Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania krystalicznych cienkich warstw z tle¬ nku glinu na weglikach spiekanych znajdujacych zastosowanie do produkcji narzedzi czesci maszyn.Wegliki spiekane wytwarzane metodami metalurgii proszków skladajace sie z weglika wolframu, weglika tytanu i kobaltu posiadaja szereg wad takich jak: wysoki wspólczynnik tarcia, mala odpornosc na scieranie i zuzycie dyfuzyjne, co powoduje szybkie zuzywanie w czasie pracy wykonywanych z nich wyrobów, W celu zwiekszenia trwalosci elementów wykonanych z weglików spiekanych pokrywa sie je powlokami ochronnymi.Znany jest z polskiego opisu patentowego nr 110 580 sposób wytwarzania powlok z azotków metali na weglikach spiekanych na drodze chemicznej krystalizacji z fazy gazowej zawiera¬ jacej wodór, azot i pary halogenków metali grup przejsciowych w temperaturze 1223 - 1623 K.Znane jest równiez z polskiego opisu patentowego nr 111 552 rozwiazanie polegajace na nakladaniu na weglikach spiekanych powlok z weglików metali przez ich chemiczna synte¬ ze z fazy gazowej zawierajacej wodór, weglowodór lub chlorek wegla oraz pary halogenku me¬ talu w temperaturze 1273 - 1623 K. Wada tak otrzymywanych pokryc jest stosunkowo niska od¬ pornosc na utlenianie i temperatura ich pracy nie moze byc wyzsza niz 773 K. Z tego powodu narzedzia skrawajace pokryte takimi warstwami moga pracowac przy stosunkowo niskich szyb¬ kosciach skrawania. Wieksze szybkosci skrawania powoduja znacznie wieksze nagrzewanie ply-2 148 064 tek weglikowych i temperatura ich ostrzy moze osiagnac nawet 1273 K. W tych warunkach , pokrycie z azotków metali i weglików metali nie spelniaja swojej roli.Celem wynalazku jest polepszenie wlasnosci uzytkowych zwlaszcza zwiekszenie trwa¬ losci wyrobów wytwarzanych z weglików spiekanych na bazie kobaltu, weglika wolfranu i we¬ glika tytanu,' przeznaczonych na narzedzia skrawajace pracujace przy duzych szybkosciach skrawania.Sposób wedlug wynalazku, polega na tym, ze wyroby z weglików spiekanych ogrzewa sie do temperatury 1273-1623 K a nastepnie do reaktora wprowadza sie wstepnie ogrzana do tem¬ peratury 453 - 523 K mieszanine gazowa, zawierajaca wodór i pary organicznych zwiazków gli¬ nu zawierajacych tlen. W stosowanej mieszaninie natezenie przeplywu wodoru wynosi —2 — 1 0,5-10 • 10 mol/h a par organicznych zwiazków glinu zawierajacych tlen 0,05 - 6 • 10"^ mol/h. Proces krystalizacji prowadzi sie przy cisnieniu 10 - 2 • 10^ Pa w czasie 2-60 minut.Korzystnie jest stosowac indukcyjne grzanie pokrywanych wyrobów, nadajac im ruch obrotowy w czasie procesu krystalizacji, co umozliwia uzyskanie bardziej równomiernej war¬ stwy tlenkowej na ksztaltce weglikowej. Czas syntezy uzalezniony jest od pozadanej grubo¬ sci warstwy tlenkowej. Gazowe produkty odpadowe sa odpompowywane z ukladu. W tych warun¬ kach na powierzchni ksztaltki z weglika spiekanego osadza sie warstwa tlenku glinu zawie¬ rajaca wegiel. Im wyzsza temperatura syntezy warstwy tym wiekszy stopien jej krystalicz- nosci. Faza krystaliczna wystepuje w postaci - AlpO-. Prowadzenie syntezy w wodorze, który latwo oczyscic z tlenu i pary wodnej zapewnia odpowiednia zawartosc wegla w warstwie, co gwarantuje jej dobra przyczepnosc do podloza. Obecnosc wegla w warstwie tlenku glinu obniza ponadto wspólczynnik tarcia materialu obrabianego o plytke, przez co ostrze mniej sie nagrzewa w trakcie pracy.Prowadzenie procesu syntezy warstw w podcisnieniu zapobiega powstawaniu w fazie ga¬ zowej proszków tlenku glinu, które w tym przypadku sa szkodliwe, bo zanieczyszczaja rów¬ niez podloze przez co warstwy sa porowate i latwo scieralne, pozwala jednoczesnie na uzy¬ skanie bardziej równomiernej warstwy na duzych i zlozonych powierzchniach ksztaltki wegli¬ kowej • Przyklad. Wieloostrzowe plytki z weglików spiekanych typu WC-TiC-Co oczysz¬ czone ultradzwiekami w CCI , umieszcza sie w rurze grafitowej ogrzewanej indukcyjnie, znaj¬ dujacej sie w reaktorze kwarcowym. Rure grafitowa wprowadza sie w ruch obrotowy z szybko¬ scia 7 obr./minute. Przez uklad przepuszcza sie wstepnie argon wolny od tlenu i pary wodnej przez okres 4 minut, a nastepnie przepuszcza sie wodór wolny od tlenu i pary wodnej przez okres 2 minut i wlacza generator indukcyjny. Po ogrzaniu Dlytek do temperatury 1473 K do reaktora wprowadza sie ogrzana do temperatury 473 K mieszanine gazowa zlozona z czystego wodoru i par acetyloacetonianu glinu Al/CcH^O^/^ w nastepujacych ilosciach: przeplyw wo¬ doru 1 • 10" mol/h, przeplyw acetyloacetonianu glinu 0,1 • 10"3 mol/h. Cisnienie reagen¬ tów wynosi 100 Pa, czas syntezy warstwy 20 minut.Po procesie osadzania warstwy, do reaktora wprowadza sie czysty wodór, wylacza ge¬ nerator indukcyjny i uklad ochladza do temperatury otoczenia. Przed wyjeciem próbek z re¬ aktora przepuszcza sie przez niego gaz obojetny do usuniecia wodoru z ukladu. Uzyskuje sie gladka, dobrze przyczepna, o kolorze czarnym warstwe tlenku glinu zawierajaca j£ - AlpO^.H8 064 3 Zastrzezenia patentowe 1» Sposób wytwarzania krystalicznych cienkich warstw z tlenku glinu na weglikach spiekanych na drodze chemicznego osadzania z fazy gazowej, znamienny tym, ze wyroby z weglików spiekanych ogrzewa sie do temperatury 1273 - 1623 K, a nastepnie do rea¬ ktora wprowadza sie wstepnie ogrzana do temperatury 453 - 523 K mieszanine gazowa zawiera¬ jaca wodór i pary organicznych zwiazków glinu zawierajacych tlen, w której natezenie prze- plywu wodoru wynosi 0,5 - 10 • 10 mol/h, a par organicznych zwiazków glinu zawierajacych tlen 0,05 - 6 • 10 mol/h, przy czym proces krystalizacji prowadzi sie przy cisnieniu 10 - 2 • 10* Pa w czasie 2 - 60 minut. 2, Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze wyroby z weglików spie¬ kanych ogrzewa sie indukcyjnie nadajac im ruch obrotowy. PLThe subject of the invention is a method for the production of crystalline thin films of aluminum oxide on sintered carbons used in the production of tools for machine parts. Sintered carbons produced by powder metallurgy methods, consisting of tungsten carbide, titanium carbide and cobalt have a number of disadvantages such as: high coefficient of friction, low resistance to abrasion and diffusion wear, which causes quick wear during operation of the products made of them, In order to increase the durability of elements made of sintered carbons, they are covered with protective coatings. A method for producing coatings from metal nitrides is known from the Polish patent description No. 110 580 on sintered carbons by chemical crystallization from the gas phase containing hydrogen, nitrogen and vapors of transition group metals at a temperature of 1223 - 1623 K. It is also known from the Polish patent specification No. 111 552, which consists in applying a coating of meth carbons on sintered carbons. ali by their chemical synthesis from the gas phase containing hydrogen, hydrocarbon or carbon chloride and metal halide vapors at a temperature of 1273 - 1623 K. The disadvantage of the coatings obtained in this way is relatively low resistance to oxidation and their operating temperature cannot be higher than 773 K. For this reason, cutting tools coated with such layers can be operated at relatively low cutting speeds. Higher cutting speeds result in much greater heating of the carbide plates-2 148 064 and the temperature of their blades can reach even 1273 K. Under these conditions, the coating of metal nitrides and metal carbides do not fulfill their role. The aim of the invention is to improve the usable properties, especially to increase the durability The method according to the invention consists in the fact that the products made of sintered carbons are heated to a temperature of 1273-1623 K and then a gaseous mixture, preheated to a temperature of 453-523 K, containing hydrogen and oxygen-containing organic aluminum compounds, is introduced into the reactor. In the mixture used, the hydrogen flow rate is -2 - 1 0.5-10 • 10 mol / ha vapors of organic aluminum compounds containing oxygen 0.05 - 6 • 10 "^ mol / h. The crystallization process is carried out at a pressure of 10 - 2 • 10 ° C for 2-60 minutes. It is preferable to use induction heating of the coated products, giving them a rotary motion during the crystallization process, which allows obtaining a more even oxide layer on the carbon shape. The synthesis time depends on the desired layer thickness. The gaseous waste products are pumped out of the system. Under these conditions, a layer of carbon-containing aluminum oxide is deposited on the surface of the sintered carbide part. The higher the synthesis temperature of the layer, the greater its crystallinity. The crystalline phase is in the form of - AlpO- Synthesis in hydrogen, which is easy to clean from oxygen and water vapor, ensures an appropriate carbon content in the layer, which guarantees its good adhesion to the substrate. The presence of carbon in the alumina layer also lowers the coefficient of friction of the processed material against the plate, so that the blade heats up less during operation. Carrying out the process of synthesis of layers under negative pressure prevents formation of alumina powders in the gas phase, which in this case are harmful, they also contaminate the substrate, making the layers porous and easy to wear, while allowing a more uniform layer to be obtained on large and complex surfaces of the carbon shape. Example. CCI-cleaned WC-TiC-Co cemented carbide plates are placed in an induction-heated graphite tube in a quartz reactor. The graphite tube is rotated at 7 rpm. Oxygen-free and water-vapor-free argon is initially passed through the system for 4 minutes, then oxygen-free and water-vapor-free hydrogen is passed through the system for 2 minutes and the induction generator is turned on. After the Dlytek is heated to the temperature of 1473 K, a gas mixture heated to the temperature of 473 K, consisting of pure hydrogen and vapors of aluminum acetylacetonate Al / CcH ^ O ^ / ^, is introduced into the reactor in the following amounts: hydrogen flow 1 · 10 "mol / h, flow of aluminum acetylacetonate 0.1 • 10 "3 mol / h. The pressure of the reactants is 100 Pa, the synthesis time of the layer is 20 minutes. After the layer is deposited, pure hydrogen is introduced into the reactor, the induction generator is turned off and the system is cooled to ambient temperature. Before removing the samples from the reactor, an inert gas is passed through it to remove hydrogen from the system. A smooth, well-adherent, black-colored alumina layer is obtained containing E - AlpO ^ .H8 064 3 Claims 1 »A method of producing crystalline aluminum oxide thin films on sintered carbons by chemical vapor deposition, characterized by the fact that products made of sintered carbons are heated to a temperature of 1273 - 1623 K, and then a gaseous mixture, preheated to a temperature of 453 - 523 K, is introduced into the reactor, containing hydrogen and vapors of organic aluminum compounds containing oxygen, in which the flow rate of hydrogen is is 0.5 - 10 • 10 mol / h, and the vapor of organic aluminum compounds containing oxygen 0.05 - 6 • 10 mol / h, while the crystallization process is carried out at a pressure of 10 - 2 • 10 * Pa for 2 - 60 minutes. 2, The method according to claim The method of claim 1, wherein the sintered carbide products are inductively heated to make them rotate. PL