PL130366B1 - Method of and system for measurement of time constant of thermal relaxation of semiconductor diodes - Google Patents

Method of and system for measurement of time constant of thermal relaxation of semiconductor diodes Download PDF

Info

Publication number
PL130366B1
PL130366B1 PL22434980A PL22434980A PL130366B1 PL 130366 B1 PL130366 B1 PL 130366B1 PL 22434980 A PL22434980 A PL 22434980A PL 22434980 A PL22434980 A PL 22434980A PL 130366 B1 PL130366 B1 PL 130366B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
heating
diode
generator
pulses
sampling
Prior art date
Application number
PL22434980A
Other languages
English (en)
Other versions
PL224349A1 (pl
Inventor
Waclaw Niemyjski
Leszek Nowak
Original Assignee
Przemyslowy Inst Telekomun
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Przemyslowy Inst Telekomun filed Critical Przemyslowy Inst Telekomun
Priority to PL22434980A priority Critical patent/PL130366B1/pl
Publication of PL224349A1 publication Critical patent/PL224349A1/xx
Publication of PL130366B1 publication Critical patent/PL130366B1/pl

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób i uklad do pomiaru stalej czasu relaksacji termicz¬ nej diod pólprzewodnikowych malej i duzej mocy a w azozególnosci diod PIN* Znany jest opisany w artykule umieszczonym w pracach PIT Nr 65 z 1970 r* sposób wyzna¬ czania stalej czasu relaksaoji termicznej diod pólprzewodnikowych w oparciu o zmiany ciepl¬ ne, zachodzace w zastepczym modelu termicznym diody, uwzgledniajacym wymiane ciepla pomie¬ dzy zlaozem pólprzewodnikowym przez obudowe, chlodnioe do osrodka otaczajacego, z uwzgled¬ nieniem pojemnosoi cieplnych i rezystancji termicznych zlacza, obudowy i chlodnicy. Wartosc stalej czasu relaksacji termicznej diod pólprzewodnikowych wyznacza sie przez obliczenie odpowiedzi operatorowej na impulsowy skok jednostkowy mooy doprowadzonej do diody* Znany sposób pomiaru rezystancji termicznej zlacza diody - obudowa oraz stalej czasu relaksacji termicznej, badz stalej czasu nagrzewania jest oparty na nagrzewaniu diody, to znaczy zlacza i jej obudowy do okreslonej temperatury przez dostarczenie ciepla z zewnatrz lub przez wydzielenie ciepla w zlaczu oras przez pomiar temperatury tego zlacza na podsta¬ wie pradu plynaoego przez zlacze diody* Znany uklad do pomiaru stalej czasu relaksacji termicznej diod pólprzewodnikowych za¬ wiera przyrzad do pomiaru pradu grzania diody, przelacznik do wylaczania grzania diody, rezystor pomiarowy i osoylograJF do obserwacji krzywej zmian spadku napiecia na rezystorze pomiarowym* Znane sa równiez z opisu patentowego nr 87 214 i z opisu patentowego ZSRR nr 421 955 rozwiazania, dotyozace pomiaru impedanoji termicznej diod pólprzewodnikowych* W ukladach pomiarowyoh rezystancji termicznej diod stosuje sie impulsowe nagrzewanie zlacza z uzyciem generatorów impulsów* Hiedogodnosoia stosowanych dotychczas sposobów i ukladów pomiarowych jest to, ze stala czasu relaksacji termicznej wyznacza sie na podstawie funkcji przejsciowej zlozonego ukladu cieplnego* Obliczenia zapewniaja zadawalajaca dokladnosc tylko dla bardzo dlugich skoków jednostkowych mocy, doprowadzonych do diody pólprzewodnikowej, rzedu kilkunastu sekund*2 130 366 Wyznaczenie wartosci stalej ozasu relaksacji termioznej diod pólprzewodnikowych obciazo¬ nych moca o impulsach krótszych od 0,1 eek daje wyniki niedokladne, uniemozliwiajace wy¬ korzystanie ich w praktyce* Sposób pomiaru wedlug wynalazku umozliwia wyznaczenie stalej czasu relaksacji ter¬ micznej diod pólprzewodnikowych a w szczególnosci diod mikrofalowych na podstawie badania przebiegu temperatury samego zlacza, w warunkach pozwalajacych, pominac wplyw stalych ter- mioznyob oprawy i obudowy zlacza oraz chlodnicy, w której jest umieszczona badana dioda.W sposobie tym zlacze diody nagrzewa sie impulsowo do okreslonej temperatury, dobierajac ozas i moc nagrzewania w sterowniku grzania oraz czestosc powtarzania nagrzewania w ge¬ neratorze sterujacym grzaniem tak, by w czasie nagrzewania zlacza diody ilosc ciepla do¬ prowadzona do oprawy zlacza nie powodowala przyrostu jej temperatury oraz próbkuje sie zlacze diody w czasie jego stygniecia pradem pomiarowym ze zródla, pradowych impulsów próbkujacych i generatora próbkujacego* Wartosc stalej czasu relaksacji termicznej okresla sie z przebiegu napiecia wywola¬ nego próbkujacymi impulsami pradowymi zobrazowanego na ekranie oscylografu* / Wartosc stalej ozasu relaksacji mozna równiez wyznaczyc z liczby impulsów zliczonych przez licznik wysterowany bramka, z której poozatek okreslony jest przez temperature za¬ grzania diody, a koniec jest okreslony przez temperature ostygniecia diody.Uklad wedlug wynalazku wyróznia sie tym, ze do badanej diody dolaczony jest sterow¬ nik grzania, umozliwiajacy dobieranie czasu i mocy nagrzewania zlacza, polaczony z gene¬ ratorem sterujacym grzaniem, ustalajacym czestosc powtarzania nagrzewania* Do badanej diody dolaczone jest równiez zródlo impulsów próbkujacych, polaczone z generatorem steru¬ jacym pradem próbkujacym* Obydwa generatory sa polaczone jednymi wyjsciami ze soba oraz sa dolaczone drugimi wejsciami do oscylografu, polaczonego z badana dioda* W drugiej wersji ukladu wedlug wynalazku wyjsoie zródla pradowych impulsów próbkuja¬ cych i wyjscie sterownika grzania sa dolaczone do wejsc podwójnego komparatora, do które¬ go dolaczona jest równiez badana dioda* Wyjsoie komparatora dolaczone jest do licznika impulsów, rejestrujacego ilosc impulsów w czasie stygniecia zlacza badanej diody* Wejscia sterujace licznika polaczone sa z generatorem sterujacym grzaniem i ze zródlem pradowych impulsów próbkujacych* W obydwu wersjach ukladu wedlug wynalazku sterownik grzania jest badz impulsowym generatorem mocy, badz mikrofalowym generatorem o regulowanej mocy, polaczony z generato¬ rem sterujacym grzaniem* Korzystna cecha wynalazku jest to, ze okres powtarzania impulsów grzania jest dlugi i nie powoduje przyrostu temperatury chlodnicy, w której umocowana jest badana dioda* Czas nagrzewania zlacza badanej diody i wartosc mocy grzania sa tak dobrane, ze uplyw ciepla do chlodnicy jest pomijalny* Wynalazek jest przedstawiony w przykladzie wykonania na rysunku, na którym fig* 1 przedstawia schemat blokowy ukladu do pomiaru stalej czasu relaksacji termicznej z oscy¬ lografem, fig. 2 schemat blokowy ukladu z komparatorem a fig* 3 wykres spadku napiecia badanej diody widoczny na oscylografie* Impuls pradu grzania 0 wytwarzany w sterowniku grzania 3 o parametrach zadanych przebiegiem z generatora sterujacego grzaniem 5 jest podawany na diode 1 powodujqcnagrza¬ nie zlacza diody do temperatury T..* Po zaniku pradowego impulsu grzania generator steru¬ jacy pradem próbkowania 4 wytwarza impulsy sterujace zródlem pradowych impulsów próbku¬ jacych 2 i wyzwala podstawe czasu w oscylografie 6* Próbkowanie odbywa sie pradem pomia¬ rowym o natezeniu mniejszym niz 1 /dA, próbkujac co kilkadziesiat ;us impulsami dlugosci kilku/as* Impulsy pradu próbkujacego^ ze zródla pradowych impulsów próbkujacych 2 po¬ dawane sa na badana diode 1, wywolujac na zmieniajacej sie z temperatura rezystancji jej zlacza, spadek napiecia kontrolowany na oscylografie 6* W innej wersji sposobu wyznaczania stalej czasu relaksacji termicznej wykorzystuje sie, zamiast sledzenia na ekranie oscylografu zmian spadku napiecia na zlaczu diody, zli- czanie ilosci impulsów próbkujacych i , które "zmieszcza sie" w czasie stygniecia zlacza130366 3 diody od temperatury T. do temperatury T2* Wartosci zadanych napiec w temperaturze T- i T2 podaje eie na wejscie podwójnego komparatora wytwarzajacego bramke dla licznika impulacw, W ukladzie z komparatorem proces grzania i próbkowania odbywa B±e analogicznie z tym, ze impulay ze zródla pradowych impulsów próbkujacyoh 2 i ze sterownika pradu grzania 3 podawane sa na wejscie podwójnego komparatora 7* Do komparatora doprowadzane sa takze im¬ pulay spadku napiecia z badanej diody 1* Wyjscie komparatora 7 dolaczone jest do licznika impulsów 8, którego czas liczenia sterowany jest przebiegami wytworzonymi w generatorze sterujacym próbkowaniem 4 i ze zródla pradowego impulsów próbkujacych 2. Ilosc impulsów jaka zostanie zarejestrowana na liczniku 6 w czasie stygniecia zlacza badanej diody 1 od temperatury T- do Tp wyznacza stala czasu relaksacji termioznej* Zastrzezenia patentowe 1. Sposób pomiaru stalej czasu relaksacji termicznej diod pólprzewidnikowych, pole¬ gajacy na okresleniu stalej czasu stygniecia z pomiarów temperatury nagrzanego zlacza wyznaczanej ze zmiany jego rezystanoji elektrycznej, przy nagrzewaniu zlacza diody impul¬ sowo do okreslonej temperatury, znamienny tym, ze dobiera sie czas i moc nagrzewania w sterowniku grzania /3/ oraz czestosc powtarzania nagrzewania w generatorze sterujacym grzaniem /5/, tak aby w ozasie nagrzewania zlaoza diody, ilosc ciepla doprowa¬ dzona do oprawy zlaoza nie powodowala przyrostu jej temperatury oraz próbkuje sie zlacze diody w czasie jego stygnieoia pradem pomiarowym ze zródla pradowych impulsów próbkuja¬ cych /2/ i generatora próbkujacego /4/ a z przebiegu napiecia wywolanego próbkujacymi im¬ pulsami pradowymi zobrazowanego na ekranie oscylografu /6/ okresla sie wartosc stalej cza¬ su relaksacji termicznej* 2* Sposób wedlug zastrz* 1,znamienny tym, ze wartosc stalej czasu relaksacji termioznej wyznacza sie z liczby impulsów zliczonych przez licznik wysterowany bramka, której poczatek okreslony jest przez temperature zagrzania diody, a koniec okres¬ lony jest przez temperature ostygniecia diody. 3* Uklad do pomiaru stalej czasu relaksacji termicznej diod pólprzewodnikowych, za¬ wierajacy generator sterujacy grzaniem, generator impulsów próbkujacych, oscylograf, znamienny tym, ze do badanej diody /1/, dolaczony jest sterownik grzania /3/, umozliwiajacy dobieranie czasu i mocy nagrzewania zlacza, polaczony z generatorem steruja¬ cym grzanie /5/, ustalajacym ozestosc powtarzania nagrzewania oraz do badanej diody /1/ dolaczone jest zródlo impulsów próbkujacych /2/ polaczone z generatorem sterujacym pradem próbkujacym /4/, a obydwa generatory sa polaczone jednymi wyjsciami ze soba oraz sa dola¬ czone drugimi wejsciami do oscylografu /6/ polaczonego z badana dioda /1/# 4* Uklad wedlug zatrz* 3t znamienny tym, ze wyjscie zródla pradowych impulsów próbkujacych /2/ i wyjscie sterownika grzania /3/ sa dolaczone do wejsc podwójne¬ go komparatora /7/f do którego dolaozona Jest równiez badana dioda /1/, zas wyjscie kompa¬ ratora HI dolaczone jest do lioznika impulsów /8/, rejestrujacego ilosc impulsów w czasie stygniecia zlaoza badanej diody, którego to licznika /8/ wejscia sterujace polaczone sa z generatorem sterujaoym grzaniem /5/ i ze zródlem pradowych impulsów próbkujacych /2/* 5* Uklad wedlug zastrz* 3 albo 4,znamienny tym, ze sterownik grzania/3/ jest impulsowym generatorem mikrofalowym o regulowanej mocy, polaczony z generatorem steru¬ jacym grzaniem*130 366 2 A nt ., • rri i 1 4,j w §t c f i i i i 3 * \ % Fig.1 2 1 : 1 ' L_ i —i r 1 Jj ' 7 1 1 m C 1 3 f*—\ m s 4 Fig. 2 Fig.3 Pracownia Poligraficzna UPPRL. Naklad 100 cgz.Cena 100 zl PL

Claims (5)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób pomiaru stalej czasu relaksacji termicznej diod pólprzewidnikowych, pole¬ gajacy na okresleniu stalej czasu stygniecia z pomiarów temperatury nagrzanego zlacza wyznaczanej ze zmiany jego rezystanoji elektrycznej, przy nagrzewaniu zlacza diody impul¬ sowo do okreslonej temperatury, znamienny tym, ze dobiera sie czas i moc nagrzewania w sterowniku grzania /3/ oraz czestosc powtarzania nagrzewania w generatorze sterujacym grzaniem /5/, tak aby w ozasie nagrzewania zlaoza diody, ilosc ciepla doprowa¬ dzona do oprawy zlaoza nie powodowala przyrostu jej temperatury oraz próbkuje sie zlacze diody w czasie jego stygnieoia pradem pomiarowym ze zródla pradowych impulsów próbkuja¬ cych /2/ i generatora próbkujacego /4/ a z przebiegu napiecia wywolanego próbkujacymi im¬ pulsami pradowymi zobrazowanego na ekranie oscylografu /6/ okresla sie wartosc stalej cza¬ su relaksacji termicznej*
  2. 2. * Sposób wedlug zastrz* 1,znamienny tym, ze wartosc stalej czasu relaksacji termioznej wyznacza sie z liczby impulsów zliczonych przez licznik wysterowany bramka, której poczatek okreslony jest przez temperature zagrzania diody, a koniec okres¬ lony jest przez temperature ostygniecia diody.
  3. 3. * Uklad do pomiaru stalej czasu relaksacji termicznej diod pólprzewodnikowych, za¬ wierajacy generator sterujacy grzaniem, generator impulsów próbkujacych, oscylograf, znamienny tym, ze do badanej diody /1/, dolaczony jest sterownik grzania /3/, umozliwiajacy dobieranie czasu i mocy nagrzewania zlacza, polaczony z generatorem steruja¬ cym grzanie /5/, ustalajacym ozestosc powtarzania nagrzewania oraz do badanej diody /1/ dolaczone jest zródlo impulsów próbkujacych /2/ polaczone z generatorem sterujacym pradem próbkujacym /4/, a obydwa generatory sa polaczone jednymi wyjsciami ze soba oraz sa dola¬ czone drugimi wejsciami do oscylografu /6/ polaczonego z badana dioda /1/#
  4. 4. * Uklad wedlug zatrz* 3t znamienny tym, ze wyjscie zródla pradowych impulsów próbkujacych /2/ i wyjscie sterownika grzania /3/ sa dolaczone do wejsc podwójne¬ go komparatora /7/f do którego dolaozona Jest równiez badana dioda /1/, zas wyjscie kompa¬ ratora HI dolaczone jest do lioznika impulsów /8/, rejestrujacego ilosc impulsów w czasie stygniecia zlaoza badanej diody, którego to licznika /8/ wejscia sterujace polaczone sa z generatorem sterujaoym grzaniem /5/ i ze zródlem pradowych impulsów próbkujacych /2/*
  5. 5. * Uklad wedlug zastrz* 3 albo 4,znamienny tym, ze sterownik grzania/3/ jest impulsowym generatorem mikrofalowym o regulowanej mocy, polaczony z generatorem steru¬ jacym grzaniem*130 366 2 A nt ., • rri i 1 4,j w §t c f i i i i 3 * \ % Fig.1 2 1 : 1 ' L_ i —i r 1 Jj ' 7 1 1 m C 1 3 f*—\ m s 4 Fig. 2 Fig.3 Pracownia Poligraficzna UPPRL. Naklad 100 cgz. Cena 100 zl PL
PL22434980A 1980-05-19 1980-05-19 Method of and system for measurement of time constant of thermal relaxation of semiconductor diodes PL130366B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL22434980A PL130366B1 (en) 1980-05-19 1980-05-19 Method of and system for measurement of time constant of thermal relaxation of semiconductor diodes

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL22434980A PL130366B1 (en) 1980-05-19 1980-05-19 Method of and system for measurement of time constant of thermal relaxation of semiconductor diodes

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL224349A1 PL224349A1 (pl) 1981-11-27
PL130366B1 true PL130366B1 (en) 1984-07-31

Family

ID=20003160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL22434980A PL130366B1 (en) 1980-05-19 1980-05-19 Method of and system for measurement of time constant of thermal relaxation of semiconductor diodes

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL130366B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL224349A1 (pl) 1981-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4501145A (en) Immersion thermal exchange parameter determination
KR19980086710A (ko) 회로내의 저항 및 전류측정용 회로
US4795966A (en) Method and apparatus for measuring the equivalent series resistances of a capacitor
US4447698A (en) Welding system monitoring and control system
RU2125258C1 (ru) Способ и устройство для идентификации комплекса теплофизических свойств твердых материалов
US3659199A (en) Rectifier test method
PL130366B1 (en) Method of and system for measurement of time constant of thermal relaxation of semiconductor diodes
CN208092192U (zh) 一种半导体致冷晶棒测试仪
JP4284545B2 (ja) 比熱容量測定方法及び装置
EP3594669B1 (en) Thermal analysis of semiconductor devices
RU2003128C1 (ru) Способ определени теплового сопротивлени переход - корпус полупроводниковых диодов
US6553828B1 (en) Cooled dual element thermocouple computer and flow velocity measurement method
DE10038792C1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Messung des Füllstandes einer Flüssigkeit in einem Behälter
SU494628A1 (ru) Способ определени температуры электроннодырочного перехода
RU2716466C1 (ru) Способ контроля теплофизических свойств материалов и устройство для его осуществления
Stahl et al. Automatic measurement of the reverse recovery behavior of ultra-fast diodes
RU2077705C1 (ru) Имитатор источника оптического излучения
SU1004778A1 (ru) Устройство дл измерени температуры вспышки нефтепродуктов
Cooper et al. An innovative fast-response, co-axial, capacitive high voltage probe
SU974305A1 (ru) Способ измерени температуры рабочего сло диода Ганна
RU2192000C2 (ru) Способ неразрушающего контроля теплофизических характеристик материалов
SU1092436A1 (ru) Способ определени времени жизни неосновных носителей зар да в полупроводниковых приборах с @ - @ переходами
SU717567A1 (ru) Устройство дл измерени и контрол температуры
US2064663A (en) Electrical testing
SU920549A1 (ru) Калориметрический способ измерени потерь энергии