PL215919B1 - Sposób otrzymywania nanoprętów węglowo-metalowych - Google Patents
Sposób otrzymywania nanoprętów węglowo-metalowychInfo
- Publication number
- PL215919B1 PL215919B1 PL385050A PL38505008A PL215919B1 PL 215919 B1 PL215919 B1 PL 215919B1 PL 385050 A PL385050 A PL 385050A PL 38505008 A PL38505008 A PL 38505008A PL 215919 B1 PL215919 B1 PL 215919B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- carbon
- nanorods
- metal
- layer
- temperature
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 31
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 10
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract description 9
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 7
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 6
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- UKVIEHSSVKSQBA-UHFFFAOYSA-N methane;palladium Chemical compound C.[Pd] UKVIEHSSVKSQBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 amorphous carbon Chemical class 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 2
- 239000012696 Pd precursors Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000033558 biomineral tissue development Effects 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N heavy water Substances [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- NHXVNEDMKGDNPR-UHFFFAOYSA-N zinc;pentane-2,4-dione Chemical compound [Zn+2].CC(=O)[CH-]C(C)=O.CC(=O)[CH-]C(C)=O NHXVNEDMKGDNPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- 239000012691 Cu precursor Substances 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003244 Na2PdCl4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004469 SiHx Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 239000007833 carbon precursor Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- ZKXWKVVCCTZOLD-FDGPNNRMSA-N copper;(z)-4-hydroxypent-3-en-2-one Chemical compound [Cu].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O ZKXWKVVCCTZOLD-FDGPNNRMSA-N 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000023077 detection of light stimulus Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012254 powdered material Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
- ZPEJZWGMHAKWNL-UHFFFAOYSA-L zinc;oxalate Chemical group [Zn+2].[O-]C(=O)C([O-])=O ZPEJZWGMHAKWNL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
Sposób otrzymywania nanoprętów węglowo-metalowych polega na tym, że najpierw na podłoże porowate w warunkach dynamicznej próżni w procesie PVD z zastosowaniem dwóch źródeł, z których jedno zawiera fuleren C60, a drugie związek organiczny metalu, nanosi się warstwę węglowo-metalową. Następnie w warunkach ciśnienia atmosferycznego warstwę tą poddaje się modyfikacji struktury w procesie pirolizy węglowodoru, zastosowanego jako źródło węgla. Temperatura procesu modyfikacji warstwy jest wyższa od temperatury wrzenia węglowodoru i temperatury podłoża podczas osadzania warstwy w procesie PVD.
Description
Wynalazek dotyczy sposobu otrzymywania nanoprętów węglowo-metalowych.
Struktury w postaci prętów, drutów, nanorurek o rozmiarach nanometrycznych otrzymuje się wieloma metodami, które zależne są od składu wytwarzanych nanostruktur a zatem i od substancji będących ich prekursorami. Ważną rolę w procesie syntezy odgrywają ziarna katalizatora, którymi z reguły są metale przejściowe.
Znane są metody wytwarzania nanoprętów węglikowych. W amerykańskim opisie patentowym US 5,997,832 przedstawiono sposób wytwarzania nanoprętów z węglika np. krzemu, tytanu, niobu, chromu, kobaltu itp. o średnicach poniżej 100 nm i współczynniku kształtu od 10 do 1000. Metoda polega na wygrzewaniu w piecu w zakresie temp. 500 - 2500°C i w obecności katalizatora (metal osadzony na podłożu np. Na, K, Ta, Nb, Mo, Cr, Co, Fe lub ich mieszaniny) mieszaniny związków będących źródłem węgla (np. węgiel amorficzny, grafit, polimery na bazie węgla, fulereny lub węglowodory C1-C20) oraz lotnych związków zawierających pierwiastek niezbędny dla syntezy węglików np. metal M = Ti, Co, Nb, Cr (w postaci związków organometalicznych) lub Si w postaci SiO2, lub SiRmX4-m (gdzie m = 0, 1, 2 lub 3; X = Cl, Br, F, J zaś R = H, grupa alkilowa, arylowa). Nanopręty węglikowe mogą występować w postaci amorficznej lub posiadać strukturę krystaliczną.
Z polskiego opisu patentowego PL181297 znany jest sposób katalitycznego otrzymywania nanorurek węglowych, polegający na osadzeniu na podłoże warstwy fulerenowej zawierającej metal przejściowy. Nanorurka różni się od nanoprętu tym, że jest to obiekt walcowaty o pustym wnętrzu, podczas gdy nanopręt ma formę całkowicie wypełnioną materiałem.
Warstwę fulerenowo-metalową poddaje się wygrzewaniu w temperaturze 500 - 525°C pod ciśnieniem 10-4 - 10-3 mbar. Warstwa nanoszona jest na oczyszczone z zanieczyszczeń podłoże za pomocą termicznego naparowywania w próżni, pod ciśnieniem 10-3 mbar. Naparowywanie to prowadzi się z dwóch źródeł zawierających mieszaninę fulerenów i organiczny związek metalu przejściowego, korzystnie niklu. Wygrzewanie warstwy fulerenowej zawierającej metal przejściowy prowadzi się w próżni lub w atmosferze gazu obojętnego, najlepiej helu lub argonu pod ciśnieniem niższym od atmosferycznego. Podłożem dla warstwy fulerenowej zawierającej metal przejściowy może być szkło, korzystnie kwarcowe, metal, korzystnie molibden, izolacyjne podłoże krystaliczne lub podłoże półprzewodnikowe.
Z kolei w amerykańskim opisie patentowym US 2007179050 przedstawiono metodę wytwarzania z nanorurek węglowych nanoprętów węglika Q o strukturze porowatej, w wyniku reakcji ze związkami zawierającymi metale - Q, gdzie Q są to metale przejściowe, metale ziem rzadkich lub aktynowce. W zależności od warunków prowadzenia procesu, konwersja nanorurek węglowych w kierunku nanoprętów węglika Q może być całkowita lub niepełna. W wyniku reakcji przebiegającej w zakresie temperatur 500-1000°C pomiędzy nanorurkami węglowymi a stałym Q - związkiem powstają węgliki typu QC lub Q2C, które częściowo zachowują morfologię nanorurek węglowych i posiadają średnice w granicach 2-100 nm oraz współczynnik kształtu w zakresie 5-500. Podobne rezultaty można uzyskać poprzez zmieszanie nanorurek węglowych z Q związkiem, następnie przeprowadzenie kalcynacji mieszaniny w dwóch różnych temperaturach, z których w pierwszej dochodzi do stopienia stałego związku z Q metalem, a w drugiej - wyższej, do wytworzenia porowatych nanoprętów węglików o składzie QC lub Q2C. Następnie poddanie nanoprętów węglika Q działaniu czynnika utleniającego prowadzi do wytworzenia nanoprętów typu QnCx-yOy zawierających w składzie również tlen.
Wzrost nanoprętów ^-SiC, jak przedstawiono w amerykańskim opisie patentowym US 6,221,154, można uzyskać używając techniki CVD (Chemical Vapor Deposition) - chemiczne osadzanie z par z zastosowaniem gorącego włókna do wzbudzenia substratów, stosując jako źródło węgla target grafitowy, uzyskany przez sprasowanie proszku grafitowego, zaś jako źródło krzemu płytkę Si, otrzymaną w wyniku sprasowania proszku Si oraz jako katalizator - proszek metalu typu Fe, Cr, Ni.
Proces wzrostu na podłożach np. na płytkach Si, prowadzony jest w atmosferze wodoru, jako gazu reagującego, w zakresie temperatur 600-1300°C, czasie 3-180 min i ciśnieniu 5-100 mbar. Odległość pomiędzy włóknem (włóknami) a źródłem (źródłami) oraz podłożem jest zmieniana w celu uzyskania optymalnych warunków wzrostu. Pod wpływem gorącego włókna dochodzi do dekompozycji wodoru na wodór atomowy, który następnie reaguje z 1) targetem grafitowym, 2) płytką Si uzyskaną ze sprasowanego proszku Si oraz 3) powierzchnią płytki Si stosowaną, jako podłoże tworząc rodniki CxHy i SiHx. Katalizator metalowy jest odparowywany w wyniku grzania przez pobudzone źródła, następnie jest transportowany w postaci par w kierunku podłoża, gdzie ulega osadzaniu w postaci
PL 215 919 B1 nanocząstek. Rodniki węglowodorowe i wodorokrzemowe ulegają adsorpcji na nanocząstkach metalu, i reagują ze sobą dając w wyniku wzrost nanoprętów ^-SiC.
Sposób wytwarzania nanoprętów z tlenków metali przedstawiono w amerykańskim opisie patentowym US 5,897,945. Średnica uzyskanych nanoprętów z tlenków metali wynosi 2-100 nm
2 1 2 a współczynnik kształtu 5-2000. Uzyskano nanopręty o ogólnym składzie M1xM2yOz gdzie M1 i M2 są to metale typu: Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, Mn, Tc, Ru, Ir, Os, Co ni, Cu, Zn, Sc, Y, La, Br, Al., Ga, In,
Si, Sn, Pb, Mg Ca, Sr, Ba. Stosunek metalu do tlenu zależny jest od stopnia utlenienia metalu w związkach. Generalnie, współczynniki x, y i z są liczbami całkowitymi większymi od zera. W przy12 padku, gdy M1 = M2, lub inaczej y = 0, tlenek metalu jest związkiem binarnym. Przykładem takich tlenków jest np. MgO lub ZnO. Metoda polega na kontrolowanym wzroście nanoprętów na przygotowanym podłożu, tzn. proces przebiega na granicy faz para-ciało stałe, z wykorzystaniem metalu w postaci par, które są dostarczane ze źródła metalu do podłoża za pomocą gazu nośnego, zawierającego również tlen. Na powierzchni podłoża dochodzi do kondensacji par metalu. Podłoże, przed procesem wzrostu nanoprętów, może być wstępnie przygotowane i zawierać nanoklastery tlenku metalu lub pojedyncze zdefektowane ich krystality. W tych miejscach inicjowany jest wzrost nanoprętów. Najważniejszymi etapami w tym procesie wytwarza n i a nanoprętów tlenków metali jest nukleacja, czyli zarodkowanie poprzez kondensację i wzrost z fazy gazowej, które określają rozmiar nanoprętów.
Niskowymiarowe nanostruktury z tlenku cynku takie jak nanodruty, nanopręty czy też nanotaśmy wytwarzane metodą konwersji prekursora organicznego acetyloacetonianu cynku Zn(C5H7O2)2 x H2O = Zn(acac)2 w końcowy nanoprodukt ZnO przy wykorzystaniu procesu sublimacji prekursora, rozkładu półproduktów w gorącej parze wodnej - proces mineralizacji i wygrzewania w powietrzu w temp. 800°C, zostały opisane przez autorów T.Shishido, K.Yubuta, T.Sato, A.Nomura, J.Ye, K.Haga w pracy pt. Synthesis of zinc oxide fibers from prekursor bis(acetylacetonato)zinc, Tracking the mineralization process and micro- and nano- structural changes opublikowanej w Journal of Alloys and Compounds 439, 227-231, (2007). Średnice tak otrzymanych nanoprętów ZnO osiągały wartość kilkudziesięciu nanometrów.
W pracy pt. A simple and novel router for the preparation of ZnO nanorods, opublikowanej w Solid State Communications 122, 175-179 (2002) autorzy C.Xu, G.Xu, Y.Liu, G.Wang opisali jeszcze inną metodą wytwarzania prętów ZnO o rozmiarach nanometrycznych poprzez termiczny rozkład prekursora szczawianu cynku Ζη^Ο4 zsyntezowanego w wyniku reakcji pomiędzy octanem cynku Zn(CH3COO)2 x 2H2O a kwasem szczawiowym H2C2O4 x 2H2O. Średnice otrzymanych nanoprętów tą metodą osiągają wartość od 10 do 60 nm a długość rzędu 3 mikrometrów.
Dla otrzymania nanoprętów tlenku cyny SnO2 wykorzystuje się termiczne odparowanie cyny w obecności palladu w atmosferze powietrza pod obniżonym ciśnieniem. Metoda ta została opisana przez autorów H.W.Kim, S.H.Shim, J.H.Myung w pracy pt. Synthesis and characteristics of SnO2 nanorods on Pd-coated substrates opublikowanej w Brazilian Journal of Physics 35 no 4A, December 2005. Średnice nanoprętów SnO2 otrzymanych w temperaturze 900°C wynoszą od 30 do 300 nm a ich długość osiąga wartość rzędu kilku mikrometrów.
Nanopręty z miedzi Cu można wytworzyć wykorzystując proces CVD - chemicznego osadzania z par, z zastosowaniem organometalicznego związku miedzi - acetyloacetonianu Cu(II) Cu(acac)2 na podłożu porowatym SBA-15 z zastosowaniem wodoru jako gazu nośnego i czynnika reagującego. Wodór gra istotną rolę w chemicznej redukcji związku organometalicznego - prekursora miedzi i przenoszeniu masy Cu do wnętrza kanałów podłoża SBA-15. Nanopręty Cu są tworzone w niskiej temperaturze 400°C i ciśnieniu rzędu 20 mbar. Metoda ta została opisana w pracy pt. Fabrication of cooper nanorods by low-temperature metal organic chemical vapor deposition opublikowanej w Chinese Science Biulletin 51, no. 21 2662-2668, 2006 autorzy Z.Ying, F.L-Y.Lam, H.U.Xijun, Y.Zifeng,
Znane nanopręty palladowe otrzymuje się w wyniku reakcji chemicznej, prowadzonej w roztworze poliwinylopirydyny - PVP - stabilizator koloidalny i kwasu askorbinowego -C6H8O6- czynnik redukujący, do którego w temp 80°C dodaje się wodny roztwór mieszaniny chlorku palladu - Na2PdCl4, stosowanego jako prekursor palladu i bromku potasu KBr. Mieszanina jest wygrzewana w powietrzu w temp. 80°C przez 3 h. W wyniku reakcji wytrąca się produkt zawierający nanopręty palladu, które są następnie separowane za pomocą odpowiednich filtrów. Metoda ta została opisana przez autorów Y.Xion, H.Cai, Y.Yin, Y.Xia w pracy pt. Synthesis and characterization of fivefold twinned nanorods and right bipyramids of palladium opublikowanej w Chemical Physics Letters 440, 273-278, (2007).
PL 215 919 B1
Znany jest również sposób otrzymywania nanokrystalitów palladu w matrycy węglowej. W pracy pt. Palladium nanocrystal and their properties opublikowanej w Materials Science-Poland 26, No 1, (2008), autorzy E.Czerwosz, P.Dłużewski, J.Kęczkowska, M.Kozłowski, M.Suchańska, H.Wronka, opisali warstwy fulerenu C60 zawierające sferyczne nanokrystality Pd o strukturze fcc i o rozmiarach rzędu pojedynczych nm równomiernie rozmieszczonych w objętości tej matrycy węglowej. Prekursorami warstw był fuleren i octan palladu. Warstwy te otrzymano wykorzystując metodę PVD (Physical Vapor Deposition) - fizycznego odparowania w próżni prekursorów warstw na podłożach szklanych, płytkach Si lub foliach metalicznych. Opisywana warstwa w matrycy węglowej zawiera tylko sferyczne nanokrystality Pd o średnicach w zakresie 1.5-5 nm. Autorzy nie podają warunków technologicznych procesu PVD takich jak: temperatura, odległość podłoży od źródeł prekursorów oraz czasu trwania procesu. W metodzie PVD dla uzyskania tego typu warstw nie stosowano przesłony pomiędzy źródłami prekursorów a podłożem.
Celem wynalazku jest wytworzenie nanoprętów węglowo-metalowych, gdzie metal należy do grupy metali przejściowych, np. Fe, Ni, Co, Pd, Pt.
Sposób otrzymywania nanoprętów węglowo-metalowych według wynalazku polega na tym, że -5 w I etapie w procesie PVD w warunkach dynamicznej próżni 10-5 mbar na podłożu porowatym osadzana jest cienka warstwa węglowo-metalowa, w której nanoziarna metalu umieszczone są w matrycy węglowej. Proces odbywa się z dwóch oddzielnych źródeł, z których jedno zawiera fuleren C60, o temperaturze co najmniej 600°C a drugie organiczny związek metalu o temperaturze powyżej 1000°C.
Osadzanie warstwy węglowo-metalowej w I etapie odbywa się przy zastosowaniu przesłony między źródłem a podłożem. Następnie w II etapie warstwa węglowo-metalowa poddawana jest modyfikacji struktury w procesie pirolizy węglowodoru, będącego źródłem węgla. Zakres temperatury, w którym przebiega proces zawarty jest między 500-750°C. Temperatura procesu modyfikacji warstwy jest wyższa od temperatury wrzenia węglowodoru i temperatury podłoża podczas osadzania warstwy w procesie PVD.
Pary węglowodoru dostarczane są do podłoża z pierwszego etapu za pomocą gazu nośnego w warunkach ciśnienia atmosferycznego. Pod wpływem temperatury i nanocząstek metalu osadzonych w matrycy węglowej na podłożu zachodzi proces rozkładu węglowodoru na rodniki CxHy, które następnie adsorbując na powierzchni podłoża, zwłaszcza na nanocząstkach metalu reagują ze sobą i w rezultacie prowadzą do wzrostu nanoprętów węglowo-metalowych.
P r z y k ł a d
Nanopręty węglowo-palladowe według wynalazku otrzymuje się sposobem dwuetapowym na podłożach porowatych.
W I etapie procesu w technologicznej komorze próżniowej umieszcza się dwa źródła z materiałami proszkowymi będącymi prekursorami węgla i palladu oraz podłoże w postaci porowatej płytki Al2O3, ponad źródłami w odległości 60 mm. Jedno ze źródeł zawiera proszek fulerenu C60 w ilości co najmniej 2 mg a drugie proszek octanu palladu w ilości co najmniej 2 mg o temperaturze rozkładu 200-250°C. W komorze próżniowej podgrzewa się źródło zawierające fuleren do temperatury co najmniej 600°C, a źródło palladu do temperatury powyżej 1000°C. Proces naparowania prowadzi się w czasie 10 minut w warunkach wysokiej dynamicznej próżni 10-5 mbar, przy zastosowaniu przesłony pomiędzy źródłami a podłożem dla stabilizacji warunków wzrostu warstwy. W wyniku procesu otrzymuje się warstwę węglowo-palladową o grubości 300 nm. Warstwa charakteryzuje się obecnością ziaren palladu o rozmiarach nanometrycznych zanurzonych w matrycy węglowej.
W II etapie warstwa węglowo-palladowa zostaje poddana modyfikacji struktury pod wpływem procesu pirolizy ksylenu. Proces prowadzony jest w piecu rurowym w temperaturze 650°C. Ksylen dostarczany jest nad podłoże w postaci par w strumieniu gazu nośnego - argonu. Szybkość przepływu argonu wynosi około 40 l/h. Pod wpływem temperatury i nanoziaren palladu ksylen ulega rozkładowi na rodniki węglowodorowe, które następnie adsorbują na ziarna palladu, dyfundują przez ziarna, następnie dochodzi do nukleacji na powierzchni palladu, reakcji pomiędzy powierzchnią ziarna a rodnikami z otoczenia, co prowadzi do wzrostu nanoprętów węglowo-palladowych o niezwykle porowatej powierzchni.
Nanopręty węglowo-palladowe według wynalazku mogą znaleźć zastosowanie w optoelektronice, jako jednowymiarowe systemy (1D - kwantowe druty) do emisji lub detekcji światła. Ze względu na obecność palladu mogą być również wykorzystane, jako detektory wodoru i jego związków. Porowata struktura tych nanoobiektów powoduje, że nanopręty węglowo-palladowe wykazują bardzo dobrze rozwiniętą powierzchnię właściwą, co ma wpływ na czułość detekcji.
Claims (1)
- Sposób otrzymywania nanoprętów węglowo-metalowych, w którym w I etapie na podłoże porowate w warunkach dynamicznej próżni w procesie PVD z zastosowaniem dwóch oddzielnych źródeł, z których jedno zawiera fuleren C60 a drugie związek organiczny metalu nanosi się warstwę węglowo-metalową, którą w II etapie warunkach ciśnienia atmosferycznego poddaje się modyfikacji struktury w procesie pirolizy węglowodoru zastosowanego jako źródło węgla, znamienny tym, że osadzanie warstwy węglowo-metalowej w I etapie odbywa się przy zastosowaniu przesłony między źródłem a podłożem, oraz temperatura procesu modyfikacji warstwy w II etapie musi przewyższać temperaturę wrzenia węglowodoru i temperaturę porowatego podłoża podczas osadzania warstwy w procesie PVD, przy czym temperatura źródła fulerenu C60 wynosi, co najmniej 600°C, a źródła palladu powyżej 1000°C.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL385050A PL215919B1 (pl) | 2008-04-28 | 2008-04-28 | Sposób otrzymywania nanoprętów węglowo-metalowych |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL385050A PL215919B1 (pl) | 2008-04-28 | 2008-04-28 | Sposób otrzymywania nanoprętów węglowo-metalowych |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL385050A1 PL385050A1 (pl) | 2009-11-09 |
| PL215919B1 true PL215919B1 (pl) | 2014-02-28 |
Family
ID=42987167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL385050A PL215919B1 (pl) | 2008-04-28 | 2008-04-28 | Sposób otrzymywania nanoprętów węglowo-metalowych |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL215919B1 (pl) |
-
2008
- 2008-04-28 PL PL385050A patent/PL215919B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL385050A1 (pl) | 2009-11-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7740814B2 (en) | Composite materials and method of its manufacture | |
| US20170216923A1 (en) | Porous materials comprising two-dimensional nanomaterials | |
| US20110052805A1 (en) | Method and system for depositing a metal or metalloid on carbon nanotubes | |
| US8541054B2 (en) | Methods for preparation of one-dimensional carbon nanostructures | |
| JP5437305B2 (ja) | 一次元炭素ナノ構造体の製造方法 | |
| KR20120126087A (ko) | 카본 나노튜브 배향 집합체의 제조 방법 | |
| JP2013540683A (ja) | 成長したカーボン・ナノチューブを有するガラス基材及びその製造方法 | |
| KR20050121426A (ko) | 탄소나노튜브 제조용 촉매의 제조 방법 | |
| JP2009533547A (ja) | 酸化物シースを有する金属ナノワイヤ、及びその製造方法 | |
| Chung et al. | A simple synthesis of nitrogen-doped carbon micro-and nanotubes | |
| CN115403045A (zh) | 碳化物及其制备方法 | |
| KR100583610B1 (ko) | 전이금속산화물/탄소나노튜브 합성물 제작방법 | |
| JP2007268319A (ja) | カーボンナノチューブ合成用触媒及びその製造方法、触媒分散液、並びに、カーボンナノチューブの製造方法 | |
| Lassègue et al. | Fluidized bed chemical vapor deposition of copper nanoparticles on multi-walled carbon nanotubes | |
| TW201723219A (zh) | 在絕緣或半導體基板上的無金屬石墨烯合成 | |
| KR20060002476A (ko) | 탄소나노튜브 제조용 촉매 베이스의 제조 방법 및 이를이용한 탄소나노튜브 제조 방법 | |
| JP2005279624A (ja) | カーボンナノチューブの製造用触媒、製造方法及び製造装置 | |
| CN111268656A (zh) | 氮化硼纳米管的制备方法 | |
| KR101151424B1 (ko) | 금속 나노입자를 표면에 형성한 1차원 나노구조물의 제조방법 | |
| JP2007261839A (ja) | カーボンナノチューブの製造方法 | |
| PL215919B1 (pl) | Sposób otrzymywania nanoprętów węglowo-metalowych | |
| US11236419B2 (en) | Multilayer stack for the growth of carbon nanotubes by chemical vapor deposition | |
| Yao et al. | Chemical Vapor Deposition | |
| KR101281841B1 (ko) | 금속막 형성방법 | |
| KR101758640B1 (ko) | 금속 기지상에 배향된 탄소 섬유의 제조방법 및 그 금속 기지 |