Przedmiotem wynalazku jest sposób aktywacji domieszki implantowanej do pólprzewodnika, przeznaczony do stosowania w przemysle przy wykonywaniu przyrzadów pólprzewodnikowych, jak np. mikrofalowe tranzystory polowe z implantowanym kanalem.Znane sposoby aktywacji implantowanej domieszki polegaja na tym, ze w trakcie procesu aktywacji zachodza równoczesnie nastepujace zjawiska: odbudowa uszkodzonej implantacja sieci krystalicznej pólprzewodnika, przejscie domieszki z polozen miedzywezlowych w wezly sieci oraz dyfuzja domieszki.Z artykulu: R. L. Van Tugl, V. Kumer, D. C. D'Avanze, T. W. Taylor,V. E. Peterson, D. P.Hornbuckle, R. A. Fisher, and D. B. Estreich — „Amanufacturing process for analog and digital galium arsemide integrated arcuits, IEEE Tran.on Electron Devices Vol ED-29 pp 1031-1032 July 1982 — znany jest sposób aktywacji, polegajacy na wygrzewaniu z zabezpieczeniem powierzchni implantowanej przez pokrycie pasywujace dwutlenkiem krzemu. Takzew artykule: K. P.Pande, O.A. Aina, A. A. Lakhani, V. K. R. Nair and J. M. oConnor „A Simplified Capless Annealing of GaAs for MESFET Aplications" IEEE on Electron Devices, vol ED-31, No 4 pp 506-507, April 1984 — opisany jest sposób aktywacji polegajacy na wygrzewaniu arsenku galu w obecnosci arsenk indu, jako zródla par arsenu.W artykule: D. P. Siu and A. A. Immorlies „Comporison of doping profiles in Gapples Annaling and Dielectrically Copped-Anneale lon Implanted GaAs. „Jurnal of Elektronie Mate¬ rials Vol. 9, no. 5, pp 857-867, 1980 — opisano sposób aktywacji, polegajacjna wygrzewaniu arsenku galu w proszku grafitowym w obecnosci polikrystalicznego arsenku galu.Wada znanych sposobów aktywacji implantowanej domieszki jest koniecznosc stosowania specjalistycznej aparatury i oprzyrzadowanie o duzym stopniu komplikacji oraz koniecznosc stosowania wysokoczystych pierwiastków i zwiazków chemicznych do celów pomocniczych jak zabezpieczenie powierzchni poólprzewodnika przed degradacja struktury i ucieczka domieszki na zewnatrz.Wynalazek dotyczy sposobu aktywacji domieszki transplantowanej do pólprzewodnika, pole¬ gajacego na wygrzewaniu pólprzewodnika w obojetnej lub redukcyjnej atmosferze.Istota wynalazku polega na tym, ze przed wygrzewaniem pólprzewodnik umieszcza sie na podstawie dwuczesciowej, zamknietej pokrywa kasety. Pólprzewodnik zajmuje objetosc nie mniej-2 139 110 sza niz 70% objetosci komory kasety. Istnieje takze mozliwosc aktywacji domieszki sposobem wedlug wynalazku, przy czym równoczesnie uaktywnia sie dwa pólprzewodniki, których implanto- wane powierzchnie przylegaja do siebie.Korzystnym skutkiem stosowania sposobu wedlug wynalazku jest eliminacja szaregu proce¬ sów niezbednych do przeprowadzenia aktywacji w znacznych sposobach jak: technologie nanosze¬ nia warstw pasywujacych, ich obróbka — stabilizacja, lub stosowanie specjalnych atmosfer ochronnych — nadmiarowe cisnienie skladnika lotnego pólprzewodnka. Stosowanie sposobu pozwala na wyeliminowanie specjalistycznej apartatury i oprzyrzadowanie o duzym stopniu komplikacji. Sposób nie wymaga stosowania dodatkowych wysokoczystych pierwiastków i zwiaz¬ ków chemicznych uzywanych do celów pomocniczych w znanych sposobach. Sposób eliminuje wady znanych metod aktywacji.Przedmiot wynalazku jest objasniony w przykladzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstwia kasete z jednym pólprzewodnikiem w przekroju pionowym, fig. 2 przedstwia kasete z dwoma pólprzewodnikami w przekroju pionowym, a fig. 3 przedstawia profil koncentracji uaktyw¬ nionej domieszki.Przyklad I. Zamknieta, dwuczesciowa grafitowa kaseta sklada sie z podstawy 1 i pokrywy 2. W podstawie 1 znajduje sie komora 3. W komorze 3 pólprzewodnik 4 np. arsenek galu z implatowana selenem powierzchnia 5, po czym przykrywa sie pokrywe 2.Stosunek objetosci pólprzewodnika 4 do objetosci komory 3 jest nie mniejszy niz 70%.Zamknieta ta kasete umieszcza sie w reaktorze pieca, gdzie wygrzewa sie w temp. 875°C w czasie 30 minut w atmosferze wodoru, po zakonczeniu aktywacji kasete ochladza sie do temp. otoczenia i wyjmuje sie pólprzewodnik 4 arsenu galu z kasety z uaktywniona domieszka Przyklad II. Zamknieta, dwuczesciowa kaseta grafitowa sklada sie z podstawy 1 i pokrywy 2. W podstawie 1 znajduje sie komora 3. W komorze 3 umieszcza sie dwa pólprzewodniki 4 np. arsenku galu z implantowanymi selenem powierzchniami 5, po czym przykrywa sie pokrywa 2.Stosunek objetosci pólprzewodnika 4 do objetosci komory 3 jest nie mniejszy niz 70%.Nastepne czynnosci i warunki sa analogiczne jak w przykladzie 1.Sposób aktywacji wedlug wynalazku pozwala uzyskac klasyczny profil uaktywnionej domieszki w pólprzewodniku. Efekt aktywacji sposobem wedlug wynalazku przedstwia fig. 3.Profile koncentracji otrzymane przy pomocy pomiarów charakterystyk C-V sonda dwurteciowa próbki GaAs implantowanej selenem o dozie 5 • 1012A2 i energi 300 keV. i . Zastrzezenia patentowe 1. Sposób aktywacji domieszki implantowanej do pólprzewodnika, polegajacy na wygrzewa¬ niu pólprzewodnika w obojetnej lub redukcyjnej atmosferze, znamienny tym, ze przed wygrzewa¬ niem pólprzewodnik (4) umieszcza sie na podstawie (1) dwuczesciowej, zamknietej pokrywa (2) kasety, przy czym pólprzewodnik (4) zajmuje objetosc nie mniejsza niz 70% objetosci komory (3) kasety. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze przed wygrzewaniem umieszcza sie na podsta¬ wie (1) dwuczesciowej, zamknietej pokrywa (2) kasety dwa pólprzewodniki (4), których implanto- wane powierzchnie przylegaja wzajemnie do siebie, a objetosc zajmowana przez te pólprzewodniki (4) jest nie mniejsza niz 70% objetosci komory (3) kasety.139110 fig.1 fig. Z H 4 Im*] 10 22. 40 10 0,1 0,6 L/wi] fig. 5 PL