | Electrostatic coating of metal thin layers with adjustable film properties | |
Zharova et al. | Spectroscopic Characterization of Silicon Wire‐Like and Porous Nanolayers in the Process of Metal‐Assisted Chemical Etching of Single‐Crystal Silicon | |
Ermina et al. | Plasmonic disordered array of hemispherical AgNPs on SiO2@ c-Si: Their optical and SERS properties | |
Hawkins et al. | The use of thin silver films for the detection of low concentrations of hydrogen sulphide | |
Kassim et al. | Influence of bath temperature and pH value on properties of chemically deposited Cu4SnS4 thin films |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Decisions on the lapse of the protection rights |
Effective date: 20140514 |