PL197618B1 - Sposób anizotropowego mokrego trawienia krzemu - Google Patents

Sposób anizotropowego mokrego trawienia krzemu

Info

Publication number
PL197618B1
PL197618B1 PL353673A PL35367302A PL197618B1 PL 197618 B1 PL197618 B1 PL 197618B1 PL 353673 A PL353673 A PL 353673A PL 35367302 A PL35367302 A PL 35367302A PL 197618 B1 PL197618 B1 PL 197618B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
silicon
etched
etching
structures
wet etching
Prior art date
Application number
PL353673A
Other languages
English (en)
Other versions
PL353673A1 (pl
Inventor
Helena Teterycz
Jan Dziuban
Rafał Walczak
Original Assignee
Politechnika Wroclawska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Wroclawska filed Critical Politechnika Wroclawska
Priority to PL353673A priority Critical patent/PL197618B1/pl
Publication of PL353673A1 publication Critical patent/PL353673A1/pl
Publication of PL197618B1 publication Critical patent/PL197618B1/pl

Links

Landscapes

  • Weting (AREA)

Abstract

Sposób anizotropowego mokrego trawienia krzemu polegający na tym, że struktury krzemowe trawi się w wodnych roztworach zasad organicznych i nieorganicznych w temperaturze do 80°C, znamienny tym, że struktury krzemowe trawi się w zamkniętym naczyniu reakcyjnym w beztlenowej atmosferze gazowej i przy podwyższonym ciśnieniu. 2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że struktury krzemowe trawi się w atmosferze wodoru.

Description

Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób anizotropowego mokrego trawienia krzemu, przeznaczony do mokrego trawienia przestrzennych struktur krzemowych, zwłaszcza krzemowych struktur mikromechanicznych, czy też mikrokonstrukcji mikromechanicznych, znajdujący zastosowanie w produkcji elementów mikromechanicznych, w szczególności mikroczujników ciśnienia, mikroczujników przepływu cieczy i gazów oraz miniaturowych czujników przyspieszenia. Podczas wytwarzania mikroukładów krzemowych bardzo ważne są parametry anizotropowego mokrego trawienia krzemu, takie jak anizotropia procesu, szczególnie szybkość trawienia płaszczyzn podstawowych, tzn. (100), (110) i (111), selektywność roztworu trawiącego względem masek tlenkowych i azotkowych wykonanych na podłożach krzemowych, jakość powierzchni trawionych, temperatura procesu oraz bezpieczeństwo procesu, higiena pracy i oddziaływanie na środowisko.
Znane są sposoby anizotropowego mokrego trawienia krzemu z wielu artykułów, na przykład K. Petersen: Silicon as an mechanical material. Proc. IEEE, Electon. Dev. 1982 vol. 70 nr 5 s. 420457; J. B. Agnell, S.C. Terry, P.W. Barth: Silicon micromechanical devices. Sci. Am. 1983 vol. 44 s. 44-54; K. D. Wise, S. K. Clark: Diaphragm formation and pressure sensitivity in batch-fabricated silicon pressure sensor. Int. Electron. Dev. Meeting (IEDM), Techn. Dig. IEEE 1978, str. 96-99, czy też J. C. Greenwood: Silicon in mechanical sensors. J. Phys. 21, 1988, str. 1114-1128. Sposoby te polegają na tym, że prowadzi się je w wodnych roztworach zasad organicznych i nieorganicznych pod ciśnieniem atmosferycznym. Roztwór trawiący jest ogrzewany do temperatury, najczęściej +80°C ze stabilizacją temperatury w zakresie ±0,5°C. Proces trwa, zazwyczaj od kilku do kilkunastu godzin, przykładowo warstwę krzemu o grubości 380 (im trawi się około 380 minut. Bardzo często naczynie reakcyjne przykrywa się pokrywą, która jest wyposażona w chłodnicę wodną o dużej wydajności.
Przedmiotem wynalazku jest sposób anizotropowego mokrego trawienia krzemu polegający na tym, że struktury krzemowe trawi się w wodnych roztworach zasad organicznych i nieorganicznych w temperaturze do 80°C.
Istota sposobu polega na tym, że struktury krzemowe trawi się w zamkniętym naczyniu reakcyjnym w beztlenowej atmosferze gazowej i przy podwyższonym ciśnieniu. Korzystnie struktury krzemowe trawi się w atmosferze wodoru.
Zaletą nowego sposobu anizotropowego mokrego trawienia krzemu jest przede wszystkim kilkakrotne skrócenie czasu trawienia w porównaniu do czasu trawienia prowadzonego w znanych sposobach, jednocześnie z bardzo dobrze zachowaną anizotropią trawienia. Powierzchnia krzemu trawiona nowym sposobem charakteryzuje się dużą gładkością, zwiększone ciśnienie nie wpływa na szybkość trawienia powszechnie stosowanych warstw maskujących wykonanych, np.: tlenku krzemu i azotku krzemu.
Nieoczekiwanie okazało się, że w przypadku, gdy struktury krzemowe trawi się w atmosferze wodoru, podczas gdy w wyniku reakcji wydziela się wodór, również znacznie zwiększa się szybkość procesu trawienia.
Przedmiot wynalazku jest bliżej objaśniony w przykładach realizacji sposobu anizotropowego mokrego trawienia krzemu.
P r z y k ł a d 1
Sposób mokrego anizotropowego trawienia krzemu polega na tym, że na powierzchnię krzemu o orientacji krystalograficznej (100) nanosi się warstwę maskującą z dwutlenku krzemu i trawi się anizotropowo strukturę w 10 molowym roztworze KOH w temperaturze 80°C w atmosferze wodoru pod ciśnieniem 3,44 MPa. Szybkość trawienia krzemu wynosi 4,8 μ m/min a otrzymana powierzchnia charakteryzuje się dużą gładkością przy zachowanej bardzo dobrej anizotropii trawienia.
P r z y k ł a d 2
Sposób mokrego anizotropowego trawienia krzemu przebiega jak w przykładzie pierwszym z tą różnicą, że trawi się struktury z krzemu o orientacji krystalograficznej (110), na którym wykonuje się maskę z azotku krzemu, w 10 molowym roztworze NaOH w temperaturze 80°C w atmosferze wodoru pod ciśnieniem 3,44 MPa. Szybkość trawienia krzemu wynosi 7,1 μ m/min. Otrzymana powierzchnia charakteryzuje się dużą gładkością przy zachowanej anizotropii.
P r z y k ł a d 3
Sposób mokrego anizotropowego trawienia krzemu przebiega jak w przykładzie pierwszym z tą różnicą, że trawi się struktury z krzemu w atmosferze azotu pod ciśnieniem 4,5 MPa. Szybkość trawienia krzemu wynosi 5,2 μ m/min.
PL 197 618 B1
P r z y k ł a d 4
Sposób mokrego anizotropowego trawienia krzemu przebiega jak w przykładzie drugim z tą różnicą, że trawi się struktury z krzemu w atmosferze argonu pod ciśnieniem 3,0 MPa. Szybkość trawienia krzemu wynosi 3,2 μ m/min.

Claims (2)

  1. Zastrzeżenia patentowe
    1. Sposób anizotropowego mokrego trawienia krzemu polegający na tym, że struktury krzemowe trawi się w wodnych roztworach zasad organicznych i nieorganicznych w temperaturze do 80°C, znamienny tym, że struktury krzemowe trawi się w zamkniętym naczyniu reakcyjnym w beztlenowej atmosferze gazowej i przy podwyższonym ciśnieniu.
  2. 2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że struktury krzemowe trawi się w atmosferze wodoru.
PL353673A 2002-04-29 2002-04-29 Sposób anizotropowego mokrego trawienia krzemu PL197618B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL353673A PL197618B1 (pl) 2002-04-29 2002-04-29 Sposób anizotropowego mokrego trawienia krzemu

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL353673A PL197618B1 (pl) 2002-04-29 2002-04-29 Sposób anizotropowego mokrego trawienia krzemu

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL353673A1 PL353673A1 (pl) 2003-11-03
PL197618B1 true PL197618B1 (pl) 2008-04-30

Family

ID=29776316

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL353673A PL197618B1 (pl) 2002-04-29 2002-04-29 Sposób anizotropowego mokrego trawienia krzemu

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL197618B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL353673A1 (pl) 2003-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5378312A (en) Process for fabricating a semiconductor structure having sidewalls
US6991953B1 (en) Microelectronic mechanical system and methods
US7507669B2 (en) Gap tuning for surface micromachined structures in an epitaxial reactor
US7582514B2 (en) Microelectromechanical systems encapsulation process with anti-stiction coating
WO2003068868A3 (en) Method of producing plane-parallel structures of silicon suboxide, silicon dioxide and/or silicon carbide, plane-parallel structures obtainable by such methods, and the use thereof
JP3616055B2 (ja) 粘着防止微細構造物の製造方法
Bustillo et al. Process technology for the modular integration of CMOS and polysilicon microstructures
US7595539B2 (en) Method for release of surface micromachined structures in an epitaxial reactor
Walker et al. Mechanical integrity of polysilicon films exposed to hydrofluoric acid solutions
WO1996008036A1 (en) Process for producing micromechanical structures by means of reactive ion etching
KR920001625A (ko) 표면적이 극대화된 실리콘층 및 그 제조방법
WO1999056310A3 (en) Method for etching low k dielectric layers
WO2010065518A1 (en) Methods for graphene-assisted fabrication of micro- and nanoscale structures and devices featuring the same
Guckel et al. Advances in processing techniques for silicon micromechanical devices with smooth surfaces
Wang et al. Wet-etch patterning of lead zirconate titanate (PZT) thick films for microelectromechanical systems (MEMS) applications
Li et al. Germanium as a versatile material for low-temperature micromachining
PL197618B1 (pl) Sposób anizotropowego mokrego trawienia krzemu
US8232143B2 (en) Device formed using a hard mask and etch stop layer
CN104261345B (zh) 干法刻蚀微电机系统牺牲层的方法
Lv et al. Fabrication of large-area suspended MEMS structures using GaN-on-Si platform
US20150279656A1 (en) GaN EPITAXIAL GROWTH METHOD
EP1532637B1 (en) Method of forming atomic force microscope tips
US10662058B1 (en) Wet etch patterning of an aluminum nitride film
Jin et al. The ICP etching technology of 3C-SiC films
Resnik et al. Etching properties of DC sputtered Al thin films in silicon micromachining