PL18954B1 - Sposób otrzymywania metalicznego chromu zapomoca osadzania go na rozzarzonym podkladzie metalowym. - Google Patents
Sposób otrzymywania metalicznego chromu zapomoca osadzania go na rozzarzonym podkladzie metalowym. Download PDFInfo
- Publication number
- PL18954B1 PL18954B1 PL18954A PL1895429A PL18954B1 PL 18954 B1 PL18954 B1 PL 18954B1 PL 18954 A PL18954 A PL 18954A PL 1895429 A PL1895429 A PL 1895429A PL 18954 B1 PL18954 B1 PL 18954B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- chromium
- metal substrate
- vapor
- depositing
- metal
- Prior art date
Links
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 14
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 title claims description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims description 4
- PPUZYFWVBLIDMP-UHFFFAOYSA-K chromium(3+);triiodide Chemical compound I[Cr](I)I PPUZYFWVBLIDMP-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 12
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Description
Wynalazek niniejszy dotyczy sposobu otrzymywania metalicznego chromu zapo¬ moca osadzania go na rozzarzonym przed¬ miocie metalowym.Wedlug wynalazku jeden lub kilka przedmiotów nagrzewa sie w atmosferze, zawierajacej pare jodku chromowego. Wia¬ domo, ze istnieje kilka metali, które z fa¬ zy parowej swych zwiazków moga byc o- sadzone na rozzarzonym podkladzie me¬ talowym. Nie mozna bylo jednak dotych¬ czas znalezc zwiazku chromowego, z któ¬ rego pary daloby sie osadzac chrom meta¬ liczny. Chrom nie posiada odpowiedniego zwiazku, któryby stawal sie lotnym przy niskiej temperaturze, np. ponizej 800°C.Górna granica temperatury przedmiotu metalowego, przy której moze byc on po¬ wleczony metalem, osadzonym z fazy pa¬ rowej, i która musi byc wyzsza od tempe¬ ratury ulatniania sie zwiazku metalu, za¬ lezy od szybkosci, z jaka ten zwiazek roz¬ klada sie przy zetknieciu z rozzarzonym przedmiotem. Okazalo sie obecnie, ze moz¬ na wytwarzac powloki z czystego chromu nawet ciagliwego, zapomoca osadzania go na rozzarzonym przedmiocie metalowym w atmosferze, zawierajacej pare jodku chro¬ mowego.Ze wzgledu na bardzo wysokie tempe¬ ratury, które stosuje sie przy przeprowa¬ dzaniu sposobu wedlug niniejszego wy-nalazku nie inozna stosowac do reakcji szklanych naczyn.-Wedlug wynalazku do przeprowadzenia sposobu uzywa sie na¬ czynia, skladajacego sie przynajmniej cze¬ sciowo z kwarcu.Sposób wedlug wynalazku wykonywa sie np. jak nastepuje.W naczyniu z kwarcu zawiesza sie drut metalowy. Drut ten, wykonany z wolframu, ogrzewa sie zapomoca pradu elektryczne¬ go. Naczynie moze byc polaczone zapomo¬ ca odpowiedniej rury z pompa prózniowa, która usuwa powietrze i ewentualnie szko¬ dliwe gazy podczas reakcji. Do naczynia wprowadza sie pewna ilosc jodku chromo¬ wego, albo tez jodu i chromu, poczem na¬ czynie ogrzewa sie do takiejTemperatury, ze napelnia sie ono para jodku chromowe¬ go. Temperaturata musi byc nizsza od tem¬ peratury rozkladu wspomnianego zwiazku.Tempei&tura ta wynosi 800 — 1000°C.Jednoczesnie drut wolframowy ogrzewa sie tak silnie, iz osiaga on temperature wyzsza od temperatury rozkladu, np. oko¬ lo 1100°C. Para jodku chromowego styka sie z rozpalona powierzchnia drutu i roz¬ pada sie; jod sie uwalnia, a chrom osiada na drucie. Jezeli para jodku chromowego nie zawiera zanieczyszczen np. krzemo¬ wych lub fosforowych, to otrzymuje sie chrom ciagliwy. Przy stosowaniu jako ma- terjalów wyjsciowych chromu metaliczne¬ go i jodu najlepiej jest uzyc chromu juz uprzednio osadzonego z jodku chromowe¬ go na rozzarzonym przedmiocie. Mozna jednak zastosowac takze chrom metalicz¬ ny, oczyszczony np. przez wyzarzanie i wytworzony w inny odpowiedni sposób.Temperatury rozzarzonego przedmiotu, je¬ zeli jest on wykonany z innego metalu niz chrom, nie mozna podnosic tak wysoko, by chrom tworzyl z nim stop. PL
Claims (5)
- Zastrzezenia patentowe. 1. Sposób otrzymywania metaliczne¬ go chromu zapomoca osadzania go na roz¬ zarzonym podkladzie metalowym, zna¬ mienny tern, ze podklad metalowy rozza¬ rza sie w atmosferze pary jodku chromo¬ wego do temperatury, przekraczajacej temperature rozkladu tej pary,
- 2. Sposób wedlug zastrz. 1 w zastoso¬ waniu do otrzymywania chromu ciagliwe- go, znamienny tern, ze stosuje sie pare jodku chromowego, nie zawierajaca zanie¬ czyszczen krzemowych i fosforowych.
- 3. Sposób wedlug zastrz. 2, znamien¬ ny tern, ze stosuje sie pare jodku chromo¬ wego, wykonana z jodu i chromu, otrzy¬ manego na podkladzie metalowym, rozza¬ rzonym w atmosferze pary jodku chromo¬ wego.
- 4. Sposób wedlug zastrz. 2, znamien¬ ny tern, ze stosuje sie pare jodku chromo¬ wego, wytworzona z jpdu i chromu meta¬ licznego, wyzarzonego w prózni.
- 5. Sposób wedlug zastrz. 1 — 4, zna¬ mienny tern, ze nagrzewanie odbywa sie w naczyniu, wykonanem przynajmniej cze¬ sciowo z kwarcu. N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken. Zastepca: M. Skrzypkowski. rzecznik patentowy. Drak L. Boguslawskiego i Ski, Warszawa. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL18954B1 true PL18954B1 (pl) | 1933-10-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kawazu et al. | Low-temperature crystallization of hydrogenated amorphous silicon induced by nickel silicide formation | |
| GB200879A (en) | Improvements in or relating to the manufacture of bodies from metals having a high melting-point | |
| Vianco et al. | Intermetallic compound layer development during the solid state thermal aging of 63Sn-37Pb solder/Au-Pt-Pd thick film couples | |
| US2412977A (en) | Flame sensitive device | |
| Beidler et al. | The formation of molybdenum disilicide coatings on molybdenum | |
| PL18954B1 (pl) | Sposób otrzymywania metalicznego chromu zapomoca osadzania go na rozzarzonym podkladzie metalowym. | |
| US2560593A (en) | Method of making a glass-to-metal seal | |
| Riani et al. | On the Ce-Cu-Sn system | |
| US2571700A (en) | Method of coating thermocouples | |
| US3125654A (en) | Electrical contacting surfaces | |
| US1891124A (en) | Process of precipitating metals on an incandescent body | |
| US1793303A (en) | Temperature-responsive device | |
| Kharatyan et al. | High-Temperature Silicon Diffusivities in MoSi, and W. Si Phases | |
| US1724465A (en) | Process of fusing metallic bodies to glass and the combination of metals used in said process | |
| Foroulis | Kinetics and mechanism of the reaction of iron with sulfur vapor in the temperature range of 250 to 500 C | |
| Moskvin et al. | Polyassociative model of A2B6 semiconductor melt and p− T− x equilibria in Cd–Hg–Te system | |
| US1671007A (en) | Composition | |
| US1268647A (en) | Leading-in conductor. | |
| US1224339A (en) | Vapor treatment of metals. | |
| GB709806A (en) | Improvements in or relating to electrical resistance heating elements | |
| US3095527A (en) | Electrical capacitor having a silicon nitride dielectric | |
| US3142584A (en) | Method for pyrolytic production of hyperpure semiconductor material | |
| US1953003A (en) | Heat treatment of light metals | |
| Wernick et al. | Preparation and Inspection of High‐Purity Copper Single Crystals | |
| US3138692A (en) | Certificate of correction |