PL128684B1 - Transistorized sampling system - Google Patents

Transistorized sampling system Download PDF

Info

Publication number
PL128684B1
PL128684B1 PL22472780A PL22472780A PL128684B1 PL 128684 B1 PL128684 B1 PL 128684B1 PL 22472780 A PL22472780 A PL 22472780A PL 22472780 A PL22472780 A PL 22472780A PL 128684 B1 PL128684 B1 PL 128684B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistor
output
source
transistors
collectors
Prior art date
Application number
PL22472780A
Other languages
English (en)
Other versions
PL224727A1 (pl
Inventor
Wieslaw Tlaczala
Leonard Tykarski
Original Assignee
Politechnika Warszawska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Warszawska filed Critical Politechnika Warszawska
Priority to PL22472780A priority Critical patent/PL128684B1/pl
Publication of PL224727A1 publication Critical patent/PL224727A1/xx
Publication of PL128684B1 publication Critical patent/PL128684B1/pl

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest tranzystorowy uklad próbkujacy do próbkowania sygnalów elektrycznyeh* W dotychczasowej technice pomiarowej stosowane sa rózne uklady bramkujace. Wsród nich szczególnie wiele zalet ma uklad tranzystorowy opisany w RFE nr 9, 1977 r»» str.310 "Integrierte Torschaltung mit hóher stabilitat"* Uklad ten sklada sie z dwóch zródel pra¬ dowych, dwóoh par tranzystorów, ozterech kondensatorów, opornika i dwóch wzmaonlaozy* Pierwsze irodlo pradowe polaczone jest z ujemnym biegunem pierwszego zródla napieola zasi¬ lania oraz z dwoma polaczonymi ze soba emiterami pary tranzystorów przelaczajacych n-p-n+ Kolektor kazdego z tych tranzystorów polaczony jest z kolektorem tranzystora z drugiej pary tranzystorów p-n-p, których polaozone ze soba emitery dolaozone sa do drugiego zródla pradowego polaczonego z dodatnim biegunem drugiego zródla napieoia zasilania* Bazy obu par tranzystorów sa tak spolaryzowane, ze dwa polaozone ze soba kolektorami tranzystory komple¬ mentarne przewodza, a pozostale dwa równiez polaozone kolektorami sa odciete* Do baz tranzystorów odoietych dolaozone sa poprzez kondensatory wejscia przeciwfazowe generatora impulsów kluczujacych* Do kolektorów pary komplementarnych tranzystorów przewodzacych dolaczony Jest uziemiony z drugiej strony kondensator 1 wejscie wzmacniacza, którego syg¬ nal wyjsolowy steruje wartoscia pradu pierwszego zródla pradowego* Do polaczonych ze soba kolektorów drugiej pary tranzystorów komplementarnych dolaczony jest kondensator uziemiony z drugiej strony, zbooznikowany rezystorem 1 wejscie wzmacniacza, na którego wyjsciu re¬ jestruje sie sygnal uzyteczny* Wzmacniacz ten sklada sie z polaczonych ze soba: zródla pradowego dolaczonego do ujemnego bieguna napiecia zasilajacego, dzielnika zlozonego z dwóch polaczonych ze soba szeregowo rezystorów, tranzystora polowego, którego zródlo polaczone jest z poczatkiem dzielnika, bramka stanowi wejscie wzmacniacza, a dren pola¬ czony jest z emiterem tranzystora n-p-n polaczonego kolektorem z dodatnim biegunem napie-2 128 68% ola zasilajaoego* Pomiedzy dodatnia biegunem napieola zasilajaoego a baza tranzystora n-p-n niaozony jest razystor a pomiedzy baza tranzystora n~p-n a zródlem tranzystora polowego wlaczona Jest dioda Zenera* Wyjsoie wzmaoniaoza stanowi punkt polaczenia obu rezystorów* Zaletami tego ukladu saj duza szybkosc przelaczenia, niewielka amplituda impulsów sterujacych 1 symetria ukladuj oo zapobiega przenoszeniu na wyjscie ukladuf sygnalów sterujacych* Uklad ten ma równie! 1 wady takie Jak koniecznosc doboru ldentyoznyoh tranzy¬ storów P-n-p i n-p-n w kluczu tranzystorowym, dosyc duza opornosc wyjsciowa wzmacniacza wyjsciowego oraz przenikanie na wyjscie ukladu sygnalu kasujacego doprowadzonego do wejsoia sygnalowego wzmaoniaoza wyjsolowego i niewielka szybkosc powtarzania impulsów* Istota wynalazku polega na tym, ze do kolektorów pierwszej pary tranzystorów komple¬ mentarnych dolaczone sa dwa zródla pradowe, korzystnie poprzez dzielnik rezystorowy dola¬ czony z drugiej strony pomiedzy punkt polaczenia pierwszego zródla pradowego z ujemnym biegunem zródla napieola zasilania a punkt polaczenia drugiego zródla pradowego z dodatnim biegunem drugiego zr&dla napiecia zasilania, przy czym baza kazdego tranzystora polaozona jest galwanioznie z odrebnym wyjsciem generatora sygnalów kluozujaoyoh, zas do kolektorów drugiej pary tranzystorów komplementarnych, równolegle z bramka tranzystora polowego wzma¬ cniacza wyjsoiowego dolaozony Jest kondensator kompensujacy i dren tranzystora kluozujace- gof które sa sterowane z dodatkowego generatora* Wzmacniacz wyjsciowy wyposazony jest w dodatkowy tranzystor, którego baza dolaczona jest do punktu polaczenia obu rezystorów dzielnika, kolektor do dodatniego bieguna napiecia zasilajacego, a emiter polaczony z anoda diody Zenera, stanowiacy wyjsoie wzmaoniaoza, dolaczony Jest poprzez rezystor do ujemnego bieguna napieola zasilajacego* Uklad ten ma wszystkie zalety znanego rozwiazania a ponadto nie wymaga doboru tranzys¬ torów kluczujacych, ma mala lmpedanoje wyjsoiowa, przystosowany Jest do pracy z duza czesto¬ scia powtarzania impulsów próbkujacych i ma wystarczajace zabezpieczenie przed przedosta¬ waniem sie na Jego wyjsoie napiecia sterujacego kasowaniem sygnalu wyjsoiowego* Przedmiot wynalazku uwidoczniony Jest w przykladzie wykonania na rysunku, na którym fig* 1 przedstawia schemat ideowy ukladu, a fig* 2 schemat ideowy wzmacniacza wyjsoiowego* Uklad sklada sie z dwóoh zródel I., I_ pradowych, do któryoh dolaczony jest komple¬ mentarny przelaoznlk zbudowany na tranzystorach TY, TY, TY, TY« Jeden zaolsk zródla pra¬ dowego I4 polaczony jest z ujemnym biegunem zródla na£ieoia zasilania E4, a drugi z emi¬ terami tranzystorów T4, T2» Kolektor tranzystora T« polaczony Jest z kolektorem tranzysto¬ ra TY. a kolektor tranzystora T2 z kolektorem tranzystora TY* Baza tranzystora T1 polaozona jest z wyjsoiem a generatora G1 sygnalów kluozujaoych, a baza tranzystora TY z wyjsoiem b generatora G1* Z wyjsoiem o generatora G1 polaozona jest baza tranzystora TY, a z wyjsciem d baza tranzystora TY* anitery tranzystorów TY, T^ dolaczone sa do jednego zacisku zródla pradowego I2, któ¬ rego drugi zacisk dolaczony jest do dodatniego bieguna drugiego zródla napieola zasilania E2# Pomiedzy punktem polaczenia zródla pradowego I4 z ujemnym biegunem zródla napiecia zasila¬ nia £4 a punktem polaczenia zródla pradowego I2 z dodatnim biegunem drugiego zródla napie¬ cia zasilania E2 wlaozone sa rezystory R4 1 Rg, a miedzy tymi rezystorami R4, R2 dolaczony jest jeden konleo rezystora R«» którego drugi konieo dolaczony Jest do kolektorów tranzys¬ torów TY, TY* Do tych kolektorów dolaozony Jest uziemiony z drugiej strony kondensator C4 1 wejsoie wzmaoniaoza KI, którego napiecie wyjsolowe U steruje wartoscia pradu zródla pradowego I4* Do kolektorów tranzystorów Tg, T^ dolaozony jest uziemiony z drugiej strony kondensator C2, wejsoie wzmaoniaoza K2 oraz dren tranzystora polowego TY i kondensator kompensujacy C~, którego druga okladka polaozona Jest z wyjsoiem a generatora G2, zas z wyjsoiem b tego generatora polaozona jest bramka tranzystora TY*128 634 3 Wejscie wzmacniacza K2 stanowi bramka tranzystora T^t którego zródlo poprzez szere¬ gowo polaczone rezystory Rjlj R~ polaczone jest ze zródlem pradowym I- dolaczonym do ujemnego bieguna napiecia zasilajacego -E, Dren tranzystora TV polaczony jest z emitera tranzystora T~f którego kolektor Jest dolaczony do dodatniego bieguna napiecia zasila** Jacego +E# Baza tranzystora T- jest wlaczona miedzy rezystor R^, dolaozony z drugiej strony do dodatniego bieguna napiecia zasilajacego +Ef a katode diody Zenera D, której anoda dolaozona jest do emitera dodatkowego tranzystora Tg polaczonego poprzez rezys¬ tor R~ z ujemnym biegunem napiecia zasilajacego -E# Baza tego tranzystora dolaozona jest miedzy rezystory Rk a R-j kolektor jest dolaczony bezposrednio do dodatniego bie¬ guna napiecia zasilajacego +E, a emiter stanowi wyjsoie wzmacniacza K2 i wyjsoie Yy skompensowanego tranzystorowego ukladu próbkujacego* Uklad wedlug wynalazku dziala w nastepujacy sposób, 2ródla pradowe I1f I2 stero¬ wane sa sygnalem badanym tak, ze sygnal ten powoduje wzrost natezenia pradu z jednego zródla a zmniejszenie z drugiego zródla* Tranzystory T., T^, T«, Tl stanowia uklad kiuozujacy, ¥ okresie gdy sygnal nie Jest próbkowany, przewodza tranzystory T1 i T^# Róznica pradów kolektorwyeh tranzystorów T. i T. powoduje zmiane napiecia na kondensa¬ torze CA» Zmiana ta poprzez wzmacniacz E1 steruje natezeniem pradu zródla pradowego I1.Stan ustalony na kondensatorze C1 odpowiada idealnej równosci pradów kolektorwyeh tranzystorów T. i T-. Kondensator C1 ma wystarczajaco duza wartosc aby usrednic szyb¬ kie zmiany pradów kolektorowych tranzystorów T. i T. zwiazane ze zmianami napiecia próbkujacego* V okresie pobierania próbki na wyjsciach generatora G1 pojawiaja sie Impulsy na¬ piecia tak dobrane* ze otwarte zostaja tranzystory T~ i Tk a zamkniete tranzystory T. i f^» V okresie próbkowania polaryzacja zródla pradowego I,, nie zdazy sie zmienic i przez kondensator C-, plynie prad, którego natezenie jest zalezne od chwilowej wartosci napiecia odpowiadajacej równym pradom kolektorowym tranzystorów T1 i T~# Do wyrównania pradów kolektorowych tranzystorów T2 i T. sluzy dzielnik zlozony z rezysto¬ rów R.j R2, R-, Wartosci tych rezystorów sa tak dobrane, aby napiecie na kondensatorze C2 bylo równe zero gdy sygnal podlegajacy próbkowaniu jest równy zero. Napiecie poja¬ wiajace sie na kondensatorze C~ po próbkowaniu jest wzmacniane we wzmacniaczu K2, Yzmacniaoz K2 zapewnia dobra separacje i mala opornosc wyjsciowa.Dolaczony do nieuziemionej okladki kondensatora C^ tranzystor T~ sterowany z wyjscia generatora G2 stanowi kluoz, przez który kondensator C^ rozladowuje sie przed kolejnym próbkowaniem* Przez kondensator C_ podaje sie impuls o polaryzaojl przeciwnej do impulsu otwierajacego tranzystor T-# V ten sposób kompensuje sie przeni¬ kanie impulsu otwierajacego przez pojemnosc dren - bramka tranzystora T„, Tranzystor polowy Tir wzmacniacza K2 pracuje Jako wtórnik, którego prad zródla jest staly i nie zalezy od napiecia U. na wejsoiu wzmacniacza K2+ Tranzystor Tg stanowi drugi wtórnik i napiecie na jego wyjsciu wynosi zero gdy napiecie wejsciowe U. jest równe zero.Tranzystor T~ pracuje w ukladzie wtórnika przenoszacego zmiany napiecia wyjsciowego U~ na dren tranzystora Tr« Dzieki temu napleola miedzy bramka a drenem i miedzy bramka a zródlem tranzystora Tg sa stale i nie zaleza od wart os oi napiecia U1# Ze wzgledu na to wzmacnlaoh K2 ma bardzo mala pojemnoscia ze wzgledu na wtórnikowe wyjscie z tran¬ zystora Tg ma mala opornosc wyjsciowa.Zastrzezenia patentowe 1, Tranzystorowy uklad próbkujaoy skladajacy sie ze sterowanego sygnalem badanym zródla pradowego, które z jednej strony dolaczone jest do ujemnego bieguna zródla " napiecia zasilania, a z drugiej strony do polaczonych ze soba emiterów pierwszej pary tranzystorów, przy czym ich kolektory polaczone sa parami z kolektorami drugiej pary tranzystorów, których emitery sa polaczone ze soba i dolaczone do drugiego zródla128 6Sk pradowego sterowanego tym samym sygnalem badanym i dolaozonego a drugiej strony do dodatniego bieguna drugiego zródla napiecia zasilania, a ponadto do polaczonych ze so¬ ba kolektorów jednej dwójki komplementarnych tranzystorów z obu par dolaozony Jest kondensator, o uziemionej Jednej okladce i wejscie wzmaoniaoza, którego sygnal wyjsolo¬ wy steruje wartoscia pradu pierwszego zródla pradowego, a do kolektorów drogiej dwójki komplementarnych tranzystorów dolaozony Jest kondensator, o uziemionej jednej okladce oraz wzmacniacz wyjsciowy, którego wejscie stanowi bramka tranzystora polowego, a dren polaozomy jest z emiterem tranzystora n-p-n dolaozonego kolektorem do dodatniego bie¬ guna napieoia zasilajacego a poprzez rezystor do swojej bazy, do której Jest dolaczona katoda dioda Zenera zas zródlo tranzystora polowego poprzez polaozone szeregowo rezys¬ tory polaozone jest ze zródlem pradowym dolaczonym do ujemnego bieguna napieoia zasila¬ jacego, znamienny tym, ze do kolektorów pierwszej pary komplementarnych tranzystorów /TAi T^/ dolaozone sa oba zródla pradowe /XA$ X2/9 korzystnie poprzez dzielnik rezystorowy /R^ R2, R^/ dolaczony z drugiej strony pomiedzy punkt polaozenia pierwszego zródla pradowego /Z^/ z ujemnym biegunem zródla napieoia zasilania /E / a punkt polaczenia drugiogo zródla pradowego /X2/ z dodatnim biegunem drugiego zródla napiecia zasilania /E2/- przy czym baza kazdego tranzystora /Tj, T2, T-, T^/ polaczona jest galwanicznie z odrebnym wyjsciem /a, b, c, d/ generatora /G1/ impulsów kluczuja¬ cych, zas do kolektorów drugiej pary komplementarnych tranzystorów /T2, TjV równolegle z bramka tranzystora polowego /T6/ wzmacniacza wyjsoiowego /K2/ dolaozony jest konden¬ sator kompensujaoy /C^/ i dren tranzystora kluczujacego /?J$ które sa sterowane z dodatkowego generatora /OZ/. 2. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze wzmaeniaoz wyjsciowy /K2/ wyposazony Jest w dodatkowy tranzystor /Tq/, którego baza dolaczona jest do punktu polaczenia obu rezystorów /Rj^, R^/ dzielnika, kolektor do dodatniego bieguna napiecia zasilajacego /+E/, a emiter polaczony z anoda diody Zenera /D/ stanowiacy wyjscie wzmacniacza /K2/, polaczony jest poprzez rezystor /R^ z ujemnym biegunem napiecia zasilajacego /-E/# FI6 2 Pracownia Poligraficzni UP PRL. Naklad 100 e§/.Cena 100 zl PL

Claims (2)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. , Tranzystorowy uklad próbkujaoy skladajacy sie ze sterowanego sygnalem badanym zródla pradowego, które z jednej strony dolaczone jest do ujemnego bieguna zródla " napiecia zasilania, a z drugiej strony do polaczonych ze soba emiterów pierwszej pary tranzystorów, przy czym ich kolektory polaczone sa parami z kolektorami drugiej pary tranzystorów, których emitery sa polaczone ze soba i dolaczone do drugiego zródla128 6Sk pradowego sterowanego tym samym sygnalem badanym i dolaozonego a drugiej strony do dodatniego bieguna drugiego zródla napiecia zasilania, a ponadto do polaczonych ze so¬ ba kolektorów jednej dwójki komplementarnych tranzystorów z obu par dolaozony Jest kondensator, o uziemionej Jednej okladce i wejscie wzmaoniaoza, którego sygnal wyjsolo¬ wy steruje wartoscia pradu pierwszego zródla pradowego, a do kolektorów drogiej dwójki komplementarnych tranzystorów dolaozony Jest kondensator, o uziemionej jednej okladce oraz wzmacniacz wyjsciowy, którego wejscie stanowi bramka tranzystora polowego, a dren polaozomy jest z emiterem tranzystora n-p-n dolaozonego kolektorem do dodatniego bie¬ guna napieoia zasilajacego a poprzez rezystor do swojej bazy, do której Jest dolaczona katoda dioda Zenera zas zródlo tranzystora polowego poprzez polaozone szeregowo rezys¬ tory polaozone jest ze zródlem pradowym dolaczonym do ujemnego bieguna napieoia zasila¬ jacego, znamienny tym, ze do kolektorów pierwszej pary komplementarnych tranzystorów /TAi T^/ dolaozone sa oba zródla pradowe /XA$ X2/9 korzystnie poprzez dzielnik rezystorowy /R^ R2, R^/ dolaczony z drugiej strony pomiedzy punkt polaozenia pierwszego zródla pradowego /Z^/ z ujemnym biegunem zródla napieoia zasilania /E / a punkt polaczenia drugiogo zródla pradowego /X2/ z dodatnim biegunem drugiego zródla napiecia zasilania /E2/- przy czym baza kazdego tranzystora /Tj, T2, T-, T^/ polaczona jest galwanicznie z odrebnym wyjsciem /a, b, c, d/ generatora /G1/ impulsów kluczuja¬ cych, zas do kolektorów drugiej pary komplementarnych tranzystorów /T2, TjV równolegle z bramka tranzystora polowego /T6/ wzmacniacza wyjsoiowego /K2/ dolaozony jest konden¬ sator kompensujaoy /C^/ i dren tranzystora kluczujacego /?J$ które sa sterowane z dodatkowego generatora /OZ/.
  2. 2. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze wzmaeniaoz wyjsciowy /K2/ wyposazony Jest w dodatkowy tranzystor /Tq/, którego baza dolaczona jest do punktu polaczenia obu rezystorów /Rj^, R^/ dzielnika, kolektor do dodatniego bieguna napiecia zasilajacego /+E/, a emiter polaczony z anoda diody Zenera /D/ stanowiacy wyjscie wzmacniacza /K2/, polaczony jest poprzez rezystor /R^ z ujemnym biegunem napiecia zasilajacego /-E/# FI6 2 Pracownia Poligraficzni UP PRL. Naklad 100 e§/. Cena 100 zl PL
PL22472780A 1980-06-04 1980-06-04 Transistorized sampling system PL128684B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL22472780A PL128684B1 (en) 1980-06-04 1980-06-04 Transistorized sampling system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL22472780A PL128684B1 (en) 1980-06-04 1980-06-04 Transistorized sampling system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL224727A1 PL224727A1 (pl) 1981-12-11
PL128684B1 true PL128684B1 (en) 1984-02-29

Family

ID=20003471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL22472780A PL128684B1 (en) 1980-06-04 1980-06-04 Transistorized sampling system

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL128684B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL224727A1 (pl) 1981-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4751408A (en) Voltage-switching device
US3077545A (en) Gates including (1) diodes and complementary transistors in bridge configuration, and (2) diodes with parallelled complementary transistors
DE69515979T2 (de) Mobilfunkendgerät mit einem Schaltkreis
US4808859A (en) Broadband electronic switch
KR890004531A (ko) 송신기 회로, 전압-전류변환기 회로 및 전류 증폭기 회로
US2782303A (en) Switching system
EP0430063B1 (en) Switching apparatus with cascaded switch sections
US2998487A (en) Transistor switching arrangements
US3230397A (en) Broadband video frequency switching circuit
US3433978A (en) Low output impedance majority logic inverting circuit
CA1237487A (en) Radio frequency switch
US3207927A (en) Electric gating circuits
PL128684B1 (en) Transistorized sampling system
US5212408A (en) Ultra fast pin diode switch
US3123721A (en) Input
US3515906A (en) Bilateral analog switch
US3996462A (en) Solid-state current transformer
GB1407246A (en) High voltage switching systems
US3593035A (en) Marginal switching arrangement
US3382377A (en) Polarity shift receiver
GB1216957A (en) Television signal distributor
US3339022A (en) Transistor circuit for receiving data pulses
US3657562A (en) Electronic switching arrangement
US3330969A (en) Electronic device for switching low-level voltage signals
US4082964A (en) Diode switch