PL148890B2 - Photodetector system - Google Patents

Photodetector system Download PDF

Info

Publication number
PL148890B2
PL148890B2 PL26841387A PL26841387A PL148890B2 PL 148890 B2 PL148890 B2 PL 148890B2 PL 26841387 A PL26841387 A PL 26841387A PL 26841387 A PL26841387 A PL 26841387A PL 148890 B2 PL148890 B2 PL 148890B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
resistor
transistor
parallel
collector
emitter
Prior art date
Application number
PL26841387A
Other languages
English (en)
Other versions
PL268413A2 (en
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL26841387A priority Critical patent/PL148890B2/pl
Publication of PL268413A2 publication Critical patent/PL268413A2/xx
Publication of PL148890B2 publication Critical patent/PL148890B2/pl

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest uklad fotoczujnika, zwlaszcza zmierzchowego zdalnie sterowa¬ nego przewodowo.Wynalazek dotyczy budowy i eksploatacji fotoczujnika z sondami w postaci fototranzystorów zdalnie sterowanymi kablowo, zwlaszcza fotoczujników zmierzchowych.Znane sa i stosowane rózne rozwiazania ukladów elektronicznych fotoczujników, w których jako sonda stosowany jest fototranzystor. Znany jest miedzy innymi przekaznik fotoelektryczny typu PFz-10 produkcji TELKOMTELCZA, wytwarzany w postaci zblokowanego elmentu czuwa¬ jacego, zawierajacego w swym wnetrzu calosc ukladu, to jest zarówno sonde fotoczula, jak i uklad przetwarzania wyzwalanego przez sonde sygnalu i jego zasilania oraz nastawienia. Znany uklad sklada sie z fototranzystora wspólpracujacego poprzez zespól zaporowo ustawionych dwu diod z blokiem wzmacniania sygnalu, zawierajacym dwa tranzystory, polaczone poprzez zespól elemen¬ tów rezystancyjnych z prostownikiem pólprzewodnikowym Greatza, dolaczonym do zródla zasi¬ lania pradem zmiennym z sieci 220 V.Opisany uklad przekaznika PFz-10 charakteryzuje sie mala czuloscia oraz duza awaryjnoscia, wywolana zbyt wysoko ustawionym w nim progiem obciazalnosci elementów wzmacniajacych sygnal alarmowy, jak równiez podatnoscia na wplywy atmosferyczne. Taostatnia wada wynika z braku rozlaczalnosci samego czujnika fotoelektrycznego z ukladem elektronicznym przetwarzania sygnalu. Sam uklad wjego praktycznie wytwarzanym zastosowaniu jest nadto pozbawiony elemen¬ tów zabezpieczenia przed przeciazeniami pradowymi, co powoduje bardzo czesto calkowite zni¬ szczenie mozaiki obwodu drukowanego, jak równiez styków zastosowanego w nim przekaznika wielostykowego elektromagnetycznego oraz samozapalenie sie ukladu.Wynalazek rozwiazuje zagadnienie opracowania nowego ukladu fotoczujnika eliminujacego wskazane wady znanego rozwiazania i pozwalajacego na odrebne instalowanie samej sondy fotoelektrycznej w miejscu czuwania i laczenia jej trasa kablowa z ukladem przetwarzania wyzwa¬ lanego przez nia sygnalu.Uklad fotoczujnika zawierajacy znany fototranzystor, polaczony poprzez zespól zaporowo ustawionych dwu diod z blokiem wzmocnienia sygnalu, majacym dwa tranzystory polaczone2 148 890 poprzez zespól elementów rezystancyjnych i pojemnosciowych z prostownikiem pólprzewodniko¬ wym dwupolówkowym, dolaczonym do zródla zasilania sklada sie wedlug wynalazku z umie¬ szczonego w hermetycznej strugoszczelnej obudowie i usytuowanego w oddalonym miejscu czu¬ wania fototranzystora, polaczonego dwuprzewodowym torem transmisyjnym z zespolem zasi¬ lajaca-przetwarzajacym. Kolektor fototranzystora jest dolaczony równolegle w pierwszej nitce do kolektora drugiego tranzystora, majacego emiter doprowadzony do masy, w drugiej nitce do bazy trzeciego tranzystora, majacego kolektor doprowadzony do masy i w trzeciej nitce przewodem magistralnym poprzez pierwszy rezystor do emitera piatego tranzystora. Tranzystorten ma kolek¬ tor poprzez dwunasty rezystor oraz baze poprzez jedenasty rezystor dolaczone do prostownika pólprzewodnikowego. Baza tranzystora piatego jest przylaczona do masy urzadzenia poprzez druga diode Zenera. Emiter trzeciego tranzystora jest poprzez drugi rezystor dolaczony do prze¬ wodu magistralnego i równolegle poprzez piaty rezystor dolaczony do wejscia minusowego scalo¬ nego wzmacniacza operacyjnego. Tominusowe wejscie jest poprzez pierwszy kondensator dopro¬ wadzone do masy. Wejscie plusowe scalonego wzmacniacza operacyjnego jest przylaczone równolegle poprzez ustawione w szereg rezystor szósty i rezystor trzeci do przewodu magistralnego i rezystor szósty oraz rezystor czwarty do uziemionego potencjometru, a nadto poprzez rezystor siódmy wejscie tojest dolaczone do wyjscia sygnalowego scalonego wzmacniacza, które to wyjscie poprzez ósmy rezystor i dziewiaty rezystor jest dolaczone do przewodu magistralnego, oraz równolegle poprzez tenze ósmy rezystor jest dolaczone do bazy czwartego tranzystora. Emiter czwartego tranzystora jest dolaczony bezposrednio do emitera piatego tranzystora zablokowa¬ nego trzecim przylaczonym do masy kondensatorem. Kolektor tego czwartego tranzystora jest przylaczony do uzwojenia wzbudzenia przekaznika elektromagnetycznego, uziemionego poprzez dziesiaty rezystor i równolegle poprzez drugi kondensator. Kolektor tranzystora czwartego jest równolegle dolaczony do katody diody pierwszej, której anoda jest przylaczona równolegle do wyjscia uzwojenia wzbudzenia przekaznika elektromagnetycznego i do pierwszej pary styków tego przekaznika, którego druga para styków jest przylaczona do obwodu obciazajacego uklad i do wejscia prostownika pólprzewodnikiem.Uklad przelacznika fotoelektrycznego wedlug wynalazku realizujac postawione zadania, wykazuje jednoczesnie korzystna ceche znacznej czulosci na zmiany stopnia natezenia swiatla w miejscu oddalonego zainstalowania czujnika fotoelektrycznego, umozliwiajac montowanie go w dogodnych miejscach dla uzytkownika i jednoczesnie instalowanie samego zespolu przetwarzaja¬ cego i zasilajacego w oslonietych miejscach chronionego obiektu, poza obrebem wplywu niekorzo- stynych warunków atmosferycznych. Zastosowanie w ukladzie wedlug wynalazku wkladki topi- kowej oraz zespolu elementów przetwarzajacych opartych na trzecz tranzystorach wspólpra¬ cujacych z diodami zaporowymi oraz elementów aktywnej regulacji pradów i napiec, calkowicie zabezpiecza uklad przed niebezpieczenstwem awaryjnego samozapalenia sie, jak równiez pozwala na wykonywanie w szerokim zakresie regulacji i aplikowanie go do róznych przemyslowych zastosowan w technice transmisji, pomiarów i nadzoru.Wynalazek jest szczególowo opisany na przykladzie jego wykonania i zobrazowany na rysunku przedstawiajacym schemat ideowy ukladu.Jak pokazano na rysunku uklad fotoczujnika sklada sie z umieszczonego w hermetycznej strugoszczelnej obudowie H i usytuowanego w odalonym miejscu czuwania tranzystora Ti, na przyklad tranzystora typu BPRT24, polaczonego dwuprzewodowym ekranowym torem transmi¬ syjnym B typu WL 75 z zespolem zasilajaco-przetwarzajacym. Kolektor fototranzystora Ti jest dolaczony równolegle w pierwszej nitce do kolektora drugiego tranzystora T2, na przyklad tranzy¬ stora typu BC 147, majacego emiter doprowadzony do masy, w drugiej nitce do bazy trzeciego tranzystora T3 typu BC 157, majacego kolektor doprowadzony do masy i w trzeciej nitce przewo¬ dem magistralnym M poprzez pierwszy rezystor R1 o rezystancji 27kohm do emitera piatego tranzystora T5, najkorzystniej tranzystora typu BF 459. Ma on kolektor poprzez dwunasty rezystor R12 o rezystancji rzedu 4,7kohm i baze poprzez jedenasty rezystor Rn o rezystancji 150kohm, dolaczone do prostownika pólprzewodnikowego D. Baza piatego tranzystora T5 jest przylaczona do masy poprzez druga diode Zenera D2 typu BZP683 Cl6. Emiter trzeciego tranzystora T3 jest poprzez drugi rezystor R2 o rezystancji 10 kohm dolaczony do przewodu magistralnego M i równo-148 890 3 legie poprzez piaty rezystor R5 o rezystancji 150kohm dolaczony do wejscia minusowego 2 scalonego wzmacniacza operacyjnego U.Jako scalony wzmacniacz operacyjny zostal uzyty typ ULY7741. Wejscie minusowe 2 jest poprzez kondensator Ci doprowadzone do masy. Wejscieplusowe 3 scalonego wzmacniacza Ujest przylaczone równolegle poprzez ustawione w szereg rezystor szósty R6 o rezystancji lOOkohm i rezystor trzeci R3 o rezystancji lOkohm do przewodu magistralnego M i poprzez tenze szósty rezystor R6 oraz rezystor czwarty R4 o rezystancji 1 kohm do uziemionego potencjometru P, na przyklad typu TVP-100k. Wejscie plusowe 3 jest równiez poprzez rezystor siódmy R7 o rezystancji 470 kohm dolaczone do wyjscia sygnalowego 6 scalonego wzmacniacza U. Wyjscie to poprzez ósmy rezystor Ra o rezystancji 15 kohm i dziewiaty rezystor R9 o rezystancji 2,2 kohm jest dola¬ czone do przewodu magistralnego M i równolegle poprzez tenze ósmy rezystor Re do bazy czwartego tranzystora T4,typu BC 157, którego emiter jest dolaczony bezposrednio do emitera piatego tranzystora T5, zablokowanego trzecim przylaczonym do masy kondensatorem C3. Kolek¬ tor czwartego tranzystora T4 jest przylaczony do uzwojenia wzbudzenia przekaznika elektromag¬ netycznego K uziemionego poprzez dziesiaty rezystor R10 o rezystancji 2 kohm i równolegle poprzez drugi kondensator C2. Kolektor ten jest równolegle dolaczony do katody diody pierwszej Di, której anoda jest przylaczona równolegle do wyjscia uzwojenia wzbudzenia przekaznika elektromagnetycznego K i do pierwszej pary styków Pi tegoz przekaznika. Druga para styków przekaznika P2 jest przylaczona do obwodu obciazajacego uklad OBC i przylaczona do wejscia prostownika pólprzewodnikowego D zabezpieczonego na wejsciu zasilajacym ZAS bezpiecznikiem BZ.W przykladowym wykonaniu ukladu wedlug wynalazku zastosowano elementy dyskretne o nastepujacych parametrach: jako kondensatorów uzyto 04 U - 220//F,jako C2 uzyto 04 U 22//F, C3 uzyto 04 U - 47/iF, a jako przekaznik K zostal uzyty MTWd 6-8-4463-152-4, natomiast jako diody Di uzyto BAYP-94.Uklad wedlug wynalazku w przykladowym wykonaniu przedstawionym na rysunku dziala nastepujaco: padajace swiatlo na fototranzystor Ti polaczony kaskadowo z tranzystorami T2, T3 powoduje zmiane spadku napiecia na rezystorach Ri,R2. Potencjal z rezystora R2 poprzez uklad opóznienia czasowego Ci R5 podawany jest na wejscie odwracajace wzmacniacza operacyjnego U.Na wejscie nieodwracajace tego wzmacniacza podawany jest przez rezystor R6 potencjal regulo¬ wany przy pomocy potencjometru P. (Regulacja progu zadzialania ukladu). Rezystor R7 stanowi sprzezenie zwrotne. W przypadku przekroczenia na wejsciu odwracajacym potencjalu ustawionego potencjometrem P, na wejsciu nieodwracajacym nastepuje zmiana stanu wzmacniacza operacyj¬ nego na wyjsciu 6. Potencjal ten wysterowuje tranzystor T4 w kolektorze którego znajduje sie przekaznik K oraz uklad ograniczenia pradowego przekaznika (R10, C2). Dioda Di zabezpiecza tranzystor T4 przed przepieciami. Przekaznik posiada dwie pary stykówPi i P2. Stykami Pi zalacza sie stala czasowa C2, R10, która stanowi element lagodnego obnizenia pradu plynacego przez przekaznik. Styki P2 zalaczaja napiecie zasilajace ZAS przez bezpiecznik BZ do ukladu obciazenia.Przedmiot wynalazku nadaje sie do zastosowania w gospodarce narodowej w ukladach nadzoru obiektów uzytecznosci publicznej, sklepów, szpitali, dworców itp. w porze zmierzchu i switu, w sluzbie zdrowia, przemysle i badaniach naukowych, wszedzie tam gdzie potrzebna jest reakcja samoczynnie dzialajacego ukladu elektronicznego na zmiane warunków punktowego lub ogólnego oswietlenia.Zastrzezenie patentowe Uklad fotoczujnika zawierajacy fototranzystor, polaczony poprzez zespól zaporowo ustawio¬ nych dwu diod z blokiem wzmocnienia sygnalu zawierajacym dwa tranzystory polaczone poprzez zespól elementów rezystancyjnych i pojemnosciowych z prostownikiem pólprzewodnikowym dwupolówkowym, dolaczonym poprzez przekaznik elektromagnetyczny do zródla zasilania, zna¬ mienny tym, ze sklada sie z umieszczonego w hermetycznej strugoszczelnej obudowie (H) i4 148 890 usytuowanego w oddalonym miejscu czuwania fototranzystora (Ti), polaczonego dwuprzewodo¬ wym torem transmisyjnym (B) z zespolem zasilajacco-przetwarzajacym w taki sposób, ze kolektor fototranzystora jest dolaczony równolegle w pierwszej nitce do kolektora drugiego tranzystora (T2), majacego emiter doprowadzony do masy, w drugiej nitce do bazy trzeciego tranzystora (T3), majacego kolektor doprowadzony do masy i w trzeciej nitce przewodem magistralnym (M) poprzez pierwszy rezystor (R1) do emitera piatego tranzystora (T5) majacego kolektor poprzez dwunasty rezystor (R12) i baze poprzezjedenasty rezystor (Rn) dolaczone do prostownika pólprzewodniko¬ wego (D), oraz ta sama baze przylaczona do masy poprzez druga diode Zenera (D2), przy czym emiter trzeciego tranzystora (T3) jest poprzez drugi rezystor (R2) dolaczony do przewodu magis¬ tralnego (M) i równolegle poprzez piaty rezystor (R5) dolaczony do wejscia minusowego (2) scalonego wzmacniacza operacyjnego (U), którego wejscie to jest poprzez pierwszy kondensator (Ci) doprowadzone do masy i którego wejscie plusowe (3) jest przylaczone równolegle poprzez ustawione w szereg rezystor szósty (Re) i rezystor trzeci (R3) do przewodu magistralnego (M), poprzez tenze szósty rezystor (Re) oraz rezystor czwarty (R4) do uziemienionego potencjometru (P) oraz poprzez rezystor siódmy (R7) dolaczony do jego wyjscia sygnalowego (6), które to wyjscie poprzez ósmy rezystor (Re) i dziewiaty rezystor (R9)jest dolaczone do przewodu magistralnego (M) i równolegle poprzez tenze ósmy rezystor (Re) do bazy czwartego tranzystora (T4), którego emiter jest dolaczony bezposrednio do emitera piatego tranzystora (T5). zblokowanego trzecim przyla¬ czonym do masy kondensatorem (C3), natomiast kolektor tegoz czwartego tranzystora (T4) jest przylaczony do uzwojenia wzbudzenia przekaznika elektromagnetycznego (K) uziemionego poprzez dziesiaty rezystor (R10) i równolegle poprzez drugi kondensator (C2), a nadto równiez równolegle dolaczonego do katody diody pierwszej (Di), której anoda jest przylaczona równolegle do wyjscia uzwojenia wzbudzenia przekaznika elektromegnetycznego (K) i do pierwszej pary styków (Pi) tegoz przekaznika, którego druga para styków (P2) jest przylaczona do obwodu obciazajacego uklad (OBC) i przylaczona do wejscia prostownika pólprzewodnikowego (D), zabezpieczonego na wejsciu zasilajacym (ZAS) bezpiecznikiem (BZ).148890 CO L_*^l PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Uklad fotoczujnika zawierajacy fototranzystor, polaczony poprzez zespól zaporowo ustawio¬ nych dwu diod z blokiem wzmocnienia sygnalu zawierajacym dwa tranzystory polaczone poprzez zespól elementów rezystancyjnych i pojemnosciowych z prostownikiem pólprzewodnikowym dwupolówkowym, dolaczonym poprzez przekaznik elektromagnetyczny do zródla zasilania, zna¬ mienny tym, ze sklada sie z umieszczonego w hermetycznej strugoszczelnej obudowie (H) i4 148 890 usytuowanego w oddalonym miejscu czuwania fototranzystora (Ti), polaczonego dwuprzewodo¬ wym torem transmisyjnym (B) z zespolem zasilajacco-przetwarzajacym w taki sposób, ze kolektor fototranzystora jest dolaczony równolegle w pierwszej nitce do kolektora drugiego tranzystora (T2), majacego emiter doprowadzony do masy, w drugiej nitce do bazy trzeciego tranzystora (T3), majacego kolektor doprowadzony do masy i w trzeciej nitce przewodem magistralnym (M) poprzez pierwszy rezystor (R1) do emitera piatego tranzystora (T5) majacego kolektor poprzez dwunasty rezystor (R12) i baze poprzezjedenasty rezystor (Rn) dolaczone do prostownika pólprzewodniko¬ wego (D), oraz ta sama baze przylaczona do masy poprzez druga diode Zenera (D2), przy czym emiter trzeciego tranzystora (T3) jest poprzez drugi rezystor (R2) dolaczony do przewodu magis¬ tralnego (M) i równolegle poprzez piaty rezystor (R5) dolaczony do wejscia minusowego (2) scalonego wzmacniacza operacyjnego (U), którego wejscie to jest poprzez pierwszy kondensator (Ci) doprowadzone do masy i którego wejscie plusowe (3) jest przylaczone równolegle poprzez ustawione w szereg rezystor szósty (Re) i rezystor trzeci (R3) do przewodu magistralnego (M), poprzez tenze szósty rezystor (Re) oraz rezystor czwarty (R4) do uziemienionego potencjometru (P) oraz poprzez rezystor siódmy (R7) dolaczony do jego wyjscia sygnalowego (6), które to wyjscie poprzez ósmy rezystor (Re) i dziewiaty rezystor (R9)jest dolaczone do przewodu magistralnego (M) i równolegle poprzez tenze ósmy rezystor (Re) do bazy czwartego tranzystora (T4), którego emiter jest dolaczony bezposrednio do emitera piatego tranzystora (T5). zblokowanego trzecim przyla¬ czonym do masy kondensatorem (C3), natomiast kolektor tegoz czwartego tranzystora (T4) jest przylaczony do uzwojenia wzbudzenia przekaznika elektromagnetycznego (K) uziemionego poprzez dziesiaty rezystor (R10) i równolegle poprzez drugi kondensator (C2), a nadto równiez równolegle dolaczonego do katody diody pierwszej (Di), której anoda jest przylaczona równolegle do wyjscia uzwojenia wzbudzenia przekaznika elektromegnetycznego (K) i do pierwszej pary styków (Pi) tegoz przekaznika, którego druga para styków (P2) jest przylaczona do obwodu obciazajacego uklad (OBC) i przylaczona do wejscia prostownika pólprzewodnikowego (D), zabezpieczonego na wejsciu zasilajacym (ZAS) bezpiecznikiem (BZ).148890 CO L_*^l PL
PL26841387A 1987-10-23 1987-10-23 Photodetector system PL148890B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL26841387A PL148890B2 (en) 1987-10-23 1987-10-23 Photodetector system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL26841387A PL148890B2 (en) 1987-10-23 1987-10-23 Photodetector system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL268413A2 PL268413A2 (en) 1988-10-27
PL148890B2 true PL148890B2 (en) 1989-12-30

Family

ID=20038642

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL26841387A PL148890B2 (en) 1987-10-23 1987-10-23 Photodetector system

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL148890B2 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL268413A2 (en) 1988-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3191048A (en) Light sensitive alarm system
DE3773794D1 (de) Ueberwachungsschaltung fuer sensormodule von uebertragungsleitungen.
ATE34888T1 (de) Fehlerstrom-differentialeinrichtung ausgestattet mit einer einrichtung zur ueberwachung der speisung der elektronik.
PL148890B2 (en) Photodetector system
US5400013A (en) Ionization type smoke detector
EP0045286A2 (en) Electronic indicator of absorbed current, expressed as a percentage of a prefixed limit, the exceeding of which activates an acoustic alarm
US5025169A (en) Sensor in IC formation
PL148889B2 (en) Photoelectric detector system
US3502883A (en) Photoelectric motion detector with a pair of photocells viewing different parts of the field
US5170035A (en) Sensor circuit for controlling flow in an instrument loop
US3579223A (en) Transistorized monitoring circuit
US4439673A (en) Two terminal integrated circuit light-sensor
JPS5844476Y2 (ja) 簡易型火災警報器
FI941479A0 (fi) Sähköenergian maanalaisessa jakeluverkossa esiintyvien vikojen ilmaisulaite
JPS5640764A (en) Measuring unit of lightning current
SU691820A1 (ru) Стабилизированный источник электропитани
RU2020684C1 (ru) Устройство для защиты и контроля источника электропитания переменного тока
KR200171615Y1 (ko) 복합형 화재감지기
US3594771A (en) Solid-state burglar alarm detector
HU176353B (hu) Izotópos füstérzékelő
KR910006729B1 (ko) 광도 감지기
EP0589817A1 (en) Antifraud device in electronic electricity meters
PL127875B1 (en) Electronic circuit for detection of variable light flux
CA1184606A (en) Alarm system for electric fences
SU1185318A1 (ru) Многоканальный стабилизированный источник питания